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["KIST관리번호","분야","국가","특허/실용 구분","발명의 명칭","요약","대표청구항","청구항 수","출원번호","출원일","공개번호/공표/재공표 ","공개일","공고일","등록번호","등록일","발명자/고안자","현재 권리자[KR]","존속기간(예정)만료일[KR]","대표도면","원문 링크","전체 청구항"]
["K04229","기계","KR","P","실시간 음악 비트 주기 추출 방법 및 실시간 음악 비트주기 추출 장치(A method and an apparatus for detecting realtime music beat period)","본 발명은 입력되는 음악 신호를 주파수응답으로 변환하는 단계, 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 파워 및 최대 인접 파워를 측정하는 단계, 상기 구분된 주파수 대역 별로 인접 파워 증가량 및 연속 인접 파워 증가율을 결정하는 단계, 상기 결정된 연속 인접 파워 증가율의 주기성을 파악하여 비트 주기를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 정확성을 높이면서도, 구현이 간단하며, 실시간성을 높일 수 있는 음악 비트 주기 추출 방법 및 장치의 제공이 가능하다.","입력되는 음악 신호를 주파수응답으로 변환하는 단계; 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 파워 및 최대 인접 파워를 측정하는 단계; 상기 구분된 주파수 대역 별로 인접 파워 증가량 및 연속 인접 파워 증가율을 결정하는 단계; 상기 결정된 연속 인접 파워 증가율의 주기성을 파악하여 비트의 주기를 추출하는 단계를 포함하며, 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 최대 인접 파워를 측정하는 단계는 해당 주파수 대역의 파워와 인접 주파수 대역의 파워를 비교하여, 파워가 큰 값을 해당 주파수 대역의 최대 인접 파워로 결정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법.",11,"2007-0124908","2007-12-04","2009-0058226","2009-06-09","2009-08-10","0911689","2009-08-04","류동석 | 강성철 | 정도일 | 박상호 | 서혜원","한국과학기술연구원","2027-12-04","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3509222000305","입력되는 음악 신호를 주파수응답으로 변환하는 단계; 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 파워 및 최대 인접 파워를 측정하는 단계; 상기 구분된 주파수 대역 별로 인접 파워 증가량 및 연속 인접 파워 증가율을 결정하는 단계; 상기 결정된 연속 인접 파워 증가율의 주기성을 파악하여 비트의 주기를 추출하는 단계를 포함하며, 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 최대 인접 파워를 측정하는 단계는 해당 주파수 대역의 파워와 인접 주파수 대역의 파워를 비교하여, 파워가 큰 값을 해당 주파수 대역의 최대 인접 파워로 결정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 음악 신호를 주파수 응답으로 변환하는 단계는 고속 퓨리에 변환 또는 웨이블렛 변환 중 하나를 사용하여, 시간 영역의 음악 신호를 주파수 응답으로 변환하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 변환된 주파수응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 파워를 측정하는 단계는 주파수 대역별로 주파수 성분들의 파워를 합산하여, 주파수 대역별 파워를 측정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 삭제 | 제 1항에 있어서, 상기 구분된 주파수 대역 별로 인접 파워 증가량을 결정하는 단계는 연속된 2개의 프레임에 대하여, 현재 프레임의 주파수 대역별 파워로부터, 이전 프레임의 주파수 대역별 최대인접 파워를 감산하여, 현재 프레임의 주파수 대역별 인접파워증가량을 결정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 구분된 주파수 대역 별로 연속 인접 파워 증가율을 결정하는 단계는 연속된 2개의 프레임에 대하여, 현재 프레임의 주파수 대역별 인접파워증가량으로부터, 이전 프레임의 주파수 대역별 인접파워증가량을 감산하여, 현재 프레임의 주파수 대역별 인접파워증가량을 결정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 결정된 연속 인접 파워 증가율의 주기성을 파악하여 비트의 주기를 추출하는 단계는, 각 주파수 대역별 연속인접파워증가율의 주기들 중 가장 긴 주기의 소정 배수를 파워증가율 비교구간으로 설정하는 단계; 상기 설정된 파워증가율 비교구간에서 가장 주기성이 높은 주파수 대역을 선택하고, 해당 주파수 대역의 주기를 비트의 주기로 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 제 7항에 있어서, 상기 소정 배수는 음악의 박자에 상응하도록 설정되어, 상기 파워증가율 비교구간을 설정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 방법. | 실시간 입력되는 음악 신호를 주파수 응답으로 변환하는 주파수 응답 변환부; 상기 변환된 주파수 응답을 주파수 대역별로 구분하여, 주파수 대역별 연속 인접 파워 증가율을 측정하는 연속 인접 파워 증가율 측정부; 상기 측정된 연속 인접 파워 증가율의 소정 주기를 파워증가율비교구간으로 설정하여, 설정된 파워증가율비교구간에서 주기성이 높은 주기성을 갖는 주파수 대역을 선택하여, 해당 주파수 대역의 주기를 비트 주기로 추출하는 비트 추출부를 포함하며, 상기 연속 파워 증가율 측정부는, 상기 구분된 주파수 대역별로 파워를 측정하고, 인접한 주파수 대역 사이에서 최대인접파워를 결정하여, 인접한 주파수 대역의 인접 파워 증가량을 측정하고, 현재 프레임과 이전 프레임 사이의 연속 인접 파워 증가율을 측정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 장치. | 제 9항에 있어서, 상기 주파수 응답 변환부는 고속 퓨리에 변환 또는 웨이블렛 변환 중 하나를 사용하여, 시간 영역의 음악 신호를 주파수 응답으로 변환하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 장치. | 삭제 | 제 9항에 있어서, 상기 비트 주기 추출부는 상기 측정된 연속 인접 파워 증가율의 주기들 중에서 가장 긴 주기의 소정 배수를 파워증가율비교구간으로 설정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 장치. | 제 12항에 있어서, 상기 비트 주기 추출부는 음악의 박자에 따라 상기 소정 배수를 선택하여 상기 파워증가율비교구간을 설정하는 것을 특징으로 하는 실시간 음악 비트 주기 추출 장치."]
["K05133","기계","KR","P","수소 공급 탱크, 이를 이용하는 수소 공급 장치와 수소 공급 방법 및 수소 이용 장치(Hydrogen supply tank, hydrogen supply apparatus and method for supplying hydrogen and hydrogen usage apparatus using the same)","열을 가하면 발열하면서 탈수소화가 가능한 수소 발생 물질을 수용할 수 있는 용기로서, 상기 저장 용기의 벽면에는 발생된 수소가 배출될 수 있는 수소 배출 통로가 형성된 수소 발생 용기가 하나 이상 장착되는 탱크이고, 상기 탱크 내부에는 복수 개의 분할된 구획이 형성되며, 상기 분할된 각각의 구획에 상기 수소 발생 용기가 장착되는 것이며, 상기 수소 발생 용기로부터 배출되는 수소를 저장하고 외부로 공급하는 수소 공급 탱크, 이를 이용하는 수소 공급 장치와 수소 공급 방법 및 수소 이용 장치를 제공한다.","열을 가하면 발열하면서 탈수소화가 가능한 수소 발생 물질을 수용할 수 있는 용기로서, 상기 용기의 벽면에는 발생된 수소가 배출될 수 있는 수소 배출 통로가 형성된 수소 발생 용기가 하나 이상 장착되는 탱크이고,상기 탱크 내부에는 복수 개의 분할된 구획이 분리판에 의하여 형성되며, 상기 분할된 각각의 구획에 상기 수소 발생 용기가 장착되어 상기 수소 발생 용기는 상호 이격 되는 것이며, 상기 수소 발생 용기로부터 배출되는 수소를 저장하고 외부로 공급하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크.",40,"2010-0012437","2010-02-10","2011-0092805","2011-08-18","2012-01-25","1107633","2012-01-12","김창수 | 홍종엽 | 안병성 | 이현주 | 남석우","한국과학기술연구원","2030-02-10","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512042000463","열을 가하면 발열하면서 탈수소화가 가능한 수소 발생 물질을 수용할 수 있는 용기로서, 상기 용기의 벽면에는 발생된 수소가 배출될 수 있는 수소 배출 통로가 형성된 수소 발생 용기가 하나 이상 장착되는 탱크이고,상기 탱크 내부에는 복수 개의 분할된 구획이 분리판에 의하여 형성되며, 상기 분할된 각각의 구획에 상기 수소 발생 용기가 장착되어 상기 수소 발생 용기는 상호 이격 되는 것이며, 상기 수소 발생 용기로부터 배출되는 수소를 저장하고 외부로 공급하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 삭제 | 제 1 항에 있어서, 상기 탱크의 분할된 구획은 격자 형태로 분할된 구획이며, 상기 분할된 구획의 적어도 하나에는 상기 탱크로부터 외부로 수소를 배출하기 위하여 상기 수소 발생 용기가 장착되지 않는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 탱크는 복수개의 탱크가 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 4 항에 있어서, 상기 둘 이상의 직렬 연결된 탱크는, 수소 이송 튜브로 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 수소 공급 탱크의 외측에 회로 기판이 설치되고, 상기 회로 기판에는 상기 수소 발생 물질에 열을 가하는 가열 수단과 연결된 전선이 배치되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 탱크는 박스 타입의 탱크이며, 격자 형태의 분할된 구획이 형성된 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 수소 발생 용기는 열을 가하면 발열하면서 탈수소화가 가능한 수소 발생 물질을 수용할 수 있는 원통형 용기이고, 상기 원통형 용기의 일측 원형 벽면에 수소가 배출될 수 있는 관통 공이 형성되어 있고, 상기 원통형 용기의 측면으로 라인 형상의 수소 배출 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 발생 물질은 관통 구멍이 형성된 펠렛 형태인 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 발생 용기는 상기 수소 발생 물질에 열을 제공할 수 있는 가열 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 10 항에 있어서, 상기 가열 수단은 전원으로부터 전력을 공급받아 열을 발생시키는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 10 항에 있어서,상기 가열 수단은 수소 발생 용기로부터 분리 가능한 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 수소 발생 용기 부피는 7cc 내지 20cc인 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 발생 용기는 엔지니어링 플라스틱, SUS 합금 또는 두랄루민 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 발생 물질은 아민 보란계 물질인 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 발생 물질은 암모니아 보란인 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 상기 수소 발생 용기는 상기 수소 공급 탱크에 부착 및 탈착 가능하도록 장착되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,어느 하나의 수소 발생 용기에서의 수소 발생 시의 발열에 의하여 다른 수소 발생 용기에서 가열 수단에 의한 열 제공이 없는 경우에도 수소가 발생하는 것을 방지하도록 복수 개의 수소 발생 용기가 일정 간격 이격되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 18 항에 있어서, 수소 발생 용기는 서로 0.5cm 초과 2cm 이하의 간격으로 이격하여 배열되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서, 수소 공급 탱크의 부피는 2L 내지 70L인 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크에 저장된 수소 압력이 20 기압 이하인 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크는 엔지니어링 플라스틱, SUS 합금 또는 두랄루민 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크에는 압력 측정 장치가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크에 안전 밸브가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 있어서,수소 공급 탱크에는 상기 수소 공급 탱크로부터 배출되는 가스 중에 존재하는 고체 물질을 필터링하는 필터 장치 또는 상기 수소 공급 탱크로부터 배출되는 가스 중에 존재하는 수소 발생 반응의 기체 부산물을 포획하는 트랩 장치 중 하나 이상의 장치가 연결되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 탱크. | 제 1 항에 따른 수소 공급 탱크; 상기 수소 공급 탱크에 장착된 수소 발생 용기의 수소 발생 물질에 열을 제공하는 가열 수단에 전력을 공급하여 열을 발생시킬 수 있는 전원; 및 상기 전원으로부터의 전력 공급을 제어하는 콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 장치. | 제 26 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크는 복수 개의 탱크가 직렬 연결되어 하나의 수소 공급 탱크 패키지를 이루는 것이고, 상기 하나의 패키지에 대하여 하나의 콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 장치. | 제 26 항에 있어서,상기 콘트롤러는 상기 수소 공급 탱크의 외측에 설치되는 회로 기판에 연결되는 것이고, 상기 회로 기판에는 상기 가열 수단과 연결된 전선이 배치되는 것을 특징으로 하는 수소 공급 장치. | 제 26 항에 있어서,상기 수소 공급 탱크에 연결된 압력 측정 장치를 더 포함하고,상기 압력 측정 장치의 압력이 일정 압력에 이르면 전원으로부터 전력 공급을 차단하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 장치. | 제 26 항에 있어서,수소 공급 탱크에 연결된 밸브;상기 밸브를 통과하여 배출되는 수소 포함 물질 중 고체 물질을 필터링하는 필터 장치; 상기 필터링 장치를 통과하여 배출되는 수소 포함 물질 중 수소 발생 반응의 기체 부산물을 포획하는 트랩 장치; 및상기 트랩 장치를 통과하여 배출되는 수소의 배출을 조절하는 조절 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 장치. | 제 1 항에 따른 수소 공급 탱크를 포함하는 수소 이용 장치. | 제 31 항에 있어서,상기 수소 이용 장치는 상기 수소 공급 탱크로부터 수소를 공급 받는 연료 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 이용 장치. | 제 32 항에 있어서,상기 수소 이용 장치는 상기 연료전지로부터 동력의 전부 또는 일부를 전달 받아 구동되는 자동차인 수소 이용 장치. | 제 26 항에 따른 수소 공급 장치를 포함하는 수소 이용 장치. | 제 34 항에 있어서,상기 수소 이용 장치는 상기 수소 공급 탱크로부터 수소를 공급 받는 연료 전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 이용 장치. | 제 35 항에 있어서,상기 수소 이용 장치는 상기 연료전지로부터 동력의 전부 또는 일부를 전달 받아 구동되는 자동차인 수소 이용 장치. | 열을 가하면 발열하면서 탈수소화가 가능한 수소 발생 물질을 수용할 수 있는 용기로서, 상기 용기의 벽면에는 발생된 수소가 배출될 수 있는 수소 배출 통로가 형성된 수소 발생 용기 내부의 수소 발생 물질에 열을 가하여 수소를 발생시키는 단계; 상기 수소 발생 용기로부터 발생된 수소를 배출시키는 단계; 및 상기 수소 발생 용기를 상호 이격시켜 장착하기 위하여 분리판으로 분할 구획된 탱크에 상기 배출된 수소를 저장한 후 수소 이용 장치로 공급하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 방법. | 제 37 항에 있어서,초기 열을 가한 후 수소가 발생하기 시작하면 가열을 중지하고 수소 발생 물질의 반응열에 의하여 수소를 발생시키는 것을 특징으로 하는 수소 공급 방법. | 제 37 항에 있어서,탱크에 저장된 수소 압력을 측정하여 수소 압력이 일정 압력을 넘으면 수소 발생 물질에 대한 가열을 중지하는 것을 특징으로 하는 수소 공급 방법. | 제 37 항에 있어서,저장된 수소 압력이 일정 압력을 넘으면 탱크 밸브를 열어 수소를 배출시키는 것을 특징으로 하는 수소 공급 방법. | 제 37 항에 있어서,탱크 내 압력이 20 기압 이하가 유지되도록 하는 수소 공급 방법."]
["K01495","물리/재료","KR","P","스트레인 측정 장치(Strain measuring device)","본 발명은 스트레인 측정 장치에 관한 것으로 특히, 온도에 대한 민감성은 동일하고 스트레인(strain)에 대한 민감성은 서로 다른 두 개의 광섬유 격자와 마하-젠더(Mach-Zehnder) 간섭계를 접속하여 간섭계 출력의 크기 변화를 측정함에 의해 센서에 가해진 온도의 변화와는 무관하게 스트레인만을 정밀하게 측정할 수 있도록 함에 목적이 있다. 이러한 목적의 본 발명은 특정 파장의 광을 주사하는 광 주사기(210)와, 이 광 주사기(210)에서의 광을 센서(200)에 입사시키고 그 센서(200)에서의 반사광을 결합하는 광 간섭계(220)와, 이 광 간섭계(220)에서 결합한 광을 검출하여 간섭 신호를 출력하는 광 검출기(230)와, 이 광 검출기(230)의 출력 신호를 디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환기(240)와, 이 아날로그/디지털 변환기(240)의 출력 신호를 연산하여 간섭 신호의 크기 변화를 판별함에 의해 상기 센서(200)에 가해진 스테레인의 크기를 산출하는 물리량 산출부(250)와, 상기 광 검출기(230)의 출력 신호의 파형을 표시하는 오실로스코프(260)로 구성한다.","특정 파장의 광을 주사하는 광 주사기와, 이 광 주사기에서의 광을 센서에 입사시키고 그 센서에서의 반사광을 결합하는 광 간섭계와, 이 광 간섭계에서 결합된 광을 검출하여 간섭 신호를 출력하는 광 검출기와, 이 광 검출기의 출력 신호를 디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환기와, 이 아날로그/디지털 변환기의 출력 신호를 연산하여 간섭 신호의 크기 변화를 판별함에 의해 상기 센서에 가해진 스테레인의 크기를 산출하는 물리량 산출부로 구성한 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치.",4,"1997-0017392","1997-05-07","1998-0082464","1998-12-05","1999-12-15","0234007","1999-09-15","송민호 | 이상배 | 최상삼 | 이병호","한국과학기술연구원","2017-05-07","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3499040000123","특정 파장의 광을 주사하는 광 주사기와, 이 광 주사기에서의 광을 센서에 입사시키고 그 센서에서의 반사광을 결합하는 광 간섭계와, 이 광 간섭계에서 결합된 광을 검출하여 간섭 신호를 출력하는 광 검출기와, 이 광 검출기의 출력 신호를 디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환기와, 이 아날로그/디지털 변환기의 출력 신호를 연산하여 간섭 신호의 크기 변화를 판별함에 의해 상기 센서에 가해진 스테레인의 크기를 산출하는 물리량 산출부로 구성한 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치. | 제1항에 있어서, 센서는 온도에 대한 민감도는 동일하고 스트레인에 대한 민감도는 서로 다른 광섬유 격자쌍으로 구성한 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치. | 제1항에 있어서, 광 검출기의 출력 신호를 파형으로 표시하는 오실로스코프를 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치. | 제1항에 있어서, 광 간섭계는 마하젠더(mach-zehnder) 간섭계인 것을 특징으로 하는 스트레인 측정 장치."]
["K04570","물리/재료","KR","P","포토닉 밴드갭 광섬유 및 그 제조 방법(Photonic bandgap fiber and method for manufacturing the same)","포토닉 밴드갭 광섬유는 일 방향으로 연장되는 코어부 및 코어부를 둘러싸는 하나 이상의 제1 튜브를 포함할 수 있다. 일 방향에 수직한 방향의 코어부의 단면은, 제1 축 및 제2 축이 이루는 평면상에 위치하며, 제1 축 방향의 길이가 제2 축 방향의 길이보다 작을 수 있다. 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법은, 하나 이상의 제1 튜브를 배치하여 하나 이상의 제1 튜브에 의하여 둘러싸인 코어부를 형성하고, 하나 이상의 제1 튜브로부터 모재를 형성하며, 모재에 열 및 압력을 인가하여 광섬유를 인출하도록 구성될 수 있다. 이때, 모재의 한쪽 면의 온도는 다른 쪽 면의 온도보다 작을 수 있다.","하나 이상의 제1 튜브를 배치하여 상기 하나 이상의 제1 튜브에 의하여 둘러싸이며 진공 또는 공기를 포함하는 코어부를 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 제1 튜브를 제2 튜브 내에 배치하여 제1 모재를 형성하는 단계; 상기 제1 모재에 열 및 압력을 가하여 제2 모재를 인출하는 단계;상기 제2 모재를 제3 튜브 내에 배치하는 단계; 및상기 제2 모재 및 상기 제3 튜브에 열 및 압력을 가하여 광섬유를 인출하는 단계를 포함하되, 상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재 및 상기 제3 튜브 사이에 음의 압력을 인가함으로써 타원 형상의 코어를 갖도록 상기 광섬유를 인출하는 단계를 포함하고,상기 광섬유를 인출하는 단계에서, 상기 제2 모재의 한쪽 면의 온도는 상기 제2 모재의 다른 쪽 면의 온도보다 작은 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법.",8,"2009-0000297","2009-01-05","2010-0081037","2010-07-14","2011-08-09","1055312","2011-08-02","이관일 | 김길환 | 조태용 | 황규진 | 이상배 | 김상혁","한국과학기술연구원","2029-01-05","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511322000248","삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 하나 이상의 제1 튜브를 배치하여 상기 하나 이상의 제1 튜브에 의하여 둘러싸이며 진공 또는 공기를 포함하는 코어부를 형성하는 단계; 상기 하나 이상의 제1 튜브를 제2 튜브 내에 배치하여 제1 모재를 형성하는 단계; 상기 제1 모재에 열 및 압력을 가하여 제2 모재를 인출하는 단계;상기 제2 모재를 제3 튜브 내에 배치하는 단계; 및상기 제2 모재 및 상기 제3 튜브에 열 및 압력을 가하여 광섬유를 인출하는 단계를 포함하되, 상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재 및 상기 제3 튜브 사이에 음의 압력을 인가함으로써 타원 형상의 코어를 갖도록 상기 광섬유를 인출하는 단계를 포함하고,상기 광섬유를 인출하는 단계에서, 상기 제2 모재의 한쪽 면의 온도는 상기 제2 모재의 다른 쪽 면의 온도보다 작은 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 삭제 | 제 8항에 있어서,상기 제1 모재를 형성하는 단계 전에, 상기 하나 이상의 제 1 튜브를 둘러싸는 고정재를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 고정재는 니크롬(Ni-Cr) 또는 철(Fe)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 8항에 있어서,상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재에 기체를 주입하여 압력을 가함으로써, 상기 제1 튜브의 홀을 팽창시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 11항에 있어서,상기 기체는 헬륨 또는 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 8항에 있어서,상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재의 상부면을 용융시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 8항에 있어서,상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재를 노 안에 배치하여 열을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 14항에 있어서,상기 제2 모재의 상기 한쪽 면으로부터 상기 노의 인접한 부분까지의 제1 거리는, 상기 제2 모재의 상기 다른쪽 면으로부터 상기 노의 인접한 부분까지의 제2 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법. | 제 8항에 있어서,상기 광섬유를 인출하는 단계는, 상기 제2 모재 및 상기 제3 튜브 사이에 인가되는 음의 압력의 크기를 조절함으로써 상기 코어의 타원 정도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 밴드갭 광섬유의 제조 방법."]
["K04587","물리/재료","KR","P","백금계 나노섬유 및 그의 제조방법(PLATINUM-BASED NANOFIBERS AND THE FABRICATION METHOD THEREOF)","본 발명은 백금계 나노섬유 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 백금계 나노섬유 제법은 (1) 백금-함유 금속 전구체, 상기 금속 전구체와 상용성인 고분자 및 용매를 혼합하여 금속 전구체 용액을 준비하는 단계; (2) 상기 금속 전구체 용액을 전기방사하여 금속 전구체와 고분자가 혼합된 복합나노섬유를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 복합나노섬유를 열처리하여 상기 복합나노섬유로부터 고분자를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이러한 방법에 의해 제조된 본 발명의 백금계 나노섬유는 나노구조가 균일하고 연속적이며 다양한 구조 및 전기적 특성을 나타내어, 광전자소자 및 센싱소자로서 유용하게 사용될 수 있다.","(1) 백금 금속 전구체, 상기 금속 전구체와 상용성인 고분자 및 용매를 혼합하여 금속 전구체 용액을 준비하는 단계; (2) 상기 금속 전구체 용액을 전기방사하여 금속 전구체와 고분자가 혼합된 복합나노섬유를 제조하는 단계; 및(3) 상기 복합나노섬유를 열처리하여 상기 복합나노섬유로부터 고분자를 제거하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된,금속의 미세구조가 나노그레인으로 이루어진 백금 나노섬유.",13,"2008-0098162","2008-10-07","2010-0038979","2010-04-15","2011-10-11","1071704","2011-10-04","장성연 | 김동영 | 김일두 | 이혜진 | 조성무","한국과학기술연구원","2028-10-07","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511412000420","(1) 백금 금속 전구체, 상기 금속 전구체와 상용성인 고분자 및 용매를 혼합하여 금속 전구체 용액을 준비하는 단계; (2) 상기 금속 전구체 용액을 전기방사하여 금속 전구체와 고분자가 혼합된 복합나노섬유를 제조하는 단계; 및(3) 상기 복합나노섬유를 열처리하여 상기 복합나노섬유로부터 고분자를 제거하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된,금속의 미세구조가 나노그레인으로 이루어진 백금 나노섬유. | 삭제 | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (1)의 백금 금속 전구체가 질산염(nitrate), 염화물(chloride) 또는 아세트산염(acetate)의 형태인 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (1)의 고분자가 소결 후 탄소성분이 잔류되지 않는 것임을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 4 항에 있어서,상기 단계 (1)의 고분자가 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리비닐아세테이트(PVAc) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (1)의 용매가 물, 에탄올, 아이소프로판올, N,N-디메틸포름아미드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (1)에서, 상기 고분자 100 중량부를 기준으로 상기 금속 전구체가 20~300 중량부의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (1)의 금속 전구체 용액이 소디움 도데실 설포네이트, 세틸트리메틸암모늄 클로라이드, 폴리(에틸렌글리콜)-블록-폴리(프로필렌글리콜)-블록-폴리(에틸렌글리콜), 폴리옥시프로필렌-폴리옥시에틸렌 블록 공중합체, 폴리(에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드-에틸렌옥사이드) 트리블록 공중합체, 세슘 도데실 설페이트, 트리메틸암모늄 도데실 설페이트, 트리에틸암모늄 도데실 설페이트, 트리페닐암모늄 도데실 설페이트, 트리부틸암모늄 도데실 설페이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 계면활성제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액이 고분자 100 중량부를 기준으로 계면활성제를 20 내지 30 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액이 10~35 중량%의 고형분 함량을 갖는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서,상기 단계 (3)의 열처리가 300 ~ 800 oC의 온도에서 1 ~ 120 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 백금 나노섬유. | 삭제 | 제 1 항에 있어서,상기 나노섬유가 10 ~ 1000 nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서, 상기 나노그레인이 1 ~ 50 nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 백금 나노섬유. | 제 1 항에 있어서, 상기 나노섬유가 1x102 S/cm ~ 1x105 S/cm의 전기전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 백금 나노섬유."]
["K04712","물리/재료","KR","P","ＣＩＧＳ계 미세입자 및 이의 제조 방법(CIGS fine particles and Method for preparing the same)","본 발명은 CIGS (CuInxGa1-xSe2) 미세입자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 (1) Cu, In 및 Ga의 전구체들로부터 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물을 제조하는 단계, (2) 상기 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물을, 알코올과 그 알코올보다 끓는점이 높은 유기 용매의 혼합 용매에 용해시키는 단계, (3) 상기 용액을 상기 알코올의 끓는점 이상, 상기 유기 용매의 끓는점 이하의 온도에서 반응시켜 CIGS계 미세입자를 합성하는 단계, (4) 상기 반응 후 생성된 침전물 또는 용액 중에 분산되어 있는 나노입자를 용액으로부터 분리, 세정 및 건조하는 단계를 포함한다. 특히, 본 발명의 제조 방법은 CuInxGa1-xSe2 물질을 기존에 보고된 바가 없는 알코올을 이용하여 합성하기 때문에 기존의 방법보다 간단하며 저온에서 합성할 수 있다는 장점이 있다.","(1) Cu, In 및 Ga의 전구체들로부터 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물을 제조하는 단계,(2) 상기 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물을, 톨루엔, 자일렌, 옥타데센 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기용매와 알코올과의 혼합 용매에 용해시키는 단계, (3) 상기 용액을 상기 알코올의 끓는점 이상이면서 상기 유기용매의 끓는점 이하인 100 내지 200℃의 온도에서 반응시켜 알코올을 휘발시킨 후 상기 유기용매 중에서 CIGS계 미세입자를 합성하는 단계, 및(4) 상기 반응 후 생성된 침전물을 용액으로부터 분리, 세정 및 건조하는 단계를 포함하는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 미세입자의 제조 방법.",13,"2009-0019374","2009-03-06","2010-0100465","2010-09-15","2011-09-14","1064521","2011-09-06","민병권 | 주오심 | 김경곤 | 이은주","한국과학기술연구원","2029-03-06","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511372000556","(1) Cu, In 및 Ga의 전구체들로부터 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물을 제조하는 단계,(2) 상기 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물을, 톨루엔, 자일렌, 옥타데센 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기용매와 알코올과의 혼합 용매에 용해시키는 단계, (3) 상기 용액을 상기 알코올의 끓는점 이상이면서 상기 유기용매의 끓는점 이하인 100 내지 200℃의 온도에서 반응시켜 알코올을 휘발시킨 후 상기 유기용매 중에서 CIGS계 미세입자를 합성하는 단계, 및(4) 상기 반응 후 생성된 침전물을 용액으로부터 분리, 세정 및 건조하는 단계를 포함하는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 미세입자의 제조 방법. | 제1항에 있어서,상기 단계 (4)에서 침전물이 분리되고 남은 용액을 원심분리, 세정 및 건조하여 나노 크기의 CIGS계 미세입자를 얻는 단계를 더 포함하는 CIGS계 미세입자의 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 (4)에 이어서, CIGS계 미세입자를 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Cu, In 및 Ga의 전구체들은 이들 금속 또는 이들 금속의 2종 이상의 합금의 수산화물, 염화물, 산화물 및 염과 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제4항에 있어서,상기 염은 질산염, 황산염, 아세트산염, 아세틸아세토네이트 및 포름산염과 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Se 전구체는 Se, Na2Se, Na2SeO3, Na2SeO3ㆍ5H2O, SeCl4 및 SeS2와 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알코올은 C1~C10 알코올인 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 삭제 | 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단계 (1)의 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물에 도펀트 (dopant)를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단계 (3)의 용액에 분산제 (capping agent)를 더 첨가하여 CIGS계 미세입자의 모양, 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 삭제 | 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 (3)의 반응은 불활성 기체를 이용한 퍼징을 수행하면서 실시되는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제3항에 있어서, 상기 소성은 환원 조건하에서 100 내지 500℃ 범위의 온도로 열처리를 하여 입자의 크기, 결정성을 조절하는 것을 특징으로 하는 제조 방법. | 제1항 또는 제2항에 따른 방법에 따라 제조된 CIGS계 미세입자. | 제14항에 따른 CIGS계 미세입자를 포함하는 잉크 또는 페이스트."]
["K04734","물리/재료","KR","P","초임계 유체를 이용한 금속 나노 입자의 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 금속 나노 입자(METHOD FOR PREPARING METAL NANOPARTICLES USING SUPERCRITICAL FLUIDS AND METAL NANOPARTICLES PREPARED THEREBY)","본 발명은 나노 크기의 금속를 제조하는 방법 및 상기 방법으로 제조된 금속 나노 입자에 관한 것이다. 더 상세하게 말하자면, 본 발명에 따른 금속 나노 입자의 제조 방법은 알코올에 금속 전구체를 용해시켜 금속 전구체 용액을 제조하는 단계, 금속 전구체 용액을 반응기에 도입하여 초임계 조건에서 금속 나노 입자를 생성시키는 단계, 금속 나노 입자의 용액을 냉각시키는 단계, 및 냉각된 용액으로부터 금속 나노 입자를 분리 및 회수하는 단계를 포함한다. 또한 본 발명은 상기 제조 방법에 의하여 제조된 금속 나노 입자에 관한 것이다.","(1) 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 용매에 금속 전구체를 용해시켜 금속 전구체 용액을 제조하는 단계,(2) 상기 금속 전구체 용액을 반응기에 도입하고, 초임계 조건에서 5분 동안 반응시켜 구리, 니켈 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속 나노 입자로서, 그 직경이 30 내지 300 ㎚인 금속 나노입자를 생성시키는 단계,(3) 상기 금속 나노 입자의 용액을 10 ℃의 냉각수로 냉각시키는 단계,(4) 여과 또는 원심 분리를 통하여 상기 냉각된 용액으로부터 금속 나노 입자를 분리 및 회수하는 단계 및(5) 금속 나노 입자를 상기 용매를 사용하여 세척하고 60 ℃ 진공오븐에서 건조시키는 단계를 포함하고,상기 금속 전구체는 Cu(NO3)2, CuSO4, CuCl2, Ni(NO3)2, NiCl2, NiSO4, AgNO3, KAg(CN)2, AgCl, Ag2SO4, AgBF4 및 AgCN으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 금속 나노 입자의 제조 방법.",3,"2009-0032906","2009-04-15","2010-0114395","2010-10-25","2011-11-15","1083005","2011-11-07","김재훈 | 김재덕 | 박종민 | 김홍곤 | 민병권","한국과학기술연구원","2029-04-15","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511462000493","(1) 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 용매에 금속 전구체를 용해시켜 금속 전구체 용액을 제조하는 단계,(2) 상기 금속 전구체 용액을 반응기에 도입하고, 초임계 조건에서 5분 동안 반응시켜 구리, 니켈 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속 나노 입자로서, 그 직경이 30 내지 300 ㎚인 금속 나노입자를 생성시키는 단계,(3) 상기 금속 나노 입자의 용액을 10 ℃의 냉각수로 냉각시키는 단계,(4) 여과 또는 원심 분리를 통하여 상기 냉각된 용액으로부터 금속 나노 입자를 분리 및 회수하는 단계 및(5) 금속 나노 입자를 상기 용매를 사용하여 세척하고 60 ℃ 진공오븐에서 건조시키는 단계를 포함하고,상기 금속 전구체는 Cu(NO3)2, CuSO4, CuCl2, Ni(NO3)2, NiCl2, NiSO4, AgNO3, KAg(CN)2, AgCl, Ag2SO4, AgBF4 및 AgCN으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 금속 나노 입자의 제조 방법. | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 제1항에 있어서, 상기 금속 전구체 용액의 농도는 0.001몰/ℓ 내지 1몰/ℓ인 금속 나노 입자의 제조 방법. | 삭제 | 제1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서의 반응 온도는 250℃ 내지 400℃이고, 반응 압력은 50bar 내지 500bar인 금속 나노 입자의 제조 방법. | 삭제 | 삭제"]
["K04789","물리/재료","KR","P","광섬유 코어 모드 차단기 및 그 제조 방법(Core mode blocker of optical fiber and method for manufacturing the same)","광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법은, 코어 및 클래딩을 포함하는 광섬유를 이용하여, 상기 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 상기 코어의 단면에 극 초단 펄스 레이저를 조사하여 함몰 영역을 형성하도록 구성될 수 있다. 광섬유 코어 모드 차단기는 전술한 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법에 의하여 제조될 수 있다. 광섬유 코어 모드 차단기는, 일 방향을 따라 연장되는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 클래딩을 포함하는 광섬유; 및 상기 일 방향에 수직한 방향의 상기 코어의 단면에 형성된 함몰 영역을 포함할 수도 있다.","제1 광섬유 및 제2 광섬유를 이용한 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법으로서, 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유 각각은 코어 및 클래딩을 포함하며,상기 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법은,상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유의 길이 방향에 평행한 방향으로부터 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유 각각에 극 초단 펄스 레이저를 조사하는 단계; 상기 극 초단 펄스 레이저를 이용하여, 상기 제1 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 상기 제1 광섬유의 코어의 단면 및 상기 제2 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 상기 제2 광섬유의 코어의 단면에 각각 함몰 영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 광섬유에 형성된 함몰 영역 및 상기 제2 광섬유에 형성된 함몰 영역이 서로 정렬되도록 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유를 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법.",4,"2009-0059615","2009-07-01","2011-0002164","2011-01-07","2011-12-23","1097810","2011-12-16","임선도 | 이관일 | 이상배 | 김재구","한국과학기술연구원","2029-07-01","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512002498","제1 광섬유 및 제2 광섬유를 이용한 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법으로서, 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유 각각은 코어 및 클래딩을 포함하며,상기 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법은,상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유의 길이 방향에 평행한 방향으로부터 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유 각각에 극 초단 펄스 레이저를 조사하는 단계; 상기 극 초단 펄스 레이저를 이용하여, 상기 제1 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 상기 제1 광섬유의 코어의 단면 및 상기 제2 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 상기 제2 광섬유의 코어의 단면에 각각 함몰 영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 광섬유에 형성된 함몰 영역 및 상기 제2 광섬유에 형성된 함몰 영역이 서로 정렬되도록 상기 제1 광섬유 및 상기 제2 광섬유를 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법. | 제 1항에 있어서,상기 극 초단 펄스 레이저를 조사하는 단계는, 렌즈를 이용하여 상기 제1 광섬유의 코어 및 상기 제2 광섬유의 코어 각각의 단면에 극 초단 펄스 레이저를 집속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법. | 제 1항에 있어서,상기 제1 광섬유의 코어 및 상기 제2 광섬유의 코어 각각의 단면에서 상기 극 초단 펄스 레이저의 세기는 60 mW 내지 200 mW 인 것을 특징으로 하는 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법. | 제 1항에 있어서,상기 제1 광섬유에 형성된 함몰 영역 및 상기 제2 광섬유에 형성된 함몰 영역 내에 금속 또는 폴리머를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 코어 모드 차단기의 제조 방법. | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제"]
["K04802","물리/재료","KR","P","광자결정 광섬유의 축 결정 시스템 및 이를 이용한 축 결정 방법(SYSTEM FOR DETERMINING OPTICAL AXES IN PHOTONIC CRYSTAL FIBER AND METHOD OF DETERMINIG OPTICAL AXES USING THE SAME)","본 발명은 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템 및 이를 이용한 축 결정 방법에 관한 것으로, 상기 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템은, 광섬유의 축 방향에 경사진 방향으로 빛을 입사시키는 광원, 상기 광원의 빛이 투과되고, 비원형 대칭으로 배열된 복수의 홀을 포함하는 광섬유 및 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 광학적 축을 결정하는 분석기를 포함한다.","광섬유의 축 방향에 경사진 방향으로 빛을 입사시키는 광원;상기 광원의 빛이 투과되고, 비원형 대칭으로 배열된 복수의 홀을 포함하는 광섬유; 및상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 광학적 축을 결정하는 분석기를 포함하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템.",11,"2009-0062886","2009-07-10","2011-0005379","2011-01-18","2011-08-11","1056409","2011-08-05","임선도 | 이관일 | 이상배","한국과학기술연구원","2029-07-10","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511322001739","광섬유의 축 방향에 경사진 방향으로 빛을 입사시키는 광원;상기 광원의 빛이 투과되고, 비원형 대칭으로 배열된 복수의 홀을 포함하는 광섬유; 및상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 광학적 축을 결정하는 분석기를 포함하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 복수의 홀은 중심에 인접한 제 1 홀군 및 상기 제 1 홀군보다 지름이 작은 제 2 홀군을 포함하고,상기 분석기는 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여, 상기 광섬유의 복굴절 축을 결정하는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 복수의 홀은 육각 구조 또는 사각 구조로 배열되고, 상기 분석기는 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여, 상기 광섬유의 대칭축을 결정하는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 복수의 홀의 지름은 0.1㎛ 이상 500㎛ 이하의 값인 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 복수의 홀 사이의 간격은 0.1㎛ 이상 500㎛ 이하의 값인 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 광원으로부터 입사되는 빛의 파장은 200㎚ 이상 2㎛이하인 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 광원으로부터 입사되는 빛은 상기 광섬유의 축 방향에 대해 10도 내지 170도의 각도로 입사되는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유 축 결정 시스템. | 제 1 항에 있어서,상기 분석기는 광섬유 후방향으로 1ｍ 범위 이내 및 상방향 또는 하방향으로 1ｍ 범위 이내에서 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴을 측정하는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유 축 결정 시스템. | 광섬유의 축 방향에 경사진 방향으로 빛이 입사되는 단계;상기 입사된 빛이 비원형 대칭으로 배열된 복수의 홀을 포함하는 광섬유를 투과하는 단계; 및상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 광학적 축을 결정하는 단계를 포함하는 광자결정 광섬유의 축 결정 방법. | 제 9 항에 있어서,상기 복수의 홀은 중심에 인접한 제 1 홀군 및 상기 제 1 홀군보다 지름이 작은 제 2 홀군을 포함하고, 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 복굴절 축을 결정하는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 방법. | 제 9 항에 있어서,상기 복수의 홀은 육각 구조 또는 사각 구조로 배열되고, 상기 광섬유를 투과한 빛의 간섭 패턴 또는 산란 패턴의 공간적인 세기 변화를 측정하여 상기 광섬유의 대칭축을 결정하는 것을 특징으로 하는 광자결정 광섬유의 축 결정 방법."]
["K04803","물리/재료","KR","P","광섬유 타원율 측정 장치 및 방법(Apparatus and method for measuring ellipticity of optical fibers)","광섬유 타원율 측정 장치는, 테스트 광섬유에 음파를 인가하는 음파 발생부; 및 상기 테스트 광섬유 내를 미리 설정된 길이만큼 진행한 음파의 위상 분산을 이용하여 상기 테스트 광섬유 외주부의 타원율을 측정하는 측정부를 포함할 수 있다. 광섬유 타원율 측정 방법은, 음파를 발생시켜 테스트 광섬유에 인가하는 단계; 상기 테스트 광섬유 내에서 미리 설정된 길이만큼 음파를 진행시키는 단계; 상기 테스트 광섬유 내를 진행하는 음파의 위상 분산을 측정하는 단계; 및 측정된 위상 분산으로부터 상기 테스트 광섬유의 타원율을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.","타원 형상의 단면을 갖는 테스트 광섬유에 음파를 인가하는 음파 발생부; 및 상기 테스트 광섬유에 인가된 음파가 상기 테스트 광섬유 내를 미리 설정된 길이만큼 진행한 후, 상기 테스트 광섬유의 단면의 장축 방향 및 단축 방향 각각을 따라 진행하는 제1 음파 및 제2 음파를 측정하며, 상기 제1 음파와 상기 제2 음파의 위상 차이를 이용하여 상기 테스트 광섬유 외주부의 타원율을 측정하는 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치.",9,"2009-0062508","2009-07-09","2011-0005022","2011-01-17","2011-12-22","1094671","2011-12-09","임선도 | 이관일 | 이상배","한국과학기술연구원","2029-07-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512002812","타원 형상의 단면을 갖는 테스트 광섬유에 음파를 인가하는 음파 발생부; 및 상기 테스트 광섬유에 인가된 음파가 상기 테스트 광섬유 내를 미리 설정된 길이만큼 진행한 후, 상기 테스트 광섬유의 단면의 장축 방향 및 단축 방향 각각을 따라 진행하는 제1 음파 및 제2 음파를 측정하며, 상기 제1 음파와 상기 제2 음파의 위상 차이를 이용하여 상기 테스트 광섬유 외주부의 타원율을 측정하는 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치. | 삭제 | 제 1항에 있어서,상기 음파 발생부는 1 kHz 이상 10 MHz 이하의 주파수를 갖는 음파를 상기 테스트 광섬유에 인가하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치. | 제 1항에 있어서,상기 측정부는, 상기 테스트 광섬유에 인접하여 위치하는 제1 광섬유; 상기 제1 광섬유에 빛을 인가하는 광원;상기 제1 광섬유 내를 진행하여 상기 제1 광섬유의 끝에서 반사된 빛과 상기 테스트 광섬유로부터 반사된 빛의 간섭에 의하여 생성된 변조 신호를 검출하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치. | 제 4항에 있어서,상기 측정부는, 한쪽 끝이 상기 검출기와 광학적으로 연결되는 제2 광섬유;상기 제1 광섬유 내를 진행하는 빛의 일부를 상기 제2 광섬유에 인가하는 광 커플러; 및상기 제2 광섬유의 다른 쪽 끝에 광학적으로 연결되는 광 스트리퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치. | 제 1항에 있어서,상기 테스트 광섬유의 길이 방향을 회전축으로 상기 테스트 광섬유를 회전시키는 회전기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 장치. | 음파를 발생시켜 타원 형상의 단면을 갖는 테스트 광섬유에 인가하는 단계; 상기 테스트 광섬유 내에서 미리 설정된 길이만큼 음파를 진행시키는 단계; 상기 테스트 광섬유의 단면의 장축 방향 및 단축 방향 각각을 따라 진행하는 제1 음파 및 제2 음파를 측정하는 단계; 및상기 제1 음파와 상기 제2 음파의 위상 차이를 이용하여 상기 테스트 광섬유의 타원율을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 방법. | 삭제 | 제 7항에 있어서,상기 테스트 광섬유에 인가되는 음파의 주파수는 1 kHz 이상 10 MHz 이하인 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 방법. | 제 7항에 있어서,상기 제1 음파 및 제2 음파를 측정하는 단계는, 상기 테스트 광섬유에 인접하여 위치하는 센싱 광섬유를 통하여 빛을 조사하는 단계; 및 상기 센싱 광섬유로부터 출사되어 상기 테스트 광섬유로부터 반사된 빛과, 상기 센싱 광섬유의 끝으로부터 반사된 빛의 간섭에 의해 생성되는 변조 신호를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 방법. | 제 7항에 있어서,상기 제1 음파 및 제2 음파를 측정하는 단계는, 상기 테스트 광섬유의 길이 방향을 회전축으로 상기 테스트 광섬유를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 타원율 측정 방법."]
["K04826","물리/재료","KR","P","전자후방산란회절(ＥＢＳＤ)을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법(METHOD FOR ANALYZING PEARLITE COLONY SIZE USING ELECTRON BACK SCATTERED DIFFRACTION)","본 발명은 펄라이트 콜로니의 크기를 측정하기 위해서 전자후방산란회절(EBSD) 및 입계연결 개념을 이용한 측정방법에 관한 것으로서, 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 펄라이트상을 갖는 강재의 결정방위를 측정하는 단계;상기 측정된 결정방위를 이용하여 결정방위 사이의 방위차를 계산하여 방위차 맵(또는 패턴질 맵, pattern quality map)을 작성하는 단계;상기 방위차를 이용하여 콜로니 구분 기준값(θst)과 입계완성 기준값(θgb)을 설정하는 단계; 및상기 설정된 콜로니 구분 기준값 및 입계완성 기준값과 상기 방위차를 비교하여 펄라이트 콜로니 입계(boundary)를 결정하는 단계를 포함한다.","전자후방산란회절(EBSD)를 이용한 펄라이트상을 갖는 강재의 결정방위를 측정하는 단계;상기 측정된 결정방위를 이용하여 결정방위 사이의 방위차를 계산하여 방위차 맵(또는 패턴질 맵, pattern quality map)을 작성하는 단계;상기 방위차를 이용하여 콜로니 구분 기준값(θst)과 입계완성 기준값(θgb)을 설정하는 단계; 및상기 설정된 콜로니 구분 기준값 및 입계완성 기준값과 상기 방위차를 비교하여 펄라이트 콜로니 입계(boundary)를 결정하는 단계를 포함하는 전자후방산란회절을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법.",4,"2009-0071270","2009-08-03","2011-0013684","2011-02-10","2012-02-24","1112027","2012-01-27","김동익 | 장윤수 | 이영수 | 서진유 | 심재혁 | 이승철 | 정우상 | 조영환","한국과학기술연구원","2029-08-03","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512082001039","전자후방산란회절(EBSD)를 이용한 펄라이트상을 갖는 강재의 결정방위를 측정하는 단계;상기 측정된 결정방위를 이용하여 결정방위 사이의 방위차를 계산하여 방위차 맵(또는 패턴질 맵, pattern quality map)을 작성하는 단계;상기 방위차를 이용하여 콜로니 구분 기준값(θst)과 입계완성 기준값(θgb)을 설정하는 단계; 및상기 설정된 콜로니 구분 기준값 및 입계완성 기준값과 상기 방위차를 비교하여 펄라이트 콜로니 입계(boundary)를 결정하는 단계를 포함하는 전자후방산란회절을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법. | 청구항 1에 있어서,상기 펄라이트 콜로니 입계를 결정하는 단계는 상기 방위차가 콜로니 구분 기준값(θst) 이상이면, 콜로니 입계로 구분하고, 연속된 입계의 일부이나, 방위차가 콜로니 구분 기준값(θst) 미만에서 입계완성 기준값(θgb) 이상이면 콜로니 구분 기준값(θst)으로 대체하여 상기 콜로니 입계로 구분하는 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법. | 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 콜로니 구분 기준값(θst)은 3°~ 7°의 범위 내에 있고, 상기 입계완성 기준값(θgb)은 1°~ 3°의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법. | 청구항 3에 있어서, 상기 콜로니 구분 기준값(θst)은 3°~ 5°의 범위 내에 있고, 상기 입계완성 기준값(θgb)은 1°~ 1.5°의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법."]
["K05034","물리/재료","KR","P","전자부품용 유전체 세라믹 조성물(Dielectric Ceramics Composition for Electric Component)","본 발명은 전자부품용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 보로실리케이트계 유리프리트와 xZnO-yA2O5-zBO2 (이때, A는 Nb, V, P 또는 이들의 혼합원소이고, B는 Ti, Zr, Sn 또는 이들의 혼합원소이다)로 표시되는 복합금속산화물 분말을 포함하는 조성물로, 950℃ 이하의 온도에서 소결되며, 마이크로파 대역에서의 유전율(k) 15 이상, 품질계수(Qxf) 1,000 GHz 이상, 공진주파수 온도계수(τf) -100∼+150 ppm/℃의 유전특성을 갖는 전자부품용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.","보로실리케이트계 유리프리트 5∼35 중량%; 및하기 화학식 1로 표시되는 복합금속산화물 분말 65∼95 중량%; 를 포함하는 유전체 세라믹 조성물 :[화학식 1]xZnO-yA2O5-zBO2 상기 화학식 1에서, A는 Nb, V, P, 또는 이들로부터 선택된 2종 또는 3종의 혼합원소이고; B는 Ti, Zr, Sn, 또는 또는 이들로부터 선택된 2종 또는 3종의 혼합원소이며; x, y, 및 z는 각 산화물의 몰비로서 20.5≤x≤35.5 몰%, 20.5≤y≤35.5 몰%, 29≤z≤59 몰%를 만족한다.",6,"2010-0004017","2010-01-15","2011-0084002","2011-07-21","2011-11-22","1084710","2011-11-11","박정현 | 박재관 | 이항원 | 최영진","한국과학기술연구원","2030-01-15","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511472001563","보로실리케이트계 유리프리트 5∼35 중량%; 및하기 화학식 1로 표시되는 복합금속산화물 분말 65∼95 중량%; 를 포함하는 유전체 세라믹 조성물 :[화학식 1]xZnO-yA2O5-zBO2 상기 화학식 1에서, A는 Nb, V, P, 또는 이들로부터 선택된 2종 또는 3종의 혼합원소이고; B는 Ti, Zr, Sn, 또는 또는 이들로부터 선택된 2종 또는 3종의 혼합원소이며; x, y, 및 z는 각 산화물의 몰비로서 20.5≤x≤35.5 몰%, 20.5≤y≤35.5 몰%, 29≤z≤59 몰%를 만족한다. | 청구항 1에 있어서,상기 보로실리케이트계 유리프리트는 SiO2 45∼75 몰%, B2O3 15∼25 몰%, Al2O3 0.5∼3 몰%, Li2O 및 Na2O 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 알칼리금속 산화물 0∼5 몰%, 및 MgO, CaO, SrO, 및 ZnO 중에서 선택된 적어도 2종 이상의 알칼리토금속 산화물 0.1∼30 몰%를 포함하는 유전체 세라믹 조성물. | 청구항 1에 있어서,상기 xZnO-yA2O5-zBO2 복합금속산화물 분말에 추가로 TiO2, CaTiO3, SrTiO3, 및 BaTiO3 중 적어도 1종 이상의 금속산화물을 더 포함하며, 상기 xZnO-yA2O5-zBO2 복합금속산화물 분말 50∼95 중량%에 대하여 TiO2, CaTiO3, SrTiO3, 및 BaTiO3 중 적어도 1종 이상의 금속산화물이 5∼50 중량% 범위로 더 포함되는 유전체 세라믹 조성물. | 청구항 1에 있어서,상기 xZnO-yA2O5-zBO2 복합금속산화물 분말은 ZnO 20.5∼35.5 몰%, Nb2O5 15.5∼35.5 몰%, P2O5 0∼5 몰%, V2O5 0∼5 몰%, 및 TiO2, ZrO2, 및 SnO2 중 적어도 1종 이상 5∼59 몰%로 이루어져 있는 유전체 세라믹 조성물. | 청구항 1, 청구항 3, 및 청구항 4항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 xZnO-yA2O5-zBO2 복합금속산화물 분말은 750∼1200℃에서 열처리되어 주결정상으로 익사이오라이트(Ixiolite)상이 존재하며, 마이크로파 대역에서의 유전율(k) 27∼41, 품질계수(Qxf) 10,000∼45,000, 공진주파수 온도계수 -75∼-50 ppm/℃ 범위의 유전특성을 가지는 유전체 세라믹 조성물. | 청구항 1 내지 4항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,800∼950℃에서 소결되며, 마이크로파 대역에서의 유전율(k)은 15∼40, 품질계수(Qxf)는 1,000∼25,000 GHz, 공진주파수 온도계수(τf)는 -100∼+150 ppm/℃ 범위인 유전체 세라믹 조성물."]
