2017년 4월 부원장 업무추진비

2017년 4월 원장업무추진비

KIST, 육군 교육사령부와 MOU 체결 - 국방전력(戰力) 발전을 위한 과학기술계의 역할 기대 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권)은 4월 20일(목) 11시 KIST 서울본원에서 육군 교육사령부(사령관 장재환 중장)와 국방전력 발전에 기여할 과학기술 분야 교류 및 협력 증진을 위한 협약(MOU)을 체결하였다. 양 기관은 국방 과학화에 대한 국민적 요구에 부응하고 변화하는 미래 전장 환경에 대비하기 위한 공동의 노력이 필요함을 인식하고, 이번 협약을 통해 향후 육군의 전력발전 수요 발굴과 KIST의 기술지원, 국방 관련 연구개발 참여 및 지원활동을 수행해 나갈 계획이다. KIST 이병권 원장은 “이번 업무협약으로 출연(연)과 군이 상호 협력하는 민군 기술협력 체계가 한층 견고해지고, 나아가 민군협력을 통한 공익 목표 달성의 좋은 전례를 만들 것으로 전망한다.”고 밝혔다. 한편, KIST는 설립 초기부터 총포류, 무전기, 해군 고속정, 폭발물 제거 로봇 등 국방 관련 기술을 꾸준히 개발해왔으며, 특히 최근에는 국방부의 전력지원체계 연구개발사업 2개 과제를 수행한 바 있다. 그 중 2016년 연구개발에 성공한 ‘발칸 추적훈련 분석기’는 올해부터 야전에 배치할 계획이며, 차세대 군용 무전기의 예비전지인 ‘新개념 금속 연료전지’는 올해 4월 중 연구개발을 완료할 예정이다.

KIST, 과학 꿈나무를 위한 ‘과학상상나눔 페스티벌’ 개최 - 과학의 날 KIST에서 초등학생 대상 과학 상상 그리기 대회 개최 - 과학체험 부스 신설 운영을 통해 과학에 대한 흥미 유발 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권)은 제50회 과학의 날을 맞아 4월 21일(금) 오후 2시부터 오후 5시까지 서울시 성북구 하월곡동 KIST 본원 잔디마당에서 ‘과학상상나눔 페스티벌’을 개최했다. 초등학생을 대상으로 한 본 행사는 과학 상상 그리기 대회 참가로 과학적 상상력을 고취시키고 과학기술의 중요성을 인식시키기 위해 KIST의 과학 나눔 활동의 일환으로 2011년부터 과학의 달인 4월에 개최되고 있다. 과학상상나눔 페스티벌의 주요 행사인 ‘과학 상상 그리기 대회’에 참여한 초등학생들은 ‘내가 살고 싶은 미래도시’라는 주제로 상상화를 그려 제출했다. 제출작에 대한 심사는 현직 미술작가 3인이 진행하였으며 고학년, 저학년 2개 그룹으로 구분하여 총 26명(대상 1명, 최우수상 1명, 우수상 1명, 장려상 10명)을 선정해 수상 물품과 상장을 학교로 전달 예정이다. 올해는 최초로 과학체험부스를 설치하여 학생 참여 프로그램도 진행하였다. KIST 센서시스템연구센터의 연구성과인 ‘스마트 토이’ 체험 외에 ‘크로마토그래피 실험’, ‘지시약을 이용한 한지 꽃 염색’ 등 다양한 체험 프로그램이 준비되어 학생들의 호응을 받았다. 또한, 학부모를 대상으로 한 프로그램인‘KIST 역사관 방문’,‘연구자와 함께하는 과학기술 Q&A’를 운영하여 학부모들의 과학기술에 대한 관심을 제고하고, 자녀의 이공계 진로 상담을 진행하였다. KIST 이병권 원장은 “‘인구절벽’위기에 처한 우리나라에서 미래의 꿈나무들이 과학적？창의적 사고방식을 키워갈 수 있도록 많은 기회를 제공하는 것 또한 과학기술분야 출연(연)의 역할이라고 생각한다.‘과학상상나눔 페스티벌’에 참여한 초등학생들이 그리기 대회와 과학 체험을 통해 과학에 대한 흥미를 느끼고 과학적 소질을 계발할 수 있는 기회가 되길 바란다.”라고 밝혔다. 올해로 7회째를 맞는 이번 행사를 위해 KIST는 지난 3월 29일부터 4월 19일까지 홈페이지를 통해 참가 신청을 받아 200여 명의 초등학생과 학부모가 참가 등록을 하였다. KIST는 참가비 대신 행사 참여 어린이들로부터 옷이나 책 등을 기부 받아 생명의 전화 종합사회복지관에 기증하는 사회공헌활동을 실천하고 있다.