["K05374","물리/재료","KR","P","Ｆｅ-Ａｌ 자성 판재의 제조 방법(METHOD FOR MANUFACTURING Fe-Al MAGNETIC PLATES)","저온에서 간단히 제조할 수 있는 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법을 제공한다. Fe-Al 자성 판재의 제조 방법은 i) 불활성 분말, 활성제 분말, 및 Al 공급원 분말을 포함하는 혼합 분말을 제공하는 단계, ii) 연강제 판재를 제공하는 단계, iii) 혼합 분말로 연강제 판재를 둘러싸는 단계, 및 iv) 불활성 분위기하에서 혼합 분말 및 연강제 판재를 고온 가열하여 Al 공급원 분말로부터 나온 Al을 연강제 판재 내부로 확산 침투시키는 단계를 포함한다.","불활성 분말, 활성제 분말, 및 Al 공급원 분말을 포함하는 혼합 분말을 제공하는 단계,하나 이상의 연강제 판재를 제공하는 단계,상기 혼합 분말로 상기 연강제 판재를 둘러싸는 단계,불활성 분위기하에서 상기 혼합 분말 및 상기 연강제 판재를 700℃ 내지 1200℃로 가열하여 상기 Al 공급원 분말로부터 나온 Al을 상기 연강제 판재 내부로 확산 침투시키는 단계, 및잔존하는 상기 불활성 분말을 회수하는 단계를 포함하고,상기 회수된 불활성 분말을 상기 혼합 분말을 제공하는 단계에서의 불활성 분말로 재사용하며,상기 불활성 분말은 Al2O3 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법.",6,"2010-0108674","2010-11-03","","","2011-08-26","1059529","2011-08-19","변지영 | 홍경태 | 현도빈 | 하헌필 | 석현광","한국과학기술연구원","2030-11-03","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511342001133","불활성 분말, 활성제 분말, 및 Al 공급원 분말을 포함하는 혼합 분말을 제공하는 단계,하나 이상의 연강제 판재를 제공하는 단계,상기 혼합 분말로 상기 연강제 판재를 둘러싸는 단계,불활성 분위기하에서 상기 혼합 분말 및 상기 연강제 판재를 700℃ 내지 1200℃로 가열하여 상기 Al 공급원 분말로부터 나온 Al을 상기 연강제 판재 내부로 확산 침투시키는 단계, 및잔존하는 상기 불활성 분말을 회수하는 단계를 포함하고,상기 회수된 불활성 분말을 상기 혼합 분말을 제공하는 단계에서의 불활성 분말로 재사용하며,상기 불활성 분말은 Al2O3 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법. | 삭제 | 제1항에 있어서,상기 혼합 분말을 제공하는 단계에서, 상기 활성제 분말은 알칼리금속 할라이드, 알칼리토금속 할라이드, NH4F, NH4Cl 및 AlF3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물이고, 상기 활성제 분말의 양은 상기 혼합 분말의 0.1wt% 내지 5wt%인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 상기 혼합 분말을 제공하는 단계에서, 상기 Al 공급원 분말은 20wt% 내지 50wt%의 Al과 잔부 Fe를 포함하는 합금 분말 또는 순수 Al 분말인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법. | 제4항에 있어서,상기 Al 공급원 분말로서, 상기 20wt% 내지 50wt%의 Al과 잔부 Fe를 포함하는 화합물을 사용하는 경우, 상기 Al을 상기 연강제 판재 내부로 확산 침투시키는 단계 후에 잔존하는 Al 공급원 분말을 자력 선별에 의해 회수하는 단계를 더 포함하고, 상기 회수된 Al 공급원 분말을 상기 혼합 분말을 제공하는 단계에서의 Al 공급원 분말로 재사용하는 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법. | 제1항에 있어서,상기 Al을 상기 연강제 판재 내부로 확산 침투시키는 단계에서, 상기 Fe-Al 자성 판재에 포함된 Al의 양은 0보다 크고 18wt% 이하인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법. | 삭제 | 삭제 | 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 연강제 판재를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 연강제 판재는 복수의 연강제 판재들을 포함하고, 상기 혼합 분말로 상기 연강제 판재를 둘러싸는 단계에서, 상기 복수의 연강제 판재들은 상호 이격되어 위치하고, 상기 복수의 연강제 판재들의 간극은 0.1㎜ 내지 20㎜인 Fe-Al 자성 판재의 제조 방법."]
["K04598","바이오","KR","P","글리신을 이용한 자궁골반탈출증 진단용 마커(Marker for diagonosing pelvic organ prolapse using glycine)","글리신(glycine)을 포함하는 자궁골반탈출증(pelvic organ prolapse) 진단용 마커가 개시된다. 상기 진단용 마커는, 채취가 용이가 용이한 뇨 시료의 글리신의 농도를 측정함으로써 자궁 골반탈출증 발병위험성을 감지하는 것이 가능하다.","자궁골반탈출증(pelvic organ prolapse)의 발병위험을 진단하기 위한 마커로서, 뇨 중의 글리신(glycine)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자궁골반 탈출증 진단용 마커.",3,"2008-0121629","2008-12-03","2010-0063218","2010-06-11","2011-08-05","1054766","2011-08-01","정병화 | 정봉철","한국과학기술연구원","2028-12-03","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511312000603","삭제 | 자궁골반탈출증(pelvic organ prolapse)의 발병위험을 진단하기 위한 마커로서, 뇨 중의 글리신(glycine)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자궁골반 탈출증 진단용 마커. | 제 2 항에 있어서,상기 뇨 중 글리신의 농도가, 전기영동-질량분석시, 정상군의 70% 이하인 경우에는 자궁골반 탈출증의 발생위험이 있는 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 자궁골발 탈출증 진단용 마커. | 제 3 항에 있어서,상기 뇨 중 글리신의 농도가, 정상군의 10% 내지 60%인 경우에는 자궁골반 탈출증의 발생 위험이 있는 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 자궁골발 탈출증 진단용 마커."]
["K04661","바이오","KR","P","뇌 신경신호 측정을 위한 전극 이동용 마이크로 매니퓰레이터(Micro Manipulator for Electrode Movement in Neural Signal Recording)","본 발명은 피실험체의 뇌 신경세포에 근접되는 전극 또는 전극이 장착되어 있는 전극홀더의 위치 분해능을 향상시켜 원하는 위치의 신경세포 생체신호를 기록할 수 있는 가능성이 높고, 구조가 간단한 마이크로 매니퓰레이터에 관한 것이다.본 발명에 따른 마이크로 매니퓰레이터는 샤프트와 진동부를 구비하는 모터, 상기 샤프트 상에서 이동가능하도록 연결되는 이동체, 및 상기 모터가 지지되는 프레임을 포함한다. 전극은 상기 샤프트의 길이방향과 평행한 방향으로 상기 이동체에 연결되어서, 상기 진동부에 의해 상기 샤프트가 진동함에 따라, 상기 이동체가 직선운동하여 상기 전극이 직선운동한다. 본 발명에 따른 마이크로 매니퓰레이터는 구조가 간단하면서도 분해능이 우수하여 전극의 위치 결정력이 매우 우수하다. 또한, 포지션 센서를 포함하여 직선운동하는 이동체와 전극의 위치 결정력을 향상시켰으며 직선 운동에 따른 이동체 및 전극의 현재 위치를 모니터링하는 것이 가능하다. 따라서, 피실험체에 용이하게 장치되고, 보다 정밀한 실험이 가능하다는 이점이 있다.","샤프트와 진동부를 구비하는 모터;상기 샤프트의 외주면을 감싸도록 연결되어, 상기 샤프트 상에서 상기 샤프트의 길이 방향을 따라 이동 가능한 이동체; 및 상기 모터가 지지되는 프레임을 포함하고, 전극이 상기 샤프트의 길이방향과 평행한 방향으로 상기 이동체에 연결되어서, 상기 진동부에 의해 상기 샤프트가 상기 샤프트의 길이 방향으로 진동함에 따라, 상기 이동체가 상기 샤프트의 길이 방향으로 직선운동하여 상기 전극이 상기 샤프트의 길이 방향으로 직선운동하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터.",14,"2008-0135977","2008-12-29","2010-0077901","2010-07-08","2011-03-04","1017908","2011-02-21","윤의성 | 양성욱 | 김진석 | 노덕문 | 박기태 | 이세민 | 조제원 | 신희섭","한국과학기술연구원","2028-12-29","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511092000917","샤프트와 진동부를 구비하는 모터;상기 샤프트의 외주면을 감싸도록 연결되어, 상기 샤프트 상에서 상기 샤프트의 길이 방향을 따라 이동 가능한 이동체; 및 상기 모터가 지지되는 프레임을 포함하고, 전극이 상기 샤프트의 길이방향과 평행한 방향으로 상기 이동체에 연결되어서, 상기 진동부에 의해 상기 샤프트가 상기 샤프트의 길이 방향으로 진동함에 따라, 상기 이동체가 상기 샤프트의 길이 방향으로 직선운동하여 상기 전극이 상기 샤프트의 길이 방향으로 직선운동하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서, 상기 진동부는 전원을 인가하면 팽창 또는 수축되는 변형기판과, 상기 변형기판에 부착되는 탄성기판로 이루어지고,상기 샤프트는 상기 변형기판 또는 상기 탄성기판에 고정되며, 상기 탄성기판과 수직한 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서,상기 이동체에 고정되며, 상기 샤프트의 길이방향과 평행한 방향으로 형성되는 전극홀더를 더 포함하고,상기 전극은 상기 전극홀더 내부에 장착되어, 상기 이동체에 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제3항에 있어서,상기 전극홀더는 상기 이동체로부터 착탈가능한 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서, 상기 프레임은 서로 평행하게 형성되는 상판과 하판을 포함하고, 상기 샤프트는 상기 상판과 하판의 중앙부를 관통하도록 상기 프레임에 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제5항에 있어서, 깔대기 형상의 가이드부재를 더 포함하고, 상기 가이드부재는 상기 프레임의 하판 중앙에 결합되며, 상기 전극의 끝단은 상기 가이드부재의 하판 중앙에 형성된 통공을 통해 상기 가이드부재 외부로 노출되어, 상기 전극의 끝단이 상기 프레임의 상판과 하판의 중앙을 잇는 상기 프레임의 중심축선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서,상기 이동체의 변위를 측정하는 포지션 센서부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제7항에 있어서,상기 포지션 센서부는 영구자석 및 자기센서로 이루어지며,상기 영구자석은 상기 이동체에 고정되는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서, 제어부에서 발생된 제어신호를 전달받아 상기 모터를 작동시키기 위한 제어신호전달장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서,상기 전극으로부터 검출되는 신호를 외부로 전달하기 위한 신경신호전달장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제7항에 있어서,상기 포지션 센서부에서 측정되는 상기 이동체의 변위 정보를 외부로 전달하기 위한 위치신호전달장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서,상기 모터와 상기 이동체 및 상기 프레임을 내부에 고정지지하는 외부 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제12항에 있어서,상기 외부덮개는 상부 덮개 및 하부 덮개로 이루어지고, 상기 상부 덮개는 상기 하부 덮개와 착탈가능한 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터. | 제1항에 있어서,상기 이동체는 중앙부에 \"V\"자 형 홈을 구비하고, 상기 \"V\"자 형 홈 내부에 상기 샤프트를 위치시킨 후, 판 스프링으로 상기 \"V\"자 형 홈의 입구를 폐쇄하여, 상기 이동체가 상기 샤프트의 외주면을 감싸도록 상기 샤프트에 연결되고, 상기 판스프링은 상기 샤프트와 상기 이동체 사이에 마찰력을 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 매니퓰레이터."]
["K04775","바이오","KR","P","스타틴의 약효 및 간 독성 측정용 마커 및 측정방법(Diagnostic Markers and Methods for Efficacy and Liver Toxicity of Statin)","스타틴(statin)의 약효와 간 독성을 측정하기 위한 마커 및 측정방법에 관한 것으로, 구체적으로는 특정 아미노산 농도의 유의적 차이를 이용하여 스타틴의 약효와 간 독성을 측정하는 마커 및 방법을 제공한다. 상기 마커 및 측정방법은, 채취가 용이한 뇨 시료로부터, 스타틴의 약효 및 독성을 간편하게 측정할 수 있다는 장점이 있다.","스타틴(statin)의 약효를 측정하는 마커로서,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하며,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 농도가, 고지혈증 발병군의 70% 이하인 경우에 스타틴의 약효가 유효한 것으로 판정하는 스타틴의 약효 측정용 마커.",14,"2009-0052046","2009-06-11","2010-0133251","2010-12-21","2011-12-29","1099615","2011-12-21","정병화 | 정봉철","한국과학기술연구원","2029-06-11","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511522000371","스타틴(statin)의 약효를 측정하는 마커로서,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하며,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 농도가, 고지혈증 발병군의 70% 이하인 경우에 스타틴의 약효가 유효한 것으로 판정하는 스타틴의 약효 측정용 마커. | 제 1 항에 있어서, 상기 마커는, 뇨 중의 아미노산인 것을 특징으로 하는 스타틴의 약효 측정용 마커. | 삭제 | 제 1 항에 있어서,글루타민산의 농도가, 고지혈증 발병군의 40% 이하인 경우에 스타틴의 약효가 유효한 것으로 판정하는 것을 특징으로 하는 스타틴의 약효 측정용 마커. | 스타틴(statin)의 간 독성을 측정하는 마커로서,프롤린, 3-유레이도프로피오닉산 및 히스티딘으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하며,프롤린, 3-유레이도프로피오닉산 및 히스티딘으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 농도가, 고지혈증 발병군의 150% 이상인 경우에 스타틴에 의한 간 독성이 인정되는 것으로 판정하는 스타틴의 간 독성 측정용 마커. | 제 5 항에 있어서, 상기 마커는, 뇨 중의 아미노산인 것을 특징으로 하는 스타틴의 간 독성 측정용 마커. | 삭제 | 제 5 항에 있어서,히스티딘의 농도가, 고지혈증 발병군의 250% 이상인 경우에 스타틴에 의한 간 독성이 인정되는 것으로 판정하는 것을 특징으로 하는 스타틴의 간 독성 측정용 마커. | 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 스타틴은, 심바스타틴(simvastatin), 아토르바스타틴(atorvastatin), 세리바스타틴(cerivastatin) 로바스타틴(lovastatin), 피타바스타틴(pitavastatin), 로수바스타틴(rosuvastatin), 프라바스타틴(prabastatin), 프루바스타틴(fluvastatin) 및 메바스타틴(mevastatin)으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마커. | 제 9 항에 있어서,상기 스타틴은, 아토르바스타틴(atorvastatin)인 것을 특징으로 하는 마커. | 이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 아미노산 농도를 분석하는 공정을 포함하며, 분석된 아미노산의 농도가, 고지혈증 발병군의 70% 이하인 경우에는 스타틴의 약효가 유효한 것으로 판정하는 스타틴의 약효 측정방법. | 프롤린, 3-유레이도프로피오닉산 및 히스티딘으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 아미노산 농도를 분석하는 공정을 포함하며, 분석된 아미노산의 농도가, 고지혈증 발병군의 150% 이상인 경우에는 스타틴에 의한 간 독성이 인정되는 것으로 판정하는 스타틴의 간 독성 측정방법. | 아미노산 농도를 분석하는 공정을 포함하며, 상기 아미노산은,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상; 및프롤린, 3-유레이도프로피오닉산 및 히스티딘으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상이며,이소루신, 글루타민, 글루타민산 및 알기닌으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 농도가, 고지혈증 발병군의 70% 이하인 경우에는 스타틴의 약효가 유효한 것으로 판정하고,프롤린, 3-유레이도프로피오닉산 및 히스티딘으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 농도가, 고지혈증 발병군의 150% 이상인 경우에는 스타틴에 의한 간 독성이 인정되는 것으로 판정하는 측정방법. | 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아미노산은 뇨 중 아미노산인 것을 특징으로 하는 측정방법. | 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,아미노산 농도를 분석하는 공정은, 전기영동 및 질량분석에 의하는 것을 특징으로 하는 측정방법. | 제 15 항에 있어서,아미노산 농도를 분석하기 전에, 뇨 시료의 부유물 및 단백질을 제거하는 전처리 공정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 측정방법."]
["K04881","바이오","KR","P","카바릴 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법(Biomarker for identification of exposure to carbaryl and the method of identification using thereof)","본 발명은 카바릴(carbaryl)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 카바마이트계 살충제 중 하나인 카바릴에 의해 대조군에 비해 특이적으로 유전자 발현이 증가하는 바이오마커 및 이를 이용한 카바릴에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이오마커가 집적된 DNA 마이크로어레이 칩은 인간의 갑상선에 대한 카바릴 노출을 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 카바릴에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 유용하게 이용될 수 있다.","트리아딘(triadin)(GenBank 등록 번호: AJ489257) 유전자의 핵산 서열의 전부를 포함하는 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보적인 올리고뉴클레오티드가 집적된, 카바릴에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩.",16,"2009-0080406","2009-08-28","2011-0022906","2011-03-08","2011-11-03","1079250","2011-10-27","류재천 | 김연정 | 송미 | 김지희 | 이지나","한국과학기술연구원","2029-08-28","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511442001518","트리아딘(triadin)(GenBank 등록 번호: AJ489257) 유전자의 핵산 서열의 전부를 포함하는 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보적인 올리고뉴클레오티드가 집적된, 카바릴에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩. | 제 1항에 있어서, 상기 올리고뉴클레오티드 또는 이의 상보가닥 분자는 트리아딘 유전자의 18 내지 30개의 핵산을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 칩. | 카바릴에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터1) cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계;2) 단계 1)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화 시키는 단계;3) 단계 2)의 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및,4) 단계 3)의 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 카바릴에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 카바릴에 대한 노출 여부 확인을 위한 유전자 검출 방법. | 제 3항에 있어서, RNA 시료는 인간 갑상선 소포암 세포 또는 조직에서 유래한 것을 특징으로 하는 방법. | 제 4항에 있어서, 상기 갑상선 소포암 세포는 FTC-238인 것을 특징으로 하는 방법. | 제 3항에 있어서, 단계 1)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 카바릴에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터1) 상기 RNA를, 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고 상기 유전자를 증폭할 수 있는 프라이머쌍을 사용하여 실시간 RT-PCR(Real-time reverse transcript polymerase chain reaction)을 수행하는 단계; 및,2) 단계 1)의 유전자 산물을 대조군과 비교하여 카바릴에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 카바릴에 대한 노출 여부 확인을 위한 유전자 검출 방법. | 제 7항에 있어서, RNA 시료는 인간 갑상선 소포암 세포 또는 조직에서 유래한 것을 특징으로 하는 방법. | 제 7항에 있어서, 상기 단계 2)의 프라이머 쌍은 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자를 증폭할 수 있는, 18 내지 30머 길이의 정방향 및 역방향 프라이머 쌍인 것을 특징으로 하는 방법. | 제 1항의 마이크로어레이 칩을 포함하는 카바릴에 대한 노출 여부 확인용 키트. | 제 10항에 있어서, 추가로 갑상선 소포암 세포를 포함하는 것을 특징으로 하는 키트. | 제 11항에 있어서, 상기 갑상선 소포암 세포는 FTC-238인 것을 특징으로 하는 키트. | 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는 프라이머 쌍을 포함하는, 카바릴에 대한 노출 여부 확인용 키트. | 제 13항에 있어서, 상기 프라이머 쌍은 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자 내에서 선택되는 18 내지 30머 길이의 폴리뉴클레오티드를 갖는 정방향 및 역방향 프라이머 쌍인 것을 특징으로 하는 키트. | 제 13항에 있어서, 상기 프라이머쌍은 서열번호 1로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 2로 기재되는 역방향 프라이머로 구성되는 것을 특징으로 하는 키트. | 제 13항에 있어서, 추가로 갑상선 소포암 세포를 포함하는 것을 특징으로 하는 키트."]
["K04893","바이오","KR","P","ＦＴＣ－２３８／ｈｒＴＰＯ／ＲＳＫ００８ 세포주(FTC-238/hrTPO/RSK008 cell line)","본 발명은 갑상선 호르몬 장애 물질이 갑상선 과산화효소의 활성에 주는 영향을 평가하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 갑상선 과산화효소 활성이 높은 기탁번호 KCLRF-BP-00215의 형질전환 세포주를 이용함으로써 갑상선 호르몬 장애 물질이 갑상선 과산화효소의 활성에 주는 영향을 평가하는 데에 유용하게 이용될 수 있다.","1) 기탁번호 KCLRF-BP-00215로 기탁된, 갑상선 과산화효소 유전자가 형질도입되고, 40 내지 50 nmol H2O2×분-1×㎎-1 의 갑상선 과산화효소 활성을 갖는 것을 특징으로 하는 형질전환 세포주를 우태아혈청(FBS) 및 G418이 포함된 배지에서 배양하는 단계;2) 단계 1)의 배양된 형질전환 세포주에 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하는 단계; 및3) 단계 2)의 처리된 형질전환 세포주에서 생산된 갑상선 과산화효소의 활성을 측정한 후, 대조군인 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하지 않은 비만 유도된 형질전환 세포주에서의 활성과 비교하는 단계를 포함하는, 상기 갑상선 호르몬 장애 물질이 갑상선 과산화효소의 활성에 주는 영향을 평가하는 방법.",9,"2009-0078649","2009-08-25","2011-0021071","2011-03-04","2012-02-29","1111686","2012-01-26","류재천 | 김연정 | 송미 | 이지나","한국과학기술연구원","2029-08-25","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512092001216","1) 기탁번호 KCLRF-BP-00215로 기탁된, 갑상선 과산화효소 유전자가 형질도입되고, 40 내지 50 nmol H2O2×분-1×㎎-1 의 갑상선 과산화효소 활성을 갖는 것을 특징으로 하는 형질전환 세포주를 우태아혈청(FBS) 및 G418이 포함된 배지에서 배양하는 단계;2) 단계 1)의 배양된 형질전환 세포주에 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하는 단계; 및3) 단계 2)의 처리된 형질전환 세포주에서 생산된 갑상선 과산화효소의 활성을 측정한 후, 대조군인 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하지 않은 비만 유도된 형질전환 세포주에서의 활성과 비교하는 단계를 포함하는, 상기 갑상선 호르몬 장애 물질이 갑상선 과산화효소의 활성에 주는 영향을 평가하는 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 1)의 FBS는 배지 전체 조성에 대해 5% 포함된 것을 특징으로 하는 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 1)의 G418은 300 ug/ml의 농도로 포함된 것을 특징으로 하는 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 1)의 배지는 DMEM/F12 배지인 것을 특징으로 하는 방법. | 삭제 | 제 1항에 있어서, 단계 2)의 갑상선 호르몬 장애 물질은 산업용 화학물질 또는 원료물질, 살충제 및 제초제를 포함한 농약, 유기중금속, 다이옥신 및 식물성에스트로젠(phytoestrogen)을 포함하는 호르몬 유사물질, DES (diethylstilbestrol)를 포함하는 합성 에스트로젠, 및 식품첨가물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 3)의 활성 비교는 과이어콜 어세이(guaiacol assay)로 측정된 활성을 비교함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. | 1) 기탁번호 KCLRF-BP-00215로 기탁된 갑상선 과산화효소 유전자가 형질도입되고, 40 내지 50 nmol H2O2×분-1×㎎-1 의 갑상선 과산화효소 활성을 갖는 것을 특징으로 하는 형질전환 세포주를 우태아혈청(FBS) 및 G418이 포함된 배지에서 배양하는 단계;2) 단계 1)의 배양된 형질전환 세포주에 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하는 단계; 및3) 단계 2)의 처리된 형질전환 세포주의 갑상선 과산화효소의 mRNA 또는 단백질의 발현량을 측정한 후, 대조군인 갑상선 호르몬 장애 물질을 처리하지 않은 비만 유도된 형질전환 세포주에서의 활성과 비교하는 단계를 포함하는, 상기 갑상선 호르몬 장애 물질이 갑상선 과산화효소의 발현에 주는 영향을 평가하는 방법. | 제 8항에 있어서, 상기 단계 3)의 mRNA의 발현량 측정은 RT-PCR, 정량적 또는 반정량적 RT-PCR(Quentitative or semi-Quentitative RT-PCR), 정량적 또는 반정량적 리얼 타임PCR(Quentitative or semi-Quentitative real-time PCR), 노던 블롯(northern blot) 및 DNA 또는 RNA 칩(chip)을 이용하는 방법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법을 이용하여 측정되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제 8항에 있어서, 상기 단계 3)의 단백질의 발현량 측정은 웨스턴 블랏, ELISA(enzyme-linked immunosorbent assay), 비색법(colorimetric method), 전기화학법(electrochemical method), 형광법(fluorimetric method), 발광법(luminometry), 입자계수법(particle counting method), 육안측정법(visual assessment), 섬광계수법(scintillation counting method) 및 조직면역염색법으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법."]
["K04992","바이오","KR","P","마이크로 캔틸레버 기반 트롬빈 검출 시스템 및 방법(System and Method for Detecting Thrombin Using Micro-cantilever)","마이크로 캔틸레버 센서; 상기 마이크로 캔틸레버 상에 고정된 DNA 압타머; 및 마이크로 캔틸레버의 공진주파수를 측정하는 측정장치를 포함하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 시스템 및 상기 시스템을 이용한 트롬빈 검출 방법이 개시된다. 상기 트롬빈 검출 시스템 및 방법은 극미량의 트롬빈을 효과적으로 검출할 수 있다.","마이크로 캔틸레버 센서;상기 마이크로 캔틸레버 상에 고정된 DNA 압타머; 마이크로 캔틸레버의 공진주파수를 측정하는 측정장치; 및백필링(backfilling)용 스페이서(spacer)를 포함하고, 상기 DNA 압타머는 5'-GGT TGG TGT GGT TGG-3' 서열을 포함하는 것으로 DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스(DNA aptamer-guard-DNA duplex) 구조인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치.",12,"2009-0112557","2009-11-20","2011-0055930","2011-05-26","2012-03-13","1113793","2012-02-01","황교선 | 이상명 | 김상경 | 양은경 | 안대로 | 김태송","한국과학기술연구원","2029-11-20","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512112000700","마이크로 캔틸레버 센서;상기 마이크로 캔틸레버 상에 고정된 DNA 압타머; 마이크로 캔틸레버의 공진주파수를 측정하는 측정장치; 및백필링(backfilling)용 스페이서(spacer)를 포함하고, 상기 DNA 압타머는 5'-GGT TGG TGT GGT TGG-3' 서열을 포함하는 것으로 DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스(DNA aptamer-guard-DNA duplex) 구조인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 삭제 | 제 1 항에 있어서, 상기 DNA 압타머는 티올화된(thiolated) DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스 구조인 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 캔틸레버는 PZT(lead zirconate titanate; Pb[ZrxTi1-x]O3, 0<x<1)층 또는 금박층을 포함하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 캔틸레버는, 마이크로 캔틸레버 센서 하측면에 금박을 입힌 PZT 기반의 공진형 마이크로 캔틸레버 센서이고, 상기 마이크로 캔틸레버 상에 고정된 DNA 압타머는, 마이크로 켄틸레버의 금박면에 생체 수용체로서 DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스(DNA aptamer-g-DNA duplex)가 결합된 구조인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 DNA 압타머는 트롬빈과의 바인딩에 의해 구조 전환(structure switching)이 일어나는 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 제 6 항에 있어서, 상기 검출장치는, 마이크로 캔틸레버 센서의 하단부가 함침되어 삽입되는 리퀴드 셀(liquid cell)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | 제 1 항에 있어서,상기 백필링(backfilling)용 스페이서(spacer)는, 에틸렌 글리콜(ethylene glycol)인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출장치. | (a) 마이크로 캔틸레버에 DNA 압타머를 고정하는 단계; (b) 마이크로 캔틸레버의 공진주파수를 측정하는 단계;(c) 생체물질이 포함된 시료를 상기 마이크로 캔틸레버와 반응시키는 단계;(d) 반응 후 마이크로 캔틸레버의 공진주파수를 측정하는 단계; 및(e) 상기 반응 전후의 캔틸레버의 공진주파수 변동값을 산출하여 시료 내에 포함되어 있는 트롬빈의 정량 분석을 실시하는 단계를 포함하고, 상기 (a) 단계 이후에, 스페이서(spacer)를 이용하여 백필링(backfilling)하는 단계를 더 포함하며, 상기 DNA 압타머는 5'-GGT TGG TGT GGT TGG-3' 서열을 포함하는 것으로 DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스(DNA aptamer-guard-DNA duplex) 구조인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 방법. | 삭제 | 제 9 항에 있어서,상기 마이크로 캔틸레버는 하측면에 금박을 입힌 PZT 기반의 공진형 마이크로 캔틸레버 센서이고, 상기 (a) 단계는, 마이크로 캔틸레버의 금박면에 생체 수용체로서 DNA 압타머-g-DNA 듀플렉스(DNA aptamer-g-DNA duplex)를 가하여 결합시키는 단계인 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 방법. | 제 9 항에 있어서, 상기 스페이서(spacer)를 이용하여 백필링(backfilling)하는 단계 이전에,캔틸레버의 하단부가 함침되도록 리퀴드 셀(liquid cell)에 삽입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 방법. | 제 9 항에 있어서,스페이서(spacer)를 이용하여 백필링(backfilling)하는 단계에서상기 스페이서(spacer)는 에틸렌 글리콜(ethylene glycol)인 것을 특징으로 하는 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 방법. | 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 DNA 압타머는 트롬빈과의 바인딩에 의해 구조 전환(structure switching)이 일어나는 것을 특징으로 하는 마이크로 캔틸레버 센서 기반 트롬빈 검출 방법."]
["K05118","바이오","KR","P","미렉스 특이적 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법(Specific biomarker for identification of exposure to mirex and the method of identification using the same)","본 발명은 잔류성 유기오염물질 중의 하나인 미렉스(mirex) 특이적 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 미렉스에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 미렉스에 특이적 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 미렉스의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 미렉스에 의해 특이적으로 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","유전자 등록번호(Genebank) NM_005420(SULT1E1, sulfotransferase family 1E, estrogen-preferring, member 1) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그 상보가닥 분자가 집적된, 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이칩.",9,"2010-0012523","2010-02-10","2011-0092857","2011-08-18","2011-09-07","1062784","2011-08-31","류재천 | 김연정 | 최한샘 | 송미 | 송미경","한국과학기술연구원","2030-02-10","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511362001919","유전자 등록번호(Genebank) NM_005420(SULT1E1, sulfotransferase family 1E, estrogen-preferring, member 1) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그 상보가닥 분자가 집적된, 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이칩. | 1) 실험군으로서 피검체 유래 인간 체세포와 대조군 체세포에서 RNA를 분리하는 단계;2) 단계 1)의 실험군 및 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계;3) 단계 2)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계;4) 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및5) 분석한 데이터에서 상기 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 확인하는 단계를 포함하는, 미렉스에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. | 제 2항에 있어서, 단계 1)의 인간 체세포는 인간 간세포 또는 인간 간암의 세포인 것을 특징으로 하는 미렉스에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. | 제 3항에 있어서, 상기 인간 간암 세포는 HepG2인 것을 특징으로 하는 미렉스에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. | 제 2항에 있어서, 단계 3)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 미렉스에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. | 유전자 등록번호(Genebank) NM_005420(SULT1E1, sulfotransferase family 1E, estrogen-preferring, member 1) 유전자의 프로브 세트(probe set) 또는 상기 유전자를 증폭시키는 프라이머 세트(primer set)를 포함하는 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 키트. | 제 6항에 있어서, 상기 프로브 세트는 마이크로어레이로 수행되는 것을 특징으로 하는 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 키트. | 제 6항에 있어서, 상기 프라이머 세트는 PCR로 수행되는 것을 특징으로 하는 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 키트. | 제 6항에 있어서, 인간 간세포 또는 간암 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 미렉스에 대한 노출 여부 확인용 키트."]
["K05417","바이오","KR","P","폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법(METHOD OF PREPARING MICROFLUIDIC DEVICES BASED ON A POLYMER)","본 발명은 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법으로서, (a) 하부 폴리머 기질에 미세 구조를 형성하는 단계; (b) TiO2를 하부 폴리머 기질에 코팅시켜 TiO2패턴화하는 단계; (c) 상부 폴리머 기질을 하부 폴리머 기질과 본딩(bonding)하는 단계; 및 (d) UV를 조사하여 TiO2가 코팅된 지역을 친수성으로 전환시키는 단계를 포함하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 폴리머 기반의 미세유체 장치를 제공한다. 본 발명은 안정성이 높으면서도 지속적으로 사용가능한 미세유체 장치의 개발을 가능하게 하는 효과가 있다.","폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법으로서,(a) 하부 폴리머 기질에 미세 구조를 형성하는 단계;(b) TiO2를 기질에 코팅시켜 TiO2패턴화하는 단계;(c) 상부 폴리머 기질을 하부 폴리머 기질과 본딩(bonding)하는 단계; 및(d) UV를 조사하여 TiO2가 코팅된 지역을 친수성으로 전환시키는 단계를 포함하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법.",10,"2010-0105812","2010-10-28","2012-0044515","2012-05-08","2012-06-07","1152642","2012-05-29","김상경","재단법인 한국지식재산전략원","2030-10-28","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512232000357","폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법으로서,(a) 하부 폴리머 기질에 미세 구조를 형성하는 단계;(b) TiO2를 기질에 코팅시켜 TiO2패턴화하는 단계;(c) 상부 폴리머 기질을 하부 폴리머 기질과 본딩(bonding)하는 단계; 및(d) UV를 조사하여 TiO2가 코팅된 지역을 친수성으로 전환시키는 단계를 포함하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항에 있어서,상기 폴리머는 시클로올레핀코폴리머(Cyclo olefin copolymer:COC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate:PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate:PC), 시클로올레핀폴리머(cyclo olefin polymer:COP), 액체 결정 폴리머(liquid Crystalline Polymers:LCP), 폴리아미드(polyamide:PA), 폴리에틸렌(polyethylene:PE), 폴리이미드(polyimide:PI), 폴리프로필렌(polypropylene:PP), 폴리페닐렌에테르(polyphenylene ether:PPE), (polystyrene:PS), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene:POM), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone:PEEK), 폴리에테르술폰(polyethersulfone:PES), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylenephthalate:PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene:PTFE), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride:PVC), 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidene fluoride:PVDF), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutyleneterephthalate:PBT), 플루오르화에틸렌프로필렌(fluorinated ethylenepropylene:FEP) 및 퍼플루오르알콕시알칸(perfluoralkoxyalkane:PFA)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 TiO2의 코팅은 액상 침적(Liquid phase deposition: LPD), 증발, 스퍼터링(sputtering) 및 화학증기 증착(chemicla vapor deposition: CVD) 방법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제3항에 있어서,상기 TiO2의 LPD는 70~90℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항에 있어서,(b)단계 이전에 하부 폴리머 기질에 Ti 또는 TiO2를 박막으로 코팅하여 시드층(seed layer)을 만드는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제5항에 있어서,상기 코팅 방법은 스퍼터링(sputtering) 방법인 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제5항에 있어서,상기 코팅된 Ti 또는 TiO2박막은 10~100nm인 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 상부 폴리머 기질은 유체를 로딩시킬 입구 홀(inlet hole) 및 출구 홀(outlet hole)을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 본딩은 100~180℃에서 열 본딩하는 것을 특징으로 하는 폴리머 기반의 미세유체 장치의 제조방법. | 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 폴리머 기반의 미세유체 장치."]
["K03141","전기/전자/IT","KR","P","복합 고분자 전해질을 포함하는 고체상 염료감응 태양전지(SOLID STATE DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS EMPLOYING COMPOSITE POLYMER ELECTROLYTES)","본 발명은 광전극, 대향 전극 및 상기 광전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질로 이루어져 있고, 상기 전해질이 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자, 관성 반지름이 100∼1000Å인 고분자 및 산화-환원 유도체로 이루어져 있거나, 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자, 무기 나노입자 및 산화-환원 유도체로 이루어져 있는 염료감응 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 고분자 전해질의 결정성을 낮추어 이온전도도를 크게 증가시키는 동시에 산화티타늄 층으로의 침투를 원활하게 하고 기계적 특성을 높여 에너지 전환 효율을 크게 향상시켰다. 따라서, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 전해질이 누출되는 문제없이 높은 에너지 전환 효율을 가지고 있어 장기적으로 안정하고 실용적으로 사용될 수 있다.","광전극, 대향 전극 및 상기 광전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질로 이루어져 있고, 상기 전해질이 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자, 관성 반지름이 100∼1000Å인 고분자 및 산화-환원 유도체로 이루어져 있는 복합 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.",13,"2003-0068269","2003-10-01","2005-0032245","2005-04-07","2006-01-10","0540157","2005-12-23","강문성 | 김종학 | 김영진 | 원종옥 | 강용수 | 김훈식","한국과학기술연구원","2023-10-01","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3506001003864","광전극, 대향 전극 및 상기 광전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질로 이루어져 있고, 상기 전해질이 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자, 관성 반지름이 100∼1000Å인 고분자 및 산화-환원 유도체로 이루어져 있는 복합 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 광전극, 대향 전극 및 상기 광전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질로 이루어져 있고, 상기 전해질이 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자, 무기 나노입자 및 산화-환원 유도체로 이루어져 있는 복합 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 대향 전극이 백금 단독; 또는 백금과 전도성 고분자를 순차적으로 코팅한 전극인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 3항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(3-테트라데실티오펜) 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전해질이 고분자의 농도 1∼10 무게%인 고분자 전해질과 고분자의 농도 10∼50 무게%인 고분자 전해질이 광전극 위에 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전해질이 가교제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 6항에 있어서, 상기 가교제가 글루타알데하이드, 에피클로히드린, 비닐아크릴레이트, 말레익 안하이드리드, 포름알데히드, 디비닐술폰, 톨루엔 디이소시아네이트 및 트리메틸올 멜라민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 관성 반지름이 6∼50Å인 고분자가 분자 말단에 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 관성 반지름이 6.0∼50.0Å인 고분자가 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 및 폴리에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항에 있어서, 상기 관성 반지름이 100∼1000Å인 고분자가 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌이민, 폴리에틸렌설피드, 폴리비닐아세테이트, 폴리에틸렌숙시네이트, 폴리메타크릴레이트 및 폴리아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 2항에 있어서, 상기 무기 나노입자가 실리카 나노입자인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 산화-환원 유도체가 요오드화 리튬, 요오드화 나트륨, 요오드화 칼륨, 브롬화 리튬, 브롬화 나트륨 및 브롬화 칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속염 또는 이미다졸리윰 요오드염인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. | 제 12항에 있어서, 상기 이미다졸리윰 요오드염이 1-메틸-3-프로필이미다졸리윰 요오드 또는 1-메틸-2-프로필벤지이미다졸리윰 요오드인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지."]
["K04015","전기/전자/IT","KR","P","단전지들이 평면 배열된 등가의 대면적 연료전지 및 이에사용되는 압축형 밀봉재(EQUIVALENT LARGE-AREA FUEL CELL WITH A PLANAR ARRAY OF UNIT CELLS AND COMPRESSIVE SEALANT THEREFOR)","본 발명은 동일 평면상에 소형 단전지들을 병렬 배치하여 등가의 대면적 셀을 구현함으로써, 대면적을 가지는 이상적인 단전지에 상응하는 높은 출력 값을 얻는다. 본 발명은 단전지들을 배치하고 고정함에 있어 별도의 부가 장치를 사용하거나 분리판을 개조하지 않고, 압축형 밀봉재의 구속 조건 및 압축력과 분리판의 구성 기술을 이용하여 간단한 방법으로 소형 단전지들을 평면 배열하고 고정하는 데 그 특징이 있다. 본 발명에 의하면, 단전지들의 배치에 유연성을 가질 수 있고, 시스템 크기 확장이 자유로우며, 분리판 디자인 및 유로 배치의 다양성을 확보할 수 있어, 이에 등가적인 이상적인 대면적 단전지의 제조시 발생하는 온도 구배와, 이에 따른 기계적 스트레스와, 가스 흐름의 불균일성의 문제점을 해소할 수 있다.","내측 면에 홈이 형성된 제1 분리판과, 상기 제1 분리판의 홈에 삽입되며, 동일 평면상에 배열된 복수의 제1 전극과, 상기 복수의 제1 전극 위에 각각 위치하는 복수의 전해질과, 상기 복수의 전해질 위에 각각 위치하는 복수의 제2 전극과, 상기 복수의 제2 전극을 덮는 제2 분리판과, 상기 제1 및 제2 분리판 사이에서 이 둘을 밀봉하는 압축형 밀봉재를 포함하는 등가의 대면적 연료전지.",11,"2007-0026316","2007-03-16","","","2008-02-28","0808028","2008-02-21","김형철 | 이해원 | 송휴섭 | 이종호 | 김성문 | 정화영 | 정훈기","한국과학기술연구원","2027-03-16","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3508015000983","내측 면에 홈이 형성된 제1 분리판과, 상기 제1 분리판의 홈에 삽입되며, 동일 평면상에 배열된 복수의 제1 전극과, 상기 복수의 제1 전극 위에 각각 위치하는 복수의 전해질과, 상기 복수의 전해질 위에 각각 위치하는 복수의 제2 전극과, 상기 복수의 제2 전극을 덮는 제2 분리판과, 상기 제1 및 제2 분리판 사이에서 이 둘을 밀봉하는 압축형 밀봉재를 포함하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 전극을 구획하는 칸막이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 2 항에 있어서, 상기 칸막이에는 가스의 이동 통로인 가스 채널이 형성된 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항에 있어서, 이웃하는 두 제1 전극이 서로 접촉하는 구조인 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항, 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 압축형 밀봉재에는 상기 복수의 제2 전극과 각각 대응하는 전극 창(window)이 동수(同數)로 패턴 형성되어 있으며, 각각의 전극 창은 제2 전극의 크기와 모양에 맞게 대응하는 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 5 항에 있어서, 상기 압축형 밀봉재에는 상기 제1 전극에 주입되는 제1 가스의 입구 창 및 출구 창과, 상기 제2 전극에 주입되는 제2 가스의 입구 창 및 출구 창이 더 형성된 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항, 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 압축형 밀봉재는, 동일 평면상 외곽에 배열된 전해질 상면의 바깥쪽 가장자리와 상기 제1 분리판 상면의 안쪽 가장자리에 동시 접촉하는 테두리부와, 이웃하는 두 전해질 상면의 각 가장자리에 동시 접촉하는 구획부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항에 있어서, 상기 제1 분리판과 제1 전극 사이 및 상기 제2 분리판과 제2 전극 사이에 각각 개재된 제1 및 제2 집전체를 더 포함하며, 상기 제1 및 제2 집전체는 니켈(Ni), 플래티넘(Pt), 금(Au), 은(Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 전극이 동일한 크기를 가지고 동일 평면상에 M×N(여기서, M 및 N은 자연수) 행렬로 정렬된 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지. | 복수의 전극 창이 동일한 크기 및 모양으로 패턴 형성되어 있고, 서로 다른 두 가스의 입구 창 및 출구 창이 형성된 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지용 압축형 밀봉재. | 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 전극 창은 M×N(여기서, M 및 N은 자연수) 행렬로 정렬된 것을 특징으로 하는 등가의 대면적 연료전지용 압축형 밀봉재."]
["K04342","전기/전자/IT","KR","P","페이스트를 이용한 태양전지용 박막의 제조방법 및 이에의해 수득된 태양전지용 박막(Fabrication of thin film for solar cells using paste and the thin film fabricated thereby)","본 발명은 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 태양전지로 통칭되는, IB족, IIIA족 및 VIA족의 원소들을 포함하는 물질을 빛 흡수층으로 이용하는 박막 태양전지용 CIGS 또는 CIS계 분말 또는 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 CIS 또는 CIGS계 박막을 기존의 제조 방법에 사용되던 진공 증착 방법이 아닌 페이스트 코팅법을 이용하여 제조함으로써, 태양전지 생산시의 원료의 손실을 줄이고 대량 생산 및 대면적화를 가능하게 한다. 본 발명에 따르면, 특히 유독 기체를 이용한 셀렌화(selenization) 공정 대신에 대기 방출 위험이 적은 Se 전구체를 이용하기 때문에 보다 안전한 저가의 박막 제조가 가능하다.","(1) Cu 전구체와 In 전구체를 혼합하거나, 또는 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 수득하거나, 상기 전구체 혼합물을 열처리하여 전구체 산화물을 수득하는 단계, (2) 수득된 전구체 혼합물 또는 전구체 산화물과, Se 전구체를 혼합한 후 수성 또는 알콜성 용매 중에서 교반반응시켜 페이스트를 수득하는 단계, 및 (3) 수득된 페이스트를 기판 상에 코팅한 후 불활성 기체 또는 환원성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법.",19,"2008-0017727","2008-02-27","2009-0092471","2009-09-01","2010-10-25","0989077","2010-10-14","주오심 | 민병권 | 정광덕 | 이준행","한국과학기술연구원","2028-02-27","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3510094001267","(1) Cu 전구체와 In 전구체를 혼합하거나, 또는 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 수득하거나, 상기 전구체 혼합물을 열처리하여 전구체 산화물을 수득하는 단계, (2) 수득된 전구체 혼합물 또는 전구체 산화물과, Se 전구체를 혼합한 후 수성 또는 알콜성 용매 중에서 교반반응시켜 페이스트를 수득하는 단계, 및 (3) 수득된 페이스트를 기판 상에 코팅한 후 불활성 기체 또는 환원성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 Cu 전구체, In 전구체 또는 Ga 전구체가, 용매 중에서 각 금속 이온을 생성할 수 있는, 각 금속 이온들 또는 이들 조합의 수산화물, 질산염, 황산염, 아세트산염, 염화물, 아세틸아세토네이트, 포름산염 또는 산화물임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체가 1 : 0.5 내지 2 : 0 내지 2의 몰비로 사용됨을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 Se 전구체가, 용매 중에서 Se 금속 이온을 생성할 수 있는, SeCl4, SeS2, Na2Se, Na2SeO3, Na2SeO3ㆍ5H2O 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물이 1: 0.5 내지 2 의 몰비로 사용됨을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 열처리를 500 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행함을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 각 금속의 전구체들을 물 또는 알코올류에 분산시켜 혼합하고, 이때 pH를 0 초과 내지 10 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 혼합된 전구체 화합물들을 용매중에서 교반반응시키기 전에 먼저 열처리를 수행하여 CIGS 분말을 얻어, 이 분말을 용매 중에 분산시켜 페이스트를 수득함을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 분산제 및 바인더 중의 1종 이상의 성분을 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 9항에 있어서, 상기 분산제가 α-터피에놀, 에틸렌글리콜, 티오아세트아미드 또는 이들의 조합임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 9항에 있어서, 상기 바인더가 에틸 셀룰로스, 팔미트산, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌카보네이트 또는 이들의 조합임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 황 함유 유기 화합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 12항에 있어서, 상기 황 함유 유기 화합물이 H2S, RSH(여기서, R은 알킬 또는 카복시알킬기임) 또는 티오아세트아미드(thioacetamide)임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 Na, K, Ni, P, As, Sb, 또는 Bi 성분, 또는 이들의 조합을 도펀트(dopant)로서 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 페이스트를 닥터 블레이드 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 및 페인트 코팅 중에서 선택된 코팅법에 의해 코팅하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 열처리를 200 내지 700℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 환원성 분위기가 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 제 1항에 있어서, 상기 CIS계 또는 CIGS계 박막의 두께가 0.5 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법. | 삭제 | (1) Cu 전구체와 In 전구체를 혼합하거나, 또는 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 수득하거나, 상기 전구체 혼합물을 열처리하여 전구체 산화물을 수득하는 단계, 및 (2) 수득된 전구체 혼합물 또는 전구체 산화물과, Se 전구체를 혼합한 후 200 내지 700℃ 범위의 온도 및 불활성 기체 또는 환원성 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 분말의 제조 방법. | 삭제"]
["K04516","전기/전자/IT","KR","P","고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자(A DEVICE HAVING IMPROVED ADHERENCE BETWEEN DIAMOND LAYER AND METAL ELECTRODE LAYER UNDER HIGH TEMPERATURE OXIDATION ATMOSPHERE)","본 발명은 다이아몬드와 금속의 밀착력 향상에 관한 것으로 보다 구체적으로는 고온, 산화 분위기에서 버퍼층의 소재 및 구조를 디자인하여 다이아몬드와 금속의 접합력을 유지하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘-질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자를 제공한다.","다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘 질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.",10,"2008-0102175","2008-10-17","2010-0042948","2010-04-27","2010-12-03","0998349","2010-11-29","박종극 | 이욱성 | 정증현 | 백영준 | 황규원","한국과학기술연구원","2028-10-17","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3510104000661","다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘 질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 금속 질화물층(Me-N)이 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 버퍼층이 다이아몬드층과 접하는 면에 제1 금속층을 추가로 포함하거나 또는 상기 버퍼층이 금속전극층과 접하는 면에 제2 금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 버퍼층이 다이아몬드층과 접하는 면에 제1 금속층을 추가로 포함하고, 상기 버퍼층이 금속 전극층과 접하는 면에 제2 금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 금속 질화물층(Me-N)이 알루미늄을 포함하는 복합 금속 질화물층(Me1-xAlxN, 여기서 0<X<1)인 것을 특징으로 하는 소자. | 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 금속층 또는 제2 금속층이 티탄 또는 크롬 단원자 금속층, 또는 알루미늄을 포함하는 복합 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 반복적층한 층 하나의 두께가 0.3 nm 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 버퍼층의 총 두께가 10 nm 내지 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 소자. | 제1항에 있어서, 상기 금속 전극층이 Pt 및 Au인 것을 특징으로 하는 소자. | (a) 실리콘 웨이퍼 상에 다이아몬드층을 적층하는 단계, (b) 상기 다이아몬드층 상에 버퍼층을 적층하는 단계, 및 (c) 상기 버퍼층 상에 금속 전극층을 적층하는 단계 를 포함하는 소자의 제조방법으로서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘 질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 제조방법."]
["K04583","전기/전자/IT","KR","P","박막형 태양전지와 이의 제조방법, 및 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법(THIN FILM SOLAR CELL, FABRICATING METHOD OF THE SAME, FABRICATING METHOD OF PHOTORECEPTIVE LAYER)","본 발명은 투명전극과; 상기 투명전극의 후방에 형성되며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 CIGS 재질의 광흡수층과; 상기 투명전극과 광흡수층의 사이에 형성되는 버퍼층; 및 상기 광흡수층의 후면에 형성되는 배면전극을 포함하고, 상기 광흡수층은 광흡수율이 증가되도록 표면 처리를 통한 나노 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지와 이의 제조방법, 및 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법을 개시한다.","기판에 배면 전극을 형성하는 단계; 상기 배면 전극에 CIGS 재질의 광흡수층을 형성시키는 단계; 상기 광흡수층의 표면에 광흡수율 증가를 위한 나노 패턴이 형성되도록 상기 광흡수층을 표면 처리하는 단계; 및 상기 표면 처리된 광흡수층에 버퍼층과 투명전극을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법.",22,"2009-0020304","2009-03-10","2010-0101883","2010-09-20","2010-11-24","0996162","2010-11-17","문명운 | 이광렬 | 양철웅 | 이지영","재단법인 한국지식재산전략원","2029-03-10","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3510102000384","기판에 배면 전극을 형성하는 단계; 상기 배면 전극에 CIGS 재질의 광흡수층을 형성시키는 단계; 상기 광흡수층의 표면에 광흡수율 증가를 위한 나노 패턴이 형성되도록 상기 광흡수층을 표면 처리하는 단계; 및 상기 표면 처리된 광흡수층에 버퍼층과 투명전극을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 광흡수층의 표면 처리는 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 이온빔 처리 또는 플라즈마 처리에 이용되는 이온 또는 플라즈마는 아르곤, 질소, 산소, 및 CF4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 1초 내지 1시간의 처리 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 10 내지 100mA의 처리 전류를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 100eV 내지 50,000eV의 처리 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 나노 패턴은 상기 광흡수층의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제7항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 나노 패턴이 1 내지 1000 나노미터의 폭을 갖도록 처리되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제7항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 나노 패턴이 1 내지 1000 나노미터의 높이를 갖도록 처리되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 광흡수층이 갖는 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성을 변경시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제10항에 있어서, 상기 표면 처리는 Cu의 조성을 증가시키고, In, Ga, Se의 조성을 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 제10항에 있어서, 상기 표면 처리는 상기 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성이 상기 광흡수층의 두께 방향을 따라 점차적으로 변화되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. | 투명전극; 상기 투명전극의 후방에 형성되며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 CIGS 재질의 광흡수층; 상기 투명전극과 광흡수층의 사이에 형성되는 버퍼층; 및 상기 광흡수층의 후면에 형성되는 배면전극을 포함하고, 상기 광흡수층은 광흡수율이 증가되도록 표면 처리를 통한 나노 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제13항에 있어서, 상기 나노 패턴은 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 상기 광흡수층의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제14항에 있어서, 상기 나노 패턴은 양자점, 나노 로드(rod), 나노 채널(channel). 나노 파이버(fiber) 중 적어도 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제14항에 있어서, 상기 나노 패턴은 1 내지 1000 나노미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제14항에 있어서, 상기 나노 패턴은 1 내지 1000 나노미터의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제14항에 있어서, 상기 나노 패턴은 상기 광흡수층과 버퍼층의 결정립들 사이에 전도 패스(conduction path)를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제13항에 있어서, 상기 광흡수층은 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성을 가지며, 상기 표면 처리에 의하여 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성이 변경되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 제19항에 있어서, 상기 Cu(InxGa1-x)Se2는 상기 광흡수층의 두께 방향을 따라 다른 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. | 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 태양전지의 광흡수층 제조 방법에 있어서, 기판에 CIGS 박막을 증착하는 단계; 및 상기 CIGS 박막의 표면에 광흡수율 증가를 위한 나노 패턴이 형성되도록 상기 CIGS 박막을 표면 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조 방법. | 제21항에 있어서, 상기 CIGS 박막의 표면 처리는 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 수행되며, 상기 나노 패턴은 상기 CIGS 박막의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조 방법."]
["K04591","전기/전자/IT","KR","P","고분자 바인더를 이용한 강유전성 ＰＶＤＦ 박막의 패턴 어레이 형성방법(METHOD OF FORMING A PATTERN ARRAY OF FERROELECTRIC PVDF THIN FILM BY USING A POLYMER BINDER)","본 발명은 고분자 바인더를 이용하여 강유전성 PVDF(polyvinylidene fluoride) 박막의 패턴 어레이(pattern array)를 형성하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 1) PVDF 고분자, 및 이와 상용성이 우수하면서 UV 경화가 가능한 고분자 바인더를 용매에 용해시킨 후 그 혼합물을 기판 위에 코팅하여 PVDF 박막을 형성하는 단계; 및 2) 상기 코팅된 박막 위에 패턴화된 마스크를 통해 UV를 조사하여 조사된 부분에서만 UV 경화를 유도한 후, UV가 조사되지 않아 경화되지 않은 부분은 용매를 이용하여 제거하여 패턴 어레이를 형성하는 단계를 포함하는, 고분자 바인더를 이용하여 강유전성 PVDF 박막의 패턴 어레이를 형성하는 방법에 관한 것이다.","1) PVDF 고분자, 및 주쇄 또는 측쇄에 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA) 고분자를 50 내지 99.9%의 몰비로 포함하고 UV 경화가 가능한 작용기를 포함하는 고분자 바인더 를 용매에 용해시킨 후 그 혼합물을 기판 위에 코팅하여 PVDF 박막을 형성하는 단계; 및 2) 상기 코팅된 박막 위에 패턴화된 마스크를 통해 UV를 조사하여 조사된 부분에서만 UV 경화를 유도한 후, UV가 조사되지 않아 경화되지 않은 부분은 용매를 이용하여 제거하여 패턴 어레이를 형성하는 단계를 포함하는, 고분자 바인더를 이용하여 강유전성 PVDF 박막의 패턴 어레이를 형성하는 방법.",19,"2008-0105570","2008-10-28","2010-0046641","2010-05-07","2010-12-15","1001161","2010-12-08","구종민 | 홍순만 | 황승상","한국과학기술연구원","2028-10-28","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3510108000974","1) PVDF 고분자, 및 주쇄 또는 측쇄에 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA) 고분자를 50 내지 99.9%의 몰비로 포함하고 UV 경화가 가능한 작용기를 포함하는 고분자 바인더 를 용매에 용해시킨 후 그 혼합물을 기판 위에 코팅하여 PVDF 박막을 형성하는 단계; 및 2) 상기 코팅된 박막 위에 패턴화된 마스크를 통해 UV를 조사하여 조사된 부분에서만 UV 경화를 유도한 후, UV가 조사되지 않아 경화되지 않은 부분은 용매를 이용하여 제거하여 패턴 어레이를 형성하는 단계를 포함하는, 고분자 바인더를 이용하여 강유전성 PVDF 박막의 패턴 어레이를 형성하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 PVDF 고분자 100 중량부, 및 이에 대해 고분자 바인더 1 내지 700 중량부를 용매 300 내지 20,000 중량부에 용해시키는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 PVDF 고분자가 PVDF 단일 중합체 또는 PVDF와 트라이플루오로에틸렌(trifluoroethylene, TrFE)의 공중합체인 P(VDF-TrFE)인 것을 특징으로 하는 방법. | 삭제 | 제1항에 있어서, 상기 고분자 바인더가 하기 화학식 1로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 방법: [화학식 1] 상기 식에서, Me는 CH3이고, Y는 UV 경화가 가능한 작용기이고, x는 0.5 내지 0.999 사이이다. | 제5항에 있어서, 상기 고분자 바인더에서 UV 경화가 가능한 작용기가 불포화 이중결합(C=C), 아자이드(-N3) 작용기, 에폭사이드 작용기 및 글리시딜 작용기로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제6항에 있어서, 상기 고분자 바인더가 PMMA 주쇄에 UV 경화가 가능한 작용기로 불포화 이중결합을 포함하는, 하기 화학식 2로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 방법: [화학식 2] 상기 식에서, Me는 CH3이고, x는 0.5 내지 0.999 사이이다. | 제6항에 있어서, 상기 고분자 바인더가 PMMA 주쇄에 UV 경화가 가능한 작용기로 아자이드(-N3) 작용기를 포함하는, 하기 화학식 3으로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 방법: [화학식 3] 상기 식에서, Me는 CH3이고, x는 0.5 내지 0.999 사이이다. | 제6항에 있어서, 상기 고분자 바인더가 PMMA 주쇄에 UV 경화가 가능한 작용기로 글리시딜 작용기를 포함하는, 하기 화학식 4로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 방법: [화학식 4] 상기 식에서, Me는 CH3이고, x는 0.5 내지 0.999 사이이다. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 용매가 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 다이에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이에틸렌글리콜다이메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글리콜메틸아세테이트, 다이에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸아이소부틸케톤, 사이클로헥사논, 다이메틸포름아마이드 (DMF), N,N-다이메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부틸로락톤, 다이에틸에테르, 에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 다이에틸렌글리콜메틸에테르, 다이에틸렌글리콜에틸에테르, 다이프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 PVDF 고분자와 고분자 바인더의 혼합물이 첨가제로서 광개시제(photoinitiator), 다기능 단량체(multifunctional monomer) 및 광산 발생제(photoacid generator) 중의 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. | 제11항에 있어서, 상기 첨가제가 PVDF 고분자 100 중량부에 대해 1 내지 100 중량부의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제11항에 있어서, 상기 광개시제가 이가큐어(Irgacure) 369, 이가큐어 651, 이가큐어 907, TPO, CGI124, EPD/BMS 혼합계, 벤조페논, 페닐비페닐케톤, 1-하이드록시-1-벤조일사이클로헥산, 벤질, 벤질다이메틸케탈, 1-벤질-1-다이메틸아미노-1-(4-몰포리노-벤조일)프로판, 2-몰포일-2-(4-메틸머캅토)벤조일프로판, 티오크산톤(thioxanthone), 1-클로로-4-프록시티오크산톤, 아이소프로필티오크산톤, 다이에틸티오크산톤, 에틸안트라퀴논, 4-벤조일-4-메틸다이페닐설파이드, 벤조인부틸에테르, 2-하이드록시-2-벤조일프로판, 2-하이드록시-2-(4-아이소프로필)벤조일프로판, 4-부틸벤조일트라이클로로메탄, 4-페녹시벤조일다이클로로메탄, 벤조일포름산메틸, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄, 9-n-부틸-3,6-비스(2-몰포리노-아이소부틸로일)카바졸, 2-메틸-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트리아진, 2-나프틸-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트리아진, 4,4-비스(다이페닐설포니오)-다이페닐설파이드 헥사플루오로안티모네이트(BDSDS), 4,4-(페닐티오)페닐다이페닐설포늄 헥사플루오로안디모네이트(PTPDS), 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제11항에 있어서, 상기 다기능 단량체가 메타-다이비닐벤젠, 파라-다이비닐벤젠, 4,4'-다이비닐비페닐렌, 1,5-다이비닐나프탈렌, 사이클로헥산다이메탄올다이아크릴레이트, 다이에틸렌글리콜다이아크릴레이트, 트라이에틸렌글리콜다이아크릴레이트, 다이프로필렌글리콜다이아크릴레이트, 트라이프로필렌글리콜다이아크릴레이트, 비닐아크릴레이트, 1,2-에탄디올다이아크릴레이트, 1,3-프로판디올다이아크릴레이트, 1,3-부탄디올다이아크릴레이트, 1,4-부탄디올다이아크릴레이트, 1,5-펜탄디올다이아크릴레이트, 네오펜틸글리콜다이아크릴레이트, 1,6-헥산디올다이아크릴레이트, 비스페놀A다이아크릴레이트, 사이클로헥산다이메탄올다이메타크릴레이트, 비스페놀A다이메타크릴레이트, 메타크릴레이티드폴리부타디엔, 트라이에틸렌글리콜다이메타크릴레이트, 에틸렌글리콜다이메타크릴레이트, 1,4-부탄디올다이메타크릴레이트, 1,6-헥산디올다이메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜다이메타크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제11항에 있어서, 상기 광산 발생제가 다이아조늄염, 요오도늄염, 설포늄염, 다이아조설포닐 화합물, 설포닐옥시이미드, 니트로벤질설포네이트 에스테르, 다이페닐요오도늄 트라이플루오로메탄 설포네이트, 다이페닐요오도늄 노나플루오로부탄 설포네이트, 트라이페닐설포늄 트라이플루오로메탄 설포네이트, 트리아진, 옥사졸, 옥사다이아졸, 티아졸, 페놀계 설폰산 에스테르, 비스-설포닐메탄, 비스-설포닐메탄, 비스-설포닐다이아조메탄, 트라이페닐설포늄 트라이스(트라이플루오로메틸설포닐)메타이드, 다이페닐요오도늄 비스(트라이플루오로메틸설포닐)이미드 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 제조된 PVDF 박막이 30 ㎚ 내지 1 ㎜ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 2)에서 UV 조사가 100 내지 700 ㎚의 파장에서 UV를 10 내지 10,000 mJ/㎠의 출력으로 1 내지 10,000초간 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 2)에서 용매가 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 다이에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이에틸렌글리콜다이메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글리콜메틸아세테이트, 다이에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸아이소부틸케톤, 사이클로헥사논, 다이메틸포름아마이드 (DMF), N,N-다이메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부틸로락톤, 다이에틸에테르, 에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 다이에틸렌글리콜메틸에테르, 다이에틸렌글리콜에틸에테르, 다이프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 2) 이후에 형성된 PVDF 박막의 패턴 어레이의 강유전성 특성을 극대화하기 위하여 열처리 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. | 제19항에 있어서, 상기 열처리가 형성된 PVDF 박막의 패턴 어레이를 PVDF 결정의 용융점 이상의 온도로 승온하여 1 내지 30분간 열처리를 한 후 상온 이하의 온도로 급속 냉각시키고, 이어서 상기 용융점보다 10 내지 100℃ 정도 낮은 온도로 승온하여 1 내지 1,000분 동안 열처리를 한 후 다시 상온으로 냉각시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 방법."]
["K04749","전기/전자/IT","KR","P","자성 박막 부재 및 그 제조 방법(MAGNETIC THIN FILM MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)","자성 박막 부재 및 그 제조 방법을 제공한다. 자성 박막 부재는 i) 모재, 및 ii) 모재 위에 위치하고, FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 포함한다. 자성 박막층에 포함된 Sn의 양은 0.1at% 내지 10at%이다.","모재, 및상기 모재 위에 위치하고, FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 포함하고,상기 자성 박막층에 포함된 Sn의 양은 0.1at% 내지 3at%인 자성 박막 부재.",7,"2009-0035710","2009-04-23","2010-0116993","2010-11-02","2011-11-01","1078872","2011-10-26","천동원 | 김성만 | 정원용","한국과학기술연구원","2029-04-23","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511442000551","모재, 및상기 모재 위에 위치하고, FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 포함하고,상기 자성 박막층에 포함된 Sn의 양은 0.1at% 내지 3at%인 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 자성 박막층은 0 보다 크고 100㎚ 이하의 두께를 가지고, L10 규칙화 구조를 가지는 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 모재와 상기 자성 박막층 사이에 MgO, Ag, CrRu, RuAl 및 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 중간층을 더 포함하는 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 모재는 Si(실리콘), MgO(산화마그네슘) 및 쿼츠(quartz)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자성 박막 부재. | 삭제 | 모재를 제공하는 단계,상기 모재 위에 철(Fe), 백금(Pt) 및 주석(Sn)을 동시에 증착시켜 FePtSn 합금으로 된 자성 박막층을 제공하는 단계, 및상기 자성 박막층이 증착된 모재를 300℃ 내지 600℃에서 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 자성 박막을 제공하는 단계에서, 상기 자성 박막에 포함된 Sn의 양은 0.1at% 내지 3at%인 자성 박막 부재의 제조 방법. | 제6항에 있어서,상기 모재 및 상기 자성 박막층 사이에 중간층을 제공하는 단계를 더 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법. | 제7항에 있어서,상기 중간층은 MgO, Ag, CrRu, RuAl 및 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법. | 삭제"]
["K04764","전기/전자/IT","KR","P","고밀도 칼슘-코발트 산화물 열전반도체의 제조방법(MANUFACTURING PROCESS FOR HIGH DENSITY CALCIUM-COBALT OXIDE THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR)","본 발명은 칼슘-코발트 산화물 열전반도체의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조방법은 1) 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말을 혼합하여 건조시키는 단계; 2) 상기 혼합분말을 1차 하소한 후 분쇄 및 건조시키는 단계; 3) 상기 1차 하소된 분말을 가압성형 후 2차 하소하는 단계; 4) 상기 2차 하소된 분말을 분쇄 및 건조시킨 후 가압성형하는 단계; 5) 상기 가압성형된 분말을 소결한 후 상온으로 냉각시키는 단계; 및 6) 상기 냉각된 소결체를 열처리하여 소결 단계에서 다수 개로 분리된 상을 단일상으로 재조합하는 단계를 포함하여, 간단하고 경제적인 방법으로 고밀도의 우수한 물성을 갖는 단일상의 칼슘-코발트 산화물 열전반도체를 제조할 수 있다.","1) 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말을 혼합하여 건조시키는 단계; 2) 상기 혼합분말을 1차 하소한 후 분쇄 및 건조시키는 단계; 3) 상기 1차 하소된 분말을 가압성형 후 2차 하소하는 단계; 4) 상기 2차 하소된 분말을 분쇄 및 건조시킨 후 가압성형하는 단계; 5) 상기 가압성형된 분말을 소결한 후 상온으로 냉각시키는 단계; 및 6) 상기 냉각된 소결체를 열처리하여 소결 단계에서 다수 개로 분리된 상을 단일상으로 재조합하는 단계를 포함하는, 고밀도의 단일상 칼슘-코발트 산화물 열전반도체를 제조하는 방법.",11,"2009-0050729","2009-06-09","2010-0132095","2010-12-17","2011-09-28","1068615","2011-09-22","강종윤 | 윤석진 | 김진상 | 강민규 | 조광환","한국과학기술연구원","2029-06-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511392000560","1) 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말을 혼합하여 건조시키는 단계; 2) 상기 혼합분말을 1차 하소한 후 분쇄 및 건조시키는 단계; 3) 상기 1차 하소된 분말을 가압성형 후 2차 하소하는 단계; 4) 상기 2차 하소된 분말을 분쇄 및 건조시킨 후 가압성형하는 단계; 5) 상기 가압성형된 분말을 소결한 후 상온으로 냉각시키는 단계; 및 6) 상기 냉각된 소결체를 열처리하여 소결 단계에서 다수 개로 분리된 상을 단일상으로 재조합하는 단계를 포함하는, 고밀도의 단일상 칼슘-코발트 산화물 열전반도체를 제조하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 1)에서 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말이 9:4 내지 9:5의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 1)에서 건조가 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말을 혼합한 후 80 내지 110℃에서 6 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 2)에서 1차 하소가 혼합분말을 1 내지 5℃/분의 속도로 가열하여 800 내지 900℃에서 12 내지 24시간 동안 열처리를 수행한 후 1 내지 2℃/분의 속도로 상온까지 냉각시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 2)에서 1차 하소된 분말을 분쇄하여 입자의 크기와 분포도를 균일하게 만들고, 80 내지 110℃에서 6 내지 24시간 동안 건조시키는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 3)에서 가압성형이 1차 하소된 분말을 몰드에 장입하여 50 내지 100 MPa의 압력으로 30 내지 60초간 일축 가압성형을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 3)에서 2차 하소가 가압성형된 분말을 1 내지 5℃/분의 속도로 가열하여 800 내지 900℃에서 12 내지 24시간 동안 열처리를 한 후 1 내지 2℃/분의 속도로 상온까지 냉각시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 4)에서 2차 하소된 분말을 분쇄하여 입자의 크기와 분포도를 균일하게 만들고, 80 내지 110℃에서 6 내지 24시간 동안 건조시키는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 4)에서 가압성형이 2차 하소된 분말을 150 내지 300 MPa의 압력으로 30 내지 60초간 일축 가압성형 후, 50 내지 100 MPa의 압력으로 5 내지 30분간 냉간 등방압성형(cold isostatic press)을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 5)에서 소결이 가압성형된 분말을 1 내지 5℃/분의 속도로 1000 내지 1200℃까지 가열하고 1000 내지 1200℃의 온도를 6 내지 24시간 동안 유지하면서 열처리를 한 후, 1 내지 2℃/분의 속도로 상온까지 냉각시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,단계 6)에서 상 재조합이 상온으로 냉각된 소결체를 800 내지 900℃에서 6 내지 24시간 동안 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법."]
["K04790","전기/전자/IT","KR","P","동적 프로파일 자동 구축 방법 및 이를 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템(METHOD FOR AUTOMATICALLY CONSTRUCTING DYNAMIC PROFILE, AND INFORMATION PROVIDING SYSTEM FOR CUSTOMIZED RECOMMENDATION USING THE SAME)","본 발명은 개인별 맞춤형 정보서비스의 제공을 위하여 사용자 프로파일을 자동화된 방식으로 동적으로 구성할 수 있는 시스템 및 방법을 제공한다.본 발명에 따른 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템은, 동적으로 변경되는 개인별 프로파일을 생성하는 개인별 프로파일 구성부, 서비스 대상 프로파일을 생성하는 서비스 대상 프로파일 구성부, 상기 개인별 프로파일 구성부에서 생성되는 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 구성부에서 생성되는 서비스 대상 프로파일에 기초하여 개인별 추천 정보를 생성하는 추천 정보 생성부 및 상기 개인별 추천 정보를 사용자에게 제공하는 사용자 서비스부를 포함한다.","동적으로 변경될 수 있는 개인별 프로파일을 생성하는 개인별 프로파일 구성부;서비스 대상 프로파일을 생성하는 서비스 대상 프로파일 구성부;상기 개인별 프로파일 구성부에서 생성되는 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 구성부에서 생성되는 서비스 대상 프로파일에 기초하여, 개인별 추천 정보를 생성하는 추천 정보 생성부; 및상기 개인별 추천 정보를 사용자에게 제공하는 사용자 서비스부를 포함하고,상기 추천 정보 생성부는,상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 간의 유사도를 계산하고, 상기 유사도를 기준으로 선택된 정보를 개인별 추천 정보로 저장하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템.",24,"2009-0075298","2009-08-14","2011-0017696","2011-02-22","2011-09-20","1065779","2011-09-09","이대희 | 신용수 | 강대신 | 나인욱 | 천호영 | 박종진 | 정윤철","한국과학기술연구원","2029-08-14","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511382000976","동적으로 변경될 수 있는 개인별 프로파일을 생성하는 개인별 프로파일 구성부;서비스 대상 프로파일을 생성하는 서비스 대상 프로파일 구성부;상기 개인별 프로파일 구성부에서 생성되는 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 구성부에서 생성되는 서비스 대상 프로파일에 기초하여, 개인별 추천 정보를 생성하는 추천 정보 생성부; 및상기 개인별 추천 정보를 사용자에게 제공하는 사용자 서비스부를 포함하고,상기 추천 정보 생성부는,상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 간의 유사도를 계산하고, 상기 유사도를 기준으로 선택된 정보를 개인별 추천 정보로 저장하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 1항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 또는 상기 서비스 대상 프로파일은,용어 벡터의 형태를 갖는 용어 프로파일을 포함하며,상기 용어 벡터는 용어 및 상기 용어에 대한 가중치에 기초하여 정해지는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 1항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 구성부는,동적으로 변경될 수 있는 개인별 프로파일 정보를 생성하는 프로파일 추출 모듈;상기 프로파일 추출 모듈로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 제공받아, 이를 통합하여 상기 개인별 프로파일을 생성하는 개인별 프로파일 통합 모듈; 및생성된 상기 개인별 프로파일이 저장되는 개인별 프로파일 데이터베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 3항에 있어서, 상기 프로파일 추출 모듈은,상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록을 사용하여, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 활용이력 기반 프로파일 추출 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 4항에 있어서, 상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록은,상기 사용자에게 제공된 추천 정보에 대한 상기 사용자의 사용 내역을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 3항에 있어서, 상기 프로파일 추출 모듈은,상기 사용자의 입력으로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 입력 정보 기반 프로파일 추출 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 3항에 있어서, 상기 프로파일 추출 모듈은,레거시 시스템에 저장된 정보를 사용하여, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 기존 시스템 기반 프로파일 추출 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 3항에 있어서, 상기 프로파일 추출 모듈은,상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록을 사용하여, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 활용이력 기반 프로파일 추출 모듈;상기 사용자의 입력으로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 입력 정보 기반 프로파일 추출 모듈; 및레거시 시스템에 저장된 정보를 사용하여, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 기존 시스템 기반 프로파일 추출 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 1항에 있어서, 상기 서비스 대상 프로파일 구성부는,상기 서비스 대상 정보가 저장되는 서비스 대상 정보 데이터베이스; 및상기 서비스 대상 정보 데이터베이스에 저장된 상기 서비스 대상 정보를 사용하여, 상기 서비스 대상 프로파일을 생성하는 서비스 대상 정보 프로파일 추출 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 삭제 | 제 1항에 있어서, 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일은,용어 벡터의 형태를 갖는 용어 프로파일을 포함하며,상기 유사도는 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 간의 내적(Inner Product)을 통한 코사인유사도(Cosine Similarity)임을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 1항에 있어서, 상기 추천 정보 생성부는,상기 유사도가 큰 순서로 일정 개수의 정보만을 상기 개인별 추천 정보로 저장하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 제 1항에 있어서, 상기 사용자 서비스부는,이메일을 통해 상기 사용자에게 상기 개인별 추천 정보를 제공하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 방법을 이용한 맞춤형 추천 정보 제공 시스템. | 동적으로 변경될 수 있는 개인별 프로파일을 생성하는 단계;서비스 대상 프로파일을 생성하는 단계;상기 개인별 프로파일을 생성하는 단계에서 생성된 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일을 생성하는 단계에서 생성된 상기 서비스 대상 프로파일에 기초하여, 개인별 추천 정보를 생성하는 단계; 및상기 개인별 추천 정보를 사용자에게 제공하는 단계를 포함하고,상기 개인별 추천 정보를 생성하는 단계는,상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 간의 유사도를 계산하는 단계; 및상기 유사도를 기준으로 선택된 정보를 개인별 추천 정보로 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 14항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 또는 상기 서비스 대상 프로파일은,용어 벡터의 형태를 갖는 용어 프로파일을 포함하며,상기 용어 벡터는 용어 및 상기 용어에 대한 가중치에 기초하여 정해지는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 14항에 있어서, 상기 개인별 프로파일을 생성하는 단계는,동적으로 변경될 수 있는 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계; 및상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 제공받아, 이를 통합하여 상기 개인별 프로파일을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 16항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계는,상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록으로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 17항에 있어서, 상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록은,상기 사용자에게 제공된 추천 정보에 대한 상기 사용자의 사용 내역을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 16항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계는,상기 사용자의 입력으로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 16항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계는,레거시 시스템에 저장된 정보를 사용하여 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 16항에 있어서, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계는,상기 사용자가 이용한 서비스에 대한 기록을 사용하여, 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계;상기 사용자의 입력으로부터 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계; 및레거시 시스템에 저장된 정보를 사용하여 상기 개인별 프로파일 정보를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 14항에 있어서, 상기 서비스 대상 프로파일을 생성하는 단계는,서비스 대상 정보 데이터베이스에 저장된 서비스 대상 정보를 사용하여, 상기 서비스 대상 프로파일을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 삭제 | 제 14항에 있어서, 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일은,용어 벡터의 형태를 갖는 용어 프로파일을 포함하며,상기 유사도는 상기 개인별 프로파일과 상기 서비스 대상 프로파일 간의 내적(Inner Product)을 통한 코사인유사도(Cosine Similarity)임을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제 14항에 있어서, 상기 개인별 추천 정보를 저장하는 단계는,상기 유사도가 큰 순서로 일정 개수의 정보만을 상기 개인별 추천 정보로 저장하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법. | 제14항에 있어서, 상기 개인별 추천 정보를 사용자에게 제공하는 단계는,이메일을 통해 상기 사용자에게 상기 개인별 추천 정보를 제공하는 것을 특징으로 하는 동적 프로파일 자동 구축 및 맞춤형 추천 정보 제공 방법."]
["K04832","전기/전자/IT","KR","P","태양전지의 표면요철 형성방법(Method for surface texturing of solar cell)","본 발명은 태양전지를 구성하는 기판, 박막층 등의 구성층 상에 표면요철을 형성함에 있어서 표면요철의 형태 및 그 거칠기 정도를 제어하여 적정 수준의 안개율을 용이하게 달성할 수 있는 태양전지 및 태양전지의 표면요철 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지는 태양전지의 구성층 및 상기 구성층 상에 요철 구조로 구비되며, 금속의 산화, 질화, 불화, 황화 중 어느 한 반응 또는 이들의 복합 반응에 의해 형성된 금속 화합물층을 포함하여 이루어지며, 상기 구성층은 태양전지의 기판 또는 태양전지를 구성하는 박막층인 것을 특징으로 한다.","태양전지의 구성층 상에 금속층을 적층하는 제 1 단계; 및 상기 금속층을 화합물 형태로 변환시키는 제 2 단계를 포함하여 이루어지며, 제 1 단계 이후, 상기 금속층을 열처리하여, 상기 금속층 내의 입자들을 재배열시켜 상기 금속층이 요철 구조를 이루도록 하는 제 1-1 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법.",12,"2009-0057731","2009-06-26","2011-0000300","2011-01-03","2011-10-28","1077547","2011-10-21","김원목 | 정병기 | 정증현 | 이경석 | 이택성 | 김용현 | 손주명","한국과학기술연구원","2029-06-26","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511432001285","삭제 | 삭제 | 삭제 | 태양전지의 구성층 상에 금속층을 적층하는 제 1 단계; 및 상기 금속층을 화합물 형태로 변환시키는 제 2 단계를 포함하여 이루어지며, 제 1 단계 이후, 상기 금속층을 열처리하여, 상기 금속층 내의 입자들을 재배열시켜 상기 금속층이 요철 구조를 이루도록 하는 제 1-1 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 삭제 | 제 4 항에 있어서, 상기 열처리는 금속층의 융점에 상응하는 온도 또는 금속층을 구성하는 입자들의 확산이 가능한 정도의 온도 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 태양전지의 구성층 상에 금속층을 적층하는 제 1 단계는, 상기 금속층을 요철 구조를 갖도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 7 항에 있어서, 상기 금속층은, 금속층의 융점에 상응하는 온도 또는 금속층을 구성하는 입자들의 확산이 가능한 정도의 온도 하에서 성장되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 금속층을 화합물 형태로 변환시키는 제 2 단계는, 상기 금속층을 산소, 질소, 불소, 황 중 어느 하나를 함유하거나 이들이 조합된 가스분위기 하에서 열처리하여 상기 금속층을 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 중 어느 하나 또는 이들이 복합된 화합물 형태로 변환하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 태양전지의 구성층은 기판 또는 태양전지를 구성하는 박막층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 10 항에 있어서, 상기 박막층은 투명전극층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 금속층에 있어서 융점이 800℃ 이하인 합금 또는 단일 금속의 체적은 50vol% 이상, 100vol% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 금속층은 복수의 단위 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 단위 금속층을 구성하는 각각의 단위 금속층은 서로 다른 금속 또는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 태양전지는 결정질 실리콘계 박막형 태양전지, 비정질 실리콘계 박막형 태양전지, 화합물 반도체 태양전지, 유기 태양전지, 염료감응형 태양전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 표면요철 형성방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 금속층은 5∼1000nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 표면요철 형성방법."]
["K04874","전기/전자/IT","KR","P","상온에서 증착된 Ｍｇ２Ｈｆ５Ｏ１２를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법(ROOM TEMPERATURE GROWN Mg2Hf5O12 DIELECTRIC FILM, CAPACITOR AND TRANSISTOR COMPOSED THE Mg2Hf5O12 DIELECTRIC FILM, AND THE FABRICATION METHODS THEREOF)","본 발명은 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막, MgO 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막 또는 HfO2 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막과; 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다. 또한, (a) MgO 분말과 HfO2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO2 복합체를 형성하는 단계; (b) 상기 MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법과; 상기의 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법을 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.","Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막.",31,"2010-0001962","2010-01-08","2011-0081685","2011-07-14","2012-05-09","1144015","2012-05-02","김일두 | 송용원 | 김동훈","재단법인 한국지식재산전략원","2030-01-08","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512192001088","Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막. | MgO 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막. | HfO2 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막. | (a) MgO 분말과 HfO2 분말을 혼합하고 1100℃ 내지 1300℃에서 하소하여 MgO - HfO2 복합체를 형성하는 단계;(b) 상기 MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 1300℃ 내지 1500℃에서 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및;(c) 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 Mg2Hf5O12를 포함하는 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (a)의 상기 MgO 분말과 상기 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말은 6 내지 8 질량%인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (a)의 상기 MgO 분말과 상기 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말은 8 내지 12 질량%인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (a)의 상기 MgO 분말과 상기 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말은 2 내지 6 질량%인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 삭제 | 제4항에 있어서, 단계 (b)의 상기 소결은 MgO와 HfO2가 혼합되어 있는 복합체를 10 내지 12시간 동안 열처리하는 것인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (b)의 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓은 (MgO)X - (HfO2)1-X (상기 X 는 0.25 내지 0.31)의 복합체 조성비를 갖는 것인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (b) 후에,(b') 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (c)의 상기 스퍼터링은 상온에서 수행되는 것인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (c)의 상기 박막의 두께가 100 내지 1000 nm인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (c)의 상기 스퍼터링은 아르곤 또는, 아르곤과 산소의 혼합 기체 분위기 하에서 실시하는 것인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 제4항에 있어서, 단계 (c)의 상기 스퍼터링은 상온에서 플라스틱 기판 상에 박막을 증착하는 것이고, 공정 압력은 50 mTorr 이상인 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법. | 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터. | 제16항에 있어서, 상기 유전체층의 두께가 100 내지 1000 nm인 캐퍼시터. | 제16항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 도전성 금속 또는 전도성 금속산화물인 캐퍼시터. | 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로서,상기 유전체층은 제4항 내지 제7항 및 제9항 내지 제15항 중에서 선택된 한 항의 방법으로 형성하는 것인 캐퍼시터의 제조방법. | 제19항에 있어서, 상기 유전체층의 두께가 100 내지 1000 nm인 캐퍼시터의 제조방법. | 제19항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판인 캐퍼시터의 제조방법. | 제19항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 도전성 금속 또는 전도성 금속산화물인 캐퍼시터의 제조방법. | 기판,상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극,상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터. | 제23항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께가 100 내지 1000 nm인 것인 전계 효과 트랜지스터. | 제23항에 있어서, 상기 채널층은 ZnO, SnO2, In2O3 또는, In 및 Ga가 도핑된 ZnO인 산화물 반도체인 전계 효과 트랜지스터. | 제23항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판인 전계 효과 트랜지스터. | 제23항에 있어서, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, 또는 투명전도성 산화물인 전계 효과 트랜지스터. | 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 및 기판 상에 제4항 내지 제7항 및 제9항 내지 제15항 중에서 선택된 한 항의 방법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 채널 층을 형성하는 단계; 및상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법. | 제28항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께가 100 내지 1000 nm인 것인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법. | 제28항에 있어서, 상기 채널층은 ZnO, SnO2, In2O3 또는, In 및 Ga가 도핑된 ZnO인 산화물 반도체인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법. | 제28항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법. | 제28항에 있어서, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, 또는 투명전도성 산화물인 전계 효과 트랜지스터의 제조방법."]
["K04888","전기/전자/IT","KR","P","하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템 및 방법(Hybrid medical simulation system and method)","실물 형상 모형을 대상으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템은 상기 실물 형상 모형을 조작하기 위한 조작부와, 상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 측정부와, 측정된 상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 따라 상기 실물 형상 모형에 대응되는 디지털 데이터를 생성하는 계산부 및 상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 표시부를 포함하여 구성된다. 상기 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템은 상기 계산부에서 산출된 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 대응되는 촉각 정보를 상기 조작부에 전달하는 햅틱부를 더 포함할 수 있다. 실물 형상 모형을 대상으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법은, 조작부에 의해 생체 형상의 실물 형상 모형을 조작하는 단계와, 상기 조작부의 위치 및 조작 상태를 측정하는 단계와, 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 단계와, 측정된 상기 조작부의 위치와 조작 상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화로부터, 상기 실물 형상 모형에 대응되는 디지털 데이터를 생성하는 단계 및 생성된 상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 단계를 포함하여 구성된다. 상기 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법은 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 대응되는 촉각 정보를 산출하는 단계 및 산출된 상기 촉각 정보를 상기 조작부에 전달하는 단계를 더 포함할 수 있다.","실물 형상 모형을 대상으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템에 있어서,상기 실물 형상 모형을 조작하기 위한 조작부;상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 측정부;측정된 상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 따라 상기 실물 형상 모형에 대응되는 디지털 데이터를 생성하는 계산부;상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 표시부; 및상기 계산부에서 산출된 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 대응되는 촉각 정보를 상기 조작부에 전달하는 햅틱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템.",8,"2009-0086937","2009-09-15","2011-0029313","2011-03-23","2011-12-09","1092372","2011-12-05","곽현수 | 박세형 | 김래현 | 이득희 | 한만철 | 최재순","한국과학기술연구원","2029-09-15","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511492001220","실물 형상 모형을 대상으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템에 있어서,상기 실물 형상 모형을 조작하기 위한 조작부;상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 측정부;측정된 상기 조작부의 위치와 조작상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 따라 상기 실물 형상 모형에 대응되는 디지털 데이터를 생성하는 계산부;상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 표시부; 및상기 계산부에서 산출된 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 대응되는 촉각 정보를 상기 조작부에 전달하는 햅틱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템. | 제1항에 있어서,상기 측정부는 상기 실물 형상 모형에 인가되는 힘을 측정하기 위한 힘 센서, 상기 조작부의 위치를 측정하기 위한 위치 센서 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하기 위한 비젼 카메라를 포함하고,상기 힘 센서 및 상기 위치 센서는 상기 조작부에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템. | 제2항에 있어서,상기 실물 형상 모형은 비젼 인식을 위한 마커를 포함하고,상기 비젼 카메라는 상기 마커를 인식하여 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템. | 삭제 | 제1항에 있어서,상기 디지털 데이터는 상기 실물 형상 모형에 인접하여 위치하는 가상의 생체에 대응되는 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템. | 제1항에 있어서,상기 표시부는 상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 시스템. | 실물 형상 모형을 대상으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법에 있어서,조작부에 의해 상기 실물 형상 모형을 조작하는 단계;상기 조작부의 위치 및 조작 상태를 측정하는 단계;상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 단계;측정된 상기 조작부의 위치와 조작 상태 및 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화로부터, 상기 실물 형상 모형에 대응되는 디지털 데이터를 생성하는 단계;생성된 상기 디지털 데이터를 시각 정보로 표시하는 단계; 상기 실물 형상 모형의 물리적 변화에 대응되는 촉각 정보를 산출하는 단계; 및산출된 상기 촉각 정보를 상기 조작부에 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법. | 제7항에 있어서,상기 실물 형상 모형의 물리적 변화를 측정하는 단계는, 상기 실물 형상 모형에 포함된 마커의 위치 변화를 인식하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법. | 제7항에 있어서,상기 디지털 데이터를 생성하는 단계는, 상기 실물 형상 모형에 인접하여 위치하는 가상의 생체에 대응되는 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 의료 시뮬레이션 방법. | 삭제"]
["K04897","전기/전자/IT","KR","P","은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법(Field effect transistor having Ag doped ZnO nanowire and method for manufacturing the same)","전계 효과 트랜지스터는, 기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함할 수 있다. 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은, 제1 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선의 적어도 일부를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 용액에 혼합시키는 단계; 상기 나노선이 혼합된 용액을 제1 기판에 주입하여 상기 제1 기판상에 나노선을 위치시키는 단계; 및 상기 제1 기판상에 상기 나노선을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.","기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 상기 게이트 절연막상에 위치하며 티타늄으로 이루어진 제1 층; 및 상기 제1 층상에 위치하며 도전 물질로 이루어진 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.",5,"2009-0085229","2009-09-10","2011-0027233","2011-03-16","2011-10-26","1076690","2011-10-19","이상렬 | 박동훈 | 김경원","한국과학기술연구원","2029-09-10","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511432001539","기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 상기 게이트 절연막상에 위치하며 티타늄으로 이루어진 제1 층; 및 상기 제1 층상에 위치하며 도전 물질로 이루어진 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터. | 삭제 | 제 1항에 있어서,상기 제2 층은 금 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터. | 제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터. | 제1 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선의 적어도 일부를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 용액에 혼합시키는 단계; 상기 나노선이 혼합된 용액을 제1 기판에 주입하여 상기 제1 기판상에 나노선을 위치시키는 단계; 및 상기 제1 기판상에 상기 나노선을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법. | 제 5항에 있어서,상기 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판상에 촉매 물질을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질을 상기 제2 기판과 인접하여 위치시키는 단계; 상기 타겟 물질에 레이저를 인가하여 기화시키는 단계; 및 기화된 상기 타겟 물질로부터 상기 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법."]
["K04923","전기/전자/IT","KR","P","은이 도핑된 산화아연 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Ag-doped ZnO thin film transistor and method for manufacturing the same)","박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다.","게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.",4,"2009-0113347","2009-11-23","2011-0056858","2011-05-31","2011-12-01","1088367","2011-11-24","이득희 | 조경철 | 이상렬","한국과학기술연구원","2029-11-23","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511482000623","게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 제 1항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 삭제 | 제 1항에 있어서,상기 기체 분위기는 비활성 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함하되,상기 채널층은 산소를 포함하는 기체 분위기에서 열처리되어 105/cm3 내지 1018/cm3 의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터. | 삭제 | 삭제"]
["K04961","전기/전자/IT","KR","P","상호 도핑된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Co-doped thin film transistor and method for manufacturing the same)","박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 상호 도핑된 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 가질 수 있다.","게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계;산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 티타늄으로 이루어지는 제1 층 및 도전 물질로 이루어지는 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.",4,"2009-0128764","2009-12-22","2011-0072007","2011-06-29","2011-12-22","1097203","2011-12-15","이상렬 | 이득희 | 조경철","한국과학기술연구원","2029-12-22","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512003076","게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계;산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 티타늄으로 이루어지는 제1 층 및 도전 물질로 이루어지는 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 제 1항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 삭제 | 제 1항에 있어서,상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계에서, 상기 기체 분위기는 비활성 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법. | 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층; 및상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되,상기 채널층은 산소를 포함하는 기체 분위기에서 열처리되어 산소 공공이 감소되도록 구성되며,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 티타늄으로 이루어지는 제1 층 및 도전 물질로 이루어지는 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터. | 삭제"]
["K04993","전기/전자/IT","KR","P","유기금속 기상 증착법에 의한 나노구조 화합물 열전반도체의 제조방법(MANUFACTURING PROCESS OF NANO-STRUCTURED COMPOUND THERMOELECTRIC MATERIALS USING METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)","본 발명은 화합물 열전반도체의 제조방법에 관한 것으로, 금속유기화학 기상 증착법으로 나노구조의 열전반도체를 제조함으로써 열전성능을 높이고자 하는 것으로 구체적으로 본 발명에 따른 제조방법은 1) 반응관 내에서 전구체를 사전 반응시켜 나노사이즈의 파티클을 형성하는 단계 2) 상기 나노사이즈의 파티클을 기판상에 증착시키는 단계를 포함하여, 간단하고 경제적인 방법으로 나노구조의 결정립을 가지는 열전반도체를 제조함으로 우수한 열전성능을 가지는 화합물 열전반도체를 제조할 수 있다.","나노사이즈의 결정립 구조의 열전소재 박막 또는 후막 제조에 있어서,열전소재의 금속유기화합물 전구체를 이송가스로 버블링하여 반응관으로 이송하는 단계,상기 금속유기화합물 전구체를 열분해하는 단계,열분해된 전구체를 기상상태에서 반응을 통하여 나노사이즈의 결정립을 형성시키는 단계,나노결정립을 기판상에 주사하여 박막 또는 후막을 형성시키는 단계를 포함하는 나노사이즈의 결정립 구조체 화합물 열전반도체를 제조하는 방법.",7,"2009-0121617","2009-12-09","2011-0064863","2011-06-15","2011-12-23","1098248","2011-12-19","김진상 | 윤석진 | 강종윤 | 최지원 | 장호원","한국과학기술연구원","2029-12-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512002723","나노사이즈의 결정립 구조의 열전소재 박막 또는 후막 제조에 있어서,열전소재의 금속유기화합물 전구체를 이송가스로 버블링하여 반응관으로 이송하는 단계,상기 금속유기화합물 전구체를 열분해하는 단계,열분해된 전구체를 기상상태에서 반응을 통하여 나노사이즈의 결정립을 형성시키는 단계,나노결정립을 기판상에 주사하여 박막 또는 후막을 형성시키는 단계를 포함하는 나노사이즈의 결정립 구조체 화합물 열전반도체를 제조하는 방법. | 제1항에 있어서, 상기 반응관 내에 열분해된 금속전구체를 기상반응시키기 위해 전구체를 가두어 둘 수 있는 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,열분해된 전구체들을 가두어 두는 장치의 출구가 구형 또는 판상형 틈새의 노즐 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서,상기 반응관 전체의 압력이 500 torr 이하인 것을 특징으로 하는 방법. | 제2항에 있어서,열분해된 전구체들을 가두어 두는 장치를 가열할 수 있는 장치를 추가로 포함하고 가열 온도범위가 전구체의 열분해 온도에서 50도 이내로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제3항에 있어서,기판은 열분해된 전구체들을 가두어 두는 장치의 노즐이 향하는 위치에 배치하는 것을 특징으로 하는 방법. | 제5항에 있어서,기판이 열분해된 전구체들을 가두어 두는 장치와 별도로 가열되어 기판상에 박막 또는 후박이 성장하도록 하는 것을 특징으로 하는 방법."]
["K05003","전기/전자/IT","KR","P","Ｃ언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템 및 방법(SYSTEM AND METHOD FOR DISTRIBUTING APPLICATION WRITTEN IN PROGRAMMING LANGUAGE BASED ON C LANGUAGE)","C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템은, C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를 플랫폼 독립적인 중간 언어 코드로 변환하는 개발자 플랫폼; 및 상기 개발자 플랫폼으로부터 상기 중간 언어 코드를 수신하고, 상기 중간 언어 코드를 상기 애플리케이션이 전달될 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 서버를 포함할 수 있다. 상기 시스템은, C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를 플랫폼 독립적인 중간 언어 코드로 변환하는 개발자 플랫폼; 및 변환된 상기 중간 언어 코드를 수신하는 타겟 플랫폼을 포함하되, 상기 타겟 플랫폼은 상기 중간 언어 코드를 상기 타겟 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하도록 구성될 수도 있다.","C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를, 플랫폼 독립적이며 가상 머신에 의하여 실행되는 중간 언어 코드로 변환하는 개발자 플랫폼; 및상기 개발자 플랫폼으로부터 상기 중간 언어 코드를 수신하고, 상기 중간 언어 코드를 상기 애플리케이션이 전달될 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 서버를 포함하되,상기 개발자 플랫폼은,상기 C언어 기반의 프로그래밍 언어의 지시자에 대한 변환 규칙을 정의하는 매핑 정보; 및상기 매핑 정보를 이용하여 상기 소스 코드를 상기 중간 언어 코드로 변환하는 중간 언어 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템.",7,"2010-0001160","2010-01-07","2011-0080768","2011-07-13","2011-11-07","1080804","2011-11-01","김수현 | 강진구","한국과학기술연구원","2030-01-07","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511452001875","C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를, 플랫폼 독립적이며 가상 머신에 의하여 실행되는 중간 언어 코드로 변환하는 개발자 플랫폼; 및상기 개발자 플랫폼으로부터 상기 중간 언어 코드를 수신하고, 상기 중간 언어 코드를 상기 애플리케이션이 전달될 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 서버를 포함하되,상기 개발자 플랫폼은,상기 C언어 기반의 프로그래밍 언어의 지시자에 대한 변환 규칙을 정의하는 매핑 정보; 및상기 매핑 정보를 이용하여 상기 소스 코드를 상기 중간 언어 코드로 변환하는 중간 언어 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템. | 제 1항에 있어서,상기 서버로부터 상기 바이너리 코드를 수신하는 타겟 플랫폼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템. | 삭제 | C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를, 플랫폼 독립적이며 가상 머신에 의하여 실행되는 중간 언어 코드로 변환하는 개발자 플랫폼; 및변환된 상기 중간 언어 코드를 수신하는 타겟 플랫폼을 포함하되,상기 개발자 플랫폼은, 상기 C언어 기반의 프로그래밍 언어의 지시자에 대한 변환 규칙을 정의하는 매핑 정보 및 상기 매핑 정보를 이용하여 상기 소스 코드를 상기 중간 언어 코드로 변환하는 중간 언어 변환부를 포함하고,상기 타겟 플랫폼은 상기 중간 언어 코드를 상기 타겟 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템. | 제 4항에 있어서,상기 개발자 플랫폼으로부터 상기 중간 언어 코드를 수신하여 상기 타겟 플랫폼에 전송하는 서버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 시스템. | 삭제 | 개발자 플랫폼에서, C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를, 플랫폼 독립적이며 가상 머신에 의하여 실행되는 중간 언어 코드로 변환하는 단계; 상기 중간 언어 코드를 상기 개발자 플랫폼으로부터 서버에 전송하는 단계; 상기 서버에서 상기 중간 언어 코드를 애플리케이션이 전달될 타겟 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 단계; 및상기 바이너리 코드를 상기 서버로부터 상기 타겟 플랫폼에 전송하는 단계를 포함하되,상기 중간 언어 코드로 변환하는 단계는, 상기 C언어 기반의 프로그래밍 언어의 지시자에 대한 변환 규칙을 정의하는 매핑 정보를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 방법. | 개발자 플랫폼에서, C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 소스 코드를, 플랫폼 독립적이며 가상 머신에 의하여 실행되는 중간 언어 코드로 변환하는 단계; 상기 중간 언어 코드를 상기 개발자 플랫폼으로부터 타겟 플랫폼에 전송하는 단계; 및 상기 타겟 플랫폼에서 상기 중간 언어 코드를 상기 타겟 플랫폼에 대응되는 바이너리 코드로 변환하는 단계를 포함하되,상기 중간 언어 코드로 변환하는 단계는, 상기 C언어 기반의 프로그래밍 언어의 지시자에 대한 변환 규칙을 정의하는 매핑 정보를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 방법. | 제 8항에 있어서,상기 중간 언어 코드를 상기 개발자 플랫폼으로부터 타겟 플랫폼에 전송하는 단계는,상기 중간 언어 코드를 상기 개발자 플랫폼으로부터 서버에 전송하는 단계; 및 상기 서버에서 상기 중간 언어 코드를 상기 타겟 플랫폼에 전송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 C언어 기반의 프로그래밍 언어로 작성된 애플리케이션의 배포 방법."]