KIST 등 5개 출연기관 뭉쳐 스마트팜 2.0 핵심기술 선보인다 - 스마트팜 2.0 핵심기술 8개 테스트할 수 있는 실증팜 오픈식 개최 - KIST 강릉분원 내 실증팜 구축으로 스마트팜 2.0 기술 상용화에 박차 한국과학기술연구원(이하 KIST, 원장 이병권)을 비롯한 5개 출연연구기관들이 한자리에 모여 스마트팜 2.0 기술*의 핵심기술인 작물생육계측 및 분석기술, 온실 맞춤형 복합환경시스템 등을 개발하고 이 기술들을 테스트할 수 있는 실증팜을 KIST 강릉분원 천연물연구소(분원장 오상록) 내 설치하고 4월 21일(금) 개소식을 개최하였다. *스마트팜 2.0 기술 : 온실 내 작물 생육 중심의 복합환경제어시스템을 구현하여 작물의 생산성 증대를 이끄는 기술 이날 개소식 행사에는 국가과학기술연구회 이상천 이사장을 비롯하여 KIST 이병권 원장, 한국생산기술연구원 이성일 원장, 한국식품연구원 박용곤 원장과 스마트팜 관련 학계, 기업과 연구소 등의 주요 인사들이 참석하여 SFS융합연구단에서 개발한 핵심기술 설명회 및 시연회를 관람했다. 미래창조과학부와 국가과학기술연구회의 지원으로 2015년 10월부터 시작된 스마트팜 2.0 기술개발 연구는 KIST를 주관기관으로 하여 한국전자통신연구원(ETRI), 한국생산기술연구원(KITECH), 한국에너지기술연구원(KIER), 한국식품연구원(KFRI) 등 5개 연구기관이 참여하고 있다. 이번에 설치된 실증팜은 건축면적 1,386m2(420평)의 규모로서 내부에는 본 연구를 통해 개발된 각종 요소기술의 성능을 검증할 뿐 아니라 기존 제품과의 성능 비교도 할 수 있도록 4개로 구성된 작물재배실(총 792m2(240평)) 및 기계실, 온실통합운영실로 구성되어 있다. 연구진들은 본 실증팜을 통해 연구실에서 개발된 기술을 즉시 테스트할 수 있어 기술개발에 시너지 효과를 기대하고 있다. 본 실증팜에서 테스트할 핵심기술들은 1)작물 생육계측 및 분석기술, 2)복합생리/환경 계측 센서기반 스마트 관수시스템, 3)스마트 양배액 처리기술, 4)스마트 복합환경제어시스템, 5)스마트 온실작업관리시스템, 6)에너지 최적관리시스템(복합열원이용 포함), 7)스마트팜 정보활용시스템, 8)식의약 원료용 기능성 작물 재배기술 등 8개이다. 향후 실증팜은 테스트베드 역할 외에도 스마트팜 기술을 이용하여 창업하려는 창농인들의 체험을 통한 교육의 장으로도 활용될 예정이다. 또한 SFS융합연구단에서는 개발된 기술을 다양한 작물 및 환경조건에서 테스트하기 위하여 이번 개소한 실증팜 외에도 이미 강릉 사천, 충남 천안에도 실증팜을 설치하여 운영 중이며, 특히 현재 지자체를 중심으로 스마트팜 단지를 조성 중인 태안군과 포항시와도 업무 협약을 체결하여 SFS융합연구단이 개발한 스마트팜 2.0 기술을 적용하여 올해 말부터 본격적으로 대규모 실증사업에 착수할 예정이다. SFS융합연구단 노주원 단장은 “KIST 강릉분원 내에 실증팜이 설치됨으로써 그동안 개발된 기술들의 즉각적인 실증이 가능케 되어 상용화에 더욱 박차를 가하게 됐다”면서 “앞으로 추가 기술개발 및 농가 보급확산은 미래창조과학부, 농림축산식품부, 농촌진흥청과 스마트팜 R&D협업체계 하에 진행할 예정이며, 지자체와 공동으로 스마트팜 시범사업을 통해 개발된 기술을 발전시켜 나갈 계획”이라고 밝혔다.

KIST 유럽, ‘지속가능 전기화학 기술이전센터’ 설립 - 독일 잘란트 대학과 공동 운영을 통해 에너지 전환 및 저장 분야 한-독 연구협력 및 기술교류 지원 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권)의 독일 현지법인 KIST 유럽연구소(KIST 유럽, 소장 최귀원)는 4월 24일(월)(현지시간) 독일 잘란트 대학(University of Saarland)과 공동으로 잘란트 대학의 두드바일러(Dudweiler) 캠퍼스 내 ‘지속가능 전기화학 기술이전센터(Transfercentre Sustainable Electrochemistry, TSE)’를 개소하였다. 동 센터는 KIST 유럽과 잘란트 대학의 공동연구 시설 형태로 운영되며, 국내？외 연구자 20여명 및 연구그룹들이 협력하여 전기화학기술에 기반한 대용량 에너지 저장기술과 연료전지 관련 연구를 수행할 예정으로 잘란트 대학의 롤프 헴펠만(Rolf Hempelmann) 교수가 기술관련 책임자 역할을 맡게 되었다. 신재생에너지는 외부 환경의 조건에 따라서 전력량이 변동하므로, 전력에너지원을 신재생에너지로 전환하기 위해서는 대용량 에너지 저장시스템이 반드시 필요하다. 이러한 한계 상황을 극복하기 위하여 지속가능 전기화학 기술이전센터에서는 한국과 독일의 연구진들이 친환경적이고 대용량 에너지저장에 적합한 레독스 흐름전지, 에너지 밀도가 높고 중소형 에너지저장에 적합한 리튬이온전지, 그리고 각각의 장점을 결합한 리튬이온 하이브리드 흐름전지에 대한 연구를 진행할 예정이다. 동 센터는 그 밖에도 전기화학기술을 이용한 합성 및 변환, 기능성 재료 개발, 생화학 분석 및 센서 개발 등을 연구 및 한-독 산학연과의 협력, 교육과 기술이전 과제들을 수행할 예정이다. 헴펠만 교수는 “기술이전센터 설치의 궁극적인 목표는 잘란트 대학과 KIST 유럽이 공동으로 개발한 연구 결과를 에너지 또는 친환경 관련 전기화학 업종의 중소기업에 제공하여 제품 생산을 지원하는 것”이라고 밝혔다. KIST 유럽 최귀원 소장은 축사를 통해 “기술이전센터를 통해 양국 에너지 전환 및 저장 분야에 있어 지속적인 연구협력이 가능하고, 동 센터에서 수행 예정인 공동연구는 양국 에너지 전환 및 저장 분야 기술발전에 크게 기여할 것이다”라고 센터 설립의 의의를 강조하였다. KIST 유럽과 잘란트 대학은 1996년 공동연구에 대한 MOU를 체결한 이후, 2007년부터 Saarbridge(자브릿지) 공동연구 프로젝트를 수행하였다. 2015년에는 전기화학분야의 연구협력을 위한 공동실험실(Joint Lab.)을 KIST 유럽 내에 설치하였고, 이를 발전시켜 ‘지속가능 전기화학 기술이전센터’를 개소하게 되었다. KIST 유럽과 잘란트 대학은 다수의 독일 정부 과제(DFG)를 공동 수행하였고, 연구인력 교류 및 한-독 복수학위제(Dual degree) 등 다양한 협력을 진행하고 있다.