["K05047","전기/전자/IT","KR","P","자성 박막 부재 및 그 제조 방법(MAGNETIC THIN FILM MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)","자성 박막 부재 및 그 제조 방법을 제공한다. 자성 박막 부재는 i) 기판, ii) 기판 위에 위치하고, TiN(질화티타늄)을 포함하는 중간층, 및 iii) 중간층 위에 위치하는 Co(코발트)/Pd(팔라듐) 다층 박막층을 포함한다.","기판,상기 기판 위에 위치하고, TiN(질화티타늄)을 포함하는 중간층, 및상기 중간층 위에 위치하는 Co(코발트)/Pd(팔라듐) 다층 박막층을 포함하고,상기 Co/Pd 다층 박막층은 상기 중간층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 주상정들을 포함하고, 상기 복수의 주상정들 중 둘 이상의 주상정들은 상호 분리되어 형성되고, 상기 주상정은 상기 Pd를 포함하는 자성 박막 부재.",9,"2010-0003332","2010-01-14","2011-0083219","2011-07-20","2011-11-18","1083799","2011-11-09","정원용 | 김성만 | 천동원","한국과학기술연구원","2030-01-14","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511462000897","기판,상기 기판 위에 위치하고, TiN(질화티타늄)을 포함하는 중간층, 및상기 중간층 위에 위치하는 Co(코발트)/Pd(팔라듐) 다층 박막층을 포함하고,상기 Co/Pd 다층 박막층은 상기 중간층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 주상정들을 포함하고, 상기 복수의 주상정들 중 둘 이상의 주상정들은 상호 분리되어 형성되고, 상기 주상정은 상기 Pd를 포함하는 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 Co/Pd 다층 박막층은, 상기 Co를 포함하는 제1층, 및 상기 제1층 위에 적층되고, 상기 Pd를 포함하는 제2층을 포함하고, 상기 제1층 및 상기 제2층이 반복 적층되어 형성되고, 상기 제2층의 두께는 상기 제1층의 두께보다 큰 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 TiN의 양은 15vol% 내지 20vol%인 자성 박막 부재. | 제3항에 있어서,상기 Co/Pd 다층 박막층의 보자력은 상기 TiN의 양에 비례하는 자성 박막 부재. | 제1항에 있어서,상기 중간층은 결정립들을 포함하고, 상기 결정립들의 평균 입도는 7nm 내지 11nm인 자성 박막 부재. | 삭제 | 삭제 | 제1항에 있어서,상기 중간층은 또다른 Pd를 더 포함하는 자성 박막 부재. | 기판을 제공하는 단계,상기 기판 위에 TiN을 포함하는 중간층을 증착하는 단계, 및상기 중간층 위에 Co/Pd 박막을 복수회 증착하여 다층 박막을 제공하는 단계를 포함하고,상기 다층 박막을 제공하는 단계에서, 상기 다층 박막은 상기 중간층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 주상정들을 포함하고, 상기 복수의 주상정들 중 둘 이상의 주상정들은 상호 분리되어 형성되고, 상기 주상정은 상기 Pd를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법. | 제9항에 있어서,상기 다층 박막을 제공하는 단계는, 상기 Co를 포함하는 제1 박막을 제공하는 제1 단계, 상기 제1 박막 위에 상기 Pd를 포함하는 제2 박막을 제공하는 제2 단계, 및 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 반복하는 제3 단계를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법. | 제9항에 있어서,상기 중간층을 증착하는 단계에서, 상기 중간층은 또다른 Pd를 더 포함하고,상기 중간층을 증착하는 단계는, 상기 또다른 Pd의 증착량을 고정하는 단계, 및 상기 TiN의 증착율을 변화시키는 단계를 포함하는 자성 박막 부재의 제조 방법."]
["K05101","전기/전자/IT","KR","P","이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터(SPIN TRANSISTOR USING DOUBLE CARRIER SUPPLY LAYER STRUCTURE)","본 발명의 실시예에 따른 스핀 트랜지스터는, 상부 클래딩층과 하부 클래딩층 및 상기 상부 클래딩층과 상기 하부 클래딩층 사이에 배치된 채널층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 및 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판은, 상기 하부 클래딩층 아래에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 도전형의 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층 상에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하고 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형으로 된 제2 전하 공급층을 포함한다.","상부 클래딩층과 하부 클래딩층 및 상기 상부 클래딩층과 상기 하부 클래딩층 사이에 배치된 채널층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 및 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하고,상기 반도체 기판은, 상기 하부 클래딩층 아래에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제1 도전형의 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층 상에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하고 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형으로 된 제2 전하 공급층을 포함하는 스핀 트랜지스터.",12,"2010-0046364","2010-05-18","","","2011-11-16","1084020","2011-11-10","김형준 | 송진동 | 구현철 | 김경호 | 한석희","한국과학기술연구원","2030-05-18","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511462001631","상부 클래딩층과 하부 클래딩층 및 상기 상부 클래딩층과 상기 하부 클래딩층 사이에 배치된 채널층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 및 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하고,상기 반도체 기판은, 상기 하부 클래딩층 아래에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제1 도전형의 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층 상에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하고 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형으로 된 제2 전하 공급층을 포함하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 두께 방향에 따른 상기 채널층의 에너지 밴드 구조와 전자 분포는 비대칭적인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층은 n-도프층이고 상기 제2 전하 공급층은 p-도프층인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층은 p-도프층이고 제2 전하 공급층은 n-도프층인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과, 상기 제1 하부 클래딩층 아래에 형성되어 상기 제1 하부 클래딩층보다 큰 밴드갭을 갖는 제2 하부 클래딩층을 포함하고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과, 상기 제1 상부 클래딩층 위에 형성되어 상기 제1 상부 클래딩층보다 큰 밴드갭을 갖는 제2 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제5항에 있어서,상기 채널층은 InAs로 형성되고, 상기 제1 하부 클래딩층과 제1 상부 클래딩층은 언도프 InGaAs로 형성되고, 상기 제2 하부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층은 언도프 InAlAs로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제6항에 있어서,상기 제1 전하 공급층 및 제2 전하 공급층 중 적어도 하나는 InAlAs로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제5항에 있어서,상기 제1 상부 클래딩층과 제1 하부 클래딩층의 두께가 서로 다른 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 채널층 내의 에너지 밴드 구조와 전자 분포의 비대칭성이 증가되도록 상기 제1 전하 공급층과 제2 전하 공급층의 도핑 농도가 서로 다르게 조절된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층 및 제2 전하 공급층은 벌크 도핑 또는 델타 도핑으로 도핑된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 상부 클래딩층과 하부 클래딩층의 두께가 서로 다르고, 상기 채널층의 에너지 밴드 구조와 전자 분포가 비대칭인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터. | 제1항에 있어서,상기 채널층은 GaAs, InAs, InGaAs, InSb로 이루어진 그룹에서 선택된 반도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터."]
["K05140","전기/전자/IT","KR","P","상보성 스핀 트랜지스터 논리회로(Complementary spin transistor logic circuit)","본 발명의 일 실시 예에 따른 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로는 자화된 제1 소스, 상기 제1 소스의 자화 방향과 평행하게 자화된 제1 드레인, 상기 제1 소스와 상기 제1 드레인 사이에 위치하며, 상기 제1 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제1 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상부에 위치하여 상기 제1 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제1 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제1 채널층 통과시 상기 제1 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 평행 스핀 트랜지스터 및 자화된 제2 소스, 상기 제2 소스의 자화 방향과 반평행하게 자화된 제2 드레인, 상기 제2 기판 위에 상기 제2 소스와 상기 제2 드레인 사이에 위치하며, 상기 제2 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제2 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상부에 위치하여 상기 제2 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제2 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제2 채널층 통과시 상기 제2 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 반평행 스핀 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 공통 입력단자와 연결된다.","제1 기판 위에 위치하며 자화된 제1 소스, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 제1 소스의 자화 방향과 평행하게 자화된 제1 드레인, 상기 제1 기판 위에 상기 제1 소스와 상기 제1 드레인 사이에 위치하며, 상기 제1 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제1 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상부에 위치하여 상기 제1 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제1 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제1 채널층 통과시 상기 제1 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 평행 스핀 트랜지스터; 및제2 기판 위에 위치하며 자화된 제2 소스, 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제2 소스의 자화 방향과 반평행하게 자화된 제2 드레인, 상기 제2 기판 위에 상기 제2 소스와 상기 제2 드레인 사이에 위치하며, 상기 제2 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제2 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상부에 위치하여 상기 제2 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제2 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제2 채널층 통과시 상기 제2 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 반평행 스핀 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 공통 입력단자와 연결되는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로.",18,"2010-0044330","2010-05-12","","","2011-11-16","1084019","2011-11-10","구현철 | 한석희 | 장준연 | 김형준 | 최준우","한국과학기술연구원","2030-05-12","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511462001629","제1 기판 위에 위치하며 자화된 제1 소스, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 제1 소스의 자화 방향과 평행하게 자화된 제1 드레인, 상기 제1 기판 위에 상기 제1 소스와 상기 제1 드레인 사이에 위치하며, 상기 제1 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제1 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상부에 위치하여 상기 제1 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제1 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제1 채널층 통과시 상기 제1 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 평행 스핀 트랜지스터; 및제2 기판 위에 위치하며 자화된 제2 소스, 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제2 소스의 자화 방향과 반평행하게 자화된 제2 드레인, 상기 제2 기판 위에 상기 제2 소스와 상기 제2 드레인 사이에 위치하며, 상기 제2 소스로부터 스핀 분극된 전자를 도입하여 상기 제2 드레인으로 상기 전자를 전달하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상부에 위치하여 상기 제2 채널층을 통과하는 상기 전자의 스핀을 조절하는 제2 게이트 전극을 포함하고, 상기 전자는 상기 제2 채널층 통과시 상기 제2 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 스핀궤도 결합 유도 자기장에 의해 세차운동을 하는 반평행 스핀 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 공통 입력단자와 연결되는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제2 드레인 및 상기 제1 소스는 전기적으로 연결되고 상기 제2 드레인과 상기 제1 소스는 신호가 출력되는 출력단자와 연결되는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제2 소스는 접지와 연결되고 상기 제1 드레인은 양의 전압과 연결되는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극에 동일한 전압을 인가하였을 때 상기 평행 스핀 트랜지스터 및 상기 반평행 트랜지스터 중 한 쪽은 온(on)이 되고 다른 쪽은 오프(off)가 되는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 소스 및 상기 제2 소스는 CoFe, Co, Ni, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 강자성체인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 드레인 및 상기 제2 드레인은 CoFe, Co, Ni, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 강자성체인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 소스 및 상기 제2 소스는 GaAs, MnAs, InAs, MnAs 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 자성 반도체인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 드레인 및 상기 제2 드레인은 GaAs, MnAs, InAs, MnAs 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 자성 반도체인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 2차원 전자가스인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제9항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 GaAs, InAs, InGaAs, InSb 및 이들의 2 이상의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 물질인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 Au, Pt, Ag, Al, Cu, Sb, 그래핀(graphene) 및 이들의 2 이상의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 물질인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제11항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제1 채널층 사이에 절연층을 더 포함하는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제11항에 있어서,상기 제2 기판과 상기 제2 채널층 사이에 절연층을 더 포함하는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 절연층은 SiO2, Al2O3, TaOx, MgO 및 이들의 2 이상의 조합으로 이루어진 군 중 어느 하나로 된 물질인 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 채널층은 n-도핑을 하고 제1 소스 및 제1 드레인과 오믹(ohmic) 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 한 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제2 채널층은 n-도핑을 하고 제2 소스 및 제2 드레인과 오믹(ohmic) 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 한 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상기 제1 채널층 또는 상기 제2 채널층은 나노선(nano-wire)을 포함하는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로. | 제1항에 있어서,상보성 스핀 트랜지스터 논리회로는 인버터, OR 게이트, AND 게이트, NOR 게이트, NAND 게이트 및 이들의 2 이상의 조합으로 된 군 중 어느 하나의 연산을 수행하는 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로."]
["K05153","전기/전자/IT","KR","P","광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법, 이에 따라 제조되는 촉매막 및 이를 이용한 광전기화학전지(The method of preparation for catalyst film of oxidizing electrode using photoelectrochemical cell, catalyst film thereof and photoelectrochemical cell using the same)","본 발명은 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법, 이에 따라 제조되는 촉매막 및 이를 이용한 광전기화학전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 산화물 나노입자를 분산시킨 후 페이스트 또는 잉크로 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 산화물 나노입자 페이스트 또는 잉크로 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 코팅막을 형성시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 3에서 형성된 코팅막을 저온 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법, 산화물 나노입자를 분산시킨 후 페이스트 또는 잉크로 제조하여 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 상기 페이스트 또는 잉크로 코팅막을 형성시킨 후 열처리하여 제조되는, 광전기화학전지용 산화전극 촉매막 및 광전셀/산화전극/이온분리막/환원전극으로 이루어진 광전기화학전지에 있어서, 상기 산화전극은 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 산화물 나노입자 페이스트 또는 잉크로 코팅막을 형성시킨 후 열처리하여 제조되는 촉매막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전기화학전지에 관한 것이다.","산화물 나노입자를 분산시킨 후 페이스트 또는 잉크로 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 산화물 나노입자 페이스트 또는 잉크를 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 코팅막을 형성시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 형성된 코팅막을 30 - 100 ℃에서 저온 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법.",14,"2010-0026294","2010-03-24","2011-0107112","2011-09-30","2011-10-25","1075876","2011-10-17","민병권 | 김홍곤 | 김재훈 | 박원일","한국과학기술연구원","2030-03-24","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511432000643","산화물 나노입자를 분산시킨 후 페이스트 또는 잉크로 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 산화물 나노입자 페이스트 또는 잉크를 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 코팅막을 형성시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 형성된 코팅막을 30 - 100 ℃에서 저온 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 산화물 나노입자는 TiO2, Co3O4, RuO2, IrO2,MnO2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 페이스트는 페이스트 믹서기에서 1000 - 2000 rpm의 공전과 자전속도로 10 - 60 분 동안 수행하여 제조되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 잉크는 산화물 나노입자에 대하여 바인더 및 분산제를 1:0.8∼3.0:0.2∼1.0 중량비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1은 바인더, 또는 바인더 및 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 바인더는 나피온(Nafion) 또는 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene flouride)이고, 분산제는 알코올, 아민 또는 티올인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제6항에 있어서, 상기 알코올은 터피놀인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 바인더는 산화물 나노입자에 대하여 1:0.8∼3.0의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 바인더 및 분산제는 산화물 나노입자에 대하여 1:0.8∼3.0:0.2∼1.0의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전도성 기판은 스테인리스스틸, 티타늄, 니켈 또는 몰리브데늄 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 코팅막은 닥터블레이딩법, 스크린 프린팅법, 스프레이법 또는 스핀코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 3의 저온 열처리는 1 - 10 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 산화전극 촉매막의 제조방법. | 산화물 나노입자를 분산시킨 후 페이스트 또는 잉크로 제조하여 일면이 광전극으로 구성된 전도성 기판의 또 다른 일면에 상기 페이스트 또는 잉크로 코팅막을 형성시킨 후 열처리하여 제조되는, 광전기화학전지용 산화전극 촉매막. | 광전셀/산화전극/이온분리막/환원전극으로 구성되는 광전기화학전지에 있어서, 상기 산화전극은 제13항의 촉매막을 가지는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지."]
["K05261","전기/전자/IT","KR","P","초임계유체 또는 아임계유체를 이용한 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 양자점 감응형 태양전지(Fabrication method for quantum dot sensitized solar cell using supercritical fluids or subcritical fluids and quantum dot sensitized solar cell prepared thereby)","본 발명은 초임계유체 또는 아임계유체를 이용한 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 양자점 감응형 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양자점 전구체를 고압저장용기 내로 도입한 후 아임계유체 또는 초임계유체를 이용하여 양자점 전구체를 용해시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 양자점 전구체 용액을 고압반응기 내에 도입되어 있는 금속산화물로 이루어진 도전성 박막 기판으로 이송하고 접촉시켜 금속산화물 박막에 흡착시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 미흡착된 양자점 전구체 용액을 아임계유체 또는 초임계유체와 함께 고압저장용기로 이송하여 회수하는 단계(단계 3); 및 고압반응기로부터 기체상의 아임계유체 또는 초임계유체를 제거하고, 상기 단계 2에서 흡착된 양자점 전구체를 양자점을 구성하는 제2원소를 포함하는 화합물과 반응시키는 단계(단계 4)를 포함하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극 및 상기 투명전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.","양자점 전구체를 고압저장용기 내로 도입한 후 아임계유체 또는 초임계유체를 이용하여 양자점 전구체를 용해시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 양자점 전구체 용액을 고압반응기 내에 도입되어 있는 금속산화물로 이루어진 도전성 박막 기판으로 이송하고 접촉시켜 금속산화물 박막에 흡착시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 미흡착된 양자점 전구체 용액을 아임계유체 또는 초임계유체와 함께 고압저장용기로 이송하여 회수하는 단계(단계 3); 및고압반응기로부터 기체상의 아임계유체 또는 초임계유체를 제거하고, 상기 단계 2에서 흡착된 양자점 전구체를 양자점을 구성하는 제2원소를 포함하는 화합물과 반응시키는 단계(단계 4)를 포함하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법.",20,"2010-0056568","2010-06-15","","","2011-07-07","1047476","2011-07-01","김재훈 | 민병권 | 김재덕 | 박종민 | 장원호","한국과학기술연구원","2030-06-15","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511272001011","양자점 전구체를 고압저장용기 내로 도입한 후 아임계유체 또는 초임계유체를 이용하여 양자점 전구체를 용해시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 양자점 전구체 용액을 고압반응기 내에 도입되어 있는 금속산화물로 이루어진 도전성 박막 기판으로 이송하고 접촉시켜 금속산화물 박막에 흡착시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 미흡착된 양자점 전구체 용액을 아임계유체 또는 초임계유체와 함께 고압저장용기로 이송하여 회수하는 단계(단계 3); 및고압반응기로부터 기체상의 아임계유체 또는 초임계유체를 제거하고, 상기 단계 2에서 흡착된 양자점 전구체를 양자점을 구성하는 제2원소를 포함하는 화합물과 반응시키는 단계(단계 4)를 포함하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 초임계유체 또는 아임계유체는 액체 이산화탄소, 초임계 이산화탄소, 아임계 수(水), 초임계 수(水), 아임계 메탄, 초임계 메탄, 아임계 에탄, 초임계 에탄, 아임계 프로판, 초임계 프로판, 아임계 부탄, 초임계 부탄, 아임계 에틸렌, 초임계 에틸렌, 아임계 프로필렌, 초임계 프로필렌, 아임계 메탄올, 초임계 메탄올, 아임계 에탄올, 초임계 에탄올, 아임계 프로판올, 초임계 프로판올, 아임계 테트라플루오로메탄, 초임계 테트라플루오로메탄, 아임계 디플루오로메탄, 초임계 디플루오로메탄, 아임계 트리플루오로메탄, 초임계 트리플루오로메탄, 아임계 헥사플루오로에탄, 초임계 헥사플루오로에탄, 아임계 펜타플루오로에탄, 초임계 펜타플루오로에탄, 아임계 1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 초임계 1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 아임계 디플루오로에탄, 초임계 디플루오로에탄 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 아임계유체는 유체의 임계온도 또는 임계압력 이하에서 양자점 전구체를 용해시키는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 아임계유체로서 액체 이산화탄소를 이용할 경우, 액체 이산화탄소의 상태를 유지시키기 위한 고압저장용기 온도는 0 내지 30 ℃이며 압력은 30 내지 500 bar인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 초임계유체는 유체의 임계온도 및 임계압력 이상에서 양자점 전구체를 용해시키는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 초임계유체로서 초임계 이산화탄소를 이용할 경우, 초임계 이산화탄소를 유지시키기 위한 고압저장용기의 온도는 30 내지 200 ℃이며, 압력은 20 내지 500 bar인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 양자점 전구체는 카드륨(Cd), 납(Pb), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속이 아세틸아테토네이트(acetylacetonate), 헥사플루오로아세틸아세토네이트(hexafluoroacetylacetonate), 테트라메틸헵탄디오네이트(tetramethyl-3,5-heptanedionate) 사이클로옥타디엔(cyclooctadiene), 메틸(methyl)기로 이루어진 군으로부터 선택된 리간드에 결합되어 있는 유기 금속화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 금속산화물은 이산화티탄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 또는 삼산화텅스턴(WO3)인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 박막 기판은 ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine dopped tin oxide) 또는 카본 나노 튜브가 코팅된 투명 기판, PEDOT/PSS(poly(3,4- Ethylenedioxythiophene/Poly(4-styrene sulfonic acid))인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 금속산화물의 크기는 10 - 500 ㎚이고, 금속산화물 박막의 두께는 1 - 30 ㎛인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 흡착의 온도와 압력은 아임계유체를 이용할 경우 유체의 임계온도 또는 임계압력 이하에서 양자점 전구체를 용해시킬 수 있는 조건에서 흡착을 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제12항에 있어서, 상기 아임계유체로서 액체 이산화탄소를 이용할 경우, 흡착의 온도와 압력은 온도는 0 내지 30 ℃이며 압력은 30 내지 500 bar인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 흡착의 온도와 압력은 초임계유체를 이용할 경우 유체의 임계온도 및 임계압력 이상에서 양자점 전구체를 용해시킬 수 있는 조건에서 흡착을 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제14항에 있어서, 상기 초임계유체로서 초임계 이산화탄소를 이용할 경우 온도는 30 내지 200 ℃이며 압력은 20 내지 500 bar인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 3의 흡착 시간은 1분 내지 48시간인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 4의 반응은 고압반응용기의 온도를 0 내지 500 ℃에서 1 분 내지 24 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 3의 양자점을 구성하는 제2원소를 포함하는 화합물은 황화수소(H2S), 셀렌화수소(H2Se) 또는 텔루르화수소(H2Te)인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법. | 제1항의 제조방법으로 제조되는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극. | 제19항의 투명전극을 포함하는 양자점 감응형 태양전지. | 제7항에 있어서, 상기 양자점 전구체는 헥사플루오로아세틸아세토네이트 카드뮴(bis(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)cadmium(II), Cd(hfac)2), 아세틸아세토네이트 카드뮴(bis(pentane-2,4-dionato)cadmium(II), Cd(acac)2), 아세테이트 카드뮴(cadmium acetate, Cd(OOCCH3)2), 브롬화 카드뮴(cadmium bromide), 염화 카드뮴(cadmium chloride), 불화 카드뮴(cadmium fluoride), 싸이클로헥산부티레이트 카드뮴(cadmium cyclohexabutyrate), 요오드화 카드뮴(cadmium iodide), 나이트레이트 카드뮴(cadmium nitrate), 퍼클로레이트 카드뮴(cadmium perchlorate, Cd(ClO4)2), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium, (CH3)2Cd), 카르보네이트 카드뮴(cadmium carbonate, CdCO3), 아세틸아세토네이트 갈륨(tris(pentane-2,4-dionato)gallium(III), Ga(acac)3), 헥사플루오로아세틸아세토네이트 갈륨(tris(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)gallium(III), Ga(hfac)3), 브롬화 갈륨(gallium bromide), 염화 갈륨(gallium chloride), 불화 갈륨(gallium fluoride), 요오드화 갈륨(gallium iodide), 나이트레이트 갈륨(gallium nitrate), 트리에틸 갈륨(triethiyl gallium), 디에틸아마이드 갈륨(diethylamide gallium), 펜타디노네디오네이트 갈륨(gallium(III) 2,4,-pentadionate, Ga(CH3C3H4O2)3), 퍼클로레이트 갈륨(gallium(III) perchlorate, Ga(ClO4)3 ), 테트라메틸헵탄디오네이트 갈륨(tris(2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionato)gallium(III), Ga(TMHD)3) 아세틸아세토네이트 인듐(bis(pentane-2,4-dionato)indium(III), In(acac)3), 헥사플루오로아세틸아세토네이트 인듐(tris(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)indium(III), In(hfac)3), 아세테이트 인듐(indium(III) acetate, In(OOCCH3)3), 부롬화 인듐(indium(III) bromide), 염화 인듐(indium(III) chloride), 불화 인듐(indium(III) fluoride), 요오드화 인듐(indium(III) iodide), 나이트레니트 인듐(indium(III) nitrate), 퍼클로레이트 인듐(indium(III) perchlorate, In(ClO4)3), 트리플루오로아세테이트 인듐(indium(III) trifluoroacetate, In(OOCCF3)3), 트리플루오로아세틸아세토네이트 인듐(indium(III) trifluoroacetylacetonate, In(tfac)3), 트리메틸 인듐(trymethylindium), 테트라메틸헵탄디오네이트 인듐(tris(2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III), In(TMHD)3) 아세틸아세토네이트 납(bis(pentane-2,4-dionato)lead(II), Pb(acac)2), 헥사플루오로아세틸아세토네이트 납(bis(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)lead(II), Pb(hfac)2), 테트라메틸헵탄디오네이트 납(tris(2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lead(II), Pb(TMHD)2), 아세테이트 납(lead(IV) acetate, Pb(OOCCH3)2), 브롬화 납(lead(II) bromide), 염화 납(lead(II) chloride), 불화 납(lead(II) fluoride), 요오드화 납(lead(II) iodide), 펜탄디오네이트 납(lead(II) 2,4-pentanedionate, Pb(CH3C3H4O2)2), 트리플루오로아세테이트 납(lead(II) trifluoroacetate, Pb(OOCCF3)2), 헥사플루오로아세틸아세토네이트 구리(bis(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)copper(II), Cu(hfac)2),아세틸아세토네이트 구리(bis(pentane-2,4-dionato)copper(II), Cu(acac)2), 헵타플루오로디메틸옥탄디오네트 구리(Bis(6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octanedionate)copper(II), Cu(FOD)2), 테트라메틸헵탄디오네이트 구리(tris(2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionato)copper(II), Cu(TMHD)2), 브롬화 구리(copper(II) bromide), 염화 구리(copper(II) Chloride), 불화 구리(copper(II), fluoride), 에틸아세토아세테이트 구리(copper(II) ethylacetoacetate), 퍼클로레이트 구리(copper(II) perchlorate, Cu(ClO4)2), 테트라플루오로보레이트 구리(copper(II) tetrafluoroborate, Cu(BF4)2), 트리플루오로아세틸아세토네이트 구리(copper(II) trifluoroacetylacetate, Cu(tfac)3), 아세틸아세토네이트 아연(bis(pentane-2,4-dionato)zinc(II), Zn(acac)2)헥사플루오로아세틸아세토네이트 아연(bis(1,1,1,-trifluoropentane-2,4-dionato)zinc(II), Zn(hfac)2) 테트라메틸헵탄디오네이트 아연(tris(2,2,6,6,-tetramethyl-3,5-heptanedionato)zinc(II), Zn(TMHD)2), 디메틸 아연(Dimethylzinc, Zn(CH3)2), 디에틸 아연(Diethylzinc, Zn(C2H5)2), 브롬화 아연(zinc(II) bromide), 염화 아연(zinc(II) chloride), 불화 아연(zinc(II), fluoride) 및 테트라플루오로보레이트 아연(Zinc(II) tetrafluoroborate, Zn(BF4)2)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지용 투명전극의 제조방법."]
["K05282","전기/전자/IT","KR","P","절연체 박막 내에 반도체 물질 양자점들을 형성하는 장치 및 방법(METHOD AND APPARATUS FOR FORMING OF SEMICONDUCTOR MATERIAL QUANTUM DOTS IN THE DIELECTRIC THIN FILM)","결정화된 반도체 물질(원소, 화합물)을 절연체 박막내에 플라즈마 이온주입하여 별도의 열처리(Annealing) 과정 없이 결정화된 반도체 양자점들을 형성하는 장치 및 방법이 개시된다. 이 장치 및 방법에 의하면, 진공조 내의 시료 장착대 위에 시료를 위치시키고, 진공조의 내부를 진공상태로 유지한다. 그리고, 진공조 내에 플라즈마화 할 가스를 공급한다. 우선, 절연체 박막 증착을 위한 제1 증착원에 제1 전력을 인가하여, 박막증착을 위한 플라즈마를 발생하게 되면, 제1 증착원으로부터 스퍼터링되는 물질의 절연체 박막이 증착된다. 이후에, 반도체 원소 또는 화합물의 이온 발생을 위한 제2 증착원에 제2 전력을 인가하여 이온주입을 위한 플라즈마 이온들을 발생시키고, 제2 증착원으로부터 스퍼터링되는 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 기 형성된 절연체 박막에 플라즈마 이온주입시켜 반도체 물질의 양자점을 형성한다.","반도체 양자점을 형성하는 장치로서, 그 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조; 절연체 박막 증착을 위한 제1 증착원; 반도체 원소 또는 화합물의 이온 발생을 위한 제2 증착원; 상기 진공조 내의 상기 제1 및 제2 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 시료 장착대; 상기 제1 증착원에 제1 전력을 인가하여, 상기 제1 증착원으로부터 스퍼터링되는 제1 물질의 절연체 박막을 증착하도록 동작하는 제1 전원공급수단; 및 상기 제2 증착원에 제2 전력을 인가하여, 상기 제2 증착원으로부터 스퍼터링되는 제2 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 형성된 절연체 박막에 제2 이온주입시켜 상기 제2 반도체 물질의 양자점을 형성하도록 동작하는 제2 전원공급수단을 포함하는 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치.",30,"2010-0086604","2010-09-03","","","2012-02-24","1117261","2012-02-09","한승희 | 전준홍 | 박원웅 | 최진영","한국과학기술연구원","2030-09-03","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512082001623","반도체 양자점을 형성하는 장치로서, 그 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조; 절연체 박막 증착을 위한 제1 증착원; 반도체 원소 또는 화합물의 이온 발생을 위한 제2 증착원; 상기 진공조 내의 상기 제1 및 제2 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 시료 장착대; 상기 제1 증착원에 제1 전력을 인가하여, 상기 제1 증착원으로부터 스퍼터링되는 제1 물질의 절연체 박막을 증착하도록 동작하는 제1 전원공급수단; 및 상기 제2 증착원에 제2 전력을 인가하여, 상기 제2 증착원으로부터 스퍼터링되는 제2 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 형성된 절연체 박막에 제2 이온주입시켜 상기 제2 반도체 물질의 양자점을 형성하도록 동작하는 제2 전원공급수단을 포함하는 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항에 있어서,상기 절연체 박막 증착시에, 상기 진공조 내부의 사용가스 압력을 0.5mTorr ~ 5mTorr로 유지하고, 리액티브 가스의 분압을 0.5mTorr ~ 5mTorr로 유지하며, 상기 제1 전력은, 밀도가 1W/cm2 ~ 20W/cm2의 값을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제2항에 있어서,상기 사용가스는, 플라즈마를 발생시키기 위한 가스로서, 아르곤, 네온 중 어느 하나이며, 상기 리액티브 가스는, 산소 또는 질소인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항에 있어서,상기 절연체 박막은, 1,200Å으로 증착되며, 상기 제1 물질은, HfO2, SiO2, Si3N4, MgO, CaO, SrO, ZrO2, BaO, TiO2, Ta2O3, Y2O3, Al2O3, Gd2O3, La2O3 중 어느 하나인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항에 있어서,상기 절연체 박막은, 단일층(single-layer)으로 구성되는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항에 있어서,상기 절연체 박막은, 다층(multi-layer)으로 구성되는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제6항에 있어서,다층 절연체 박막의 양자점 크기를 조절함에 있어서, 층마다 양자점의 크기를 다르게 하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제6항에 있어서,다층 절연체 박막의 양자점 크기를 조절함에 있어서, 상기 제2 이온주입시 시편 바이어스 크기를 조절하여 표면에서 깊이 방향으로 이온주입 깊이를 변화시키고, 그 이온주입 시간으로 양자점의 크기를 조절하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, Ge, Si, Se, Te 중 적어도 하나의 반도체 원소인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, 화합물 반도체인 4-4족 SiC, 3-5족 화합물 반도체인 AlP, AlAs, AlN, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InN, InAs, InSb, 2-5족 화합물 반도체인 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSe, 4-5족 화합물 반도체인 PbS, PbSe, PbTe 중 적어도 하나의 반도체 화합물인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 두 개의 상기 제2 반도체 물질을 상기 제2 이온주입하는 경우, 이온주입 도즈(dose)량으로 양자점의 크기와 결정화 정도를 조절하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항에 있어서,상기 제2 반도체 물질의 양자점을 형성함에 있어서, 상기 제2 이온주입시 양자점을 넘어선 양자 우물(quantum well)을 만드는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전력은, 펄스 직류 전력이며, 상기 펄스 직류 전력은, 밀도가 10 W/cm2 ～ 10 kw/cm2의 값을 갖고, 1 Hz ～ 10 kHz의 주파수와, 10 usec ～ 1 msec의 펄스폭을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제13항에 있어서,상기 시료 장착대에 제3 전력을 제공하는 제3 전원공급수단을 더 포함하며,상기 제3 전력은, 상기 제2 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 상기 시료 측으로 가속시키며 상기 펄스 직류 전력에 동기화된 고전압 펄스인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제14항에 있어서,상기 고전압 펄스는, 상기 펄스 직류 전력에 동기화된 1 Hz ～ 10 kHz의 주파수와, 1 usec ～ 200 usec의 펄스폭과, -1 kv ～ -100 kV의 음(-)의 펄스 고전압을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공조에 플라즈마화 할 가스를 공급하기 위한 가스 공급부; 및 상기 가스 공급부에 의해 공급되는 가스의 압력을 조절하기 위한 가스 조절부를 더 포함하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 이온주입시 발생되는 X-Ray를 차폐시키기 위한 납판을 더 포함하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공조 둘레에 일정하게 위치시켜 상기 진공조 내에서의 플라즈마 밀도를 균일하게 하며, 상기 진공조로 빠져나가는 전자를 막아주는 자석을 더 포함하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시료 장착대는, 상기 진공조에 전기적으로 절연되어 장착되는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제1항 내지 제8항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공조 내에 유도결합 플라즈마를 발생하기 위한 수단을 더 구비하여, 상기 제2 반도체 물질의 이온화율을 증가시키고 상기 제2 증착원의 작동 압력을 낮추되, 상기 유도결합 플라즈마를 발생하기 위한 수단은, 상기 진공조 내에 장착되어 RF 펄스를 방사하여 상기 유도결합 플라즈마를 발생시키는 RF 안테나; 상기 RF 안테나에 RF 전력을 인가하는 RF 전원부; 및 상기 RF 전원부와 상기 RF 안테나와의 RF 임피던스 매칭을 위한 RF 매칭부를 포함하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 제20항에 있어서,상기 제2 이온주입시, 이온주입 전압과 전류를 측정 및 모니터링하기 위한 수단을 더 포함하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 장치. | 반도체 양자점 형성 방법으로서, 진공조 내의 시료 장착대 위에 시료를 위치시키는 단계; 상기 진공조의 내부를 진공상태로 유지하는 단계; 상기 진공조 내에 플라즈마화 할 가스를 공급하는 단계; 절연체 박막 증착을 위한 제1 증착원에 제1 전력을 인가하여, 박막증착을 위한 플라즈마 이온들을 발생하는 단계; 상기 제1 증착원으로부터 스퍼터링되는 제1 물질의 절연체 박막을 증착하는 단계; 반도체 원소 또는 화합물의 이온 발생을 위한 제2 증착원에 제2 전력을 인가하여 이온주입을 위한 플라즈마 이온들을 발생하는 단계; 및 상기 제2 증착원으로부터 스퍼터링되는 제2 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 기 형성된 절연체 박막에 제2 이온주입시켜 상기 제2 반도체 물질의 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제22항에 있어서,상기 절연체 박막 증착시에, 상기 진공조 내부의 사용가스 압력을 0.5mTorr ~ 5mTorr로 유지하고, 리액티브 가스의 분압을 0.5mTorr ~ 5mTorr로 유지하며, 상기 제1 전력은, 밀도가 1W/cm2 ~ 20W/cm2의 값을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제22항에 있어서,상기 절연체 박막은, 1,200Å으로 증착되며, 상기 제1 물질은, HfO2, SiO2, Si3N4, MgO, CaO, SrO, ZrO2, BaO, TiO2, Ta2O3, Y2O3, Al2O3, Gd2O3, La2O3 중 어느 하나인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제22항에 있어서,상기 절연체 박막은, 단일층(single-layer) 또는 다층(multi-layer)으로 구성되는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제25항에 있어서,다층 절연체 박막의 양자점 크기를 조절함에 있어서, 층마다 양자점의 크기를 다르게 하되, 다층 절연체 박막의 양자점 크기를 조절함에 있어서, 상기 제2 이온주입시 시편 바이어스 크기를 조절하여 표면에서 깊이 방향으로 이온주입 깊이를 변화시키고, 그 이온주입 시간으로 양자점의 크기를 조절하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제22항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, Ge, Si, Se, Te 중 적어도 하나의 반도체 원소를 사용하거나, 화합물 반도체인 4-4족 SiC, 3-5족 화합물 반도체인 AlP, AlAs, AlN, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InN, InAs, InSb, 2-5족 화합물 반도체인 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSe, 4-5족 화합물 반도체인 PbS, PbSe, PbTe 중 적어도 하나의 반도체 화합물를 사용하는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제22항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전력은, 펄스 직류 전력이며, 상기 펄스 직류 전력은, 밀도가 10 W/cm2 ～ 10 kw/cm2의 값을 갖고, 1 Hz ～ 10 kHz의 주파수와, 10 usec ～ 1 msec의 펄스폭을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제28항에 있어서,상기 시료 장착대에 제3 전력을 제공하는 단계를 더 포함하며,상기 제3 전력은, 상기 제2 반도체 물질의 플라즈마 이온들을 상기 시료 측으로 가속시키며 상기 펄스 직류 전력에 동기화된 고전압 펄스인, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법. | 제29항에 있어서,상기 고전압 펄스는, 상기 펄스 직류 전력에 동기화된 1 Hz ～ 10 kHz의 주파수와, 1 usec ～ 200 usec의 펄스폭과, -1 kv ～ -100 kV의 음(-)의 펄스 고전압을 갖는, 절연체 박막 내에 반도체 물질을 플라즈마 이온주입시켜 양자점을 만드는 방법."]
["K05328","전기/전자/IT","KR","P","분광법을 이용한 볼펜 서명 감식 방법(METHOD OF IDENTIFYING BALL POINT PEN SIGNATURE USING SPECTROSCOPY)","본 발명은 분광분석법의 응용에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 분광법을 이용한 볼펜 서명 감식 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 볼펜 서명 감식 방법은, 볼펜 서명(署名)의 배경에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계와, 볼펜 서명 부분에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계와, 볼펜 서명 부분의 분광 스펙트럼으로부터 배경의 분광 스펙트럼을 제거하여 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼을 구하는 단계와, 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼에서 검색 키로 사용할 특징을 선택하는 단계와, 볼펜 잉크 샘플 스펙트럼 데이터베이스에서 검색 키에 대하여 미리 정해진 값 이상의 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플 스펙트럼을 검색하는 단계 및 검색된 결과에 기초하여 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플의 발견 여부 및 발견된 볼펜 잉크 샘플의 출처 정보를 출력하는 단계를 포함한다.","볼펜 서명(署名)의 배경에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계;볼펜 서명 부분에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계;상기 볼펜 서명 부분의 분광 스펙트럼으로부터 상기 배경의 분광 스펙트럼을 제거하여 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼을 구하는 단계;상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼에서 검색 키로 사용할 특징을 선택하는 단계;볼펜 잉크 샘플 스펙트럼 데이터베이스에서 상기 검색 키에 대하여 미리 정해진 값 이상의 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플 스펙트럼을 검색하는 단계; 및상기 검색된 결과에 기초하여 상기 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플의 발견 여부 및 발견된 볼펜 잉크 샘플의 출처 정보를 출력하는 단계를 포함하되,상기 분광 스펙트럼은 마이크로 감쇄 전반사 퓨리에 변환 적외선 분광분석기(attenuated total reflectance-Fourier transform infrared spectroscopy; Micro ATR-FTIR) 스펙트럼인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법.",13,"2010-0085100","2010-08-31","","","2011-10-21","1075517","2011-10-14","이강봉 | 남윤식 | 박현미 | 이기수 | 이연희 | 윤기형","한국과학기술연구원","2030-08-31","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511422001962","볼펜 서명(署名)의 배경에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계;볼펜 서명 부분에 대하여 분광 스펙트럼을 측정하는 단계;상기 볼펜 서명 부분의 분광 스펙트럼으로부터 상기 배경의 분광 스펙트럼을 제거하여 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼을 구하는 단계;상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼에서 검색 키로 사용할 특징을 선택하는 단계;볼펜 잉크 샘플 스펙트럼 데이터베이스에서 상기 검색 키에 대하여 미리 정해진 값 이상의 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플 스펙트럼을 검색하는 단계; 및상기 검색된 결과에 기초하여 상기 동등성 조건을 만족하는 볼펜 잉크 샘플의 발견 여부 및 발견된 볼펜 잉크 샘플의 출처 정보를 출력하는 단계를 포함하되,상기 분광 스펙트럼은 마이크로 감쇄 전반사 퓨리에 변환 적외선 분광분석기(attenuated total reflectance-Fourier transform infrared spectroscopy; Micro ATR-FTIR) 스펙트럼인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제1항에 있어서,감식 대상 시료에서 상기 볼펜 서명 부분의 위치를 판단하는 단계를 더 포함하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제2항에 있어서,상기 볼펜 서명 부분의 위치를 판단하는 단계는, 분광 스펙트럼 패턴 매칭을 통하여 상기 볼펜 서명 부분의 위치를 판단하는 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제1항에 있어서,상기 검색 키로 사용할 상기 특징은 상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼 전체 패턴 또는 상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼의 일부 영역의 패턴인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제4항에 있어서,상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼의 일부 영역은 660 ~ 800 cm-1, 800 ~ 900 cm-1, 1000 ~ 1200 cm-1, 1450 ~ 1550 cm-1 또는 1550 ~ 1650 cm-1 파수 영역인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제1항에 있어서,상기 검색 키로 사용할 상기 특징은 상기 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼에서 적어도 하나의 파수(wavenumber) 및 상기 적어도 하나의 파수에 대응하는 적어도 하나의 투과율 값인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제1항에 있어서,현미경을 이용하여 상기 배경 또는 상기 볼펜 서명의 분광 스펙트럼을 측정하는 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제1 볼펜 서명(署名) 및 제2 볼펜 서명이 있는 문서의 배경에 대한 분광 스펙트럼, 상기 제1 볼펜 서명 및 상기 제2 볼펜 서명이 겹쳐 있지 않은 부분 중 상기 제1 볼펜 서명 부분 또는 상기 제2 볼펜 서명 부분의 분광 스펙트럼, 그리고 상기 제1 볼펜 서명 및 상기 제2 볼펜 서명이 겹쳐 있는 부분의 분광 스펙트럼을 측정하는 단계;상기 제1 볼펜 서명과 상기 제2 볼펜 서명이 겹쳐 있지 않은 부분 중 상기 제1 볼펜 서명 부분 또는 상기 제2 볼펜 서명 부분의 분광 스펙트럼으로부터 상기 배경의 분광 스펙트럼을 제거하여 상기 제1 볼펜 잉크 또는 상기 제2 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼을 구하는 단계;상기 제1 볼펜 서명과 상기 제2 볼펜 서명이 겹쳐 있는 부분에서 상기 배경의 분광 스펙트럼을 제거하여 확인 대상의 분광 스펙트럼을 구하는 단계;상기 확인 대상의 분광 스펙트럼을 상기 제1 볼펜 잉크 또는 상기 제2 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼과 비교하여 동등성 높은 분광 스펙트럼을 판단하는 단계; 및상기 판단한 결과에 기초하여 상기 제1 볼펜 서명 및 상기 제2 볼펜 서명의 시간적 선후관계를 판단하는 단계를 포함하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제8항에 있어서,감식 대상 시료에서 상기 제1 볼펜 서명 부분 또는 상기 제2 볼펜 서명 부분의 위치를 판단하는 단계를 더 포함하는 볼펜 서명 감식 방법 | 제8항에 있어서,상기 동등성 높은 분광 스펙트럼을 판단하는 단계는, 분광 스펙트럼에서 적어도 하나의 파수(wavenumber) 및 상기 적어도 하나의 파수에 대응하는 적어도 하나의 투과율 값에 대하여, 상기 확인 대상의 분광 스펙트럼을 상기 제1 볼펜 잉크 또는 상기 제2 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼과 비교하는 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제8항에 있어서,상기 동등성 높은 분광 스펙트럼을 판단하는 단계는, 상기 확인 대상의 분광 스펙트럼이 660 ~ 800 cm-1, 800 ~ 900 cm-1, 1000 ~ 1200 cm-1, 1450 ~ 1550 cm-1 또는 1550 ~ 1650 cm-1 파수 영역에서 투과율 피크값을 보이는 경우 상기 제1 볼펜 잉크 또는 상기 제2 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼과 동등성이 높은 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제8항에 있어서,상기 시간적 선후관계를 판단하는 단계는, 상기 확인 대상의 분광 스펙트럼이 상기 제1 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼과 동등성이 높은 경우에는 상기 제2 볼펜 서명이 기재된 후 상기 제1 볼펜 서명이 위에 기재된 것이고, 상기 확인 대상의 분광 스펙트럼이 상기 제2 볼펜 잉크의 분광 스펙트럼과 동등성이 높은 경우에는 상기 제1 볼펜 서명이 기재된 후 상기 제2 볼펜 서명이 위에 기재된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법. | 제8항에 있어서,상기 분광 스펙트럼은 마이크로 감쇄 전반사 퓨리에 변환 적외선 분광분석(attenuated total reflectance-Fourier transform infrared spectroscopy; Micro ATR-FTIR) 스펙트럼인 것을 특징으로 하는 볼펜 서명 감식 방법."]
["K04688","전기/전자/IT","KR","P","리튬전지용 양극 활물질의 제조방법(METHOD OF PREPARING POSITINE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM BATTERY)","본 발명은 기판 상의 전극 위에 양극 활물질을 증착하는 단계, 금속 산화물 타켓 상에 금속 칩을 올리고 스퍼터링하여 상기 양극 활물질 상에 복합형 금속 산화물을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법과 전극 활물질을 준비하는 단계, 상기 전극 활물질을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계, 기판 상에 상기 전구체 용액을 프린팅하고 80 - 120 ℃에서 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법에 관한 것이다.","(1) 기판 상의 전극 위에 양극 활물질을 증착하는 단계, 및(2) 금속 산화물 타켓 상에 금속 칩을 올리고 스퍼터링하여 상기 양극 활물질 상에 복합형 금속 산화물을 증착하는 단계를 포함하고,상기 단계 (2) 이후에, (2') 상기 복합형 금속 산화물이 증착된 기판을 추가 열처리하는 단계를 더 포함하며, 상기 단계 (2')의 압력 조건은 1 - 7 mTorr이고, 온도 조건은 100 - 500 ℃인 것이고,상기 복합형 금속 산화물이 비정질인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법.",13,"2009-0085059","2009-09-09","2011-0027112","2011-03-16","2012-03-16","1124492","2012-02-29","정경윤 | 조병원 | 이화영 | 최지애 | 이성래","한국과학기술연구원","2029-09-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512112001431","(1) 기판 상의 전극 위에 양극 활물질을 증착하는 단계, 및(2) 금속 산화물 타켓 상에 금속 칩을 올리고 스퍼터링하여 상기 양극 활물질 상에 복합형 금속 산화물을 증착하는 단계를 포함하고,상기 단계 (2) 이후에, (2') 상기 복합형 금속 산화물이 증착된 기판을 추가 열처리하는 단계를 더 포함하며, 상기 단계 (2')의 압력 조건은 1 - 7 mTorr이고, 온도 조건은 100 - 500 ℃인 것이고,상기 복합형 금속 산화물이 비정질인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 단계 (1)과 단계 (2) 사이에, (1') 상기 양극 활물질이 증착된 기판을 고온 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제2항에 있어서, 단계 (1')의 압력 조건은 진공 또는 상압 하이고, 온도조건은 100 - 1000 ℃이며, 열처리 시간은 수 분 내지 1 시간인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 삭제 | 제1항에 있어서, 단계 (2')의 열처리 시간은 수 분 내지 1 시간인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 삭제 | 제1항에 있어서, 상기 전극은 Pt 전극인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 상기 금속 칩은 Mg, Al, Co, Ni, K, Na, Ca, Si, Fe, Cu, Zn, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, P, Se, Bi, As, Zr, Mn, Cr, Ge, Sr, V, Sc, Y 및 Ta 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 AlOx, SnOx, ZrOx, ZnOx, CuOx, CoOx, TiOx, CrOx, WOx, CaOx 및 MgOx ( 0 ＜ x ≤ 3 )로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 단계 (2)는 5 - 15 ℃로 냉각하면서 이루어지는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 단계 (1) 및 단계 (2)에서, 기판에 전류 또는 전압을 가하여 양극 활물질의 증착 또는 복합형 금속 산화물의 증착과 동시에 열처리하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제11항에 있어서, 상기 열처리의 온도 조건은 50 - 200 ℃ 인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 단계 (2)는 Ar 분위기 하에서 이루어지는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제1항에 있어서, 상기 단계 (1)은전극 활물질을 준비하는 단계,상기 전극 활물질을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계, 및기판 상에 상기 전구체 용액을 프린팅하고 80 - 120 ℃에서 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법. | 제14항에 있어서, 상기 전구체 용액은 리튬카보네이트, 리튬나이트레이트, 리튬아세테이트, 리튬하이드록사이드, 코발트카보네이트, 코발트하이드록사이드, 코발트나이트레이트, 코발트아세테이트, 니켈하이드록사이드, 니켈나이트레이트, 니켈아세테이트, 망간하이드록사이드, 망간나이트레이트, 망간아세테이트, 철화합물 및 티타늄화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법."]