[정보공개목록] 2017년 4월

전자의 스핀을 이용하여 저전력 논리 소자 개발 - N형, P형 반도체 기능을 모두 수행하는 스핀 트랜지스터 개발 - 반도체 공정을 획기적으로 줄이면서 비메모리 반도체 분야에 응용 가능 국제전기전자기술자협회(IEEE)를 주축으로 이뤄진 국제 디바이스·시스템(IRDS) 로드맵이 발간한 기술 백서에 따르면 현재 반도체 생산에 활용되고 있는 상보성 금속산화막 반도체(Complementary Metal？Oxide Semiconductor, CMOS*) 공정기술은 2024년을 기점으로 더 이상 발전이 없을 것으로 예상됐다. 따라서 포스트 CMOS와 ‘모어 무어(More Moore)’시대를 열기 위한 연구가 대두되고 있는데, 최근 국내 연구진이 전자의 스핀을 이용하여 현재 반도체 집적회로인 CMOS를 대체할 수 있는 방법을 개발했다고 밝혔다. *CMOS(상보성 금속산화막 반도체) : 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 양(+)의 전하를 이용하는 P형 트랜지스터(p-MOS)와 음(-)의 전하를 이용하는 N형 트랜지스터(n-MOS)를 동일 칩에 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 하여 전력소모를 낮추는 방식 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 구현철 박사팀은 기존 반도체 기술인 CMOS에서 반드시 필요했던 N형, P형 트랜지스터의 별도 제작 없이, 전자의 스핀특성을 이용하여 두 가지 기능을 모두 수행하는 트랜지스터를 구현하였다. 그동안 스핀트랜지스터는 상당한 잠재력을 가지고 있었지만 CMOS 로직 소자로의 동작을 보여주지 못했었다. 연구진은 전자의 스핀이 가지고 있는 평행/반평행 성질을 이용하여 CMOS 로직 소자 동작을 구현하였으며 관련 특허를 국내외에 출원했다. 이번 연구성과는 과학저널인 ‘사이언티픽 리포트(Scientific Reports)’ 紙에 4월 21일(한국시간)자로 온라인 게재되었다. 스핀트랜지스터 기술은 그동안 반도체가 전자의 전하만을 이용할 수 있었던 것에 비해, 전하와 동시에 전자의 스핀을 이용하여 정보를 저장 또는 처리하는 신기술로서, 기존 반도체의 한계를 극복한 비휘발성의 초고속, 초저전력의 전자소자 개발이 가능해진다. 본 연구진에 의해 최초로(2009년 Science紙 게재**) 제안된 이 트랜지스터는, 그러나 실제 회로에 응용하기 위해서 N형, P형 트랜지스터를 모두 구현해야하는 여러 가지 어려움이 있었다. **Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor (Science紙, 2009년 9월 18일) 트랜지스터를 컴퓨터 중앙처리 장치와 같이 실제 로직소자에 응용하기 위해서는 N형(-), P형(+) 트랜지스터를 모두 이용해야하는데 제작과정에 많은 공정과 비용이 필요하다. 특히 스핀트랜지스터는 제작에도 많은 노하우가 필요할 뿐 아니라 N형, P형을 별도로 제작하는 연구는 전무했다. 이번 연구결과는 트랜지스터의 입력부와 출력부를 서로 같은 자화 방향으로 만들거나 서로 반대의 자화 방향으로 만들어 각각 N형과 P형의 기능을 모두 구현함으로써 특별한 도핑과정 없이 두 가지 역할을 모두 수행하는 트랜지스터를 개발한 것이다. 이러한 기술은 향후 상용화가 된다면 세계 수준인 반도체 메모리 기술에 비해 취약한 국내 시스템 반도체(비메모리) 분야에 다양하게 이용될 수 있으며 이 기술이 가진 초고속, 초절전 특성으로 인해 다양한 전자기기, 특히 모바일 기기에 응용될 것으로 기대된다. KIST 구현철 박사는 “현재 스핀트랜지스터 기술은 시작하는 단계에 있지만 이를 이용한 로직소자가 개발되면 전력손실이 거의 없고 초고속으로 작동할 것이다.”라며, “향후 정보처리 소자는 물론 메모리와 로직을 융합한 모바일용 소자에도 응용이 가능할 것이다” 라고 밝혔다. 본 연구는 미래창조과학부(장관 최양희) 지원으로 KIST 기관고유사업과 연구재단 중견연구사업으로 수행되었다. <그림 설명> <그림 1> CMOS 동작을 위한 평행형 (N형기능), 반평행형(P형기능) 스핀 트랜지스터 <그림 2> 스핀 트랜지스터를 이용한 CMOS 소자 (좌) 및 신호 (우). P-형 트랜지스터(우 상단)와 N-형 트랜지스터(우 하단)의 기능을 전자의 스핀을 이용하여 보여주고 있다.

전자의 스핀을 이용하여 저전력 논리 소자 개발 - N형, P형 반도체 기능을 모두 수행하는 스핀 트랜지스터 개발 - 반도체 공정을 획기적으로 줄이면서 비메모리 반도체 분야에 응용 가능 국제전기전자기술자협회(IEEE)를 주축으로 이뤄진 국제 디바이스·시스템(IRDS) 로드맵이 발간한 기술 백서에 따르면 현재 반도체 생산에 활용되고 있는 상보성 금속산화막 반도체(Complementary Metal？Oxide Semiconductor, CMOS*) 공정기술은 2024년을 기점으로 더 이상 발전이 없을 것으로 예상됐다. 따라서 포스트 CMOS와 ‘모어 무어(More Moore)’시대를 열기 위한 연구가 대두되고 있는데, 최근 국내 연구진이 전자의 스핀을 이용하여 현재 반도체 집적회로인 CMOS를 대체할 수 있는 방법을 개발했다고 밝혔다. *CMOS(상보성 금속산화막 반도체) : 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 양(+)의 전하를 이용하는 P형 트랜지스터(p-MOS)와 음(-)의 전하를 이용하는 N형 트랜지스터(n-MOS)를 동일 칩에 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 하여 전력소모를 낮추는 방식 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 구현철 박사팀은 기존 반도체 기술인 CMOS에서 반드시 필요했던 N형, P형 트랜지스터의 별도 제작 없이, 전자의 스핀특성을 이용하여 두 가지 기능을 모두 수행하는 트랜지스터를 구현하였다. 그동안 스핀트랜지스터는 상당한 잠재력을 가지고 있었지만 CMOS 로직 소자로의 동작을 보여주지 못했었다. 연구진은 전자의 스핀이 가지고 있는 평행/반평행 성질을 이용하여 CMOS 로직 소자 동작을 구현하였으며 관련 특허를 국내외에 출원했다. 이번 연구성과는 과학저널인 ‘사이언티픽 리포트(Scientific Reports)’ 紙에 4월 21일(한국시간)자로 온라인 게재되었다. 스핀트랜지스터 기술은 그동안 반도체가 전자의 전하만을 이용할 수 있었던 것에 비해, 전하와 동시에 전자의 스핀을 이용하여 정보를 저장 또는 처리하는 신기술로서, 기존 반도체의 한계를 극복한 비휘발성의 초고속, 초저전력의 전자소자 개발이 가능해진다. 본 연구진에 의해 최초로(2009년 Science紙 게재**) 제안된 이 트랜지스터는, 그러나 실제 회로에 응용하기 위해서 N형, P형 트랜지스터를 모두 구현해야하는 여러 가지 어려움이 있었다. **Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor (Science紙, 2009년 9월 18일) 트랜지스터를 컴퓨터 중앙처리 장치와 같이 실제 로직소자에 응용하기 위해서는 N형(-), P형(+) 트랜지스터를 모두 이용해야하는데 제작과정에 많은 공정과 비용이 필요하다. 특히 스핀트랜지스터는 제작에도 많은 노하우가 필요할 뿐 아니라 N형, P형을 별도로 제작하는 연구는 전무했다. 이번 연구결과는 트랜지스터의 입력부와 출력부를 서로 같은 자화 방향으로 만들거나 서로 반대의 자화 방향으로 만들어 각각 N형과 P형의 기능을 모두 구현함으로써 특별한 도핑과정 없이 두 가지 역할을 모두 수행하는 트랜지스터를 개발한 것이다. 이러한 기술은 향후 상용화가 된다면 세계 수준인 반도체 메모리 기술에 비해 취약한 국내 시스템 반도체(비메모리) 분야에 다양하게 이용될 수 있으며 이 기술이 가진 초고속, 초절전 특성으로 인해 다양한 전자기기, 특히 모바일 기기에 응용될 것으로 기대된다. KIST 구현철 박사는 “현재 스핀트랜지스터 기술은 시작하는 단계에 있지만 이를 이용한 로직소자가 개발되면 전력손실이 거의 없고 초고속으로 작동할 것이다.”라며, “향후 정보처리 소자는 물론 메모리와 로직을 융합한 모바일용 소자에도 응용이 가능할 것이다” 라고 밝혔다. 본 연구는 미래창조과학부(장관 최양희) 지원으로 KIST 기관고유사업과 연구재단 중견연구사업으로 수행되었다. <그림 설명> <그림 1> CMOS 동작을 위한 평행형 (N형기능), 반평행형(P형기능) 스핀 트랜지스터 <그림 2> 스핀 트랜지스터를 이용한 CMOS 소자 (좌) 및 신호 (우). P-형 트랜지스터(우 상단)와 N-형 트랜지스터(우 하단)의 기능을 전자의 스핀을 이용하여 보여주고 있다.