["K04916","전기/전자/IT","KR","P","보호막 구조 형성 방법(METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE STRUCTURE)","본 발명에 따른 보호막 구조 형성 방법은, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 전자 소자에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함할 수 있다.","보호막 구조 형성 방법에 있어서,기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계,상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 유기 전자 소자에 부착하는 단계를 포함하고,상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법.",11,"2009-0119977","2009-12-04","2011-0063046","2011-06-10","2011-12-20","1095022","2011-12-09","김재경 | 김경곤 | 박정수 | 나대석 | 최준환","한국과학기술연구원","2029-12-04","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512001198","보호막 구조 형성 방법에 있어서,기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계,상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 유기 전자 소자에 부착하는 단계를 포함하고,상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 기판은 유기고분자계 플라스틱필름인, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 접착층은, 유기 접착제, 무기접착제 또는 유기 접착제와 무기접착제의 혼합물인, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 접착층은, 광 경화 접착제, 열 경화 접착제, 수분 경화 접착제 또는 혐기성 접착제를 포함하는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 접착층의 두께는 1um 내지 10um인, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 보호막 구조는, 상기 기판, 상기 접착층 및 상기 보호층의 광투과도가 90% 이상이 되도록 형성되는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 무기보호층은 금속 산화물 또는 비금속 산화물, 질화물 및 염 중에서 선택되는 두 가지 이상을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 무기보호층은 전자선 증착기, 스퍼터(sputter), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착법(chemiacl vapor deposition, CVD), 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 증착되는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 유기보호층은, 유기 나노 재료와 무기 나노 재료의 혼합물 및 혼합 무기물을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 유기보호층은 0.5um 내지 10um, 상기 무기보호층은 10nm 내지 1um의 두께를 갖는, 보호막 구조 형성 방법. | 제1항에 있어서,상기 보호층은 10nm 내지 150um의 두께를 갖는, 보호막 구조 형성 방법."]
["K04252","화학","KR","P","피라졸릴카르복스아미도알킬피페라진 유도체 및 이의제조방법(NOVEL PYRAZOLCARBOXAMIDOALKYLPIPERAZINE DEVRIVATIVES AND PREPARATION METHOD THEREOF)","본 발명은 신규한 피라졸릴카르복스아미도알킬피페라진 유도체와 이의 제조방법 및 이 화합물이 갖는 칼슘이온 채널 억제 효과에 의한 질환 치료제로 사용하는 의약적 용도에 관한 것이다.","하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴카르복스아미도알킬피페라진 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 : [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1은 수소원자; C1-C8의 알킬기; C3-C8의 시클로알킬기; C2-C8의 알케닐기; C2-C8의 알키닐기; 페닐기; 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기를 나타내고, R2는 수소원자; C1-C8의 알킬기; C4-C8의 시클로알킬기; 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로방향족기; 페닐기; 할로겐, C1-C8의 알킬, C3-C8의 시클로알킬, 또는 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로시클로알킬 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기를 나타내고, 다만 R2가 헤테로방향족기로서 퓨라닐기는 제외되며, R3은 C1-C8의 알킬기; 페닐, 메틸페닐, 메톡시페닐 및 할로페닐 중에서 선택된 치환체로 치환된 C1-C8의 알킬기; 페닐기; 할로겐, 히드록시, C1-C8의 알킬, C1-C8의 시클로알킬 및 C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기; 또는 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로방향족기를 나타내고; n은 1 내지 4의 정수이다.",11,"2007-0111220","2007-11-01","2009-0044924","2009-05-07","2009-09-10","0917037","2009-09-04","최경일 | 남길수 | 황현숙 | 임혜원 | 서선희 | 신희섭 | 김동진 | 한호규 | 조용서 | 배애님 | 신계정 | 강순방 | 신동윤 | 추현아 | 노은주","한국과학기술연구원","2027-11-01","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3509252000304","하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴카르복스아미도알킬피페라진 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 : [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1은 수소원자; C1-C8의 알킬기; C3-C8의 시클로알킬기; C2-C8의 알케닐기; C2-C8의 알키닐기; 페닐기; 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기를 나타내고, R2는 수소원자; C1-C8의 알킬기; C4-C8의 시클로알킬기; 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로방향족기; 페닐기; 할로겐, C1-C8의 알킬, C3-C8의 시클로알킬, 또는 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로시클로알킬 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기를 나타내고, 다만 R2가 헤테로방향족기로서 퓨라닐기는 제외되며, R3은 C1-C8의 알킬기; 페닐, 메틸페닐, 메톡시페닐 및 할로페닐 중에서 선택된 치환체로 치환된 C1-C8의 알킬기; 페닐기; 할로겐, 히드록시, C1-C8의 알킬, C1-C8의 시클로알킬 및 C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 페닐기; 벤질기; 할로겐, 히드록시, 카르복시산, 카르복시에스테르, 니트로, 아민, 티올, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체로 치환된 벤질기; 또는 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로방향족기를 나타내고; n은 1 내지 4의 정수이다. | 제 1항에 있어서, 상기 R1은 수소원자; C1-C8의 알킬기; C3-C8의 시클로알킬기; 또는 페닐기를 나타내고, 상기 R2는 수소원자; C1-C8의 알킬기; C3-C8의 시클로알킬기; 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로방향족기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고; 이때 치환된 페닐은 할로겐, C1-C8의 알킬, C3-C8의 시클로알킬, 또는 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로원자가 하나 이상 포함된 C3-C8의 헤테로시클로알킬 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환된 페닐기이고, 상기 R3은 C1-C8의 알킬기; 페닐 치환된 C1-C8의 알킬기; 페닐기; 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 치환된 벤질기를 나타내고, 이때 치환된 페닐 또는 벤질기는 할로겐, C1-C8의 알킬, 또는 C3-C8의 시클로알킬 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환된 페닐 또는 벤질기이고, 및 n은 1, 2, 3 또는 4인 것임을 특징으로 하는 화합물. | 제 1항에 있어서, 상기 R1은 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 또는 페닐기를 나타내고, 상기 R2는 수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 2-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 4-플루오로페닐기, 2-클로로페닐기, 3-클로로페닐기, 4-클로로페닐기, 3,4-디클로로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 4-시클로펜틸페닐기, 4-시클로헥실페닐기, 피페리디닐페닐기, 피페라지닐페닐기, 또는 몰포리노페닐기를 나타내고, 상기 R3은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 페닐메틸기, 비페닐메틸기, 페닐기, 2-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 4-플루오로페닐기, 2-클로로페닐기, 3-클로로페닐기, 4-클로로페닐기, 3,4-디클로로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 4-시클로펜틸페닐기, 4-시클로헥실페닐기, 벤질기, 2-플루오로벤질기, 3-플루오로벤질기, 4-플루오로벤질기, 2-클로로벤질기, 3-클로로벤질기, 4-클로로벤질기, 3,4-디클로로벤질기, 2,4-디클로로벤질기, 2-메틸벤질기, 3-메틸벤질기, 4-메틸벤질기, 2,4-디메틸벤질기, 3,4-디메틸벤질기를 나타내고, n은 1, 2, 3 또는 4인 것임을 특징으로 하는 화합물. | 제 1항에 있어서, N-[2-(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 1], N-[2-(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 2], N-[2-(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-[4-(피페리딘-1-일)페닐]-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 3], N-[2-(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 4], 2-(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-(4-클로로페닐)-1-t-부틸페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 6], N-{2-[(4-벤질피페라진-1-일)에틸]-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드[화합물번호 7], N-{2-[4-페닐피페라진-1-일]에틸}일-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 9], N-{2-[4-페닐피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 10], N-{2-[4-페닐피페라진-1-일]에틸}-5-(4-클로로페닐)-1-t-부틸페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 11], N-{2-[4-페닐피페라진-1-일]에틸}-5-[4-(피페리딘-1-일)페닐]-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 12], N-{2-[4-페닐피페라진-1-일-에틸-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 13], N-{2-[4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-(피페리딘-1-일)페닐]-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 14], N-{2-[4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 15], N-{2-[4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 16], N-{2-[4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 17], N-{2-[4-(4-푸루오로벤질)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 19], N-{2-[4-(4-푸루오로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 20], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 21], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-클로로페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 22], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 23], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 25], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 26], N-{2-[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 27], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-클로로페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 28], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 29], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 30], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 31], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 33], N-{2-[4-(디페닐메틸페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 34], N-{2-[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 35], N-{2-[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 37], N-{2-[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 38], N-{2-[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-5-메틸-1-피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 39], N-{2-[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 40], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 41], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 42], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 43], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 45], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-클로로페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 46], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 47], N-{2-[4-(4-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 48], N-{2-[4-(4-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 50], N-{2-[4-(4-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-클로로페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 51], N-{2-[4-(4-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 52], N-{2-[4-(4-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 53], N-{2-[4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 55], N-{2-[4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-(4-시클로헥실페닐)-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 56], N-{2-[4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 57], N-{2-[4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-클로로페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 58], N-{2-[4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 59], N-{2-[4-(2-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-페닐-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 60], N-{2-[4-(2-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-이소부틸-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 61], N-{2-[4-(2-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-프로필-1-페닐피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 62], N-{2-[4-(2-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-1-페닐-5-(4-피페리딘-1-일)페닐)피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 64], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-시클로헥실페닐)-1-피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 65], N-{2-[4-(4-풀루오로페닐)피페라진-1-일]에틸}-5-[(4-메틸페닐)-1-t-부틸]피라졸-3-카르복스아미드 [화합물번호 66], 또는 이들의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물. | 포스포늄계, 암모늄계, 카르보디이미드계, 이미다졸리늄계, 유기포스핀계 시약 중에서 선택된 아마이드 결합 형성제가 존재하는 조건하에서, 하기 화학식 2로 표시되는 피라졸카르복시산 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 피페라지닐아민 화합물을 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴카르복스아미도알킬피페라진 유도체의 제조방법 : 상기 반응식에서, R1, R2, R3 및 n은 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같다. | 삭제 | 제 5항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 피라졸카르복시산 화합물은 ⅰ) 하기 화학식 2a로 표시되는 케톤 화합물과 하기 화학식 2b로 표시되는 디에틸 옥살레이트를 염기 존재 하에 클라이센 (Claisen) 축합하여 하기 화학식 2c로 표시되는 디케토에스테르 화합물을 제조하고; 상기 반응식에서, R2는 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, ⅱ) 하기 화학식 2c로 표시되는 디케토에스테르 화합물을 R1-NHNH2로 표시되는 히드라진 화합물과 반응시켜 하기 화학식 2d로 표시되는 에톡시카르보닐피라졸 화합물을 제조하고; 상기 반응식에서, R1, 및 R2는 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, ⅲ) 하기 화학식 2d로 표시되는 에톡시카르보닐피라졸 화합물을 가수분해하여 화학식 2로 표시되는 피라졸카르복시산 화합물을 제조하는 과정 상기 반응식에서, R1, 및 R2는 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, 을 포함하여 이루어지는 방법을 수행하여 제조된 것을 특징으로 하는 제조방법. | 삭제 | 상기 청구항 1 내지 4 중에서 선택된 화합물이 유효성분으로 포함된 것임을 특징으로 하는 T-형 칼슘이온 채널의 길항작용에 의한 암 (cancer); 간질 (epilepsy), 파킨스씨병 (Parkinson's disease), 불면증, 수면장애 (sleep disorder) 중에서 선택된 뇌 질환; 고혈압 (hypertensive), 심부정맥, 협심증, 심근 경색증, 울혈성 심부전증 중에서 선택된 심장 질환; 신경성 통증 (neuropathic pain), 만성 및 급성 통증 (chronic and acute pain) 중에서 선택된 통증 질환의 치료 및 예방용 약제 조성물. | 상기 청구항 1 내지 4 중에서 선택된 어느 한 항의 화합물이 유효성분으로 포함된 것임을 특징으로 하는 것임을 특징으로 하는 암 치료 및 예방용 약제. | 상기 청구항 1 내지 4 중에서 선택된 어느 한 항의 화합물이 유효성분으로 포함된 것임을 특징으로 하는 것임을 특징으로 하는 간질, 파킨스씨병, 불면증, 수면장애 치료 및 예방용 약제. | 상기 청구항 1 내지 4 중에서 선택된 어느 한 항의 화합물이 유효성분으로 포함된 것임을 특징으로 하는 고혈압, 심부정맥, 협심증, 심근 경색증, 울혈성 심부전증 치료 및 예방용 약제. | 상기 청구항 1 내지 4 중에서 선택된 어느 한 항의 화합물이 유효성분으로 포함된 것임을 특징으로 하는 신경성 통증, 만성 통증, 급성 통증 치료용 약제."]
["K04278","화학","KR","P","신규6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 숙취 해소용조성물(Novel 6,8-di(γ,γ-demethylallyl)-3,5,7,2',4',6'-hexahydroxy- flavanone or pharmaceutically acceptable salt thereof, preparation method thereof and composition for removing hangover containing the same as an active ingredient)","본 발명은 본 발명은 알코올 탈수소효소(ADH) 및 아세트알데히드탈수소효소(ALDH) 활성화 및 숙취해소를 위한 혈중 알코올 제거작용을 갖는 신규 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 숙취 해소용 조성물에 관한 것으로, 본 발명은 따른 신규 화합물인 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염은 숙취해소 및 알코올의 분해에 관여하는 알코올 탈수소효소 및 아세트알데히드탈수소효소의 활성을 증가시키고 급성 독성이 없고, 천연물에서 분리되어 안전하므로 간보호용 또는 숙취해소용 음료 및 제제에 유용하게 사용될 수 있다.","하기 화학식 1로 표시되는 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. <화학식 1>",12,"2007-0111264","2007-11-02","2009-0045443","2009-05-08","2009-08-17","0912290","2009-08-07","양현옥 | 권학철 | 유지혜 | 최은주 | 김명수 | 남춘우","한국과학기술연구원","2027-11-02","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3509228000183","하기 화학식 1로 표시되는 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. <화학식 1> | 개느삼(Echinosophora koreensis)을 물, C1 내지 C4의 저급 알코올 또는 이들의 혼합용매로 추출하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 추출된 추출물을 헥산, 클로로포름, 부탄올로 차례로 분획하여 분획물을 얻는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 추출된 분획물 중 부탄올 분획물을 메탄올/물의 혼합용액을 사용하여 C18 역상 컬럼 크로마토그래피를 수행하여 메탄올/물 분획물을 얻는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 얻은 메탄올/물 분획물을 0.02%의 트리플루오르아세트산을 함유한 아세토니트릴 및 물의 혼합용액을 용리액으로 사용하여 C18 역상 컬럼 크로마토그래피를 재수행하여 화학식 1의 화합물을 얻는 단계(단계 4)를 포함하여 이루어지는 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 저급 알코올은 메탄올 또는 에탄올인 것을 특징으로 하는 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 단계 3은 메탄올/물의 혼합용액을 60분 동안 부피비로 60:40 -> 80:20으로 농도구배하여 수행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 단계 3에서 얻은 메탄올/물 분획물은 메탄올/물(80:20) 분획물인 것을 특징으로 하는 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논의 제조방법. | 제2항에 있어서, 상기 단계 4의 아세토니트릴/물의 혼합용액을 60분 동안 부피비로 10:90 -> 100:0으로 농도구배하여 수행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논의 제조방법. | 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 숙취 해소용 조성물. | 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 알코올성 간 보호용 조성물. | 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논은 알코올 탈수소효소의 활성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 조성물. | 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논은 아세트알데히드 탈수소효소의 활성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 조성물. | 제1항의 6,8-디(γ,γ-디메틸알릴)-3,5,7,2',4',6'-헥사히드록시플라바논 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 숙취 해소용 건강식품. | 제11항에 있어서, 상기 건강식품은 음료, 껌, 비타민 복합제 또는 건강보조식품인 것을 특징으로 하는 숙취 해소용 건강식품."]
["K04424","화학","KR","P","고체 산 촉매 및 이온성 액체를 이용한 셀룰로오스가수분해 방법(Method for Hydrolyzing Cellulose Using Solid Acid Catalyst and Ionic Liquid)","고체 산 촉매와 이온성 액체를 사용하여 셀룰로오스를 가수분해하는 방법이 개시된다. 상기 가수분해 방법은 셀룰로오스의 가수분해 반응의 효율을 향상시켜 높은 수율의 글루코오스 생성이 가능하다.","고체 산 촉매 및 이온성 액체를 이용하여 셀룰로오스를 가수분해하는 방법으로,가수분해 반응 이전에 셀룰로오스를 이온성 액체로 전처리하며,상기 이온성 액체는 다른 환 구조와 융합되지 않은 단일 5 원 또는 6 원 환을 함유하는 양이온 및 음이온으로 구성되는 셀룰로오스 가수분해 방법.",17,"2008-0046029","2008-05-19","2009-0120139","2009-11-24","2011-07-12","1048645","2011-07-06","서영웅 | 서동진 | 박태진 | 윤영현 | 김수진","한국과학기술연구원","2028-05-19","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511282000218","고체 산 촉매 및 이온성 액체를 이용하여 셀룰로오스를 가수분해하는 방법으로,가수분해 반응 이전에 셀룰로오스를 이온성 액체로 전처리하며,상기 이온성 액체는 다른 환 구조와 융합되지 않은 단일 5 원 또는 6 원 환을 함유하는 양이온 및 음이온으로 구성되는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 삭제 | 제 1 항에 있어서, 상기 고체 산 촉매는 제올라이트, 실리카-알루미나, 양이온 교환 수지, 황산이 담지된 금속산화물 및 헤테로폴리산으로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 3 항에 있어서, 상기 제올라이트는 8개의 산소원자로 구성된 고리, 10개의 산소원자로 구성된 고리, 12개의 산소원자로 구성된 고리 또는 상기 고리들이 혼재된 혼성고리로 구성된 세공 입구를 갖는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 4 항에 있어서, 상기 제올라이트는 ZSM-5, 제올라이트 Y, 제올라이트 베타(β), 모데나이트(mordenite) 또는 페리어라이트(ferrierite)인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 3 항에 있어서, 상기 양이온 교환 수지는 강산성 양이온 교환 수지인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 6 항에 있어서, 상기 강산성 양이온 교환 수지는 스티렌계 수지, 퍼플루오르화 술폰산계 수지, 또는 퍼플루오르화 술폰산계 수지와 실리카의 복합물질인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 3 항에 있어서, 상기 황산이 담지된 금속산화물은 황산이 담지된 지르코니아, 타이타니아 및 란타니아로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 또는 그 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 3 항에 있어서, 상기 헤테로폴리산은 포스포몰리브덴산, 포스포바나듐산 또는 포스포몰리브도바나듐산인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 삭제 | 　제 1 항에 있어서,상기 양이온은 피리디늄, 피리다지늄, 피리미디늄, 피라지늄, 이미다졸륨, 피라졸륨, 옥사졸륨, 1,2,3-트리아졸륨 또는 1,2,4-트리아졸륨 양이온이고, 상기 음이온은 아세테이트, 할로겐 또는 C1-6 카복실레이트 음이온인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 　제 11 항에 있어서,상기 양이온은 이미다졸륨 양이온이고, 상기 음이온은 할로겐 음이온인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 1 항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 1 항에 있어서,상기 이온성 액체의 농도는 0.1 내지 1 M인 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 1 항에 있어서, 상기 가수분해 반응이 130 내지 170℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 15 항에 있어서,상기 가수분해 반응이 140 내지 160℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 1 항에 있어서,상기 가수분해 반응이 0.3 내지 1 MPa의 압력하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 17 항에 있어서,상기 가수분해 반응이 0.45 내지 0.65 MPa의 압력하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법. | 제 1 항에 있어서,상기 가수분해 반응이 2 내지 6 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 셀룰로오스 가수분해 방법."]
["K04485","화학","KR","P","신규 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 Ｔ-형 칼슘 이온 채널의 활성에 의해 유발되는 질환의 예방 또는 치료용 조성물(Novel phenylacetate derivatives or pharmaceutically acceptable salts thereof, preparation method thereof and composition for prevention or treatment of diseases induced by activation of T-type calcium ion channel containing the same as an active ingredient)","본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 T-형 칼슘 이온 채널의 활성에 의해 유발되는 질환의 예방 또는 치료용 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 페닐아세테이트 유도체를 함유하는 조성물은 T-형 칼슘 이온 채널 활성을 효과적으로 억제하므로 T-형 칼슘 이온 채널의 활성에 의해 유발되는 고혈압, 암, 간질, 신경성 통증 등의 질병의 예방 또는 치료제로서 유용하게 사용될 수 있다.[화학식 1].(상기 화학식 1에서, 상기 X, R1 및 R2는 본 명세서에서 정의된 바와 같다.)","하기 화학식 1로 표시되는 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염:[화학식 1].(상기 화학식 1에서X는 수소, 할로겐 또는 C1~4 알콕시이고,R1은 C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬이고,R2는 또는 이고,이때, R3 및 R4는 독립적으로 또는 선택적으로 H, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시이고,Y는 C 또는 N이며,R5는 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 페닐; 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 벤질; 또는 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 벤질리덴이다.)",11,"2008-0084563","2008-08-28","2010-0042671","2010-04-27","2011-07-29","1052620","2011-07-22","신계정 | 이형국 | 노은주 | 배애님 | 서선희 | 백이연 | 김윤지 | 신희섭 | 김동진 | 최경일 | 임혜원 | 정혜진 | 남길수 | 조용서 | 추현아 | 한호규 | 강순방 | 신동윤 | 정찬성 | 김은경 | 정혜선 | 김기선 | 금교창 | 이철주 | 민선준 | 남기달 | 이재균 | 강용구 | 박웅서 | 김영수 | 최기현 | 송치만","한국과학기술연구원","2028-08-28","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511302000910","하기 화학식 1로 표시되는 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염:[화학식 1].(상기 화학식 1에서X는 수소, 할로겐 또는 C1~4 알콕시이고,R1은 C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬이고,R2는 또는 이고,이때, R3 및 R4는 독립적으로 또는 선택적으로 H, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시이고,Y는 C 또는 N이며,R5는 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 페닐; 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 벤질; 또는 비치환 또는 1 이상의 할로겐, C1~4 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C1~4 알콕시로 치환된 벤질리덴이다.) | 제1항에 있어서, 상기 X는 수소, 염소, 브롬, 메톡시 또는 에톡시이고,R1은 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필이고,R2는 또는 이고,이때, R3 및 R4는 독립적으로 또는 선택적으로 H, 메틸, 에틸, 메톡시 또는 에톡시이고,Y는 C 또는 N이며,R5는 비치환 또는 1 이상의 플루오린, 염소, 브롬, 메틸, 에틸, 메톡시 또는 에톡시로 치환된 페닐; 비치환 또는 1 이상의 플루오린, 염소, 브롬, 메틸, 에틸, 메톡시 또는 에톡시로 치환된 벤질; 또는 비치환 또는 1 이상의 플루오린, 염소, 브롬, 메틸, 에틸, 메톡시 또는 에톡시로 치환된 벤질리덴인 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. | 제1항에 있어서, 상기 X는 수소, 브롬 또는 메톡시이고,R1은 메틸 또는 에틸이고,R2는 또는 이고,이때, R3 및 R4는 독립적으로 또는 선택적으로 H, 메틸 또는 메톡시이고,Y는 C 또는 N이며,R5는 페닐, 디페닐, 플루오로페닐, 클로로페닐, 메톡시페닐, 플루오로벤질, 트리플루오로벤질, 클로로벤질, 디클로로벤질, 2-클로로-6-플루오로벤질, 메틸벤질, t-부틸벤질, 메톡시벤질, 트리메톡시벤질, 플루오로벤질리덴, 클로로벤질리덴, 메틸벤질리덴 또는 메톡시벤질리덴인 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. | 제1항에 있어서, 상기 페닐아세테이트 유도체는(1) 5-{[3-(1H-벤즈이미다졸-2-일)프로필]메틸아미노}-2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필펜탄산 메틸 에스테르;(2) 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-페닐피페라진-1-일)펜탄산 메틸 에스테르;(3) 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-[4-(4-메톡시벤질리덴)피페리딘-1-일]펜탄산 메틸 에스테르;(4) 메틸 5-((3-(1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(5) 메틸 2-이소프로필-5-((3-(5-메톡시-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(6) 메틸 5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(7) 메틸 5-((3-(1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-(3,4-디메톡시페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(8) 메틸 2-(3,4-디메톡시페닐)-2-이소프로필-5-((3-(5-메톡시-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)펜타노에이트;(9) 메틸 2-(3,4-디메톡시페닐)-5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필펜타노에이트;(10) 에틸 5-((3-(1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필-2-페닐펜타노에이트;(11) 에틸 5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필-2-페닐펜타노에이트;(12) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필펜타노에이트;(13) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-((3-(5-메톡시-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)펜타노에이트;(14) 메틸 5-((3-(1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(15) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-((3-(5-메톡시-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)펜타노에이트;(16) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-이소프로필펜타노에이트;(17) 메틸 5-((3-(1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(18) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-((3-(5-메톡시-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)펜타노에이트;(19) 메틸 5-((3-(5,6-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)프로필)(메틸))아미노)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(20) 에틸 2-이소프로필-5-(4-(2-메톡시페닐)피페라진-1-일)-2-페닐펜타노에이트;(21) 에틸 2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시페닐)피페라진-1-일)-2-페닐펜타노에이트;(22) 에틸 2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시페닐)피페라진-1-일)-2-페닐펜타노에이트;(23) 에틸 2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페라진-1-일)-2-페닐펜타노에이트;(24) 에틸 5-(4-(2-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필-2-페닐펜타노에이트;(25) 에틸 5-(4-(4-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필-2-페닐펜타노에이트;(26) 에틸 5-(4-(4-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필-2-페닐펜타노에이트;(27) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-페닐피페라진-1-일)펜타노에이트;(28) 메틸 5-(4-벤즈하이드릴피페라진-1-일)-2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(29) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(2-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(30) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(31) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(2-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(32) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(33) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(34) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(35) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(36) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(37) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(38) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(39) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(40) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2,3,4-트리메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(41) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(42) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(43) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-t-부틸벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(44) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(45) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(46) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(47) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(48) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(2-클로로-6-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(49) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(2-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(50) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(3-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(51) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(4-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(52) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(53) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(54) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(55) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3,4,5-트리메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(56) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(57) 메틸 2-(3-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(58) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(4-t-부틸벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(59) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(60) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(4-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(61) 메틸 2-(3-브로모페닐)-5-(4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(62) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-페닐피페라진-1-일)펜타노에이트;(63) 메틸 5-(4-벤즈하이드릴피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(64) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-5-(4-(2-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(65) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-5-(4-(4-플루오로페닐)피페라진-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(66) 메틸 5-(4-(2-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(67) 메틸 5-(4-(3-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(68) 메틸 5-(4-(4-플루오로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(69) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(70) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-(트리플루오로메틸)벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(71) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(72) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(73) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시페닐)피페라진-1-일)펜타노에이트;(74) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(75) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2,3,4-트리메톡시벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(76) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(77) 메틸 2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메틸벤질)피페라진-1-일)펜타노에이트;(78) 메틸 5-(4-(4-t-부틸벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(79) 메틸 5-(4-(3-클로로페닐)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(80) 메틸 5-(4-(3-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(81) 메틸 5-(4-(4-클로로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(82) 메틸 5-(4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일)-2-(4-플루오로페닐)-2-이소프로필펜타노에이트;(83) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(84) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(85) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(86) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(87) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(88) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(4-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(89) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(90) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(3-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(91) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(92) 메틸 2-(4-브로모페닐)-2-이소프로필-5-(4-(2-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(93) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-클로로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(94) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-클로로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(95) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3-클로로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(96) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(3-클로로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(97) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-플루오로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(98) 메틸 2-(4-브로모페닐)-5-(4-(4-플루오로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필펜타노에이트;(99) 메틸 2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(100) 메틸 2-이소프로필-5-(4-(4-메톡시벤질)피페리딘-1-일)-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(101) 메틸 2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(102) 메틸 2-이소프로필-5-(4-(3-메톡시벤질)피페리딘-1-일)-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(103) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(4-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(104) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(4-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(105) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(3-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(106) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(3-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(107) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(2-메틸벤질리덴)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(108) 메틸 2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)-5-(4-(2-메틸벤질)피페리딘-1-일)펜타노에이트;(109) 메틸 5-(4-(4-클로로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(110) 메틸 5-(4-(4-클로로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(111) 메틸 5-(4-(3-클로로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(112) 메틸 5-(4-(3-클로로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트;(113) 메틸 5-(4-(4-플루오로벤질리덴)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트; 및(114) 메틸 5-(4-(4-플루오로벤질)피페리딘-1-일)-2-이소프로필-2-(4-메톡시페닐)펜타노에이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. | 하기 반응식 1에 표시되는 바와 같이, 출발물질인 화학식 2의 카르복시산 화합물을 산촉매 하에서 에스테르화 반응시켜 화학식 3의 에스테르 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 화학식 3의 화합물을 t-부톡사이드 및 이소프로필 브로마이드와 반응시켜 화학식 4의 화합물을 제조하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 제조된 화학식 4의 화합물을 1,3-디브로모프로판과 반응시켜 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 제조된 화학식 5의 화합물을 화학식 6 또는 화학식 7의 화합물과 반응시켜 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계(단계 4)를 포함하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법:[반응식 1].(상기 식에서, R1, R2, R3, R4, R5, X 및 Y는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.) | 제5항에 있어서, 상기 단계 1은 화학식 2의 카르복시산 화합물을 메탄올에 용해시킨 후, 85~95 ℃에서 황산의 존재 하에 2~4시간 동안 가열 환류시켜 화학식 3의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 단계 2는 화학식 3의 화합물과 t-부톡사이드를 0 ℃에서 반응용매인 무수 디메틸포름아미드에 용해시킨 후, 이소프로필 브로마이드를 첨가하여 상온에서 2~4시간 동안 교반하여 화학식 4의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 단계 3은 -75 ~ -80 ℃에서 무수 테트라히드로퓨란에 디이소프로필아민과 헥산에 n-부틸리튬을 용해시킨 용액을 차례대로 첨가하여 용해시킨 후, 화학식 4의 화합물을 넣고 교반시킨 다음, 1,3-디브로모프로판을 무수 테트라히드로퓨란에 넣은 용액에 적가하여 상온에서 밤새 교반시킴으로써 화학식 5의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 단계 4에서 화학식 5의 화합물을 화학식 6의 화합물과 반응시키는 경우, 화학식 5를 메탄올에 용해시킨 후, 화학식 6의 화합물과 탄산칼륨을 첨가하여 85~95 ℃에서 2~4시간 동안 가열 환류시킴으로써 화학식 1의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법. | 제5항에 있어서, 상기 단계 4에서 화학식 5의 화합물을 화학식 7의 화합물과 반응시키는 경우, 화학식 5를 아세토니트릴에 용해시킨 후, 화학식 7의 화합물과 트리에틸아민, 요오드산나트륨을 차례대로 첨가하여 85~95 ℃에서 2~4시간 동안 가열 환류시킴으로써 화학식 1의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 페닐아세테이트 유도체의 제조방법. | 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 페닐아세테이트 유도체의 중간체:[화학식 4][화학식 5].(상기 화학식 4 또는 5에 있어서, X 및 R1은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.) | 삭제 | 삭제"]
["K04543","화학","KR","P","칼슘이온 채널 조절제로서 유효한 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체와 이의 제조방법(NOVEL PYRAZOLYLMETHYLAMINE COMPOUNDS AS CALCIUM CHANNEL MODULATORS AND PREPARATION METHOD THEREOF)","본 발명은 칼슘이온 채널 조절제로서 유효한 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 및 이의 약제학적으로 허용 가능한 염, 이들 화합물의 제조방법, 그리고 이 화합물이 갖는 칼슘이온 채널 억제 효과에 의한 질환 치료제로 사용하는 의약적 용도에 관한 것이다.","하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 및 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, Y는 -(CH2)n-C(O)-; 또는 -C(O)-(CH2)n-를 나타내고, 이때 n은 1 내지 4의 정수이고, R1및R2는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자; C1-C8의 알킬기; 페닐기; 카르복시산, C1-C8의 티오알킬, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시, 피페리디닐, 및 모폴리노 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 펜에틸기; 퓨릴기; 또는 피리딜기를 나타내고, 그리고R3은 페닐기; 히드록시, 시아노, 및 C1-C8의 알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시, 및 C1-C8의 할로알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 벤질기; 퓨릴, 피리딜, 피리미딜, 및 피페로닐 중에서 선택된 헤테로아릴기; 벤즈히드릴기; 할로겐 치환된 벤즈히드릴기; 또는 퓨라노일기를 나타낸다.",10,"2008-0101249","2008-10-15","2010-0042111","2010-04-23","2011-07-27","1052065","2011-07-20","남길수 | 최경일 | 김혜란 | 서선희 | 백이연 | 김윤지 | 신희섭 | 김동진 | 배애님 | 정혜진 | 추현아 | 임혜원 | 조용서 | 노은주 | 금교창 | 최기현 | 신계정 | 한호규 | 정찬성 | 이재균 | 남기달 | 강용구 | 김영수 | 박웅서 | 김은경 | 김기선 | 정혜선 | 신동윤 | 송치만","한국과학기술연구원","2028-10-15","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511302001290","하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 및 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, Y는 -(CH2)n-C(O)-; 또는 -C(O)-(CH2)n-를 나타내고, 이때 n은 1 내지 4의 정수이고, R1및R2는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자; C1-C8의 알킬기; 페닐기; 카르복시산, C1-C8의 티오알킬, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시, 피페리디닐, 및 모폴리노 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 펜에틸기; 퓨릴기; 또는 피리딜기를 나타내고, 그리고R3은 페닐기; 히드록시, 시아노, 및 C1-C8의 알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 또는 할로, C1-C8의 알킬, C1-C8의 알콕시, 및 C1-C8의 할로알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 벤질기; 퓨릴, 피리딜, 피리미딜, 및 피페로닐 중에서 선택된 헤테로아릴기; 벤즈히드릴기; 할로겐 치환된 벤즈히드릴기; 또는 퓨라노일기를 나타낸다. | 삭제 | 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서Y는 -CH2-C(O)- ; 또는 -C(O)-CH2- 를 나타내고,R1은 수소원자; 페닐기; 카르복실페닐기; C1-C8의 알콕시페닐기; 또는 벤질기를 나타내고,R2는 C1-C8의 알킬기; 페닐기; C1-C8의 알킬, C1-C8의 티오알킬, C1-C8의 알콕시, 피페리딘 및 모폴리노 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 펜에틸기; 퓨릴기; 또는 피리딜기를 나타내고, 그리고R3는 페닐기; 히드록시, 시아노, 및 C1-C8의 알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 할로겐, C1-C8의 알킬, C1-C8의 할로알킬, 및 C1-C8의 알콕시 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 벤질기; 퓨릴, 피리딜, 피리미딜, 및 피페로닐 중에서 선택된 헤테로아릴기; 벤즈히드릴기; 할로겐 치환된 벤즈히드릴기; 또는 퓨라노일기를 나타내고 있는, 것을 특징으로 하는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물. | 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서Y는 -CH2-C(O)- , 또는 -C(O)-CH2- 를 나타내고,R1은 수소원자, 페닐기, 카르복실페닐기, 메톡시페닐기, 또는 벤질기를 나타내고,R2는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 페닐기, 톨루일기, 메톡시페닐기, 티오메틸페닐기, 모폴리노페닐기, 피페리디노페닐, 펜에틸기, 퓨릴기, 또는 피리딜기를 나타내고, 그리고R3는 페닐기, 히드록시페닐기, 시아노페닐기, 디메틸페닐기, 벤질기, 할로벤질기, 디할로벤질기, 메틸벤질기, 디메틸벤질기, 트리메틸벤질기, 트리플루오로메틸벤질기, 트리메톡시벤질기, 벤즈히드릴기, (할로페닐)(페닐)메틸기, 피리딜기, 피리미딜기, 피페로닐기, 또는 퓨라노일기를 나타내고 있는,것을 특징으로 하는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물. | 제 1 항에 있어서, 3-{[4-(2,3-디메틸)페닐피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 1)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 2)3-[(4-벤즈히드릴)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 3)3-{[4-(2,4-디메틸페닐피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 4)3-{[4-(3-트리플루오로메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 5)3-{[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 6)3-{[4-(4-트리플루오로메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 7)3-{4-(2,3,4-트리메톡시)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 8)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 9)3-{[4-(2,3-디메틸페닐피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 10)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 11)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 12)3-{[4-(3-트리플루오로메틸벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 13)3-{[4-(4-트리플루오로메틸벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 14)3-{[4-(3-트리플루오로메틸벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 15)3-{[4-(4-트리플루오로메틸벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 16) 3-{[4-(2,3,4-트리메톡시)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 17)3-{[4-(2,3,4-트리메톡시)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 18)3-[4-(벤즈히드릴피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 19)3-[4-(벤즈히드릴피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 20)3-[4-(피페로닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 21)3-[4-(피페로닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 22)3-{[4-(3,4-다이클로로)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 23)3-{[4-(3,4-다이클로로)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 24)3-{[4-(4-클로로페닐)(페닐)메틸피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 25) 3-[(4-(4-클로로페닐)(페닐)메틸피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 26)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 27)3-{[4-(2,3-디메틸)페닐피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 28)3-{[4-(2,4-디메틸)페닐피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 29)3-[(4-벤즈히드릴피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 30)3-{[4-(3-트리플루오로메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 31)3-{[4-(4-트리플루오로메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 32)3-[4-(피페로닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 33) 3-{[4-(2-피리딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 34)3-{[4-(2-피리미딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 35)3-{4-(2-피리딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 36) 3-{[4-(2-피리미딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 37)3-{[4-(2-(피리딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 38)3-{[4-(2-피리미딜)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 39)3-{[4-(4-터셜-부틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 40)3-{[4-(2,4,6-트리메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 41)3-{[4-(4-터셜-부틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 42)3-{[4-(2,4,6-트리메틸)벤질피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 43)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-메톡시)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 44)3-{[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-메톡시)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 45)3-{[(4-퓨로일)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 46)3-{[(4-퓨로일)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 47)3-{[4-(2-시아노페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 48)3-{[4-(2-시아노페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 49)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-티오메틸)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 50)3-{[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-티오메틸)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 51)3-{[4-(3-히드록시페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 52)3-{[4-(3-히드록시페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 53)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-(4-티오메틸)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 54)3-{[4-(3-히드록시페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-티오메틸)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 55)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-프로필-1-(4-카르복실)페닐-1H-피라졸 (화합물번호 56)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-(4-카르복실)페닐-1H-피라졸 (화합물번호 57)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-(4-카르복실)페닐-1H-피라졸 (화합물번호 58)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-모폴리노)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 59)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-(4-모폴리노)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 60)3-{[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-모폴리노)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 61)3-{[4-(3-트리플로로벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-모폴리노)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 62)3-{[4-(4-트리플로로벤질)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(4-모폴리노)페닐-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 63) 3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 64)3-[(4-벤즈히드릴피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 65) 3-[(4-페닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 66)3-[(4-페닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 67)3-[(4-벤즈히드릴피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 68)3-{[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 69)3-[(4-페닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 70)3-[(4-벤즈히드릴피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 71)3-{[4-(2,4-디메틸)페닐피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 72)3-{[4-(2,4-디메틸)페닐피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 73)3-{[4-(3,4-다이클로로)벤질피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-메틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 74)3-{[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 75)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 76)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 77)3-{[4-(3,4-디클로로벤질)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 78)3-[(4-피페로닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 79)3-[(4-피페로닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-퓨릴-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 80)3-{[4-(2,3,4-트리메톡시벤질)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-이소부틸-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 81)3-{[4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 82)3-{[4-(2,4-디메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 83)3-[(4-페닐피페라진-1-일)카보닐메틸아미노]메틸-5-프로필-1-페닐-1H-피라졸 (화합물번호 84)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-메틸-1-[(4-메톡시)페닐]-1H-피라졸 (화합물 번호 85)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-[(4-피페리디노)페닐]-1-페닐-1H-피라졸 (화합물 번호 86)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-이소부틸-1-[(4-메톡시)페닐]-1H-피라졸(화합물 번호 87)3-{(4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-이소부틸-1-[(4-메톡시)페닐]-1H-피라졸 (화합물 번호 88)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-(2-피리딜)-1-페닐-1H-피라졸 (화합물 번호 89)3-{(4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-(2-피리딜)-1-페닐-1H-피라졸 (화합물 번호 90) 3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-[(4-메틸)페닐]-1-페닐-1H-피라졸 (화합물 번호 91)3-{(4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-[(4-메틸)페닐]-1-페닐-1H-피라졸 (화합물 번호 92)3-[(4-페닐피페라진-1-일)메틸카르복사미도]메틸-5-메틸-1-벤질-1H-피라졸 (화합물 번호 93)3-{(4-(2,3-디메틸페닐)피페라진-1-일]메틸카르복사미도}메틸-5-메틸-1-벤질-1H-피라졸(화합물 번호 94)3-{[4-(2,3-다이메틸페닐)피페라진-1-일]카보닐메틸아미노}메틸-5-메틸-1H-피라졸 (화합물 번호 95)또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염 중에서 선택된 화합물. | 하기 화학식 1로 표시되는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체 또는 이의 약제학적으로 허용 가능한 염이 유효성분으로 포함되고, 간질, 우울증, 파킨스씨병, 치매 및 수면장애 중에서 선택된 뇌질환 치료용, 고혈압, 심부정맥, 협심증, 심근 경색증 및 울혈성 심부전증 중에서 선택된 심장질환 치료용, 또는 급성 통증, 만성 만성 통증 및 신경성 통증 중에서 선택된 통증의 완화용 약제 조성물 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, Y는 -(CH2)n-C(O)-; 또는 -C(O)-(CH2)n-를 나타내고, 이때 n은 1 내지 4의 정수이고, R1및R2는 서로 같거나 다른 것으로서 C1-C8의 알킬기; 페닐기; 또는 퓨릴기를 나타내고, 그리고R3은 페닐기; C1-C8의 알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 페닐기; 벤질기; 할로, 및 C1-C8의 할로알킬 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환된 벤질기; 피리딜기; 피페로닐기; 또는 벤즈히드릴기를 나타낸다. | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 하기 화학식 2로 표시되는 피페라진아세틸 할라이드 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 피라졸릴메틸아민 화합물을 결합반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1a로 표시되는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체의 제조방법 :상기 반응식에서, R1, R2, 및 R3은 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐원자를 나타낸다. | 하기 화학식 4로 표시되는 피페라진 화합물과 하기 화학식 5로 표시되는 피라졸릴메틸카르복사미도메틸 할라이드 화합물을 결합반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1b로 표시되는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체의 제조방법 :상기 반응식에서, R1, R2, 및 R3은 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐원자를 나타낸다. | 제 10 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 피페라진 화합물을 할로아세틸 할라이드와 반응시켜 제조된 것을 특징으로 하는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체의 제조방법 :상기 반응식에서, R3은 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐원자를 나타낸다. | 제 11 항에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 피라졸릴메틸카르복사미도메틸 할라이드 화합물은하기 화학식 7로 표시되는 피라졸릴알데히드 화합물을 하기 화학식 8로 표시되는 피라졸릴옥심 화합물으로 전환하는 과정,하기 화학식 8로 표시되는 피라졸릴옥심 화합물을 하기 화학식 9로 표시되는 피라졸릴아민 화합물으로 전환하는 과정, 및하기 화학식 9로 표시되는 피라졸릴아민 화합물을 하기 화학식 5로 표시되는 피라졸릴메틸카르복사미도메틸 할라이드 화합물으로 전환하는 과정;을 수행하여 제조된 것을 특징으로 하는 피라졸릴메틸아민-피페라진 유도체의 제조방법 :상기 반응식에서, R1, 및 R2는 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐원자를 나타낸다. | 하기 화학식 5로 표시되는 피라졸릴메틸카르복사미도메틸 할라이드 화합물 :[화학식 5]상기 화학식 5에서, R1, 및 R2는 각각 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐원자를 나타낸다."]
["K04594","화학","KR","P","옥사스파이로 화합 및 이 화합물의 제조방법(Oxaspiro compounds and their preparation method)","본 발명은 옥사스파이로 화합물 및 이 화합물의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 메틸렌사이클로알칸다이올 유도체와 카르보 화합물을 출발물질로 사용하여 루이스산 존재하에서 프린스 고리화 반응 및 알킬 자리 옮김 반응을 동시에 수행하여 제조된 하기 화학식 1로 표시되는 신규 옥사스파이로 화합물과 이 화합물의 제조방법에 관한 것이다. [화학식 1]상기 화학식 1에서, R1및 R2는 각각 수소원자; C1-C6의 알킬기; 또는 할로겐, 니트로, C1-C6의 알킬, 및 C1-C6의 알콕시 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 또한 R1및 R2는 서로 결합하여 5각형 내지 7각형의 지방족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, n은 0, 1 또는 2를 나타낸다.","하기 화학식 1로 표시되는 옥사스파이로 화합물 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1및 R2는 각각 수소원자; 비치환된 C1-C6의 알킬기; 또는 할로겐, 니트로, C1-C6의 알킬, 및 C1-C6의 알콕시 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 또한 R1및 R2는 서로 결합하여 5각형 내지 7각형의 지방족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, n은 0, 1 또는 2를 나타낸다.",7,"2009-0010234","2009-02-09","2010-0090979","2010-08-18","2011-11-22","1084734","2011-11-11","조용서 | 김유승 | 이재균 | 민선준 | 배애님 | 추현아 | 사티쉬 샤브로","한국과학기술연구원","2029-02-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511472000748","하기 화학식 1로 표시되는 옥사스파이로 화합물 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1및 R2는 각각 수소원자; 비치환된 C1-C6의 알킬기; 또는 할로겐, 니트로, C1-C6의 알킬, 및 C1-C6의 알콕시 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 또한 R1및 R2는 서로 결합하여 5각형 내지 7각형의 지방족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, n은 0, 1 또는 2를 나타낸다. | 제 1 항에 있어서,상기 R1및 R2가 각각 수소원자, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-부틸기, 아이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 사이클로펜틸기, n-헥실기, 사이클로헥실기, 2-클로로페닐기, 3-클로로페닐기, 4-클로로페닐기, 2,3-다이클로로페닐기, 2-니트로페닐기, 3-니트로페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2,4-다이메틸페닐기, 2-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 4-메톡시페닐기, 또는 2,4-다이메톡시페닐기이거나, 또는 R1및 R2가 서로 결합하여 형성된 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로펜테닐, 사이클로헥실, 사이클로헥세닐, 사이클로헵틸, 또는 페닐기를 나타내며, n은 0, 1 또는 2를 나타내는 것임을 특징으로 하는 옥사스파이로 화합물. | 제 1 항에 있어서,(3R,5R)-3-(4-나이트로페닐)-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온, (3R,5R)-3-(4-클로로페닐)-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(3R,5R)-3-페닐-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(3R,5R)-3-아이소프로필-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(3S,5R)-3-펜틸-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(3R,5R)-3-(4-메톡시페닐)-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,1-(1-옥사스파이로[4.4]노난-3-일)노난-6-온,1-(1-옥사스파이로[4.5]데칸-3-일)노난-6-온,(5R)-3-부틸-3-메틸-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(5R)-3-메틸-3-페닐-2-옥사스파이로[4.4]노난-6-온,(3R,5R)-3-(4-나이트로페닐)-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온,(3R,5R)-3-(4-클로로페닐)-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온,(3R,5R)-3-페닐-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온,(3R,5R)-3-아이소프로필-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온,(3S,5R)-3-펜틸-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온, 및(3R,5R)-3-(4-메톡시페닐)-2-옥사스파이로[4.5]데칸-6-온중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 옥사스파이로 화합물. | 루이스산 존재하에서 하기 화학식 2로 표시되는 메틸렌사이클로알칸다이올 유도체와 하기 화학식 3으로 표시되는 카르보 화합물을 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 옥사스파이로 화합물의 제조방법:[화학식 2][화학식 3][화학식 1]상기 화학식 1, 2 또는 3에서, R1및 R2는 각각 수소원자; 비치환된 C1-C6의 알킬기; 또는 할로겐, 니트로, C1-C6의 알킬, 및 C1-C6의 알콕시 중에서 선택된 1 내지 3개의 치환체로 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 또한 R1및 R2는 서로 결합하여 5각형 내지 7각형의 지방족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, n은 0, 1 또는 2를 나타낸다. | 제 4 항에 있어서, 상기 반응용매로는 다이클로로메탄을 사용하는 것을 특징으로 하는 옥사스파이로 화합물의 제조방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 루이스산으로는 트라이메틸실릴 트라이플루오로메탄설포네이트(TMSOTf)을 사용하며, 상기 루이스산은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에 대하여 1 내지 3 당량 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 옥사스파이로 화합물의 제조방법. | 제 4 항에 있어서, 상기 반응온도는 -90 ℃ 내지 25 ℃ 범위를 유지하는 것을 특징으로 하는 옥사스파이로 화합물의 제조방법."]