전자의 스핀을 이용하여 저전력 논리 소자 개발 - N형, P형 반도체 기능을 모두 수행하는 스핀 트랜지스터 개발 - 반도체 공정을 획기적으로 줄이면서 비메모리 반도체 분야에 응용 가능 국제전기전자기술자협회(IEEE)를 주축으로 이뤄진 국제 디바이스·시스템(IRDS) 로드맵이 발간한 기술 백서에 따르면 현재 반도체 생산에 활용되고 있는 상보성 금속산화막 반도체(Complementary Metal？Oxide Semiconductor, CMOS*) 공정기술은 2024년을 기점으로 더 이상 발전이 없을 것으로 예상됐다. 따라서 포스트 CMOS와 ‘모어 무어(More Moore)’시대를 열기 위한 연구가 대두되고 있는데, 최근 국내 연구진이 전자의 스핀을 이용하여 현재 반도체 집적회로인 CMOS를 대체할 수 있는 방법을 개발했다고 밝혔다. *CMOS(상보성 금속산화막 반도체) : 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 양(+)의 전하를 이용하는 P형 트랜지스터(p-MOS)와 음(-)의 전하를 이용하는 N형 트랜지스터(n-MOS)를 동일 칩에 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 하여 전력소모를 낮추는 방식 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 구현철 박사팀은 기존 반도체 기술인 CMOS에서 반드시 필요했던 N형, P형 트랜지스터의 별도 제작 없이, 전자의 스핀특성을 이용하여 두 가지 기능을 모두 수행하는 트랜지스터를 구현하였다. 그동안 스핀트랜지스터는 상당한 잠재력을 가지고 있었지만 CMOS 로직 소자로의 동작을 보여주지 못했었다. 연구진은 전자의 스핀이 가지고 있는 평행/반평행 성질을 이용하여 CMOS 로직 소자 동작을 구현하였으며 관련 특허를 국내외에 출원했다. 이번 연구성과는 과학저널인 ‘사이언티픽 리포트(Scientific Reports)’ 紙에 4월 21일(한국시간)자로 온라인 게재되었다. 스핀트랜지스터 기술은 그동안 반도체가 전자의 전하만을 이용할 수 있었던 것에 비해, 전하와 동시에 전자의 스핀을 이용하여 정보를 저장 또는 처리하는 신기술로서, 기존 반도체의 한계를 극복한 비휘발성의 초고속, 초저전력의 전자소자 개발이 가능해진다. 본 연구진에 의해 최초로(2009년 Science紙 게재**) 제안된 이 트랜지스터는, 그러나 실제 회로에 응용하기 위해서 N형, P형 트랜지스터를 모두 구현해야하는 여러 가지 어려움이 있었다. **Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor (Science紙, 2009년 9월 18일) 트랜지스터를 컴퓨터 중앙처리 장치와 같이 실제 로직소자에 응용하기 위해서는 N형(-), P형(+) 트랜지스터를 모두 이용해야하는데 제작과정에 많은 공정과 비용이 필요하다. 특히 스핀트랜지스터는 제작에도 많은 노하우가 필요할 뿐 아니라 N형, P형을 별도로 제작하는 연구는 전무했다. 이번 연구결과는 트랜지스터의 입력부와 출력부를 서로 같은 자화 방향으로 만들거나 서로 반대의 자화 방향으로 만들어 각각 N형과 P형의 기능을 모두 구현함으로써 특별한 도핑과정 없이 두 가지 역할을 모두 수행하는 트랜지스터를 개발한 것이다. 이러한 기술은 향후 상용화가 된다면 세계 수준인 반도체 메모리 기술에 비해 취약한 국내 시스템 반도체(비메모리) 분야에 다양하게 이용될 수 있으며 이 기술이 가진 초고속, 초절전 특성으로 인해 다양한 전자기기, 특히 모바일 기기에 응용될 것으로 기대된다. KIST 구현철 박사는 “현재 스핀트랜지스터 기술은 시작하는 단계에 있지만 이를 이용한 로직소자가 개발되면 전력손실이 거의 없고 초고속으로 작동할 것이다.”라며, “향후 정보처리 소자는 물론 메모리와 로직을 융합한 모바일용 소자에도 응용이 가능할 것이다” 라고 밝혔다. 본 연구는 미래창조과학부(장관 최양희) 지원으로 KIST 기관고유사업과 연구재단 중견연구사업으로 수행되었다. <그림 설명> <그림 1> CMOS 동작을 위한 평행형 (N형기능), 반평행형(P형기능) 스핀 트랜지스터 <그림 2> 스핀 트랜지스터를 이용한 CMOS 소자 (좌) 및 신호 (우). P-형 트랜지스터(우 상단)와 N-형 트랜지스터(우 하단)의 기능을 전자의 스핀을 이용하여 보여주고 있다.