["K04606","화학","KR","P","신규한 티아졸린계 화합물 및 이를 포함하는 Ｔ-형 칼슘 채널 저해제(NOVEL THIAZOLINE-BASED COMPOUNDS AND T-TYPE CALCIUM CHANNEL INHIBITORS CONTAINING THE SAME)","본 발명은 아래의 화학식 1의 구조를 갖는 티아졸린계 화합물 및 이를 포함하는 T-형 칼슘 채널 저해제에 관한 것이다. 본 발명의 T-형 칼슘 채널 저해제는 T-형 칼슘 채널의 과다 발현과 관련된 질병의 치료제로서 유용하다. (화학식 1)","아래의 화학식 1의 구조를 갖는 화합물:(화학식 1)상기 식 중, R1은 수소, 및 C1-C5의 직쇄 또는 분지형 알킬로 이루어진 군에서 선택된 것이고,X는 CH2, CH2CH2, CH2CH2CH2, C=O, COCH2, 및 COCH2CH2로 이루어진 군에서 선택된 것이며, R2는 C3-C10의 사이클로알킬, 아다만틸, 페닐, 치환된 페닐, 치환된 알킬(C1-C3) 페닐, 및 로 이루어진 군에서 선택된 것으로, 상기 치환된 페닐 또는 치환된 알킬(C1-C3) 페닐은 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 할로겐 원자, C1-C5 직쇄 또는 분지형 알킬, C1-C5 알콕시, 트리플루오로메틸, 페녹시, 및 치환된 페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, 상기 치환된 페녹시는 하나 이상의 수소 원자가 C1-C3 알킬, 할로겐 원자, 및 니트로로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이며, 단, X가 C=O, COCH2, 또는 COCH2CH2인 경우 R2는 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 상기 치환된 페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기이며, R5는 페닐, 치환된 페닐, C3-C10 시클로알킬, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이며, 이 때, 치환된 페닐은 하나 이상의 수소 원자가 C1-C5 알킬, 및 트리플루오로메틸로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, R3는 C1-C5의 직쇄 또는 분지형 알킬기, C3-C6의 사이클로알킬, 및 벤질기로 이루어진 군에서 선택된 것이며,R4는 C3-C12 사이클로알킬, C4-C17 알킬사이클로알킬, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이고,n은 0 또는 1이며, Y는 할로겐 원자이다.",6,"2008-0121802","2008-12-03","2010-0063329","2010-06-11","2011-07-15","1049935","2011-07-11","한호규 | 신동윤 | 남기달 | 한민수 | 서선희 | 정혜진 | 김윤지 | 송치만 | 마혜덕 | 백이연 | 최기현 | 신계정 | 노은주 | 배애님 | 신희섭 | 김동진 | 최경일 | 임혜원 | 남길수 | 조용서 | 추현아 | 강순방 | 정찬성 | 김은경 | 정혜선 | 김기선 | 금교창 | 이철주 | 민선준 | 이재균 | 강용구 | 박웅서 | 김영수","한국과학기술연구원","2028-12-03","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511282001525","아래의 화학식 1의 구조를 갖는 화합물:(화학식 1)상기 식 중, R1은 수소, 및 C1-C5의 직쇄 또는 분지형 알킬로 이루어진 군에서 선택된 것이고,X는 CH2, CH2CH2, CH2CH2CH2, C=O, COCH2, 및 COCH2CH2로 이루어진 군에서 선택된 것이며, R2는 C3-C10의 사이클로알킬, 아다만틸, 페닐, 치환된 페닐, 치환된 알킬(C1-C3) 페닐, 및 로 이루어진 군에서 선택된 것으로, 상기 치환된 페닐 또는 치환된 알킬(C1-C3) 페닐은 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 할로겐 원자, C1-C5 직쇄 또는 분지형 알킬, C1-C5 알콕시, 트리플루오로메틸, 페녹시, 및 치환된 페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, 상기 치환된 페녹시는 하나 이상의 수소 원자가 C1-C3 알킬, 할로겐 원자, 및 니트로로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이며, 단, X가 C=O, COCH2, 또는 COCH2CH2인 경우 R2는 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 상기 치환된 페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기이며, R5는 페닐, 치환된 페닐, C3-C10 시클로알킬, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이며, 이 때, 치환된 페닐은 하나 이상의 수소 원자가 C1-C5 알킬, 및 트리플루오로메틸로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, R3는 C1-C5의 직쇄 또는 분지형 알킬기, C3-C6의 사이클로알킬, 및 벤질기로 이루어진 군에서 선택된 것이며,R4는 C3-C12 사이클로알킬, C4-C17 알킬사이클로알킬, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이고,n은 0 또는 1이며, Y는 할로겐 원자이다. | 제1항에 있어서, R2는 C5-C8의 사이클로알킬, 아다만틸, 페닐, 치환된 페닐, 치환된 메틸렌 페닐, 및 로 이루어진 군 중에서 선택된 것으로, 상기 치환된 페닐 또는 치환된 메틸렌 페닐은 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 플루오로, 클로로, 브로모, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 트리플루오로메틸, 페녹시, 플루오로페녹시, 클로로페녹시, 메틸페녹시, 및 니트로페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, 단, X가 C=O, COCH2, 또는 COCH2CH2인 경우 R2는 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 플루오로페녹시, 클로로페녹시, 메틸페녹시, 및 니트로페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기이며,R5는 페닐, 메틸페닐, 트리플루오로메틸 페닐, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것인 화합물. | 제1항에 있어서, R1은 수소, 메틸 및 에틸로 이루어진 군에서 선택된 것이고,X는 CH2, CH2CH2, CH2CH2CH2, C=O, COCH2, 및 COCH2CH2로 이루어진 군에서 선택된 것이며, R2는 C5-C8의 사이클로알킬, 아다만틸, 페닐, 치환된 페닐, 치환된 메틸렌 페닐, 및 로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 이 때, 치환된 페닐 또는 치환된 메틸렌 페닐은 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 플루오로, 클로로, 브로모, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 트리플루오로메틸, 페녹시, 플루오로페녹시, 클로로페녹시, 메틸페녹시, 및 니트로페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 것이고, 단, X가 C=O, COCH2, 또는 COCH2CH2인 경우 R2는 페닐기의 수소 원자 중 하나 이상이 플루오로페녹시, 클로로페녹시, 메틸페녹시, 및 니트로페녹시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기이며,R5는 페닐, 메틸페닐, 트리플루오로메틸 페닐, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이며, R3는 C1-C3의 직쇄 또는 분지형 알킬기, 및 사이클로프로필로 이루어진 군에서 선택된 것이고,R4는 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 및 아다만틸로 이루어진 군에서 선택된 것이며,n은 0 또는 1이며, Y는 브롬 또는 염소인 화합물. | 제1항에 있어서,아래의 표 1의 구조 중 어느 하나를 갖는 화합물:[표 1]화합물 번호R1R2XR3R4(HY)KHG25935HC6H4(4-Me)CH2CH2CH31-AdKHG25936HC6H4(4-i-Pr)CH2CH2CH31-AdKHG25937HC6H4(4-F)CH2CH2CH31-AdKHG25938HC6H4(4-Br)CH2CH2CH31-AdKHG25939HC6H4(4-i-Pr)CH2CH2cy-31-AdKHG25940HC6H4(4-C4H9)CH2CH2cy-31-AdKHG25941HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2cy-31-AdKHG25942HC6H4(4-F)CH2CH2n-Pr1-AdKHG25943HC6H4(4-Et)CH2CH2n-Pr1-AdKHG25944HC6H4(4-Et)CH2CH2CH31-AdKHG25945HC6H4(4-Et)CH2CH2CH3cy-7KHG25977HCH2C6H4(4-CF3)COCH31-AdKHG25978HCH2C6H4(4-CF3)CH2CH31-AdKHG25979HCH2C6H4(4-CH3)COCH31-AdKHG25980HCH2C6H4(4-CH3)CH2CH31-AdKHG25981HCH2C6H4(4-OCH3)COCH31-AdKHG25982HCH2C6H4(4-OCH3)CH2CH31-AdKHG25983HCH2C6H4(3-Cl)COCH31-AdKHG25984HCH2C6H4(3-Cl)CH2CH31-AdKHG25985HCH2C6H4(2-CF3)COCH31-AdKHG25986HCH2C6H4(2-CF3)CH2CH31-AdKHG26081HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH31-AdKHG26082HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH3cy-6KHG26083HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH3cy-7KHG26084HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH2CH31-AdKHG26085HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH3cy-6KHG26086HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH3cy-7KHG26087HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH31-AdKHG26088HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH2CH3cy-6KHG26089HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2cy-3cy-6KHG26090HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH3cy-6KHG26097HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2n-Pr1-AdKHG26098HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2n-Prcy-7KHG26099HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2cy-3cy-7KHG26100HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH2CH3cy-6KHG26101HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH2CH3cy-6KHG26102HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2n-Prcy-6KHG26103HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2n-Prcy-6KHG26104HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2cy-3cy-6KHG26105HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH3cy-7KHG26106HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH2CH3cy-7KHG26107HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2n-Prcy-7KHG26108HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2cy-31-AdKHG26109HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2n-Prcy-7KHG26111HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH2CH3cy-7KHG26112HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2n-Pr1-AdKHG26113HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH31-AdKHG26114HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH2CH3cy-7KHG26115HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2n-Prcy-6KHG26116HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH2CH31-AdKHG26117HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2cy-3cy-7KHG26118HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH2CH31-AdKHG26123CH3C6H4(4-OC6H5)COCH2cy-31-AdKHG26124CH3C6H4(4-OC6H5)CH2CH2cy-31-AdKHG26125HC6H4(4-OC6H5)COCH2CH2cy-31-AdKHG26126HC6H4(4-OC6H5)CH2CH2CH2cy-31-AdKHG26127HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))COCH2CH2cy-31-AdKHG26128HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))COCH2CH2cy-31-AdKHG26129HC6H4(4-OC6H4(4-NO2))COCH2CH2cy-31-AdKHG26130HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH2cy-31-AdKHG26132HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH2cy-31-AdKHG26193Hcy-7COCH2CH3cy-6HClKHG26194Hcy-7COCH2CH2CH3cy-6HClKHG26195Hcy-7COCH2n-Prcy-6HClKHG26196Hcy-7COCH2cy-3cy-6HClKHG26197Hcy-7COCH2CH3cy-7HClKHG26198Hcy-7COCH2CH2CH3cy-7HClKHG26199Hcy-7COCH2n-Prcy-7HClKHG26200Hcy-7COCH2cy-3cy-7HClKHG26201Hcy-7COCH2CH31-AdHClKHG26202Hcy-7COCH2CH2CH31-AdHClKHG26203Hcy-7COCH2n-Pr1-AdHClKHG26204Hcy-7COCH2cy-31-AdHClKHG26205H1-AdCOCH2CH3cy-6HClKHG26206H1-AdCOCH2CH2CH3cy-6HClKHG26207H1-AdCOCH2n-Prcy-6HClKHG26208H1-AdCOCH2CH3cy-7HClKHG26209H1-AdCOCH2CH2CH3cy-7HClKHG26210H1-AdCOCH2n-Prcy-7HClKHG26211H1-AdCOCH2CH31-AdHClKHG26212H1-AdCOCH2CH2CH31-AdHClKHG26213H1-AdCOCH2n-Pr1-AdHClKHG26214H1-AdCOCH2cy-31-AdHClKHG26226H1-AdCOCH2cy-3cy-6HClKHG26227H1-AdCOCH2cy-3cy-7HClKHG26272CH3CH2C6H4(4-OC6H4(4-F))COCH2CH31-AdKHG26273CH3C6H4(4-OC6H4(4-CH3))COCH2CH31-AdKHG26274CH3C6H4(4-OC6H4(4-Cl))COCH2CH31-AdKHG26277CH3C6H4(4-OC6H4(4-CH3))CH2CH2CH31-AdKHG26278CH3C6H4(4-OC6H4(4-Cl))CH2CH2CH31-AdKHG26215Hcy-7CH2CH2CH3cy-6KHG26281Hcy-7CH2CH2CH2CH3cy-6KHG26282Hcy-7CH2CH2n-Prcy-6KHG26283Hcy-7CH2CH2cy-3cy-6KHG26284Hcy-7CH2CH2CH2CH3cy-7KHG26285Hcy-7CH2CH2n-Prcy-7KHG26286H1-AdCH2CH2CH3cy-6KHG26287H1-AdCH2CH2CH2CH3cy-6KHG26288H1-AdCH2CH2n-Prcy-6KHG26289H1-AdCH2CH2CH3cy-7KHG26290H1-AdCH2CH2CH2CH3cy-7KHG26291H1-AdCH2CH2n-Prcy-7KHG26292H1-AdCH2CH2CH31-AdKHG26293H1-AdCH2CH2CH2CH31-AdKHG26294H1-AdCH2CH2n-Pr1-AdKHG26295H1-AdCH2CH2cy-31-AdKHG26296H1-AdCH2CH2cy-3cy-6KHG26297H1-AdCH2CH2cy-3cy-7KHG26317Hcy-7CH2CH2cy-3cy-7KHG26318Hcy-7CH2CH2CH31-AdKHG26319Hcy-7CH2CH2CH2CH31-AdKHG26320Hcy-7CH2CH2n-Pr1-AdKHG26321Hcy-7CH2CH2cy-31-AdKHG26323HC6H4(4-OC6H5)COCH2CH2cy-3cy-7KHG26324HC6H4(4-OC6H4(4-Cl))COCH2CH2cy-3cy-7KHG26325HC6H4(4-OC6H4(4-CH3))COCH2CH2cy-3cy-7KHG26330HC6H4(4-CF3)COCH2cy-31-AdHClKHG26331H1-AdCOCH2cy-31-AdHCl | 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 유효성분으로 함유하는,파킨슨병, 알츠하이머, 정신분열증, 수면장애, 간질, 통증, 고혈압, 부정맥, 협심증, 심부전증, 심근경색, 및 암으로 이루어진 군에서 선택된 한 가지 이상의 질병의 치료 또는 예방용 조성물. | 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는,파킨슨병, 알츠하이머, 정신분열증, 수면장애, 간질, 통증, 고혈압, 부정맥, 협심증, 심부전증, 심근경색, 및 암으로 이루어진 군에서 선택된 한 가지 이상의 질병의 개선 또는 예방용 건강보조식품."]
["K04616","화학","KR","P","글라이딩 아크 방전과 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물 처리장치 및 방법(The Apparatus and Method on The Treatment of Volatile Organic Compounds Using Gliding Arc Plasma-Catalyst Process)","스프링형 전극을 포함하는 글라이딩 아크 방전 반응부, 상기 글라이딩 아크 방전 반응부의 출구에 형성된 촉매 반응부 및 전원공급부를 포함하는 휘발성 유기화합물의 처리장치 및 처리방법이 개시된다. 상기 휘발성 유기화합물의 처리장치 및 처리방법은, 금속 산화물 촉매를 도입함으로써 유해물질의 분해효율이 우수하고 반응 부산물이 적다. 또한, 아크 방전 반응기 출구에 촉매층을 결합함으로써 플라즈마가 촉매에 영향을 미치지 않으면서, 추가의 열원 없이 촉매를 활성화 시킬 수 있다는 장점이 있다.","스프링형 전극을 포함하는 글라이딩 아크 방전 반응부, 상기 글라이딩 아크 방전 반응부의 출구에 형성된 촉매 반응부 및 전원공급부를 포함하고,상기 촉매 반응부는 Mn 및 Cr 중 어느 하나 이상의 금속 산화물 및 감마(γ)-Al2O3 담체를 포함하며,상기 담체의 크기는 1 내지 2 mm이고 비드 또는 펠렛 형상인, 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리장치.",6,"2008-0127842","2008-12-16","2010-0069213","2010-06-24","2012-03-16","1118203","2012-02-13","송형근 | 서동진 | 최재욱 | 양기석 | 조근식","한국과학기술연구원","2028-12-16","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512112001308","스프링형 전극을 포함하는 글라이딩 아크 방전 반응부, 상기 글라이딩 아크 방전 반응부의 출구에 형성된 촉매 반응부 및 전원공급부를 포함하고,상기 촉매 반응부는 Mn 및 Cr 중 어느 하나 이상의 금속 산화물 및 감마(γ)-Al2O3 담체를 포함하며,상기 담체의 크기는 1 내지 2 mm이고 비드 또는 펠렛 형상인, 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리장치. | 제 1 항에 있어서,상기 글라이딩 아크 방전 반응부는, 유입된 기체에 대하여 난류 흐름을 유도함으로써, 소용돌이 형태의 토네이도형 방전을 형성시키는 것을 특징으로 하는 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리장치. | 제 1 항에 있어서,상기 전원공급부는 글라이딩 아크 방전 반응부에 교류 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리장치. | 삭제 | 삭제 | 삭제 | (a) 글라이딩 아크 방전이 일어나는 반응기 내부에 휘발성 유기화합물을 함유하는 기체를 도입하여, 글라이딩 아크 방전으로 인해 형성된 플라즈마에 의해 휘발성 유기화합물을 분해하는 1 차 분해반응 공정; 및(b) 상기 (a) 공정을 거친 반응 기체를, Mn 및 Cr 중 어느 하나 이상 및 감마(γ)-Al2O3 담체를 포함하는 금속 산화물 촉매와 반응시켜 반응 기체의 산화반응을 촉진하고, 상기 담체의 크기는 1 내지 2 mm이고 비드 또는 펠렛 형상인, 2 차 분해반응 공정;을 포함하는 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리방법. | 제 7 항에 있어서,상기 아크 방전이 일어나는 반응기는 스프링형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리방법. | 제 7 항에 있어서,상기 (a) 공정의 반응기에 인가되는 전원은, 교류 전원인 것을 특징으로 하는 아크 방전 및 촉매를 이용한 휘발성 유기화합물의 처리방법. | 삭제 | 삭제"]
["K04650","화학","KR","P","준자연정화식 광산배수 처리장치 및 이를 이용한 광산배수 처리방법(APPARATUS AND METHOD FOR TREATING MINE DRAINAGE IN A SEMI-PASSIVE WAY)","본 발명은 준자연정화식 광산배수 처리장치 및 이를 이용한 광산배수 처리방법에 관한 것으로, 구체적으로 광산배수의 유출경로 상에 배치되고 광산배수 내 고농도의 중금속을 산화시킬 수 있는 중화물질이 담지된 계단형 산화시설, 상기 산화시설을 거친 광산배수가 유입되어 산화된 중금속 고형물을 침전시키는 침전조, 및 상기 침전조를 거친 광산배수 내에 잔류하는 중금속을 처리하는 자연정화시설을 포함하는 준자연정화식 광산배수 처리장치 및 이를 이용한 광산배수 처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 준자연정화식 광산배수 처리는 자연정화식 처리 전에 산화 및 중화반응과 침전공정에 의해 광산배수 내 중금속 함량을 현저히 저감시킨 후 저농도의 중금속 함유 광산배수를 자연정화식 처리에 적용함으로써 기존 자연정화식 광산배수 처리에 있어서 침전물에 의한 자연정화시설의 막힘, 공극의 감소, 및 그로 인한 수명 및 성능의 저하라는 문제점을 해결함과 동시에 고농도의 중금속 함유 광산배수를 우수한 정화효율로 처리할 수 있다.","광산배수의 유출경로 상에 배치되고 광산배수 내 고농도의 중금속을 산화시킬 수 있는 중화물질이 담지된 계단형 산화시설, 상기 산화시설을 거친 광산배수가 유입되어 산화된 중금속 고형물을 침전시키는 침전조, 및 상기 침전조를 거친 광산배수 내에 잔류하는 중금속을 처리하는 자연정화시설을 포함하고, 상기 계단형 산화시설이 1 ℓ/분의 광산배수 당 0.05 내지 10 ㎝ 너비의 계단이 복수개로 형성되어 있는 것인, 준자연정화식 광산배수 처리장치.",17,"2009-0002566","2009-01-13","2010-0083266","2010-07-22","2011-10-06","1070477","2011-09-28","최재영 | 양중석 | 이주영 | 박영태","한국과학기술연구원","2029-01-13","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511402000764","광산배수의 유출경로 상에 배치되고 광산배수 내 고농도의 중금속을 산화시킬 수 있는 중화물질이 담지된 계단형 산화시설, 상기 산화시설을 거친 광산배수가 유입되어 산화된 중금속 고형물을 침전시키는 침전조, 및 상기 침전조를 거친 광산배수 내에 잔류하는 중금속을 처리하는 자연정화시설을 포함하고, 상기 계단형 산화시설이 1 ℓ/분의 광산배수 당 0.05 내지 10 ㎝ 너비의 계단이 복수개로 형성되어 있는 것인, 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제1항에 있어서, 상기 처리장치가광산배수의 유출경로 상에 배치되고 유출구를 통해 유출되는 광산배수가 일차적으로 산화 및 중화 처리되는 중화물질이 담지된 계단형 산화시설, 상기 계단형 산화시설의 하단부에 위치하고 산화시설을 거친 광산배수가 유입되어 광산배수 내 중금속 고형물을 침전시키는 침전조, 상기 침전조로부터 배출된 광산배수가 유입되어 광산배수 내 잔류 중금속을 흡착 제거하고 광산배수를 중화시키는 SAPS(successive alkalinity producing system)조, 상기 SAPS조로부터 배출된 광산배수가 유입되어 광산배수 내 잔류 중금속을 산화 및 침전에 의해 제거하는 산화 침전조, 및상기 산화 침전조로부터 배출된 광산배수가 유입되어 생물학적으로 처리되는 소택지를 포함하는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 삭제 | 제2항에 있어서, 상기 계단형 산화시설에 담지된 중화물질이 석회석, 콘크리트 블록, 인회석, 건조 불가사리, 게 껍질 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 침전조 내 광산배수의 수리학적 체류시간(HRT)이 15분 내지 10일인 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 SAPS조가 그의 내부 하측에 석회석층이 적층되고, 상기 석회석층의 상측에 유기물층이 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제6항에 있어서, 상기 유기물층이 황산염 환원균(SRB: sulfate reducing bacteria)과 유기성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제7항에 있어서, 상기 황산염 환원세균이 디설포비브리오(Desulfovibrio), 디설퍼로모나스(Desulfuromonas), 디설포토마큘럼(Desulfotomaculum) 및 디설포네마 (Desulfonema)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제7항에 있어서, 상기 유기성 물질이 버섯퇴비, 콩 비지, 톱밥, 발효 처리된 음식물 쓰레기 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 SAPS조 내 광산배수의 수리학적 체류시간(HRT)이 0.5 내지 30일인 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 산화 침전조가 그의 내부가 격벽으로 구분되어 있고, 상기 격벽에는 노치가 형성되어 있으며, 상기 노치가 각 격벽의 반대편 말단에 지그재그로 형성되어 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 산화 침전조 내 광산배수의 수리학적 체류시간(HRT)이 30분 내지 10일인 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 소택지가 그의 내부가 격벽으로 구분되어 있고, 상기 격벽에는 노치가 형성되어 있으며, 상기 노치가 각 격벽의 반대편 말단에 지그재그로 형성되어 있는 구조를 갖고, 격벽으로 구분된 각 구획 내에 중금속 제거능이 우수한 반수생식물이 식재되어 있는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 제2항에 있어서, 상기 소택지 내 광산배수의 수리학적 체류시간(HRT)이 30분 내지 10일인 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리장치. | 1) 고농도의 중금속 함유 광산배수가 중화물질이 담지된 계단형 산화시설을 통과하게 하여 광산배수 내에 포함된 중금속을 산화 및 중화 처리하는 단계;2) 상기 산화 및 중화 처리된 광산배수를 침전조로 유입시켜 광산배수 내 중금속 고형물을 침전시키는 단계;3) 상기 침전된 금속 고형물을 제거시킨 광산배수가 석회석층과 유기물층이 적층된 SAPS조를 통과하게 하여 광산배수 내 잔류 중금속을 흡착 여과하여 제거하고 광산배수를 중화시키는 단계;4) 상기 처리된 광산배수를 산화 침전조로 유입시켜 광산배수 내 잔류 중금속을 산화 및 침전시켜 제거하는 단계; 및5) 상기 처리된 광산배수가 소택지를 통과하게 하여 최종적으로 잔류 중금속을 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 단계 3)에서 유기물층이 황산염 환원균(SRB: sulfate reducing bacteria)과 유기성 물질을 포함하는 것인, 준자연정화식 광산배수 처리방법. | 제15항에 있어서, 단계 1)에서 계단형 산화시설에 담지된 중화물질이 석회석, 콘크리트 블록, 인회석, 건조 불가사리, 게 껍질 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리방법. | 삭제 | 제15항에 있어서, 상기 황산염 환원세균이 디설포비브리오(Desulfovibrio), 디설퍼로모나스(Desulfuromonas), 디설포토마큘럼(Desulfotomaculum) 및 디설포네마 (Desulfonema)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리방법. | 제15항에 있어서, 상기 유기성 물질이 버섯퇴비, 콩 비지, 톱밥, 발효 처리된 음식물 쓰레기 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 준자연정화식 광산배수 처리방법."]
["K04665","화학","KR","P","비스(스티릴)피리미딘 및 비스(스티릴)벤젠 유도체, 이의 약학적으로 허용 가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 베타아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물(Bis(styryl)pyrimidine and bis(styryl)benzene derivatives, pharmaceutically acceptable salts thereof, preparation method thereof and pharmaceutical composition for preventing or treating diseases associated with beta amyloid accumulation containing the same as an active ingredient)","본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 비스(스티릴)피리미딘 및 비스(스티릴)벤젠 유도체, 이의 약학적으로 허용 가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 베타아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 화학식 1의 유도체 화합물은 베타아밀로이드 집적을 저해하고 베타아밀로이드의 독성을 감소시키며, 베타아밀로이드 집적 관련 질환에서 나타나는 학습 및 기억력 저하를 개선시키는 효과를 나타내므로 본 발명에 따른 화학식 1의 유도체 화합물은 베타아밀로이드 집적 관련질환의 치료에 유용하게 사용될 수 있다.[화학식 1](상기 화학식 1에서, 상기 R1, R2, R3및 X는 본 명세서 내에 정의한 바와 같다.)","하기 화학식 1로 표시되는 비스(스티릴)피리미딘 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X는 질소이고; R1은 수소, 하이드록시, C1~C4의 알콕시 및 C1~C4의 알킬싸이오로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이고; R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C4의 알콕시 및 디(C1~C4) 알킬아미노로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이며;단, R1, R2 및 R3가 모두 수소이거나, R1이 수소이고, R2 및 R3 중 어느 하나는 수소이고 다른 하나는 메톡시인 경우는 제외한다.",6,"2009-0006092","2009-01-23","2010-0086715","2010-08-02","2011-12-20","1095026","2011-12-09","신계정 | 노은주 | 이윤석","한국과학기술연구원","2029-01-23","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511512000992","하기 화학식 1로 표시되는 비스(스티릴)피리미딘 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X는 질소이고; R1은 수소, 하이드록시, C1~C4의 알콕시 및 C1~C4의 알킬싸이오로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이고; R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C4의 알콕시 및 디(C1~C4) 알킬아미노로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이며;단, R1, R2 및 R3가 모두 수소이거나, R1이 수소이고, R2 및 R3 중 어느 하나는 수소이고 다른 하나는 메톡시인 경우는 제외한다. | 제1항에 있어서, 상기 X는 질소이고; 상기 R1은 수소, 하이드록시, 메톡시, 에톡시, 메틸싸이오 및 에틸싸이오로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이고; 상기 R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, 메톡시, 에톡시, 디메틸아미노 및 디에틸아미노로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이며; 단, R1, R2 및 R3가 모두 수소이거나, R1이 수소이고, R2 및 R3 중 어느 하나는 수소이고 다른 하나는 메톡시인 화합물은 제외하는 것을 특징으로 하는 비스(스티릴)피리미딘 유도체 또는 이의 약학적으로 허용 가능한 염. | 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 유도체는:(1) (E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴)피리미딘;(2) (E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘;(4) (E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시스티릴)피리미딘;(5) (E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시스티릴)피리미딘;(6) (E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴)피리미딘;(7) (E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘;(8) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시스티릴)피리미딘;(9) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시스티릴)피리미딘;(10) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴)피리미딘 ;(11) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴)피리미딘;(12) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘;(13) 2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘;(14) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시스티릴)피리미딘;(15) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시스티릴)피리미딘;(16) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴)피리미딘;(17) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴)피리미딘;(18) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘; 및(19) 2-메틸싸이오-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노)스티릴]피리미딘;으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비스(스티릴)피리미딘 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염. | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 제1항의 화학식 1의 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 베타아밀로이드 집적에 의한 세포독성 및 기억력 손상 억제용 약학적 조성물. | 제1항의 화학식 1의 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 치매, 알츠하이머병, 다운증후군, 아밀로이드맥관병증, 대뇌 아밀로이드 맥관병증, 전신성 아밀로이드병, 더취(Dutch)형 아밀로이드증 및 봉입체 구염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 베타아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 및 치료용 약학적 조성물. | 제12항에 있어서, 상기 화학식 1의 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염은 베타아밀로이드의 집적을 저해하는 것을 특징으로 하는 제1항의 화학식 1의 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 함유하는 베타아밀로이드 집적에 의한 세포독성 및 기억력 손상 억제용 약학적 조성물. | 삭제"]
["K04670","화학","KR","P","포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물 및 그것의 제조방법(Potassium Haloaryltrifluoroborate Derivatives and Method for Producing the Same)","본 발명은 신 규한 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트(Potassium Haloaryltrifluoroborate) 유도체 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물은 직접적인 리튬-할로겐 치환반응 또는 금속 촉매를 이용한 탄소-탄소 결합반응 등에 사용되어 다양한 유기합성 반응과 의약품 제조 및 생리활성 천연물의 전합성에 널리 이용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법에 따르면, 디할로겐아릴 화합물로부터 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물을 단일 반응으로 제조할 수 있는 바, 제조과정이 매우 빠르고, 편리하다.","하기 화학식 2의 디할로겐아릴 화합물과 화학식 B(-OR2)3의 보레이트 화합물을 용매에 혼합하고, 화학식 R3Li의 리튬 화합물 및 포타슘 하이드로겐플로라이드 첨가하는 것을 포함하는 하기 화학식 1의 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. (2) (1) 상기 식에서, Ar은 페닐 ( ), 바이페닐 ( ), 나프틸 ( ), 안트라세닐 ( ), 피리딜 ( ), 피라지닐 ( ), 피리미디닐 ( ), 트리아지닐 ( ), 티아졸릴 ( ), 옥사졸닐 ( ), 티오페닐 ( ), 9H-플루오레닐 ( ) 및 펜옥시페닐 ( )로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1은 각각 독립적으로 C1-C4 알킬기, C1-C6 알릴기, C1-C4 알킬옥시기, C1-C4 알킬티오옥시기, C6-C12 아릴옥시기, 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1-C4 알킬기, 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1-C4 알킬옥시기, 니트로기(-NO2), 시안기(-CN), 불소, 염소, 브롬, 요오드 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택되고, R2 및 R3는 C1-C4알킬기이며, X는 요오드, 브롬 또는 염소이고, n은 1 내지 8의 정수이다.",8,"2009-0001660","2009-01-08","2010-0082255","2010-07-16","2011-10-17","1073510","2011-10-07","함정엽 | 안홍열 | 양현옥 | 조영애 | 김동수","한국과학기술연구원","2029-01-08","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511422001082","삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 삭제 | 하기 화학식 2의 디할로겐아릴 화합물과 화학식 B(-OR2)3의 보레이트 화합물을 용매에 혼합하고, 화학식 R3Li의 리튬 화합물 및 포타슘 하이드로겐플로라이드 첨가하는 것을 포함하는 하기 화학식 1의 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. (2) (1) 상기 식에서, Ar은 페닐 ( ), 바이페닐 ( ), 나프틸 ( ), 안트라세닐 ( ), 피리딜 ( ), 피라지닐 ( ), 피리미디닐 ( ), 트리아지닐 ( ), 티아졸릴 ( ), 옥사졸닐 ( ), 티오페닐 ( ), 9H-플루오레닐 ( ) 및 펜옥시페닐 ( )로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1은 각각 독립적으로 C1-C4 알킬기, C1-C6 알릴기, C1-C4 알킬옥시기, C1-C4 알킬티오옥시기, C6-C12 아릴옥시기, 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1-C4 알킬기, 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1-C4 알킬옥시기, 니트로기(-NO2), 시안기(-CN), 불소, 염소, 브롬, 요오드 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택되고, R2 및 R3는 C1-C4알킬기이며, X는 요오드, 브롬 또는 염소이고, n은 1 내지 8의 정수이다. | 제 7 항에 있어서, 상기 제조방법은 디에틸에테르(Et2O), 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 펜탄, 헥산 및 헵탄으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단일 용매 또는 상기 단일 용매 중 둘 이상을 배합한 혼합용매를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 8 항에 있어서, 상기 제조방법은 디에틸에테르, 테트라히드로푸란, 또는 디에틸에테르와 테트라히드로푸란의 혼합 용매를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 7 항에 있어서, 상기 제조방법은 트리메틸보레이트(B(-OCH3)3), 트리에틸보레이트(B(-OCH2CH3)3), 트리프로필보레이트(B(-OCH2CH2CH3)3), 트리이소프로필보레이트(B(-OiPr)3), 트리이소부틸보레이트(B(-OCH2iPr)3) 및 트리페닐보레이트(B(-OPh)3)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 보레이트 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 10 항에 있어서, 상기 제조방법은 트리이소프로필보레이트를 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 7 항에 있어서, 상기 제조방법은 디할로겐아릴 화합물을 기준으로 0.9 내지 1.2 당량(eq.)의 보레이트 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 7 항에 있어서, 상기 제조방법은 부틸리튬을 리튬 화합물로 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법. | 제 7 항에 있어서, 상기 제조방법은 디할로겐아릴 화합물을 기준으로, 2.0 내지 5.0 당량(eq.)의 포타슘 하이드로겐플로라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체 화합물의 제조방법."]
["K04736","화학","KR","P","유·무기 복합체 및 그 제조 방법(ORGANIC/INORGANIC NANOCOMPOSITES AND IN-SITU PRAPARATION METHOD THEREOF)","본 발명은 유·무기 복합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유·무기 복합체는 1종 이상의 금속 입자 및 유기 화합물이 유·무기 복합화된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 유·무기 복합체의 제조 방법은 금속 이온의 환원 및 유·무기 복합화를 동시에 이루는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 의하여 유·무기 복합체를 제조하는 경우, 기존의 유·무기 복합체의 제조 방법에 비하여 공정이 단순하고 공정 시간이 짧아 경제성이 좋으며, 본 발명에 의하여 제조된 유·무기 복합체는 분산제 없이 수지 내에서 일정한 크기의 금속 입자가 균일하게 분산되어 있다.","화학식 1 내지 3으로 표현되는 수지 및 상기 수지 내에 균일하게 분산되어 있는 일정한 크기의 1종 이상의 금속 입자를 포함하는 유·무기 복합체:[화학식 1] [화학식 2][화학식 3]상기 화학식 1 내지 3에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 수소 또는 탄소 원자 수가 1 내지 20개인 직쇄 또는 분지쇄의, 포화 또는 불포화 탄화수소계 기로서, 사슬 골격에 에테르 결합, 에스터 결합 및 아마이드 결합으로이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 결합을 더 포함할 수 있는 것이고,E는 탄소 원자 수가 1 내지 20개인 직쇄 또는 분지쇄의, 포화 또는 불포화 탄화수소계 사슬로서, 사슬 골격에 화학식 -[O-CH2-CH(CH3)]m- (단, m은 1 내지 5)의 에테르 결합을 더 포함할 수 있으며, n 및 m은 독립적으로 1 이상 1,000,000 미만의 정수이고, 상기 금속은 1가의 금속 이온을 형성할 수 있는 금속으로부터 1종 이상 선택된다.",10,"2010-0001400","2010-01-07","2011-0080948","2011-07-13","2011-12-27","1098921","2011-12-20","김희숙 | 김태호 | 남승웅 | 이현정 | 이상수 | 임순호","한국과학기술연구원","2030-01-07","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3511522001258","화학식 1 내지 3으로 표현되는 수지 및 상기 수지 내에 균일하게 분산되어 있는 일정한 크기의 1종 이상의 금속 입자를 포함하는 유·무기 복합체:[화학식 1] [화학식 2][화학식 3]상기 화학식 1 내지 3에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 수소 또는 탄소 원자 수가 1 내지 20개인 직쇄 또는 분지쇄의, 포화 또는 불포화 탄화수소계 기로서, 사슬 골격에 에테르 결합, 에스터 결합 및 아마이드 결합으로이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 결합을 더 포함할 수 있는 것이고,E는 탄소 원자 수가 1 내지 20개인 직쇄 또는 분지쇄의, 포화 또는 불포화 탄화수소계 사슬로서, 사슬 골격에 화학식 -[O-CH2-CH(CH3)]m- (단, m은 1 내지 5)의 에테르 결합을 더 포함할 수 있으며, n 및 m은 독립적으로 1 이상 1,000,000 미만의 정수이고, 상기 금속은 1가의 금속 이온을 형성할 수 있는 금속으로부터 1종 이상 선택된다. | 제1항에 있어서, 상기 금속은 은 및 구리로부터 1종 이상 선택되는 것인 유·무기 복합체. | 제1항에 있어서, 상기 금속 입자의 함량은 유·무기 복합체의 10 내지 70 중량%인 것인 유·무기 복합체. | 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 금속 입자의 직경은 1 내지 1,000 nm인 것인 유·무기 복합체. | (1) 화학식 4 내지 6으로 표현되는 유기 화합물의 금속염을 제조하는 단계,(2) 상기 단계 (1)에서 제조한 유기 화합물의 금속염과 환원제의 혼합물 용액을 제조하는 단계 및(3) 상기 단계 (2)에서 제조한 용액에서 용매를 제거하고 금속 이온의 환원 및 유·무기 복합화를 동시에 이루는 단계를 포함하고,상기 단계 (2)의 환원제는 사슬의 양쪽 말단에 -NH2기가 있는 탄소 원자 수 1 내지 20개의 직쇄 또는 분지쇄, 불포화 또는 포화 탄화수소계 디아민으로서, 사슬 골격에 화학식 -[O-CH2-CH(CH3)]m- (단, m은 1 내지 5)의 에테르 결합을 더 포함할 수 있는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법.[화학식 4][화학식 5][화학식 6] 상기 화학식 4 내지 6에 있어서,R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 수소 또는 탄소 원자 수가 1 내지 20개인 직쇄 또는 분지쇄의, 포화 또는 불포화 탄화수소계 기로서, 사슬 골격에 에테르 결합, 에스터 결합 및 아마이드 결합으로이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 결합을 더 포함할 수 있는 것이고, n 및 m은 독립적으로 1이상 1,000,000미만의 정수이며, X는 1가의 금속이온으로부터 1종 이상 선택된다. | 제5항에 있어서, 상기 X는 은이온 및 구리이온으로부터 1종 이상 선택되는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법. | 삭제 | 제5항에 있어서, 상기 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 아세톤, 톨루엔, 메탄올, 에탄올 및 물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법. | 삭제 | 제5항에 있어서, 상기 단계 (2)의 혼합물 용액은 소디움 보로하이드라이드, 하이드라진 및 아스코르브산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 환원제를 더 포함하는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법. | 제5항에 있어서, 상기 단계 (3)에서는 열처리하여 유·무기 복합화하는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법. | 제11항에 있어서, 상기 단계 (3)의 열처리는 80 내지 200℃에서 수행하는 것인 유·무기 복합체의 제조 방법."]
["K04900","화학","KR","P","신규한 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체 및 그 제조방법(NOVEL POTASSIUM AZIDOARYLTRIFLUOROBORATE DERIVATIVES AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)","신규한 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트(Potassium Azidoaryltrifluoroborate) 유도체 및 그 제조방법이 개시된다. 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체는 유기합성 반응, 의약품 제조 및 생리활성 천연물 분야 등에서 다양하게 활용 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 제조방법은 제조과정이 매우 빠르고, 편리하며 효율적이다.","아자이드기가 아릴기에 직접결합된 화학식 1의 구조를 갖는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar은 페닐 (), 바이페닐 (), 나프틸 (), 안트라세닐 (), 피리딜 (), 피라지닐 (), 피리미디닐 (), 트리아지닐 (), 티아졸릴 (), 옥사졸닐 (), 티오페닐 (), 9H-플루오레닐 () 및 펜옥시페닐 ()로 구성된 군으로부터 선택되고,R1은 C1-C4 알킬기, C1-C6 알릴기, C1-C4 알킬옥시기, C1-C4 알킬티오옥시기, C6-C12 아릴옥시기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬옥시기, 니트로기(-NO2), 시안기(-CN), 불소, 염소, 브롬, 요오드, 및 수소로 구성된 군으로부터 선택되며,n은 1 내지 4의 정수임.",12,"2009-0083991","2009-09-07","2011-0026196","2011-03-15","2012-02-27","1113791","2012-02-01","함정엽 | 안홍열 | 조영애 | 김동수 | 양현옥","한국과학기술연구원","2029-09-07","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512092000455","아자이드기가 아릴기에 직접결합된 화학식 1의 구조를 갖는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar은 페닐 (), 바이페닐 (), 나프틸 (), 안트라세닐 (), 피리딜 (), 피라지닐 (), 피리미디닐 (), 트리아지닐 (), 티아졸릴 (), 옥사졸닐 (), 티오페닐 (), 9H-플루오레닐 () 및 펜옥시페닐 ()로 구성된 군으로부터 선택되고,R1은 C1-C4 알킬기, C1-C6 알릴기, C1-C4 알킬옥시기, C1-C4 알킬티오옥시기, C6-C12 아릴옥시기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬옥시기, 니트로기(-NO2), 시안기(-CN), 불소, 염소, 브롬, 요오드, 및 수소로 구성된 군으로부터 선택되며,n은 1 내지 4의 정수임. | 제 1 항에 있어서,상기 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체는, 포타슘 4-아지도페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 3-아지도페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 2-아지도페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 3-아지도-5-메틸페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 4-아지도-2,5-디메틸페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 3-아지도-5-메톡시페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 6-아지도피리딘-2-일트리플루오로보레이트, 6-아지도피리딘-3-일트리플루오로보레이트, 포타슘 6-아지도-2-메틸피리딘-3-일트리플루오로보레이트, 포타슘 6-아지도-5-메틸피리딘-3-일트리플루오로보레이트, 포타슘 4-(4-아지도펜옥시)페닐트리플루오로보레이트, 포타슘 4-아지도나프탈렌-1-일트리플루오로보레이트 및 포타슘 4'-아지도바이페닐-4-일트리플루오로보레이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체. | 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 무기염은, 탄산나트륨(Na2CO3), 탄산칼륨(K2CO3), 탄산세슘(Cs2CO3), 탄산마그네슘(MgCO3) 및 탄산칼슘(CaCO3)으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 9 항에 있어서,상기 무기염의 함량은, 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체에 대하여, 1.0~3.0 당량인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제조방법에서 사용되는 용매는, 디메틸설폭시드(DMSO), N,N-디메틸포름아미드(DMF), 또는 디메틸설폭시드와 N,N-디메틸포름아미드의 혼합물인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 4 항에 있어서,상기 제조방법에 따른 반응온도는 60~120℃이고, 반응시간은, 30 분~1 일인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 반응식 2에 의해 제조되는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법:[반응식 2]상기 반응식 2에서, Ar은 페닐 (), 바이페닐 (), 나프틸 (), 안트라세닐 (), 피리딜 (), 피라지닐 (), 피리미디닐 (), 트리아지닐 (), 티아졸릴 (), 옥사졸닐 (), 티오페닐 (), 9H-플루오레닐 () 및 펜옥시페닐 ()로 구성된 군으로부터 선택되고,R1은 C1-C4 알킬기, C1-C6 알릴기, C1-C4 알킬옥시기, C1-C4 알킬티오옥시기, C6-C12 아릴옥시기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬기, 하나 이상의 할로겐이 치환된 C1-C4 알킬옥시기, 니트로기(-NO2), 시안기(-CN), 불소, 염소, 브롬, 요오드 및 수소로 구성된 군으로부터 선택되고,X는 요오드, 브롬 또는 염소이며,n은 1 내지 4의 정수임. | 제 3 항에 있어서,상기 제조방법은, 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체, 소듐아자이드(NaN3), 커퍼할라이드(CuX), 아민 리간드 및 무기염을 혼합하여 단일공정으로 반응을 진행하는 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 소듐아자이드(NaN3)의 함량은, 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체에 대하여, 1.0~3.0 당량인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 아민 리간드는, 피롤리딘(), 프롤린(), 2-피롤리딘메탄올(), 피페리딘(), N,N'-디메틸시클로헥산-1,2-디아민(), N,N'-디메틸에틸렌디아민() 및 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민()로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 6 항에 있어서,상기 아민 리간드의 함량은, 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체에 대하여, 0.05~0.4 당량인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법. | 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 커퍼할라이드(CuX) 촉매의 함량은, 포타슘 할로아릴트리플루오로보레이트 유도체에 대하여, 0.05~0.3 당량인 것을 특징으로 하는 포타슘 아지도아릴트리플루오로보레이트 유도체의 제조방법."]
["K05000","화학","KR","P","트리클로산 유도체 및 이를 함유하는 항생제(Triclosan derivatives and antibiotics containing the same)","신규한 트리클로산 유도체, 이의 제조 방법, 및 이의 항생제로서의 용도에 관한 것이다.","다음의 화학식 1의 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n은 1 내지 6의 정수이고; X는, 1차 또는 2차 아민으로, C1-C4의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C1-C6의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C5-C10의 헤테로 고리아민, 하이드록시기가 하나 이상 함유된 페닐아민, C1-C4의 알킬 에스테르기 또는 카르복시산이 치환된 페닐아민, 및 질소가 하나 이상 포함되어 있는 6환 헤테로아릴아민으로 이루어진 군에서 선택된 것임.",9,"2009-0115388","2009-11-26","2011-0058557","2011-06-01","2012-06-12","1124628","2012-02-29","금교창 | 김은경 | 배애님 | 서선희 | 홍승곤 | 바타라이 디팍 | 슬린코 인나 | 조상래","한국과학기술연구원","2029-11-26","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3512242000687","다음의 화학식 1의 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n은 1 내지 6의 정수이고; X는, 1차 또는 2차 아민으로, C1-C4의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C1-C6의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C5-C10의 헤테로 고리아민, 하이드록시기가 하나 이상 함유된 페닐아민, C1-C4의 알킬 에스테르기 또는 카르복시산이 치환된 페닐아민, 및 질소가 하나 이상 포함되어 있는 6환 헤테로아릴아민으로 이루어진 군에서 선택된 것임. | 제1항에 있어서,상기 n은 1 내지 6의 정수이고, X는 C1-C4의 알킬아민; 몰폴린; N-치환된 피페라진; 하나 이상의 하이드록시,　C1-2의 알킬 에스테르기, 또는 카르복시산이 치환된 페닐아민; 또는 피리딘아민인, 화합물. | 제1항에 있어서,상기 n은 1 내지 4의 정수이고, X는 디메틸에틸아민, 몰폴린, 페닐피페라진, 2-에틸에스테르페닐아민, 3-에틸에스테르페닐아민, 2-카르복시페닐아민, 3-카르복시페닐아민, 2,6-디하이드록시-3-카르복시페닐아민, 또는 2-피리딘아민인, 화합물. | 제1항에 있어서, 아래의 화합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 화합물:(1) 메틸 2-(2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)아세트아미도)벤조에이트;(2) 2-(2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)아세트아미도)벤조익 산;(3) 에틸 3-(2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)아세트아미도)벤조에이트;(4) 3-(2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)아세트아미도)벤조익 산;(5) 3-(2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)아세트아미도)-2,4-디하이드로벤조익 산;(6) 2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-(4-페닐피페라진-1-일)에탄온;(7) 5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-모르폴리노에탄온;(8) 2-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-N-(2-(디메틸아미노)에틸)아세트아미드;(9) 2-(5-클로로-2-(2,4-클로로페녹시)페녹시-N-(피리딘-2-닐)아세트아마이드;(10) 2-(3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)프로판아미도)벤조에이트;(11) 2-(3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)프로판아미도)벤조익 산;(12) 에틸 3-(3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)프로판아미도)벤조에이트;(13) 3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-(4-페녹시피페라진-1-일)프로판-1-온;(14) 3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-모르폴리노프로판-1-온;(15) 3-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-N-(2-(디메틸아미노)에틸)프로판아미드;(16) 메틸 2-(4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)부탄아미도)벤조에이트;(17) 2-(4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)부탄아미도)벤조익 산;(18) 에틸 3-(4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)부탄아미도)벤조에이트;(19) 3-(4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)부탄아미도)벤조익 산;(20) 3-(4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)부탄아미도)-2,4-디하이드록시벤조익 산;(21) 4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-(4-페닐피페라진-1-일)부탄-1-온;(22) 4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-1-모르폴리노부탄-1-온;(23) 4-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)-N-(2-(디메틸아미노)에틸)부탄아미도;(24) 메틸 2-(5-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)펜탄아미도)벤조에이트;(25) 2-(5-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)펜탄아미도)벤조익 산;(26) 에틸 3-(5-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)펜탄아미도)벤조에이트;(27) 3-(5-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)펜탄아미도)벤조익 산; 및(28) 3-(5-(5-클로로-2-(2,4-디클로로페녹시)페녹시)펜탄아미도)-2,4-디하이드록시벤조익 산 | 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 화합물 또는 이의 약학적으로 허용 가능한 염을 유효성분으로 포함하는 항균 조성물. | 제5항에 있어서, 상기 항균 조성물은 스타필로코커스속 균, 엔테로코커스속 균, 대장균, 바실러스속 균, 살모넬라속 균, 및 미코박테리움속 균으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상에 대하여 항균 활성을 갖는 것인, 항균 조성물. | 아래의 화학식 2의 카르복시산 또는 염화아실 화합물과 화학식 3의 1차 또는 2차 아민 화합물을 반응시켜 아마이드 결합시키는 단계를 포함하는,화학식 1의 화합물 제조 방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3]XH상기 화학식 1 내지 3에서, n은 1 내지 6의 정수이고, Y는 OH 또는 클로라이드이며, X는 1차 또는 2차 아민으로, C1-C4의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C1-C6의 알킬아민, 산소 및 질소 중에서 선택된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 C5-10 헤테로 고리아민, 하이드록시기가 하나이상 함유된 페닐아민, C1-4의 알킬 에스테르기 또는 카르복시산이 치환된 페닐아민, 및 질소가 하나이상 포함된 헤테로 원자가 하나 이상 포함되어 있는 6환 헤테로아릴아민으로 이루어진 군에서 선택된 것임 | 제7항에 있어서, Y가 클로라이드이고, 아민, 카르보네이트, 및 하이드록사이드 염기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 아마이드 결합시약으로 사용하여 아마이드 결합시키는 것을 특징으로 하는, 제조 방법. | 제7항에 있어서, Y가 OH이고, 카본디이미드, C1-7 직쇄 또는 측쇄의 알킬 클로로포르메이트, 및 벤조 또는 아자벤조 트리아졸 계열의 결합시약으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용하여 아마이드 결합시키는 것을 특징으로 하는, 제조 방법."]
["K04281","화학","KR","P","용매열합성 공정을 이용한 염소화 유기화합물 분해용바나디아-티타니아 촉매의 제조방법(METHOD FOR THE PREPARATION OF VANADIA-TITANIA CATALYST HAVING A NANO STRUCTURE FOR DEGRADING CHLORINATED ORGANIC COMPOUNDS BY USING A SOLVOTHERMAL SYNTHESIS PROCEDURE)","본 발명은 염소화 유기화합물 분해를 위한 나노 구조의 바나디아-티타니아 촉매의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 염소 성분을 포함하는 화합물의 연소 과정에서 배출되는 다이옥신을 비롯한 염소화 유기화합물을 처리할 수 있는 바나디아-티타니아 촉매를 이산화티타늄 담체 표면 위에 바나디아 입자가 막 구조 형태로 코팅되어 있는 코어 쉘(core shell) 구조의 바나디아-티타니아 입자를 용매열합성(solvothermal synthesis) 공정으로 연속적으로 제조하는 방법에 관한 것이다. 용매열합성 공정을 이용한 본 발명의 제조방법은 습식법에 비해 비교적 간단하면서도 연속적인 공정으로 바나디아-티타니아 촉매를 대량으로 생산할 수 있고, 이와 같이 용매열합성 공정에 의해 제조된 바나디아-티타니아 촉매는 습식법에 의해 제조된 촉매와 상용 촉매에 비해 저온(150 내지 300℃)에서도 염소화 유기화합물에 대해 높은 분해효율을 나타낸다.","1) 바나디아 전구체와 티타니아 전구체의 혼합용액을 제조한 후 이송가스와 보호공기를 주입하여 상기 전구체 혼합용액을 전기로의 고온부로 이동시키는 단계; 2) 전기로의 고온부에서 전구체 혼합용액을 용매열합성 공정으로 처리하여 이산화티타늄 담체 표면에 바나디아 입자가 코팅되어 코어 쉘 구조의 입자 형태로 바나디아-티타니아 촉매를 제조하는 단계; 및 3) 상기 코어 쉘 구조의 바나디아-티타니아 촉매 입자를 냉각시켜 포집하는 단계를 포함하는, 용매열합성 공정을 이용하여 나노 구조의 바나디아-티타니아 촉매를 연속적으로 제조하는 방법.",12,"2007-0114494","2007-11-09","","","2009-03-06","0887249","2009-02-27","정종수 | 진성민 | 정주영 | 이정은 | 배귀남","한국과학기술연구원","2027-11-09","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3509072000300","1) 바나디아 전구체와 티타니아 전구체의 혼합용액을 제조한 후 이송가스와 보호공기를 주입하여 상기 전구체 혼합용액을 전기로의 고온부로 이동시키는 단계; 2) 전기로의 고온부에서 전구체 혼합용액을 용매열합성 공정으로 처리하여 이산화티타늄 담체 표면에 바나디아 입자가 코팅되어 코어 쉘 구조의 입자 형태로 바나디아-티타니아 촉매를 제조하는 단계; 및 3) 상기 코어 쉘 구조의 바나디아-티타니아 촉매 입자를 냉각시켜 포집하는 단계를 포함하는, 용매열합성 공정을 이용하여 나노 구조의 바나디아-티타니아 촉매를 연속적으로 제조하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 바나디아 전구체와 티타니아 전구체가 3.5:96.5 내지 15:85의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 바나디아 전구체가 바나듐 옥시트라이프로폭사이드(C3H7O)3VO)이고, 티타니아 전구체가 티타늄-테트라아이소프로폭사이드(TTIP. Ti(OCH(CH3)2)4)인 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 이송가스와 보호공기의 유량비가 1:5 내지 1:10으로 조절되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 이송가스와 보호공기의 주입 온도가 80 내지 110℃의 범위인 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 이송가스가 질소 또는 아르곤의 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 1)에서 보호공기가 압축공기인 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 2)에서 용매열합성 공정이 900 내지 1100℃의 온도에서 1초 내지 1분간 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 3)에서 바나디아-티타니아 촉매 입자가 100℃ 이하로 냉각되어 포집되는 것을 특징으로 하는 방법. | 제1항에 있어서, 단계 3)에서 포집된 바나디아-티타니아 촉매에서 바나디아의 함량이 전체 촉매 중량의 3 내지 15 중량%인 것을 특징으로 하는 방법. | 이산화티타늄 담체 표면에 바나디아 입자가 코팅되어 코어 쉘 형태의 나노 구조를 가지고, 상기 바나디아 함량이 전체 촉매 중량의 3 내지 15 중량%인, 제1항의 방법에 따라 제조된 바나디아-티타니아 촉매. | 제11항의 바나디아-티타니아 촉매를 이용하여 염소화 유기화합물을 분해하는 방법."]
["K03084","화학","KR","P","소규모의 생물학적 오하수 고도 처리 장치 및 방법(SMALL-SCALE FACILITY AND METHOD FOR TREATING WASTEWATER BIOLOGICALLY)","본 발명은 오·하수 중의 유기물과 질소·인 등의 영양염류를 동시에 제거할 수 있는 생물학적 고도 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 상기 장치는 단일반응조의 내부에 설치되어 단일반응조를 하단의 무산소조와 상단의 호기조로 구분하는 격벽(18), 반응조의 격벽 상부에 존재하여 호기조 내에 공기를 공급하는 산기관(15), 격벽 상부의 호기조(13), 상기 호기조의 상부에 존재하는 미생물 담체층(14) 및 반응기 하부의 무산소조(12) 및 무산소조 하단에 존재하는 교반기(17)를 포함하는 단일 반응조와, 침전조(19, 29), 침전조로부터 슬러지 및 질산성 질소를 무산소조의 하단에 공급하는 이송 펌프(11b) 및 오하수 유입 펌프(11a)를 포함한다. 본 발명을 이용하여 농어촌 지역의 수질오염을 초기 단계에서 예방함으로써 수생태계 보호 및 부영양화의 방지를 도모할 수 있고, 상기 장치는 이송 펌프 등의 부대시설을 최소화시킨 단일반응조로 그 구성이 매우 간단하여 유지관리가 용이하다. 따라서, 본 발명은 마을 하수 처리시설을 설계 또는 설치함에 있어서 기본적으로 고려해야 할 사항인 유지관리의 편의성 및 경제성을 동시에 만족시킬 수 있는 오·하수 처리방법을 제공한다.","단일반응조의 내부에 설치되어 단일반응조를 하단의 무산소조와 상단의 호기조로 구분하는 격벽(18), 반응조의 격벽 상부에 존재하여 호기조 내에 공기를 공급하는 산기관(15), 격벽 상부의 호기조(13), 상기 호기조 용적의 40 내지 60%를 충전하며 호기조의 상층부에 존재하는 미생물 담체층(14) 및 반응기 하부의 무산소조(12) 및 무산소조 하단에 존재하는 교반기(17)를 포함하는 단일 반응조와, 침전조(19, 29), 침전조로부터 슬러지 및 질산성 질소를 무산소조의 하단에 공급하는 이송 펌프(11b) 및 오하수 유입 펌프(11a)를 포함하는 오하수의 생물학적 고도 처리 장치.",4,"2003-0049614","2003-07-21","2005-0010384","2005-01-27","2005-11-23","0530555","2005-11-16","최용수 | 홍석원 | 박용배 | 권기한","한국과학기술연구원","2023-07-21","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=3505048000182","단일반응조의 내부에 설치되어 단일반응조를 하단의 무산소조와 상단의 호기조로 구분하는 격벽(18), 반응조의 격벽 상부에 존재하여 호기조 내에 공기를 공급하는 산기관(15), 격벽 상부의 호기조(13), 상기 호기조 용적의 40 내지 60%를 충전하며 호기조의 상층부에 존재하는 미생물 담체층(14) 및 반응기 하부의 무산소조(12) 및 무산소조 하단에 존재하는 교반기(17)를 포함하는 단일 반응조와, 침전조(19, 29), 침전조로부터 슬러지 및 질산성 질소를 무산소조의 하단에 공급하는 이송 펌프(11b) 및 오하수 유입 펌프(11a)를 포함하는 오하수의 생물학적 고도 처리 장치. | 삭제 | 제1항에 있어서, 산기관이 반응조 하부로부터 1/2 내지 2/3의 지점에 설치된 것인 장치. | 삭제 | 제1항 기재의 단일 반응조의 무산소조에 침전조에서 반송되는 슬러지 및 질산성 질소와 함께 유입 오하수를 공급하는 단계, 무산소조에서 탈질화 반응시키는 단계, 호기조 용적의 40 내지 60%를 충전하며 호기조 상층부에 존재하는 담체층의 질산화 미생물에 의해 잔류 유기물과 암모니아성 질소를 산화시키는 단계, 하나의 이송펌프를 사용하여 슬러지와 질산성 질소를 침전조로부터 반응조 하부로 반송하는 단계를 포함하는 생물학적 오하수 고도 처리 방법. | 삭제 | 제5항에 있어서, 산기관이 반응조 하부로부터 1/2 내지 2/3의 지점에 설치된 것인 방법. | 삭제"]
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["KIST \n관리번호","분야","국가","특허/실용 구분","발명의 명칭(KOR)","발명의 명칭(ENG)","요약","대표청구항","청구항 수","출원번호","출원일","등록번호","등록일","KIST주발명자","발명자/고안자","대표도면","원문 링크","전체 청구항"]
["F01736","기계","US","P","알킬디클로로실란의 제조 방법","Preparation method of alkyldichlorosilanes","A method for preparing alkyldichlorosilanes having a Si—H bond by directly reacting metallic silicon with a mixture of alkyl chloride and (i) hydrogen chloride, or (ii) an alkyl chloride which can generate hydrogen chloride at a reaction temperature in the presence of copper catalyst.","1. A method for preparing alkyldichlorosilanes of Formula 3 by directly reacting metallic silicon with a mixture of alkyl chloride of Formula 1 and hydrogen chloride or alkyl chloride (Formula 2) which can generate hydrogen chloride at a reaction temperature in the presence of copper catalyst: wherein, R is a linear, branched or cyclic C3-10 alkyl group, R1 is hydrogen or a primary secondary or tertiary C4-6 alkyl group.",6,"2002-335084","2002-12-31","6911552","2005-06-28","정일남","Il Nam Jung | Bok Ryul Yoo | Joon Soo Han | Weon Cheol Lim | Mu Yeol Kim","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705026001326","1. A method for preparing alkyldichlorosilanes of Formula 3 by directly reacting metallic silicon with a mixture of alkyl chloride of Formula 1 and hydrogen chloride or alkyl chloride (Formula 2) which can generate hydrogen chloride at a reaction temperature in the presence of copper catalyst: wherein, R is a linear, branched or cyclic C3-10 alkyl group, R1 is hydrogen or a primary secondary or tertiary C4-6 alkyl group. | 2. The method of claim 1, wherein 1 to 6 times of the compound in Formula 2 is added to each mole of alkyl chloride in Formula 1. | 3. The method of claim 1, wherein said reactor is a fluidized bed reactor or a stirred reactor equipped with a spiral band agitator. | 4. The method of claim 1, wherein said method further comprises adding 1 to 50% by weight of micro-spherical acid clay based on the amount of metallic silicon. | 5. The method of any of the claims 1 to 4, wherein said method comprises using metal copper or copper compound which generates copper under the reaction condition in amount of 1 to 20% by weight for the amount of metallic silicon as a catalyst, and conducting the reaction at a temperature of 200-350° C. using metallic silicon having a size from 50 to 240 mesh. | 6. The method of claim 5, wherein one or more co-catalysts which are selected from the group consisting of NiCl12(dppm), NiCl2(dppe), NiCl2(dppb), NiCl2(dppp), NiCl2(dppd), Ni, Sn, Zn, Cd, Ca, Ti, Ag, Mg, Mn and the mixtures thereof are used in amount of 0.01 to 5% by weight for the amount of metallic silicon."]
["F01792","물리/재료","US","P","기상화학증착법에　의한　구상의　다이아몬드　분말　합성장치　및　이를　이용한구상의　다이아몬드　합성방법","Apparatus and method for synthesizing spherical diamond powder by using chemical vapor deposition method","Disclosed are an apparatus and a method to synthesize powders typed diamond with the size between several tens nm to several μm in diameter using conventional CVD processes for deposition of diamond films. Gas phase nucleation has been induced on the boundary of plasmas, and as a result the spherical diamond powders accumulated have been obtained on circumferences of the normal substrate. With a modification of a substrate structure, a large area accumulation of the diamond powders of around 100 mm in diameter has been accomplished.","1. In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing film-shape diamond on a substrate by decomposing carbon source reaction gas by forming a plasma in a vacuumed container, an apparatus for synthesizing spherical diamond powder, comprising: a first substrate directly contacting with said plasma; and a second substrate possessing a height which is lower than the height of said first substrate, and on which second substrate said spherical diamond powder is synthesized being arranged to extend around the first substrate so as not to contact with said plasma; wherein there are two or more first substrates in order to divide said plasma into two or more pieces, and the second substrate is arranged around the first substrate so as not to contact with said plasma.",6,"2002-330932","2002-12-27","6907841","2005-06-21","이재갑","Jae-Kap Lee | Young-Joon Baik | Kwang yong Eun","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705025000225","1. In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing film-shape diamond on a substrate by decomposing carbon source reaction gas by forming a plasma in a vacuumed container, an apparatus for synthesizing spherical diamond powder, comprising: a first substrate directly contacting with said plasma; and a second substrate possessing a height which is lower than the height of said first substrate, and on which second substrate said spherical diamond powder is synthesized being arranged to extend around the first substrate so as not to contact with said plasma; wherein there are two or more first substrates in order to divide said plasma into two or more pieces, and the second substrate is arranged around the first substrate so as not to contact with said plasma. | 2. The apparatus of claim 1, wherein the second substrate which is arranged so as not to contact with the plasma is placed at a distance within 10 cm from said plasma. | 3. In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing film-shaped diamond on a ring-shaped substrate by decomposing carbon source reaction gas by forming plasma in a vacuumed container, an apparatus for synthesizing spherical diamond powder, comprising: a first substrate directly contacting with said plasma; and a second substrate possessing a height which is lower than the height of said first substrate, and on which second substrate said spherical diamond powder is synthesized, being arranged to extend around the first substrate so as not to contact with said plasma, said first substrate having a ring shape, and wherein the second substrate is arranged inside and outside of the ring-shaped first substrate so as not to contact with said plasma. | 4. The apparatus of claim 3, wherein the second substrate which is arranged so as not to contact with the plasma is placed at a distance within 10 cm from said plasma. | 5. In a multi-cathode direct current plasma-assisted chemical vapor deposition (MCDCPACD) diamond synthesizing apparatus for synthesizing film-shaped diamond on a substrate by decomposing carbon source reaction gas by forming a plasma in a vacuumed container, an apparatus for synthesizing spherical diamond powder, comprising: a plurality of first substrate directly contacting with said plasma; and a second substrate possessing a height which is lower than the height of said first substrate, and on which second substrate said spherical diamond powder is synthesized being arranged to extend around the plurality of said first substrates so as not to contact with said plasma, said plurality of said first substrates corresponding with the number of said cathodes and being positioned on said second substrate, each of said first substrates being arranged closely below each of said cathodes so as to separate the plasma into portions corresponding to the number of said first substrates. | 6. The apparatus of claim 5, wherein the second substrate which is arranged so as not to contact with the plasma is placed at a distance within 10 cm from said plasma."]
["F01829","물리/재료","US","P","생분해성 폴리에스테르 종합체 및 압축기체를 이용한 이의 제조방법","Biodegradable polyester polymer and method for preparing the same using compressed gas","In polymerizing biodegradable polymer material, a compressed gas is used as a reaction solvent for a solution-polymerization, in order to prepare biodegradable polyester homopolymer and copolymer with a high molecular weight in a fine powder form with a particle size of 0.01˜1000 μm.","1. A method for preparing polyester polymer in a particle form comprising: adding one or more cyclic monomer in a high pressure reactor; adding an organic metal catalyst or acid catalyst and an initiator; and pressurizing and injecting a compressed gas solvent selected from the group consisting of HFC-23, HFC-32, HFC-152a, HFC-143a, HFC-134a, HFC-125, HFC-227ea, HFC-236fa, HFC-245fa, HFC-254cb, SF6, HFC-4-10-mee, C-318 (perfluoro cyclobutane), HCFC-22, HCFC-141b, HCFC-142b, HCFC-225ca/cb, dimethylether, N2O, propane, butane and their mixtures, or their mixtures with CO2, to solution-polymerize the monomer.",20,"2003-682760","2003-10-08","6913826","2005-07-05","김수현","Youn-Woo Lee | Soo Hyun Kim | Young Ha Kim | Jong Sung Lim | Jong Min Park | Ji Won Pack","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705027001098","1. A method for preparing polyester polymer in a particle form comprising: adding one or more cyclic monomer in a high pressure reactor; adding an organic metal catalyst or acid catalyst and an initiator; and pressurizing and injecting a compressed gas solvent selected from the group consisting of HFC-23, HFC-32, HFC-152a, HFC-143a, HFC-134a, HFC-125, HFC-227ea, HFC-236fa, HFC-245fa, HFC-254cb, SF6, HFC-4-10-mee, C-318 (perfluoro cyclobutane), HCFC-22, HCFC-141b, HCFC-142b, HCFC-225ca/cb, dimethylether, N2O, propane, butane and their mixtures, or their mixtures with CO2, to solution-polymerize the monomer. | 2. The method of claim 1, additionally comprising the step after polymerization is completed, in which an antisolvent dissolving the reaction solvent but not dissolving the produced polymer to form a single phase is introduced, and thereby the pure polymer is precipitated. | 3. The method of claim 2, wherein the antisolvent is directly introduced into a reaction container. | 4. The method of claim 2, wherein the polymer in the polymerization-completed reaction container is sprayed into a precipitator and the antisolvent is introduced into the precipitator. | 5. The method of claim 2, wherein as the antisolvent, CO2, HFCs, HCFCs, SF6, FCs, hydrocarbon, ether or their mixture is used. | 6. The method of claim 1, wherein as the cyclic monomer, one or more selected from the group consisting of lactides, lactones, cyclic carbonates, cyclic anhydrides and thiolactones are used. | 7. The method of claim 1, wherein as the cyclic monomer, one or more compounds selected from the group consisting of a compound (A) represented by the general formula (I) and a compound (B) represented by the general formula (II) are used: (wherein R1 and R2 are hydrogen atom or alkyl group of C1-C4) (wherein n is an integer of 2 to 5). | 8. The method of claim 7, wherein the compound (A) is L-lactide, D-lactide, D,L-lactide, or glycolide. | 9. The method of claim 7, wherein the compound (B) is ε-caprolactone. | 10. The method of claim 1, wherein two or more monomers are used to be co-polymerized. | 11. The method of claim 1, wherein the organic metal catalyst is selected from the group consisting of a tin-based catalyst comprising stannous octoate, stannic chloride, stannous oxide, stannous octylester, stannous chloride dihydrate and tetraphenyl tin; a zinc-based catalyst comprising zinc powder, diethyl zinc, zinc octoate, zinc chloride and zinc oxide; and an aluminum-based catalyst comprising aluminum chloride and aluminum ethoxide. | 12. The method of claim 1, wherein the acid catalyst is zinc bis(2,2-dimethyl-3,5-heptanedionato-O,O′). | 13. The method of claim 1, wherein as the initiator, 1,6-hexanediol is used. | 14. The method of claim 1, wherein the compressed gas reaction solvent completely dissolves polymer to perform a uniform solution-polymerization. | 15. The method of claim 1, wherein a reaction temperature is 25 to 250° C. | 16. The method of claim 1, wherein reaction time is 0.2 to 50 hours, and an yield is 70% or higher. | 17. The method of claim 1, wherein a reaction pressure is 40 to 700 bar. | 18. The method of claim 1, wherein the amount of monomer is 1˜50 wt % based on the supercritical fluid. | 19. The method of claim 1, wherein the molar ratio of the catalyst and the initiator is 10−4 to 10−2 based on monomer, respectively. | 20. A biodegradable polyester homopolymer or copolymer polymerized according to the preparation method of claim 1, which has a molecular weight of 2,000 to 1,000,000 g/mol and a particle size of 0.01 to 1,000 μm, and does not include a residual harmful solvent."]
["F02399","물리/재료","US","P","나노 크기의 다공성 금속 유리 및 그 제조방법","Metallic glass with nanometer-sized pores and method for manufacturing the same","A nanometer-sized porous metallic glass and a method for manufacturing the same are provided. The porous metallic glass includes Ti (titanium) at 50.0 at % to 70.0 at %, Y (yttrium) at 0.5 at % to 10.0 at %, Al (aluminum) at 10.0 at % to 30.0 at %, Co (cobalt) at 10.0 at % to 30.0 at %, and impurities. Ti+Y+Al+Co+the impurities=100.0 at %.","1. A porous metallic glass comprising Ti (titanium) at 50.0 at % to 70.0 at %, Y (yttrium) at 0.5 at % to 10.0 at %, Al (aluminum) at 10.0 at % to 30.0 at %, Co (cobalt) at 10.0 at % to 30.0 at %, and impurities, wherein Ti+Y+Al+Co+the impurities=100.0 at %, wherein the glass comprises two or more separated and interconnected amorphous phases, and the first amorphous phase of the two or more amorphous phases is a Ti56Al24Co20 amorphous phase and the second amorphous phase is a Y56Al24Co20 amorphous phase.",4,"2006-562572","2006-11-22","7563332","2009-07-21","김유찬","Eric Fleury | Yu-Chan Kim | Ki-Bae Kim | Jayamani Jayaraj | Do-Hyang Kim | Byung-Joo Park","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909029001392","1. A porous metallic glass comprising Ti (titanium) at 50.0 at % to 70.0 at %, Y (yttrium) at 0.5 at % to 10.0 at %, Al (aluminum) at 10.0 at % to 30.0 at %, Co (cobalt) at 10.0 at % to 30.0 at %, and impurities, wherein Ti+Y+Al+Co+the impurities=100.0 at %, wherein the glass comprises two or more separated and interconnected amorphous phases, and the first amorphous phase of the two or more amorphous phases is a Ti56Al24Co20 amorphous phase and the second amorphous phase is a Y56Al24Co20 amorphous phase. | 2. The porous metallic glass of claim 1, wherein the Ti56Al24Co20 amorphous phase is present in a range from 50.0 at % to 80.0 at % and the Y56Al24Co20 amorphous phase is present in a range from 20.0 at % to 50.0 at %. | 3. The porous metallic glass of claim 1, wherein a plurality of pores formed in the porous metallic glass are formed by removing Y elements from the Y56Al24Co20 amorphous phase. | 4. A porous metallic glass comprising Ti (titanium) at 50.0 at % to 70.0 at %, Y (yttrium) at 0.5 at % to 10.0 at %, Al (aluminum) at 10.0 at % to 30.0 at %, Co (cobalt) at 10.0 at % to 30.0 at %, and impurities, wherein Ti+Y+Al+Co+the impurities=100.0 at %, wherein pores formed in the porous metallic glass have sizes in a range from 10 nm to 500 nm."]
["F02423","물리/재료","US","P","MoSi2-Si3N4 복합피복층 및 그 제조방법","MoSi2-Si3N4 composite coating and manufacturing method thereof","A MoSi2—Si3N4 composite coating which is coated on a surface of base materials. The MoSi2—Si3N4 composite coating on the surface of the base material can be formed by forming a Mo2N diffusion layer by vapor-depositing of nitrogen on the surface of the base material and forming a MoSi2—Si3N4 composite coating by vapor-depositing of silicon on the surface of the Mo2N diffusion layer, or the MoSi2—Si3N4 composite coating on the surface of the base material can be formed by forming a MoSi2 diffusion layer by vapor-depositing of silicon on a surface of a base material by the CVD method, transforming the MoSi2 diffusion layer into a Mo5Si3 diffusion layer by heating under a high-purity hydrogen or argon atmosphere, forming a MoSi2—Si3N4 composite diffusion layer by vapor-depositing of nitrogen on the surface of the MosSi3 diffusion layer by the CVD method and forming a MoSi2—Si3N4 composite coating by vapor-depositing of silicon on the surface of the MoSi2—Si3N4 composite diffusion layer.","1. A manufacturing method of a MoSi2—Si3N4 composite coating which is coated on molybden (Mo), molybden alloy, niobium coated by molybden, or niobium alloy coated by niobium or molybden, comprising the steps of: forming a MoSi2 diffusion layer by vapor-depositing of silicon on a surface of a base material by the CVD method; transforming the MoSi2 diffusion layer into a Mo5Si3 diffusion layer by heating under a high-purity hydrogen or argon atmosphere; forming a Mo2N—Si3N4 composite diffusion layer by vapor-depositing of nitrogen on the surface of the Mo5Si3 diffusion layer by the CVD method; and forming a MoSi2—Si3N4 composite coating by vapor-depositing of silicon on the surface of the Mo2N—Si3N4 composite diffusion layer.",8,"2006-482840","2006-07-10","7622152","2009-11-24","윤진국","Jae Soo Kim | Kyeung Ho Kim | Ji Young Byun | Jin-Kook Yoon | Doo Yong Kim | Jong Kown Lee | Jong Chul Shin | Dae Ho Rho","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909048001638","1. A manufacturing method of a MoSi2—Si3N4 composite coating which is coated on molybden (Mo), molybden alloy, niobium coated by molybden, or niobium alloy coated by niobium or molybden, comprising the steps of: forming a MoSi2 diffusion layer by vapor-depositing of silicon on a surface of a base material by the CVD method; transforming the MoSi2 diffusion layer into a Mo5Si3 diffusion layer by heating under a high-purity hydrogen or argon atmosphere; forming a Mo2N—Si3N4 composite diffusion layer by vapor-depositing of nitrogen on the surface of the Mo5Si3 diffusion layer by the CVD method; and forming a MoSi2—Si3N4 composite coating by vapor-depositing of silicon on the surface of the Mo2N—Si3N4 composite diffusion layer. | 2. The method of claim 1, wherein the method for vapor-depositing of nitrogen on a surface of the Mo5Si3 diffusion layer in the step (c) is a CVD method using nitrogen (N2) or ammonia (NH3). | 3. The method of claim 1, wherein the method for vapor-depositing of silicon on the surface of the base material in the step (a) is a CVD method using SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl or SiH4. | 4. The method of claim 3, wherein the method for vapor-depositing of nitrogen on the surface of the Mo5Si3 diffusion layer in the step (c) is a CVD method using nitrogen (N2) or ammonia (NH3). | 5. The method of claim 1, wherein the method for vapor-depositing of silicon on a surface of the base material in the step (a) is a pack-siliconizing method using pack-siliconizing processing powder having a composition of (1-70) wt % of Si, (1-10) wt % of NaF and (20-98) wt % of Al2O3. | 6. The method of claim 5, wherein the method for vapor-depositing of nitrogen on the surface of the Mo5Si3 diffusion layer in the step (c) is a CVD method using nitrogen (N2) or ammonia (NH3). | 7. The method of claim 1, wherein the method for vapor-depositing of silicon on the surface of the MoSi2—Si3N4 composite diffusion layer in the step (d) is a CVD method using SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl or SiH4. | 8. The method of claim 1, wherein the method for vapor-depositing of silicon on the surface of the composite diffusion layer in the step (d) is a pack-siliconizing method using pack-siliconizing processing powder having a composition of (1-70) wt % of Si, (1-10) wt % of NaF and (20-98) wt % of Al2O3."]
["F02576","물리/재료","US","P","고융점원소를　포함하는　구리계　비정질기지　복합재　및　그　제조　방법","Method for producing composite materials comprising Cu-based amorphous alloy and high fusion point element and composite materials produced by the method","In Cu-based bulk amorphous matrix composite materials, comprising a Cu-based amorphous alloy containing high fusion point element(s) selected from a group of Ta, W or combination thereof, wherein the high fusion point element(s) has(have) a shape of crystalline grain and is(are) dispersed around a Cu-based amorphous matrix. Cu-based bulk amorphous matrix composite materials have the composition expressed as the following Chemical formula 1; CuaZrbTicRd  [Chemical formula 1] where R is Ta, W or combination thereof, a, b, c and d are atomic weight ratio, a+b+c+d equals 100, a, b, c, and d have the range of 45≦a≦65, 10≦b≦35, 5≦c≦30, and 5≦d≦10, respectively.","1. A method for producing composite materials comprising a Cu-based amorphous alloy and high fusion point element(s) comprising: (a) melting high fusion point element(s) selected from a group consisting of Ta and W together with Zr as a matrix element, to produce a binary master alloy; and (b) remelting the binary alloy obtained from the step (a) together with Cu, Zr and Ti as matrix element(s), to produce another master alloy with target composition.",3,"2007-732011","2007-04-02","7591916","2009-09-22","김유찬","Yu Chan Kim | Jae Chul Lee | Do Hyang Kim | Eric Fleury","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909039001378","1. A method for producing composite materials comprising a Cu-based amorphous alloy and high fusion point element(s) comprising: (a) melting high fusion point element(s) selected from a group consisting of Ta and W together with Zr as a matrix element, to produce a binary master alloy; and (b) remelting the binary alloy obtained from the step (a) together with Cu, Zr and Ti as matrix element(s), to produce another master alloy with target composition. | 2. The method for producing composite materials comprising a Cu-based amorphous alloy and high fusion point element(s) as claimed in claim 1, wherein the target composition of the master alloy in the step (b) satisfies the following Chemical formula 1; CuaZrbTicRd   where R is Ta, W or combination thereof, a, b, c and d are atomic weight ratio, a+b+c+d equals 100, a, b, c and d have the range of 45≦a≦65, 10≦b≦35, 5≦c≦30 and 5≦d≦10, respectively. | 3. The method for producing Cu-based amorphous matrix composite materials containing high fusion point element as claimed in claim 1 further comprising: (c) melting the master alloy of the step (b) in the atmosphere of Ar in a Quartz tube using a radio-frequency melting furnace; and (d) injecting the melted alloy of the step (c) into a molding die with blowing Ar gas, and solidifying the same."]
["F02631","물리/재료","US","P","광통신 시스템용 가변 분산 및 분산기울기 보상기","Tunable dispersion and dispersion slope compensator in optical telecommunication system","The present invention relates to a tunable dispersion and dispersion slope compensator based on an optical fiber grating in an optical communication system. The compensator includes: a first disk having a ring shape, wherein the first disk is configured to rotate; a second disk installed at an inner space of the first disk, wherein the second disk is configured not to rotate; a metal plate configured to bend as the first disk rotates; and an optical fiber grating adhered to the metal plate, wherein the optical fiber grating has different strains according to positions when the metal plate rotates.","1. A tunable dispersion and dispersion slope compensator, comprising: a first disk having a ring shape, wherein the first disk is configured to rotate; a second disk installed at an inner space of the first disk, wherein the second disk is configured not to rotate; a metal plate configured to bend as the first disk rotates, wherein the metal plate has non-uniform thickness; a plurality of optical fiber gratings adhered to the metal plate, wherein the optical fiber gratings form an oblique line, and the optical fiber gratings have different strains according to positions when the metal plate rotates; and a first holder and a second holder for fixing the metal plate, wherein each of the first and the second holders includes a first axis for coupling a part of each holder to the first disk and a second axis for coupling another part of each holder to the second disk, wherein the first axis of each holder is moved with a same angle to the center of the first disk when the first disk rotates, wherein the first axes of the first and the second holders are not diametrically opposite to each other, and wherein the metal plate is bent to have an asymmetric bending curve with respect to the center when the first disk rotates.",3,"2005-886110","2005-10-27","7627211","2009-12-01","이상배","Jun Kye Bae | Young Jun Lee | Sang Hyuck Kim | Sang Bae Lee","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909049003233","1. A tunable dispersion and dispersion slope compensator, comprising: a first disk having a ring shape, wherein the first disk is configured to rotate; a second disk installed at an inner space of the first disk, wherein the second disk is configured not to rotate; a metal plate configured to bend as the first disk rotates, wherein the metal plate has non-uniform thickness; a plurality of optical fiber gratings adhered to the metal plate, wherein the optical fiber gratings form an oblique line, and the optical fiber gratings have different strains according to positions when the metal plate rotates; and a first holder and a second holder for fixing the metal plate, wherein each of the first and the second holders includes a first axis for coupling a part of each holder to the first disk and a second axis for coupling another part of each holder to the second disk, wherein the first axis of each holder is moved with a same angle to the center of the first disk when the first disk rotates, wherein the first axes of the first and the second holders are not diametrically opposite to each other, and wherein the metal plate is bent to have an asymmetric bending curve with respect to the center when the first disk rotates. | 2. A tunable dispersion and dispersion slope compensator, comprising: a first disk having a ring shape, wherein the first disk is configured to rotate; a second disk installed at an inner space of the first disk, wherein the second disk is configured not to rotate; a metal plate configured to bend as the first disk rotates, wherein the metal plate has non-uniform thickness; a plurality of optical fiber gratings adhered to the metal plate, wherein the optical fiber gratings form an oblique line, and the optical fiber gratings have different strains according to positions when the metal plate rotates; and a first holder and a second holder for fixing the metal plate, wherein each of the first and the second holders includes a first axis for coupling a part of each holder to the first disk and a second axis for coupling another part of each holder to the second disk, wherein the first axis of each holder is moved with a same angle to the center of the first disk when the first disk rotates, wherein the second axes of the first and the second holders are not diametrically opposite to each other, and wherein the metal plate is bent to have an asymmetric bending curve with respect to the center when the first disk rotates. | 3. A tunable dispersion and dispersion slope compensator, comprising: a first disk having a ring shape, wherein the first disk is configured to rotate; a second disk installed at an inner space of the first disk, wherein the second disk is configured not to rotate; a metal plate configured to bend as the first disk rotates, wherein the metal plate has non-uniform thickness; a plurality of optical fiber gratings adhered to the metal plate, wherein the optical fiber gratings form an oblique line, and the optical fiber gratings have different strains according to positions when the metal plate rotates; and a first holder and a second holder for fixing the metal plate, wherein each of the first and the second holders includes a first axis for coupling a part of each holder to the first disk and a second axis for coupling another part of each holder to the second disk, wherein the first axis of each holder is moved with a same angle to the center of the first disk when the first disk rotates, wherein the first and second axes of each of the first and the second holders are not diametrically opposite to each other, and wherein the metal plate is bent to have an asymmetric bending curve with respect to the center when the first disk rotates."]
["F02717","물리/재료","US","P","전이금속 붕화물 분말의 제조 방법","Method for manufacturing transition metal boride power","The present invention relates to a method for manufacturing a transition metal boride powder. The method for manufacturing a transition metal boride powder includes: i) manufacturing a mixed powder by mixing a transition metal halogenide powder and an alkali metal borohydride powder; ii) charging the mixed powder and a plurality of balls into a reaction vessel; iii) charging an inert gas into the reaction vessel and sealing the reaction vessel; iv) high energy ball milling the mixed powder and manufacturing a composite powder containing a transition metal boride and an alkali metal halogenide; v) washing the composite powder in water, dissolving the alkali metal halogenide in the water and filtering the transition metal borides; and vi) drying the filtered transition metal boride and collecting the transition metal boride powder.","1. A method for manufacturing transition metal boride powder, the method comprising: manufacturing a mixed powder by mixing a transition metal halogenide powder and an alkali metal borohydride powder; charging the mixed powder and a plurality of balls into a reaction vessel; charging an inert gas into the reaction vessel and sealing the reaction vessel; high energy ball milling the mixed powder and manufacturing a composite powder containing a transition metal boride and an alkali metal halogenide; washing the composite powder in water, dissolving the alkali metal halogenide in the water, and filtering the transition metal boride; and drying the filtered transition metal boride and collecting the transition metal boride powder.",10,"2008-052877","2008-03-21","7541013","2009-06-02","심재혁","Jae-Hyeok Shim | Ji-Woo Kim | Young-Whan Cho","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909022001445","1. A method for manufacturing transition metal boride powder, the method comprising: manufacturing a mixed powder by mixing a transition metal halogenide powder and an alkali metal borohydride powder; charging the mixed powder and a plurality of balls into a reaction vessel; charging an inert gas into the reaction vessel and sealing the reaction vessel; high energy ball milling the mixed powder and manufacturing a composite powder containing a transition metal boride and an alkali metal halogenide; washing the composite powder in water, dissolving the alkali metal halogenide in the water, and filtering the transition metal boride; and drying the filtered transition metal boride and collecting the transition metal boride powder. | 2. The method of claim 1, wherein a particle size of the transition metal boride powder is not more than 100 nm in the collecting of the transition metal boride powder. | 3. The method of claim 1, wherein a mole ratio of the alkali metal borohydride powder to the transition metal halogenide powder is in a range from about 0.3 to about 3 in the manufacturing of the mixed powder. | 4. The method of claim 3, wherein the mole ratio is substantially about 2. | 5. The method of claim 1, wherein an alkali metal hydride powder is further added to the mixed powder in the manufacturing of the mixed powder. | 6. The method of claim 1, wherein a transition metal contained in the transition metal halogenide powder is at least one metal selected from the group consisting of titanium (Ti), niobium (Nb), vanadium (V), zirconium (Zr), scandium (Sc), yttrium (Y), chromium (Cr), molybdenum (Mo), manganese (Mn), nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), tantalum (Ta), and tungsten (W) in the manufacturing of the mixed powder. | 7. The method of claim 1, wherein the transition metal boride powder is at least one powder selected from the group consisting of titanium boride (TiB2) powder, niobium boride (NbB2) powder, and vanadium boride (VB2) powder in the collecting of the transition metal boride powder. | 8. The method of claim 1, wherein an alkali metal contained in the alkali metal borohydride powder is lithium or sodium in the manufacturing of the mixed powder. | 9. The method of claim 1, wherein halogenide contained in the transition metal halogenide powder is chloride or fluoride in the manufacturing mixed powder. | 10. The method of claim 1, wherein the mixed powder is high energy ball milled for about 1 to 10 hours in the manufacturing of the composite powder."]
["F01468","바이오","US","P","생분해성 글리콜라이드/ε-카프로락톤 공중합체로부터 제조된 의료용 소재 및 조직공학용 다공성 지지체","Medical materials and porous scaffolds for tissue engineering made from the biodegradable glycolide/ε-caprolactone copolymer","Disclosed is a biocompatible medical material and porous scaffold for use in tissue engineering, made from a biodegradable glycolide/ε-caprolactone copolymer having a repeat unit of [Chemical Formula 1] [Image]<!----> wherein x and y are integers greater than or equal to 18, the copolymer has an average molecular weight of about 10,000 daltons or more, and the molar ratio of glycolide: ε-caprolactone in the copolymer is about 4.0:6.0 to 6.0:4.0.","1. A porous scaffold for tissue engineering made from a biodegradable glycolide/ε-caprolactone copolymer having a repeat unit of: wherein: x and y are integers greater than or equal to 18; the copolymer has an average molecular weight of about 10,000 daltons; and the molar ratio of glycolide:ε-caprolactone in the copolymer is 4.0:6.0 to 6.0:4.0.",5,"2002-144813","2002-05-13","6946143","2005-09-20","김수현","Young-Ha Kim | Soo-Hyun Kim | Ki-Dong Park | Sung-Won Choi | Soo-Hong Lee | Il-Keun Kwon","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705038001261","1. A porous scaffold for tissue engineering made from a biodegradable glycolide/ε-caprolactone copolymer having a repeat unit of: wherein: x and y are integers greater than or equal to 18; the copolymer has an average molecular weight of about 10,000 daltons; and the molar ratio of glycolide:ε-caprolactone in the copolymer is 4.0:6.0 to 6.0:4.0. | 2. The porous scaffold of claim 1, having a pore size of about 1 to 800 μm. | 3. The porous scaffold of claim 1, having a porosity of about 50% to 99%. | 4. The porous scaffold of claim 1, having a pore size of about 200 to 500 μm and porosity of about 93% to 96%. | 5. The porous scaffold of claim 1, for use in tissue cell cultures and tissue regeneration."]
["F02175","바이오","US","P","세포배양용　복합　생물반응기","Hybrid bioreactor for cell culture","A hybrid bioreactor for cell culture is disclosed. To simultaneously apply compressive strain for cell differentiation and shear strain for cell proliferation to cells, the hybrid bioreactor includes a plurality of reactor tube assemblies (100), a compressive strain motor (5), a shear strain motor (25), a lower anchor mount (20) having a plurality of toothed anchors (70) to respectively anchor the lower ends of the reactor tube assemblies (100) to the lower anchor mount (20), a ball screw (90) operated in conjunction with the compressive strain motor (5), an upper anchor mount (60) which engages with the ball screw (90) to vertically move upward and downward and having a plurality of compressive strain anchors (80) to anchor the upper ends of the reactor tube assemblies (100) to the upper anchor mount (60), a power transmission unit to transmit the rotating force of the shear strain motor (25) to the toothed anchors (70).","1. A hybrid bioreactor for cell culture, comprising: a plurality of reactor tube assemblies; a compressive strain motor; a ball screw coupled to be operated in conjunction with the compressive strain motor; an upper anchor mount vertically reciprocated while being combined with the ball screw and provided with a plurality of compressive strain anchors holding lower ends of the reactor tube assemblies, wherein each of the compressive strain anchors comprises a fitting rod provided with a lower flange part having an upwardly extending fitting groove, a center flange part supporting a spring and an upper flange part preventing from being removed, an upper support block fastened to the upper anchor mount through a bearing and provided with a guide hole to allow the fitting rod to reciprocate through the upper anchor mount, a support housing provided with a through hole at the upper end thereof to allow the fitting rod to pass through the through hole and attached to the upper surface of the upper support block at the lower end brim thereof, and a support spring placed between the center flange part and an upper part of the support housing; a lower anchor mount adapted to hold lower ends of the reactor tube assemblies and provided with a plurality of toothed anchors on outer surface of which teeth are formed; a shear strain motor; and power transmitting means for transmitting a rotating force of the shear strain motor to the plurality of toothed anchors.",14,"2003-535141","2003-10-29","7510866","2009-03-31","최귀원","Kuiwon Choi | Tae Soo Bae | Jung Kyu Kim | Chang Yang Lee","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909013001617","1. A hybrid bioreactor for cell culture, comprising: a plurality of reactor tube assemblies; a compressive strain motor; a ball screw coupled to be operated in conjunction with the compressive strain motor; an upper anchor mount vertically reciprocated while being combined with the ball screw and provided with a plurality of compressive strain anchors holding lower ends of the reactor tube assemblies, wherein each of the compressive strain anchors comprises a fitting rod provided with a lower flange part having an upwardly extending fitting groove, a center flange part supporting a spring and an upper flange part preventing from being removed, an upper support block fastened to the upper anchor mount through a bearing and provided with a guide hole to allow the fitting rod to reciprocate through the upper anchor mount, a support housing provided with a through hole at the upper end thereof to allow the fitting rod to pass through the through hole and attached to the upper surface of the upper support block at the lower end brim thereof, and a support spring placed between the center flange part and an upper part of the support housing; a lower anchor mount adapted to hold lower ends of the reactor tube assemblies and provided with a plurality of toothed anchors on outer surface of which teeth are formed; a shear strain motor; and power transmitting means for transmitting a rotating force of the shear strain motor to the plurality of toothed anchors. | 2. The hybrid bioreactor as set forth in claim 1, wherein the power transmitting means comprises: a main driving gear fitted around an output shaft of the shear strain motor; a hollow main rotating shaft placed in a center portion of the lower anchor mount to be rotated; a lower shear strain gear located below the lower anchor mount and fitted around the main rotating shaft to be engaged with the main driving gear; and an upper shear strain gear located above the lower anchor mount and fitted around the main rotating shaft to be engaged with the main drive shaft. | 3. The hybrid bioreactor as set forth in claim 1, wherein the power transmitting means comprises: a main drive pulley fitted around an output shaft of the shear strain motor; a hollow main rotating shaft placed in a center portion of the lower anchor mount to be rotated; a lower shear strain pulley fitted around the main drive shaft to be located below the lower anchor mount and coupled to the main drive pulley with a belt; and an upper shear strain gear located above the lower anchor mount and fitted around the main rotating shaft to be engaged with all the toothed anchors. | 4. The hybrid bioreactor as set forth in claim 1, wherein each of the toothed anchors has a lower small diameter portion mounted on the lower anchor mount through bearings, and an upper large diameter portion toothed on an outer surface thereof and provided with a downwardly extending fitting groove on an upper surface thereof. | 5. The hybrid bioreactor as set forth in claim 1, each of the reactor tube assemblies comprises a reactor tube defining a space for culturing cells, a sealing lid sealing an upper opening of the reactor tube and having a compression guide hole at the center thereof, and a compressing rod passing through the compression guide hole and having a compressing head with an outer diameter corresponding to an inner diameter of the reactor tube. | 6. The hybrid bioreactor as set forth in claim 5, wherein each of the reactor tube assemblies further comprises one or more O-rings located between the sealing lid and the compressing rod. | 7. The hybrid bioreactor as set forth in claim 6, wherein each of the reactor tube assemblies is further provided with a bending prevention member mounted to surround a lower portion of an outside surface of the reactor tube. | 8. The hybrid bioreactor as set forth in claim 7, wherein the reactor tube is provided with a column-shaped porous cell support therein. | 9. A hybrid bioreactor for cell culture, comprising: a compressive strain motor having a lengthy output shaft; a main support adapted to contain the compressive strain motor and provided with a hollow support column extending upward; an upper compressing means comprising a ball screw for vertical transfer mounted on an upper end of the output shaft of the compressive strain motor, an upper anchor combined with the ball screw and provided with a hollow guide column extending downwardly at a center thereof, and a plurality of compressive strain anchors placed on an outer portion of the upper anchor mount to be rotated on their own axes, wherein each of the compressive strain anchors comprises a fitting rod provided with a lower flange part having an upwardly extending fitting groove, a center flange part supporting a spring and an upper flange part preventing from being removed, an upper support block fastened to the upper anchor mount through a bearing and provided with a guide hole to allow the fitting rod to reciprocate through the upper anchor mount, a support housing provided with a through hole at the upper end thereof to allow the fitting rod to pass through the through hole and attached to the upper surface of the upper support block at the lower end brim thereof, and a support spring placed between the center flange part and an upper part of the support housing; lower anchoring means comprising a lower anchor mount provided with a through hole at a center thereof and concentrically mounted on the upper support, and a plurality of toothed anchors mounted on an outer portion of the lower anchor mount to be rotated on their own axes; a shear strain motor around an output shaft of which a main driving gear is fitted; rotating means comprising a main rotating shaft fitted into the through hole of the lower anchor mount, a lower shear strain gear located below the lower anchor mount and fitted around the main rotating shaft to be engaged with the main driving gear, and an upper shear strain gear located above the lower anchor mount and fitted around the main rotating shaft to be engaged with all the toothed anchors; and a plurality of reactor tube assemblies installed with upper and lower ends thereof held by the compressive strain anchors and the toothed anchors. | 10. The hybrid bioreactor as set forth in claim 9, wherein each of the toothed anchors has a lower small diameter portion mounted on the lower anchor mount through bearings, and an upper large diameter portion toothed on an outer surface thereof and provided with a downwardly extending fitting groove on an upper surface thereof. | 11. The hybrid bioreactor as set forth in claim 9, each of the reactor tube assemblies comprises a reactor tube defining a space for culturing cells, a sealing lid sealing an upper opening of the reactor tube and having a compression guide hole at the center thereof, and a compressing rod passing through the compression guide hole and having a compressing head with an outer diameter corresponding to an inner diameter of the reactor tube. | 12. The hybrid bioreactor as set forth in claim 11, wherein each of the reactor tube assemblies further comprises one or more O-rings located between the sealing lid and the compressing rod. | 13. The hybrid bioreactor as set forth in claim 12, wherein each of the reactor tube assemblies is further provided with a bending prevention member mounted to surround a lower portion of an outside surface of the reactor tube. | 14. The hybrid bioreactor as set forth in claim 13, wherein the reactor tube is provided with a column-shaped porous cell support therein."]
["F01268","전기/전자/IT","US","P","고밀도 광 정보저장 매체","Optical recording medium having first and second super-resolution layers","The present invention provides an optical recording medium in which the spot size of incident laser beam, focused on the medium by a far-field optic system characterized by λ and NA, is further reduced and maintained below the diffraction-limited size by means of material characteristics of the medium while reproducing from and recording on the information layer of the recording medium, thus making it possible to record and reproduce a high density of information exceeding the resolution limit of the optic system. A high density optical recording medium according to the present invention adopts a combination of two different super-resolution layers of mutually complementary optical characteristics with increasing light power. The combination of two super-resolution layers is made in either of two different types: for one type, each of the two super-resolution layers, having a respective threshold light intensity (or temperature) for the onset of change in optical transmittance, produces an increasing spot size of the transmitted beam with increasing light power once a respective threshold light intensity (or temperature) is exceeded, and for the other type, one layer produces an increasing spot size of the transmitted beam with increasing light power whereas the other layer exhibits a reverse trend.","1. A high density optical recording medium comprising: an incident layer on which light focused by a lens is irradiated; a first super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; a second super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; and a recording layer for recording information, wherein the first and second super-resolution layers are able to vary the spot size of transmitted light through change in optical transmittance with incident light power, and to vary the spot size of transmitted light complementarily in response to change in incident light power because of different threshold light intensities (temperatures) for the onset of change in optical transmittance, and in the first and the second super-resolution layers, the spot size of transmitted light increases with increasing incident light power, and in case of the first super-resolution layer, a threshold light intensity (or temperature) for the onset of change in optical transmittance is exceeded below a readout power for the recording medium, while, in case of the second super-resolution layer, a threshold light intensity is exceeded above a readout power and below a recording power.",14,"2002-186016","2002-06-28","6961300","2005-11-01","정병기","Byung-ki Cheong | Soon-Gwang Kim | Won-Mok Kim | Moonkyo Chung | Taek-Sung Lee | Sung-Jin Park | Sung-Hun Lee | Sung-Hun Cho","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705044001839","1. A high density optical recording medium comprising: an incident layer on which light focused by a lens is irradiated; a first super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; a second super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; and a recording layer for recording information, wherein the first and second super-resolution layers are able to vary the spot size of transmitted light through change in optical transmittance with incident light power, and to vary the spot size of transmitted light complementarily in response to change in incident light power because of different threshold light intensities (temperatures) for the onset of change in optical transmittance, and in the first and the second super-resolution layers, the spot size of transmitted light increases with increasing incident light power, and in case of the first super-resolution layer, a threshold light intensity (or temperature) for the onset of change in optical transmittance is exceeded below a readout power for the recording medium, while, in case of the second super-resolution layer, a threshold light intensity is exceeded above a readout power and below a recording power. | 2. The recording medium of claim 1, wherein the first and the second super-resolution layers are made respectively of a material displaying a discontinuous change of optical characteristics according to a change in structure or chemistry at a threshold light intensity (or temperature), that is, a thermochromic material, a photochromic material or a phase change material with a phase transition between solid phases or between a solid phase and a liquid phase or with a decomposition of a compound. | 3. The recording medium of claim 1, has a structure comprising an incident layer, the second super-resolution layer, the first super-resolution layer and the recording layer in sequence. | 4. The recording medium of claim 3, wherein a reflection layer is additionally formed below the recording layer. | 5. The recording medium of claim 1 has a structure comprising an incident layer, the second super-resolution layer, the recording layer and the first super-resolution layer in sequence, and a reflection layer is additionally formed below the first super-resolution layer. | 6. The recording medium of one of claims 3 through 5, wherein a dielectric layer having a thickness of 0˜0.5λ (λ is a used layer wavelength) is formed between the constituent layers to prevent an interlayer material diffusion and to control the optical and the thermal characteristics of the recording medium. | 7. The recording medium of claim 1, wherein the first super-resolution layer combined with the second super-resolution layer renders a beam spot of below a diffraction limited size at the recording layer and maintain it during readout and recording as well so as to record and reproduce information of a spatial frequency larger than 2NA/λ (λ is the wavelength of a used laser and NA is the numerical aperture of an objective lens) while restraining a signal interference and a thermal interference between adjacent tracks. | 8. A high density optical recording medium comprising: an incident layer on which light focused by a lens is irradiated; a first super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; a second super-resolution layer for controlling the spot size of the irradiated focused light; and a recording layer for recording information, wherein the first and second super-resolution layers are able to vary the spot size of transmitted light through change in optical transmittance with incident light power, and to vary the spot size of transmitted light complementarily in response to change in incident light power because of different threshold light intensities (temperatures) for the onset of change in optical transmittance, and the spot size of transmitted light increases with increasing incident light power in the first super-resolution layer, and the spot size of transmitted light diminishes with increasing incident light power in the second super-resolution layer, and in case of the first super-resolution layer, the threshold light intensity (or temperature) for the onset of change in optical transmittance is exceeded below a readout power for the recording medium, while in case of the second super-resolution layer, the threshold light intensity is exceeded above or below a readout power and below a recording power. | 9. The recording medium of claim 8, wherein the first super-resolution layer is made of a material displaying a discontinuous change of optical characteristic according to a change in structure or chemistry at a threshold light intensity (or temperature), that is, a thermochromic material, a photochromic material or a phase change material with a phase transition between solid phases or between a solid phase and a liquid phase or with a decomposition of a compound, and the second super-resolution layer is made of a self-focusing material having a third order nonlinear optical effect or a saturable-absorption material among materials of which optical characteristics vary continuously at a respective threshold light intensity (or temperature) and beyond. | 10. The recording medium of claim 8 has a structure comprising an incident layer, the second super-resolution layer, the first super-resolution layer and the recording layer in sequence. | 11. The recording medium of claim 10, wherein a reflection layer is additionally formed below the recording layer. | 12. The recording medium of claim 8 has a structure comprising an incident layer, the second super-resolution layer, the recording layer and the first super-resolution layer in sequence, and a reflection layer is additionally formed below the first super-resolution layer. | 13. The recording medium of one of claims 10 through 12, wherein a dielectric layer having a thickness of 0˜0.5λ (λ is a used layer wavelength) is formed between the constituent layers to prevent an interlayer material diffusion and to control the optical and the thermal characteristics of the recording medium. | 14. The recording medium of claim 8, wherein the first super-resolution layer combined with the second super-resolution layer renders a beam spot of below a diffraction limited size at the recording layer and maintain it during readout and recording as well so as to record and reproduce information of a spatial frequency larger than 2NA/λ (λ is the wavelength of a used laser and NA is the numerical aperture of an objective lens) while restraining a signal interference and a thermal interference between adjacent tracks."]
["F01464","전기/전자/IT","US","P","금속이 피복된 탄소 활물질, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 금속-탄소 하이브리드 전극 및 리튬이차전지","Carbonaceous materials coated with a metal or metal oxide, a preparation method thereof, and a composite electrode and lithium secondary battery comprising the same","A carbon anode active material for lithium secondary battery comprising a cluster or thin film layer of a metal or metal oxide coated onto the surface of the carbon active material, a preparation method thereof, and a metal-carbon hybrid electrode and a lithium secondary battery comprising the same. The carbon active material is prepared through a gas suspension spray coating method. An electrode comprising the carbon active material according to the present invention shows excellent conductivity, high rate charge/discharge characteristics, cycle life characteristics and electrode capacity close to theoretical value.","1. A preparation method of a carbon active material for a lithium secondary batter, which comprises a thin film or a cluster layer of a metal or metal oxide coated onto the surface of the carbon at a thickness of 1-300 nm, comprising the steps of: (a) floating carbon particles in a gas at a temperature below 100° C.; (b) coating a metal salt onto the carbon particles by spraying a solution of the metal salt to the layer of the floated carbon particles; and (c) heating the metal salt coated-carbon particles under a gas atmosphere selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen and argon at a temperature of 200-800° C., thereby to obtain a metal or metal oxide-coated carbon active material.",7,"2002-330079","2002-12-30","6896706","2005-05-24","이중기","Joong Kee Lee | Byung Won Cho | Won Il Cho | Joo Man Woo | Hyung Sun Kim | Un Sek Kim | Dalkeun Park","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705021001107","1. A preparation method of a carbon active material for a lithium secondary batter, which comprises a thin film or a cluster layer of a metal or metal oxide coated onto the surface of the carbon at a thickness of 1-300 nm, comprising the steps of: (a) floating carbon particles in a gas at a temperature below 100° C.; (b) coating a metal salt onto the carbon particles by spraying a solution of the metal salt to the layer of the floated carbon particles; and (c) heating the metal salt coated-carbon particles under a gas atmosphere selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen and argon at a temperature of 200-800° C., thereby to obtain a metal or metal oxide-coated carbon active material. | 2. The method according to claim 1, wherein the metal or metal oxide is selected from the group consisting of Li, Al, Sn, Bi, Si, Sb, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ag, and alloys and oxides thereof. | 3. The method according to claim 1, the metal salt is selected from the group consisting of nitrates and chlorides of Li, Al, Sn, Bi, Si, Sb, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co and Ag, CH3CO2Li, (CH3)3Al, (C2H5)3Al, (C4H9)3Al, (CH3)3Bi, (C2H5)3Sb, (C3H7)3Sb, CF3CO2Ag, CH3CO2Ag, (C2H5O)4Si, (C2H5)3SiH, (CH3)4Sn, (C2H5)4Sn, Cu(hfac)2, Cu(acac), Cu(DPM), (hfac)Cu(I)MP and (Hfac)Cu(I)(DMB). | 4. The method according to claim 1, wherein a solvent for the solution of the metal salt is water, a mixture of water and an alcohol, a mixture of water and acetone and a mixture of water, an alcohol and acetone. | 5. The method according to claim 1, wherein the carbon particle is graphite, cokes or hard carbon. | 6. A carbon anode, comprising the carbon active material prepared by the method of claim 1. | 7. A lithium secondary battery, comprising an anode comprising the carbon active material prepared by the method of claim 4 and a cathode selected from the group consisting of LiCoO2, LiMn2O4, LiNiO2, V2O5 and V6O13."]
["F02045","전기/전자/IT","US","P","탄소-다공성 지지체 복합 전극 및 그 제조방법","Carbon-porous media composite electrode and preparation method thereof","The present invention discloses a carbon-porous media composite electrode material, a composite electrode using the same and a preparation method thereof. The carbon-porous media composite electrode can be applied for a device such as a secondary battery, a capacitor or the like, or for preparing ultra pure water using a capacitive deionization process, purifying salty water or the like.","1. A carbon-porous media composite electrode material, comprising: (a) 5 to 95% by weight of a carbon electrode active material, and (b) 5 to 95% by weight of a porous media, selected from the group consisting of silica gel, clay, Al2O3, SiO2, BaTiO3, a porous polymer and mixtures thereof, having a particle size distribution of from 0.1 to 100 μm and a particle density of from 0.1 to 2 g/cc.",8,"2004-024618","2004-12-29","7505250","2009-03-17","조병원","Byung Won Cho | Won Il Cho | Dong Jin Suh | Chun Mo Yang | Woon Hyuk Choi","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909011002558","1. A carbon-porous media composite electrode material, comprising: (a) 5 to 95% by weight of a carbon electrode active material, and (b) 5 to 95% by weight of a porous media, selected from the group consisting of silica gel, clay, Al2O3, SiO2, BaTiO3, a porous polymer and mixtures thereof, having a particle size distribution of from 0.1 to 100 μm and a particle density of from 0.1 to 2 g/cc. | 2. The carbon-porous media composite electrode material according to claim 1, wherein the carbon electrode active material is selected from the group consisting of an activated carbon, a carbon aerogel, a carbon nanotube, a carbon nanofiber and mixtures thereof. | 3. The carbon-porous media composite electrode material according to claim 1, further comprising a conductive material in an amount of 1 to 50% by weight. | 4. The carbon-porous media composite electrode material according to claim 3, further comprising 1 to 20% by weight of a polymer binder to the total weight of a mixture of a carbon electrode active material, a porous media and a conductive material. | 5. The carbon-porous media composite electrode material according to claim 4, wherein the polymer binder is selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene, polyvinylidenefluoride, carboxymethylcellulose, hydropropylmethylcellulose, polyvinylalcohol and polyvinylchloride. | 6. The carbon-porous media composite electrode material according to claim 1, which is in a sheet form. | 7. A carbon-porous media composite electrode, comprising: (a) a foam or mesh of a metal selected from the group consisting of nickel, titanium and aluminum as a current collector, and (b) the carbon-porous media composite electrode material according to claim 6 pressed onto the foam or mesh of the metal selected from the group consisting of nickel, titanium and aluminum. | 8. A capacitor, comprising the carbon-porous media composite electrode according to claim 7."]
["F02114","전기/전자/IT","US","P","양이온 교환막이 없는 무매개체 미생물 연료전지","Membraneless and mediatorless microbial fuel cell","Disclosed is a mediator-less microbial fuel cell comprising a cathode compartment, an anode compartment, with or without glass wool and glass bead for separating the two compartments, an element for feeding air to the cathode compartment, and an element for feeding wastewater to the anode compartment. The cell further comprises an element for controlling the distance between the cathode compartment and the anode compartment. Graphite felt or graphite felt coated with a metal such as platinum is used as an electrode of the cathode compartment, and a buffer solution is used in the anode compartment. A mediator-less microbial fuel cell according to the present invention can be operated without using an expensive cation-exchange membrane, of which efficiency is by no means inferior to prior wastewater treatment methods.","1. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell comprising a cathode compartment, an anode compartment, glass wool and glass bead for separating the cathode compartment and anode compartment, a means for feeding air to the cathode compartment, and a means for feeding wastewater to the anode compartment, wherein wastewater fed to the anode compartment is anaerobically treated in the anode compartment, is transferred to the cathode compartment via the glass wool and the glass bead, is aerobically treated in the cathode compartment, and is then discharged from the cathode compartment.",5,"2003-514180","2003-05-14","7544429","2009-06-09","김병홍","Byung Hong Kim | In Seop Chang | Jae Kyung Jang | Geun Cheol Gil","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909023001591","1. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell comprising a cathode compartment, an anode compartment, glass wool and glass bead for separating the cathode compartment and anode compartment, a means for feeding air to the cathode compartment, and a means for feeding wastewater to the anode compartment, wherein wastewater fed to the anode compartment is anaerobically treated in the anode compartment, is transferred to the cathode compartment via the glass wool and the glass bead, is aerobically treated in the cathode compartment, and is then discharged from the cathode compartment. | 2. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell according to claim 1, wherein a distance between the cathode compartment and the anode compartment is controlled by a height of the glass wool and the glass bead. | 3. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell according to claim 1, wherein graphite felt or graphite felt coated with metal is used as an electrode of the cathode compartment. | 4. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell according to claim 3, wherein graphite felt coated with platinum is used as an electrode of the cathode compartment. | 5. A membrane-less and mediator-less microbial fuel cell according to claim 1, wherein a buffer solution is used in the anode compartment."]
["F02290","전기/전자/IT","US","P","변위 확대 기구를 갖는 압전 선형 모터","Piezoelectric linear motor with displacement amplifying means","A piezoelectric linear motor for amplifying the change in at least one dimension of a piezoelectric material is disclosed. A shaft is connected axial-movably to a piezoelectric actuator. The actuator includes a piezoelectric ceramic that expands or contracts in response to an applied voltage. The expansion or contraction of the piezoelectric ceramic is amplified by converting the displacement due to expansion/contraction into a greater displacement of a top plate to which the shaft is coupled. The greater displacement is, for instance, by causing the expansion/contraction of the piezoelectric ceramic into a convex or concave bending of a complex of which the piezoelectric ceramic is a part. In a preferred embodiment the base plate is attached to the piezoelectric ceramic, a slanted plate conically extending from the base plate, and a top plate formed at the center of the slanted plate to form an assembly that changes its curvature to amplify the displacement.","1. A piezoelectric linear motor, comprising: a piezoelectric actuator sized and configured to expand and contract, the piezoelectric actuator including a plate-shaped piezoelectric ceramic sized and configured to expand and contract when a voltage is applied and a plate-shaped elastic member attached to the piezoelectric ceramic and deformed to have a convex cross-section when the piezoelectric ceramic expands and a concave cross-section when the piezoelectric ceramic contracts; a shaft axial-movably connected to the piezoelectric actuator; a moving element mounted to the shaft, the moving element being frictionally displaced relative to the shaft; and means for amplifying the displacement of the shaft and the moving element, the means being disposed between the piezoelectric actuator and the shaft, the means including a base plate attached to the piezoelectric ceramic, a slanted plate conically extending from the base plate, and a top plate formed at the center of the slanted plate to which the shaft is coupled; wherein the means for amplifying the displacement is elastically deformed when the piezoelectric actuator expands or contracts to thereby axially move the shaft with an amplified displacement, and wherein the base plate is deformed to have a convex cross-section when the piezoelectric ceramic expands and a concave cross-section when the piezoelectric ceramic contracts, and wherein the top plate moves along the axis of the shaft according to the deformation of the base plate.",2,"2005-319258","2005-12-27","7567017","2009-07-28","윤석진","Seok Jin Yoon | Hyun Jai Kim | Hyun Phill Ko | Chong Yun Kang","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909030001775","1. A piezoelectric linear motor, comprising: a piezoelectric actuator sized and configured to expand and contract, the piezoelectric actuator including a plate-shaped piezoelectric ceramic sized and configured to expand and contract when a voltage is applied and a plate-shaped elastic member attached to the piezoelectric ceramic and deformed to have a convex cross-section when the piezoelectric ceramic expands and a concave cross-section when the piezoelectric ceramic contracts; a shaft axial-movably connected to the piezoelectric actuator; a moving element mounted to the shaft, the moving element being frictionally displaced relative to the shaft; and means for amplifying the displacement of the shaft and the moving element, the means being disposed between the piezoelectric actuator and the shaft, the means including a base plate attached to the piezoelectric ceramic, a slanted plate conically extending from the base plate, and a top plate formed at the center of the slanted plate to which the shaft is coupled; wherein the means for amplifying the displacement is elastically deformed when the piezoelectric actuator expands or contracts to thereby axially move the shaft with an amplified displacement, and wherein the base plate is deformed to have a convex cross-section when the piezoelectric ceramic expands and a concave cross-section when the piezoelectric ceramic contracts, and wherein the top plate moves along the axis of the shaft according to the deformation of the base plate. | 2. The piezoelectric linear motor of claim 1, wherein the piezoelectric actuator further includes one or more piezoelectric ceramics and one or more elastic members layered alternately upon one another."]
["F02513","전기/전자/IT","US","P","누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터","Spin transistor using stray magnetic field","Disclosed herein is a spin transistor including: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a source and drain which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart form each other between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the source and the drain, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the source by a stray magnetic field of the source and spin-filtered at a lower side of the drain by a stray field of the drain.","1. A spin transistor comprising: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a first ferromagnetic region and a second ferromagnetic region which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart form each other between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer, the first and second ferromagnetic regions being physically separated from the first and second electrodes and producing stray magnetic fields vertical to a top surface of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the first and second ferromagnetic regions, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the gate is insulated from the substrate by a gate oxide on the substrate, and the first and second ferromagnetic regions are disposed below the level of the gate oxide, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the first ferromagnetic region by a stray magnetic field of the first ferromagnetic region and spin-filtered at a lower side of the second ferromagnetic region by a stray magnetic field of the second ferromagnetic region.",21,"2007-777228","2007-07-12","7608901","2009-10-27","구현철","Hyun Cheol Koo | Jong Hwa Eom | Suk Hee Han | Joon Yeon Chang | Hyung Jun Kim","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909044002184","1. A spin transistor comprising: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a first ferromagnetic region and a second ferromagnetic region which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart form each other between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer, the first and second ferromagnetic regions being physically separated from the first and second electrodes and producing stray magnetic fields vertical to a top surface of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the first and second ferromagnetic regions, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the gate is insulated from the substrate by a gate oxide on the substrate, and the first and second ferromagnetic regions are disposed below the level of the gate oxide, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the first ferromagnetic region by a stray magnetic field of the first ferromagnetic region and spin-filtered at a lower side of the second ferromagnetic region by a stray magnetic field of the second ferromagnetic region. | 2. The spin transistor according to claim 1, further comprising a high-permeability material which is formed to be spaced apart from the first and second ferromagnetic regions at a respective predetermined gap such that a space for spin-alignment and spin-filtering is provided between the first and second ferromagnetic regions, wherein the high-permeability material is formed between the gate and the channel layer. | 3. The spin transistor according to claim 2, wherein the high-permeability material is a mu-metal. | 4. The spin transistor according to claim 1, wherein the substrate has a ridge structure in which parts of the both sides of the channel layer are cut out in the longitudinal direction of the channel layer and the width of the channel layer is defined by the ridge structure. | 5. The spin transistor according to claim 4, wherein an insulating layer for planarization is formed on the cut-out parts of the ridge structure. | 6. The spin transistor according to claim 5, wherein the insulating layer includes SiO2 or TaO2. | 7. The spin transistor according to claim 1, wherein the channel layer of the substrate includes a two-dimensional electron gas layer. | 8. The spin transistor according to claim 7, wherein the two-dimensional electron gas layer includes a material selected from a group of GaAs, InAs and InGaAs. | 9. The spin transistor according to claim 1, wherein the substrate further comprises upper and lower cladding layers which are respectively formed above and below the channel layer. | 10. The spin transistor according to claim 9, wherein each of the upper and lower cladding layers includes a double cladding layer which has a two-layer structure including an InGaAs layer and an InAlAs layer. | 11. The spin transistor according to claim 9, wherein the substrate further comprises an InAlAs carrier supplying layer formed below the lower cladding layer. | 12. The spin transistor according to claim 9, wherein the substrate further comprises an InAs capping layer formed on the upper cladding layer. | 13. The spin transistor according to claim 1, wherein at least one of the first and second ferromagnetic regions includes ferromagnetic metal. | 14. The spin transistor according to claim 13, wherein the ferromagnetic metal is selected from a group of Fe, Co, Ni, CoFe, NiFe and a combination thereof. | 15. The spin transistor according to claim 1, wherein at least one of the first and second ferromagnetic regions includes a ferromagnetic semiconductor or a diluted magnetic semiconductor. | 16. The spin transistor according to claim 15, wherein the ferromagnetic semiconductor is (Ga, Mn)As. | 17. The spin transistor according to claim 1, wherein magnetization directions of the first and second ferromagnetic regions are parallel to the longitudinal direction of the channel layer, and are opposite to each other. | 18. The spin transistor according to claim 1, wherein magnetization directions of the first and second ferromagnetic regions are vertical to the top surface of the channel layer. | 19. The spin transistor according to claim 18, wherein the magnetization directions of the first and second ferromagnetic regions are equal to each other. | 20. A spin transistor comprising: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a first ferromagnetic region and a second ferromagnetic region which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart form each other between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer, the first and second ferromagnetic regions being physically separated from the first and second electrodes and producing stray magnetic fields vertical to a top surface of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the first and second ferromagnetic regions, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the gate is insulated from the substrate by a gate oxide on the substrate, and the first and second ferromagnetic regions are disposed below the level of the gate oxide, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the first ferromagnetic region by a stray magnetic field of the first ferromagnetic region and spin-filtered at a lower side of the second ferromagnetic region by a stray magnetic field of the second ferromagnetic region, and the electrons which arrive at the lower side of the second ferromagnetic region are spin-adjusted to be parallel or anti-parallel to the direction of the stray magnetic field of the second ferromagnetic region by a voltage applied to the gate, in order to control an ON/OFF operation of the spin transistor. | 21. A spin transistor comprising: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a first ferromagnetic region and a second ferromagnetic region which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart form each other between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer, the first and second ferromagnetic regions being physically separated from the first and second electrodes and producing stray magnetic fields vertical to a top surface of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the first and second ferromagnetic regions, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the gate is insulated from the substrate by a gate oxide on the substrate, and the first and second ferromagnetic regions are disposed below the level of the gate oxide, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the first ferromagnetic region by a stray magnetic field of the first ferromagnetic region and spin-filtered at a lower side of the second ferromagnetic region by a stray magnetic field of the second ferromagnetic region, the electrons which arrive at the lower side of the second ferromagnetic region are spin-adjusted to parallel or anti-parallel to the direction of the stray magnetic field of the second ferromagnetic region by a voltage applied to the gate, in order to control an ON/OFF operation of the spin transistor, the transistor is turned on when the spin orientation of the electrons which arrive at the lower side of the second ferromagnetic region is anti-parallel to the direction of the stray magnetic field of the second ferromagnetic region."]
["F01975","화학","US","P","두개의　엑소　메틸렌을　가지는　８각형고리화합물과　이의　제조방법","Synthesis of 8-membered carbocyclic compound having diexomethylene groups","[00001] The present invention relates to a synthesis of an 8-membered carbocyclic compound having diexomethylene groups, more particularly to a synthesis of an 8-membered carbocyclic compound having diexomethylene groups, a novel compound having the structure represented by the following Chemical Formula 1, from trimethylsilanylmethyl-allenol derivative by the intramolecular Prins cyclization using Lewis acid. The 8-membered carbocyclic compound is a useful intermediate for synthesis of other multicarbocyclic compounds. [Chemical Formula 1] [Image]<!----> [00002] In Chemical Formula 1, R1 is a phenyl group, and R2 and R3 is a hydrogen atom, or R1, R2 and R3 may be connected with neighboring substituents to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring.","1. An 8-membered carbocyclic compound with diexomethylene groups having the formula (I): wherein R1 is a phenyl group, and R2 and R3 is each a hydrogen atom, or R1, R2 and R3 are connected with neighboring substituents to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring.",19,"2004-823708","2004-04-14","6872840","2005-03-29","조용서","Yong Seo Cho | Moon Ho Chang | Hun Yeong Koh | Ae Nim Pae | Hyun Jung Kang","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4705013001479","1. An 8-membered carbocyclic compound with diexomethylene groups having the formula (I): wherein R1 is a phenyl group, and R2 and R3 is each a hydrogen atom, or R1, R2 and R3 are connected with neighboring substituents to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring. | 2. The compound of claim 1, wherein R1 is a phenyl group, and R2 and R3 is each a hydrogen atom. | 3. The compound of claim 1, wherein R1 and R2 are connected with each other to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring, and R3 is a hydrogen atom. | 4. The compound of claim 1, wherein R2 and R3 are connected with each other to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring, and R1 is a hydrogen atom. | 5. The compound of claim 4, wherein R2 and R3 are connected with each other to form a phenyl ring. | 6. The compound of claim 3, wherein R1 and R2 are connected with ech other to form a cyclopentyl ring. | 7. A method of synthesizing an 8-membered carbocyclic compound with diexomethylene groups having the formula (I), which comprises reacting a trimethylsilanylmethyl-allenol compound by an intramolecular Prins cyclization in the presence of a Lewis acid: wherein R1 is a phenyl group, and R2 and R3 is each hydrogen atom, or R1, R2 and R3 are connected with neighboring substituents to form a 5 to 10-membered aliphatic or aromatic ring. | 8. The method of claim 7, wherein said reaction is conducted in the presence of a solvent selected from the group consisting of diethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane and chloroform. | 9. The method of claim 7, wherein said Lewis acid is trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate (TMSOTf) and is used in an amount of 1.0 to 1.5 equivalent of said trimethylsilanylmethyl-allenol compound. | 10. The method of claim 7, which said reaction is conducted at a temperature in the range of from −90° C. to 25° C. | 11. The method of claim 10, wherein said reaction is conducted at −78° C. | 12. The method of claim 8, wherein said solvent is diethyl ether. | 13. The method of claim 7, wherein said reaction is conducted for about 3 to 5 hours. | 14. The method of claim 7, wherein the 8-membered carbocyclic compound is 2,3-dimethylene-1 phenyl-9-oxa-bicyclo[3.3.1]nonane. | 15. The method of claim 7, wherein the 8-membered carbocyclic compound is 11,12-dimethylene-13-oxa-tricyclo[7.3.1.02,7]trideca-2,4,6-triene. | 16. The method of claim 7, wherein the 8-membered carbocyclic compound is 10,11-dimethylene-12-oxa-tricyclo[6.3.1.01,5]dodecane. | 17. The method of preparing an 8-membered carbocyclic compound, which comprises effecting an intramolecular Prins cyclization of a trimethylsilanylmethyl-allenol compound in the presence of a Lewis acid with a yield of at least 78%. | 18. The method of claim 17, wherein said yield is at least 91%. | 19. A method of preparing a Diels-Alder reaction product, which comprises subjecting the 8-membered carbocyclic compound of claim 1, to a Diels-Adler reaction."]
["F02517","화학","US","P","압축기체를 이용한 필라멘트 및 시트 형태의 생분해성 폴리에스테르 고분자 소재의 제조방법","Method of preparing biodegradable polyester polymer material in the form of filament and sheet using compressed gas","Embodiments of the present invention may provide a method of preparing biodegradable polyester polymer materials both in a filament type and a sheet type using a compressed gas. The method of the present invention comprises the following steps: 1) preparing biodegradable polyester polymers through a solution-state polymerization process of a cyclic monomer using a compressed gas as a reaction solvent in the presence of a catalyst; 2) performing a flash-spinning process of the biodegradable polyester polymers prepared above to form a polymer material in a filament type; and 3) performing a calendering process of the polymer material in a filament type prepared above to form a polymer material in a point-bonded sheet type. Since the method according to the embodiments of the present invention has several advantages in that it employs compressed gas as a reaction solvent, which does not require the addition of a stabilizer and the solution-state polymerization, flash-spinning and callendering processes are conducted in a single consecutive process. This can be effectively used in the manufacture of biodegradable polyester polymer materials, which can be used as a biodegradable and biocompatible material useful in the fields of medicine, chemistry, agriculture, environment and the like.","1. A method of preparing biodegradable polyester polymer materials both in a form of a filament and a sheet using a compressed gas, comprising: 1) preparing biodegradable polyester polymer through a solution-state polymerization process of a cyclic monomer using a compressed gas as a reaction solvent in a presence of a catalyst; 2) performing a flash-spinning process of the biodegradable polyester polymer prepared in 1) to form a polymer material in a form of a filament; and 3) performing a calendering process of the polymer material in the form of the filament prepared in 2) to form a polymer material in a form of a point-bonded sheet.",17,"2007-705907","2007-02-13","7511115","2009-03-31","김수현","Soo Hyun Kim | Sang Heon Kim | Cheol Soo Yoon | Se Yoon Kim | Hang Soo Lee","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909013001839","1. A method of preparing biodegradable polyester polymer materials both in a form of a filament and a sheet using a compressed gas, comprising: 1) preparing biodegradable polyester polymer through a solution-state polymerization process of a cyclic monomer using a compressed gas as a reaction solvent in a presence of a catalyst; 2) performing a flash-spinning process of the biodegradable polyester polymer prepared in 1) to form a polymer material in a form of a filament; and 3) performing a calendering process of the polymer material in the form of the filament prepared in 2) to form a polymer material in a form of a point-bonded sheet. | 2. The method of claim 1, wherein the compressed gas is selected from the group consisting of HFC-23, HFC-32, HFC-152a, HFC-143a, HFC-134a, HFC-125, HFC-227ea, HFC-236fa, HFC-245fa, HFC-254cb, SF6, HFC-4-10-mee, C-318 (perfluoro cyclobutane), HCFC-22, HCFC-1416, HCFC-1426, HCFC-22Sca/cb, dimethylether, nitrous oxide, propane, butane, a mixture thereof and a carbon dioxide mixture thereof. | 3. The method of claim 2, wherein if the compressed gas is a carbon dioxide mixture, the carbon dioxide is present in the mixture at 20 weight % or less. | 4. The method of claim 1, wherein the compressed gas is added in a liquid state while being pressurized after completely liquefying through a cooling procedure. | 5. The method of claim 1, wherein the cyclic monomer is one or more monomers selected from the group consisting of lactides, lactones, cyclic carbonates, cyclic anhydrides and thiolactones. | 6. The method of claim 5, wherein the cyclic monomer is one or more compounds selected from the compound represented by the following Formula 1 and the compound represented by the following Formula 2: wherein R1 and R2 are independently hydrogen or C1-C4 alkyl, wherein n is an integer in the range of 2 to 5. | 7. The method of claim 6, wherein the compound of Formula 1 is L-lactide, D-lactide, D,L-lactide or glycolide. | 8. The method of claim 6, wherein the compound of Formula 2 is ε-caprolactone. | 9. The method of claim 1, wherein a mixed ratio of the cyclic monomer to the compressed gas is in the range of 1 to 50 weight %. | 10. The method of claim 1, wherein the catalyst is selected from the group consisting of stannous octoate, stannous chloride, stannous oxide, stannous octylester, stannous chloride dihydrate, tetraphenyl tin, diethyl zinc, zinc octoate, zinc chloride, zinc oxide, aluminum chloride and aluminum ethoxide. | 11. The method of claim 1, wherein a mole concentration of the catalyst to the cyclic monomer is in the range of 1.0×10−4 mol/l to 5.0×10−1 mol/l. | 12. The method of claim 1, wherein in the solution-state polymerization of step 1), an initiator is further added. | 13. The method of claim 12, wherein the initiator is 1,6-hexanediol or 1-dodecanol. | 14. The method of claim 12, wherein a mole concentration of the initiator to the cyclic monomer is in the range of 1.0×10−5 mol/l to 1.0×10−3 mol/l. | 15. The method of claim 1, wherein the solution-state polymerization process of step 1) is conducted under a reaction pressure of 40 to 70 bar. | 16. The method of claim 1, wherein the solution-state polymerization process of step 1) is conducted for 0.2 to 50 hours so that a conversion rate reaches 70% or more. | 17. The method of claim 1, wherein the flash-spinning process of step 2) is conducted under the same temperature and pressure as employed in the solution-state polymerization process of step 1)."]
["F02725","화학","US","P","용매열합성 공정을 이용한 염소화 유기화합물 분해용 바나디아-티타니아 촉매의 제조 방법","Solvothermal method for preparing vanadia-titania catalyst having nano structure for decomposing chlorinated organic compounds","The present invention relates to a method for preparing a vanadia-titania catalyst having a core-shell structure, which is highly active in decomposing chlorinated organic compounds such as dioxin present in the exhaust of an incinerator.","1. A method for preparing a vanadia-titania catalyst having a nano structure by a solvothermal procedure, which comprises the steps of: 1) transporting a solution containing a vanadia precursor and a titania precursor to a hot section of a reactor heated with an electric furnace using a carrier gas and air; 2) subjecting the solution containing the vanadia and the titania precursors to a solvothermal procedure at the hot section to obtain a vanadia-titania catalyst particle having a core-shell structure of a titanium dioxide core coated with vanadia particles; and 3) cooling and collecting the vanadia-titania catalyst particle having the core-shell structure.",10,"2008-266732","2008-11-07","7632780","2009-12-15","Korea Institute of Science and Technology","Jong Soo Jurng | Sung Min Chin | Ju Young Jeong | Jung Eun Lee | Gwi-Nam Bae","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=4909051001913","1. A method for preparing a vanadia-titania catalyst having a nano structure by a solvothermal procedure, which comprises the steps of: 1) transporting a solution containing a vanadia precursor and a titania precursor to a hot section of a reactor heated with an electric furnace using a carrier gas and air; 2) subjecting the solution containing the vanadia and the titania precursors to a solvothermal procedure at the hot section to obtain a vanadia-titania catalyst particle having a core-shell structure of a titanium dioxide core coated with vanadia particles; and 3) cooling and collecting the vanadia-titania catalyst particle having the core-shell structure. | 2. The method of claim 1, wherein the weight ratio of the vanadia precursor and the titania precursor used in step 1) is in the range of 3.5:96.5 to 15:85. | 3. The method of claim 1, wherein, in step 1), the vanadia precursor is vanadium oxytripropoxide ((C3H7O)3VO), and the titania precursor is titanium-tetraisopropoxide (TTIP, Ti(OCH(CH3)2)4). | 4. The method of claim 1, wherein the flow rate ratio of the carrier gas and air used in step 1) is in the range of 1:5 to 1:10. | 5. The method of claim 1, wherein the temperature of the carrier gas and air is in the range of 80 to 110° C. | 6. The method of claim 1, wherein the carrier gas used in step 1) is nitrogen or argon. | 7. The method of claim 1, wherein the air used in step 1) is a compressed air. | 8. The method of claim 1, wherein the solvothermal procedure of step 2) is carried out at 900 to 1,100° C. for 1 sec to 1 min. | 9. The method of claim 1, wherein the vanadia-titania catalyst particle is cooled in step 3) to a temperature lower than 100° C. | 10. The method of claim 1, wherein, the vanadia content of the collected vanadia-titania catalyst of step 3) is 3 to 15 weight % based on the total catalyst."]
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["KIST관리번호","국가코드","특허/실용 구분","발명의 명칭","요약","대표청구항","청구항 수","출원번호","출원일","공개번호/공표/재공표 ","공개일","공고일","등록번호","등록일","발명자(KOR)","발명자/고안자","현재 권리자[KR]","존속기간(예정)만료일[KR]","대표도면","원문 링크","전체 청구항"]
["F03313","JP","P","마이크로콘 프레서","【요약】　　　（수정유） 【과제】축방향을 따른 힘의 불균형, 트래핑 구간에서의 급격한 압력 변화 및 실린더 블록과 피스톤의 마모를 방지하는 압축기를 제공한다. 【해결 수단】압축기 100은 하우징 110과 밸브 플레이트 120과 실린더 블록 130과 피스톤 유닛 140과 캠 요소 150과 구동 샤프트 160과 모터 170을 구비한다. 밸브 플레이트는 하우징의 일단에 고정된다. 실린더 블록의 일부는 밸브 플레이트의 내측에 수용된다. 실린더 블록은 밸브 플레이트에 대해서 회전 가능하며 원주 방향을 따라 배치되어 있는 복수의 실린더 보어를 구비한다. 피스톤 유닛은 복수의 실린더 보어에 수용된다. 캠 요소는 하우징에 고정되어 피스톤 유닛의 일단과 접촉해, 경사진 캠면을 가진다. 구동 샤프트의 일단은 실린더 블록에 결합한다. 모터는 하우징의 타단에 고정된다. 【선택도】도 3","【청구항】하우징과 상기 하우징의 일단에 고정되는 밸브 플레이트와 상기 밸브 플레이트의 내측에 일부가 수용되고 상기 밸브 플레이트에 대해서 회전 가능하게 배치되고 원주 방향을 따라 배치되어 있는 복수의 실린더 보어를 구비하는 실린더 블록과 상기 복수의 실린더 보어에 수용되는 복수의 피스톤 유닛과 상기 피스톤 유닛의 일단과 접촉하도록 상기 하우징에 고정되어 경사진 캠면을 가지는 캠 요소와 일단이 상기 실린더 블록에 결합하는 구동 샤프트와 상기 하우징의 타단에 고정되어 회전축이 상기 구동 샤프트의 타단에 결합하는 모터를 구비하고, 상기 밸브 플레이트는 외측과 연통하는 흡기포트 및 토출포트와 상기 밸브 플레이트의 길이 방향을 따라 내주면에 형성되고 상기 흡기포트 및 상기 토출 포트에 각각 연통하는 복수의 통 구멍을 구비하고, 상기 실린더 블록은 외주면에서 상기 복수의 실린더 보어와 연통하는 복수열의 슬롯을 비 , 상기 슬롯의 열 수는 상기 밸브 플레이트의 길이 방향을 따른 상기 통 구멍의 수와 동일함과 동시에 상기 실린더 보어의 수의 것1/2인 것을 특징으로 한다 압축기.",5,"2011-137682","2011-06-21","2012-026437","2012-02-09","","5398786","2013-11-01","최준호","ヨン グォン,イ | ス ジョン,イ | ヒョン ミン,イ","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2714004000786","【청구항】하우징과 상기 하우징의 일단에 고정되는 밸브 플레이트와 상기 밸브 플레이트의 내측에 일부가 수용되고 상기 밸브 플레이트에 대해서 회전 가능하게 배치되고 원주 방향을 따라 배치되어 있는 복수의 실린더 보어를 구비하는 실린더 블록과 상기 복수의 실린더 보어에 수용되는 복수의 피스톤 유닛과 상기 피스톤 유닛의 일단과 접촉하도록 상기 하우징에 고정되어 경사진 캠면을 가지는 캠 요소와 일단이 상기 실린더 블록에 결합하는 구동 샤프트와 상기 하우징의 타단에 고정되어 회전축이 상기 구동 샤프트의 타단에 결합하는 모터를 구비하고, 상기 밸브 플레이트는 외측과 연통하는 흡기포트 및 토출포트와 상기 밸브 플레이트의 길이 방향을 따라 내주면에 형성되고 상기 흡기포트 및 상기 토출 포트에 각각 연통하는 복수의 통 구멍을 구비하고, 상기 실린더 블록은 외주면에서 상기 복수의 실린더 보어와 연통하는 복수열의 슬롯을 비 , 상기 슬롯의 열 수는 상기 밸브 플레이트의 길이 방향을 따른 상기 통 구멍의 수와 동일함과 동시에 상기 실린더 보어의 수의 것1/2인 것을 특징으로 한다 압축기. | 【청구항】상기 슬롯은 상기 트래핑 구간을 중심으로 대칭으로 형성되어 (이)라고 있는 것을 특징으로 한다 청구항 2 에 기재된 압축기. | 【청구항】상기 피스톤 유닛은 일단에 형성되어 있는 소켓과 상기 소켓내에 장착되는 볼을 준비 (이)라고 있어 일을 특징으로 하는 청 구항 1에서 4의 어느 1항 에 기재된 압축기. | 【청구항】 하우징과 상기 하우징의 일단에 고정되는 밸브 플레이트와 상기 밸브 플레이트의 내측에 일부가 수용되고 상기 밸브 플레이트에 대해서 회전 가능하게 배치되고 원주 방향을 따라 배치되어 있는 복수의 실린더 보어를 구비하는 실린더 블록과 상기 복수의 실린더 보어에 수용되는 복수의 피스톤 유닛과 상기 피스톤 유닛의 일단과 접촉하도록 상기 하우징에 고정되어 경사진 캠면을 가지는 캠 요소와 일단이 상기 실린더 블록에 결합하는 구동 샤프트와 상기 하우징의 타단에 고정되어 회전축이 상기 구동 샤프트의 타단에 결합하는 모터를 구비하고, 상기 밸브 플레이트는 외측과 연통하는 흡기포트 및 토출포트와 상기 밸브 플레이트의 길이 방향을 따라 내주면에 형성되고 상기 흡기포트 및 상기 토출 포트에 각각 연통하는 복수의 통 구멍을 구비하고, 상기 실린더 블록은 외주면에서 상기 복수의 실린더 보어와 연통하는 복수열의 슬롯을 구비하고, 상기 슬롯은 흡입 행정과 토출 행정의 전환점인 트래핑 구간(trapping region)을 비 , 상기 복수열의 슬롯끼리는 상기 트래핑 구간이 각각 위상차를 가지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압축기. | 【청구항】상기 캠 요소는 상기 캠면의 상사점 및 하사점에 형성되어 있는 정지 구간을 추가로 포함한다 일을 특징으로 한다 청구항 1에서 3의 어느 1항 에 기재된 압축기."]
["F03107","JP","P","나노 분말, 나노 잉크 및 마이크로 로드 및 이들의 제조 방법","【요약】 【과제】금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자로 구성되는 나노 섬유에서 분쇄된 나노 입자, 나노 클러스터 또는 이들의 혼합물을 포함한 나노 분말, 상기 나노 분말을 포함한 나노 잉크 및 마이크로 로드 및 이들의 제조 방법이 개시된다. 【해결 수단】나노 분말의 제조 방법은 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 형성할 수 있는 전구체 1종 이상을 포함한 방사 용액을 방사하는 단계와 상기 방사된 전구체를 결정화 또는 비정질화하여 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자를 포함한 나노 섬유를 생성하는 단계와 상기 나노 섬유를 분쇄해 나노 입자, 나노 클러스터, 또는 이들의 혼합물을 포함한 나노 분말을 형성하는 단계를 포함한다. 【선택도】도 1","【청구항】고분자를 함유하는 용액에 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 형성할 수 있는 전구체 1종 이상을 첨가해 방사 용액을 조제하는 단계와 상기 방사 용액을 방사해 고분자 및 1종 이상의 전구체를 포함한 복합섬유 웹을 제조하는 단계와 상기 복합 섬유 웹을 공기, 환원 분위기, 탈산소분위기(N2/H2, CO, N2), 불활성 가스(Ar) 분위기, 또는 진공 분위기에서300~900℃의 온도에서 열처리하고, 상기 고분자를 분해해, 그리고 상기 방사된 전구체를 결정화 또는 비정질화하여 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자를 포함한 나노 섬유를 생성하는 단계와 상기 나노 섬유를 분쇄하고, 직경이 5~100 nm의 나노 입자 및 폭이 5~100 nm이며 상기 폭에 대한 길이의 비인 어스펙트비가 1.5~10.0인 나노 클러스터를 포함한 나노 분말을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조 방법.",25,"2009-295702","2009-12-25","2010-162685","2010-07-29","","5400602","2013-11-01","송용원","キム イル ドゥ | チェ スン フン","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2714004002602","【청구항】상기 첨가제는 트리톤 X-100, 초산, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 이소프로필 트리스 티타네이트 및3-아미노프로필트리에톡시실란으로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 계면활성제인 것을 특징으로 하는 청구항 12에 기재된 나노 잉크제조 방법. | 【청구항】상기 비금속은 Si이며 상기 금속 화합물은 SnP이며 상기 비금속 화합물은 SiN 및 SiOx(0＜X＜2)로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 16 에 기재된 나노 분말. | 【청구항】상기 금속 산화물은 SnO2, Al2O3, TiO2, Fe2O3, ZrO2, V2O5, CoO, Co3O4, CaO, MgO, CuO, ZnO, In2O3, NiO, MoO3 및 WO3로 구성되는 군에서 선택되는 2 성분계 금속 산화물, SnSiO3, Zn2SnO4, CoSnO3, Ca2SnO4, CaSnO3, ZnCo2O4, Co2SnO4, Mg2SnO4, Mn2SnO4, CuV2O6, NaMnO2, NaFeO2, LiCoO2, LiNiO2, SrTiO3, Li4Ti5O12, BaTiO3 및 LiMn2O4로 구성되는 군에서 선택되는 3 성분계 금속 산화물, LiFePO4, Li[Ni1/3Co1/3Mn1/3]O2, Li[Ni1/2Mn1/2]O2, LiNi1-xCoxO2, LiAl0.05Co0.85Ni0.15O2, La1-xSrxCoO3(0.1≦X≦0.9), La0.8Sr0.2Fe0.8Co0.2O3, La1-xSrxMnO3(0.1≦X≦0.9) 및 La1-xSrxFeO3(0.1≦X≦0.9)로 구성되는 군에서 선택되는 4 성분계 이상의 금속 산화물이며 상기 복합 금속 산화물은 Pt-RuO2, Au-RuO2, Pt-IrO2, Pt-TiO2, Pd-SnO2, Pd-TiO2, Ni-Y0.08Zr0.92O2, Ag-BaTiO3, Pt-LaNiO3, 또는 Pt-Y0.08Zr0.92O2인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 금속은 Pt, Ni, Au, Fe, Co, Mo, In, Ir, Ag, Sn, Ti, Cu, Pd 및 Ru로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 전구체는 티타늄 프로폭사이드, 염화 스트론튬4 수화물, 초산 리튬, 리튬 아세틸아세토네이트 및 초산 망간4 수화물, 실리콘 테트라아세테이트, 염화루테늄, 초산 주석, 염화니켈, 트리페닐 포스핀, 염화랜턴7 수화물, 염화 백금산6 수화물(Chloroplatinic Acid Hexahydrate, H2PtCl6 6H2O), 염화철, 초산 코발트, 초산 알루미늄, 초산 아연, 염화바나듐, 염화바륨 용액, 황산마그네슘 및 아세트산구리로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 금속 산화물은 2종 이상의 금속 산화물을 포함하고 2종 이상의 금속 산화물의 고용체, 혼합상 및 화합물에서 선택되는 적어도 하나의 미세 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 첨가제는 폴리비닐아세테이트, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄을 포함한 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알코올(PVA), 폴리퍼퓨릴알코올(PPFA), 폴리스티렌(PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리프로필렌 옥사이드(PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌 옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐 플루오르화물, 폴리비닐리덴 플로라이드 공중합체 및 폴리아미드로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 분산제인 것을 특징으로 하는 청구항 22 에 기재된 나노 잉크. | 【청구항】청구항 16 ~ 21 중 1항에 기재된 나노 분말과 상기 나노 분말의 분산성 또는 점도를 조절하기 위한 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 잉크. | 【청구항】상기 첨가제는 트리톤 X-100, 초산, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 이소프로필 트리스 티타네이트 및3-아미노프로필트리에톡시실란으로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 계면활성제인 것을 특징으로 하는 청구항 22 에 기재된 나노 잉크. | 【청구항】상기 첨가제는 폴리비닐아세테이트, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄을 포함한 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알코올(PVA), 폴리퍼퓨릴알코올(PPFA), 폴리스티렌(PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리프로필렌 옥사이드(PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌 옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐 플루오르화물, 폴리비닐리덴 플로라이드 공중합체 및 폴리아미드로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 분산제이며 상기 셀룰로오스 유도체는 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피온 에스테르(propionate)인 것을 특징으로 하는 청구항 12에 기재된 나노 잉크제조 방법. | 【청구항】상기 분산제는 상기 나노 분말에 대해서 0.1~20 중량%첨가되는 것을 특징으로 하는 청구항 13에 기재된 나노 잉크제조 방법. | 【청구항】금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자로 구성되는 나노 섬유에서 분쇄된, 직경이 5~100 nm의 나노 입자 및 폭이 5~100 nm이며 상기 폭에 대한 길이의 비인 어스펙트비가 1.5~10.0인 나노 클러스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말. | 【청구항】상기 마이크로 비스 분쇄는 0.015~0.1 mm의 지르코니아 볼을 이용해 수행하는 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】청구항1~11중 1항에 기재된 방법으로 제조된 나노 분말을 포함한 나노 잉크에 상기 나노 분말의 분산성 또는 점도를 조절하기 위한 첨가제를 첨가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 잉크제조 방법. | 【청구항】상기 방사는 일렉트로스피닝, 멜트블로운 방사, 플래시방사, 또는 정전 멜트블로운 방사를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 금속은 Pt, Ni, Au, Fe, Co, Mo, In, Ir, Ag, Sn, Ti, Cu, Pd 및 Ru로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 16 에 기재된 나노 분말. | 【청구항】상기 금속 산화물은 SnO2, Al2O3, TiO2, Fe2O3, ZrO2, V2O5, CoO, Co3O4, CaO, MgO, CuO, ZnO, In2O3, NiO, MoO3 및 WO3로 구성되는 군에서 선택되는 2 성분계 금속 산화물, SnSiO3, Zn2SnO4, CoSnO3, Ca2SnO4, CaSnO3, ZnCo2O4, Co2SnO4, Mg2SnO4, Mn2SnO4, CuV2O6, NaMnO2, NaFeO2, LiCoO2, LiNiO2, SrTiO3, Li4Ti5O12, BaTiO3 및 LiMn2O4로 구성되는 군에서 선택되는 3 성분계 금속 산화물, LiFePO4, Li[Ni1/3Co1/3Mn1/3]O2, Li[Ni1/2Mn1/2]O2, LiNi1-xCoxO2, LiAl0.05Co0.85Ni0.15O2, La1-xSrxCoO3(0.1≦X≦0.9), La0.8Sr0.2Fe0.8Co0.2O3, La1-xSrxMnO3(0.1≦X≦0.9) 및 La1-xSrxFeO3(0.1≦X≦0.9)로 구성되는 군에서 선택되는 4 성분계 이상의 금속 산화물이며 상기 복합 금속 산화물은 Pt-RuO2, Au-RuO2, Pt-IrO2, Pt-TiO2, Pd-SnO2, Pd-TiO2, Ni-Y0.08Zr0.92O2, Ag-BaTiO3, Pt-LaNiO3, 또는 Pt-Y0.08Zr0.92O2인 것을 특징으로 하는 청구항 16 에 기재된 나노 분말. | 【청구항】상기 나노 섬유는 방사법에 의해 형성된 상기 1종 이상의 전구체를 열처리해 생성되는 것을 특징으로 하는 청구항 16 에 기재된 나노 분말. | 【청구항】상기 용매는 물 , 에탄올, 테트라하이드로퓨란, N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, N-메틸 피롤리돈, 아세토니트릴, 톨루엔, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 벤젠 및 크실렌으로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 것인 것을 특징으로 하는 청구항 2 또는 3에 기재된 나노 잉크제조 방법. | 【청구항】상기 나노 섬유를 분쇄한 후, 나노 입자 및 나노 클러스터를 포함한 용매를 상온 또는 고온에서 건조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항2~4중 1항에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】고분자를 함유하는 용액에 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 형성할 수 있는 전구체 1종 이상을 첨가해 방사 용액을 조제하는 단계와 상기 방사 용액을 방사해 고분자 및 1종 이상의 전구체를 포함한 복합섬유 웹을 제조하는 단계와 상기 복합 섬유 웹을 공기, 환원 분위기, 탈산소분위기(N2/H2, CO, N2), 불활성 가스(Ar) 분위기, 또는 진공 분위기에서300~900℃의 온도에서 열처리하고, 상기 고분자를 분해해, 그리고 상기 방사된 전구체를 결정화 또는 비정질화하여 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자를 포함한 나노 섬유를 생성하는 단계와 상기 나노 섬유를 분쇄하고, 직경이 5~100 nm의 나노 입자 및 폭이 5~100 nm이며 상기 폭에 대한 길이의 비인 어스펙트비가 1.5~10.0인 나노 클러스터를 포함한 나노 분말을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 분쇄는 용매 중에서 상기 나노 섬유에 실시되는 마이크로 비스 분쇄인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 비금속은 Si이며 상기 금속 화합물은 SnP이며 상기 비금속 화합물은 SiN 및 SiOx(0＜X＜2)로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 나노 분말 제조 방법. | 【청구항】상기 분산제는 상기 나노 분말에 대해서 0.1~20 중량%첨가되는 것을 특징으로 하는 청구항 23 에 기재된 나노 잉크. | 【청구항】상기 나노 섬유는 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합 금속 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 형성할 수 있는 전구체 1종 이상을 결정화 또는 비정질화해서 형성되는 것을 특징으로 하는 청구항 16 에 기재된 나노 분말."]
["F03066","JP","P","도전성 입자 및 이것을 포함한 이방성 도전 필름","【요약】 【과제】전자기기를 패키징할 때 접속 재료로서 이용되는 이방성 도전 필름의 제조에 용이한 도전성 입자 및 이것을 포함한 이방성 도전 필름을 제공한다. 【해결 수단】본 발명에 의한 도전성 입자는 장기적인 도전 안전성, 표면 전도성, 내구성 및 내열성이 우수하고, 전자기기의 패키징에 사용되는 이방성 도전 필름의 제조에 유용하게 적용하는 것이 가능하다. 또한 우수한 도전성을 가지며, 각종 모바일 기기, 액정 디스플레이, 전자 페이퍼 시스템 등, 다양한 디스플레이 기기의 제조에 필요한 미소 패턴 형성 공정에 용이하게 적용할 수 있다. 【선택도】도 1","【청구항】고분자 미립자와 상기 고분자 미립자의 표면에 형성된 그래핀(graphen) 코팅층을 포함한, 도전성 입자.",15,"2009-237964","2009-10-15","2010-245022","2010-10-28","","5075180","2012-08-31","이상수","イ サンス | キム キョンヒ | イム スンホ | パク ミン | キム ジュンキョン | キム ヒスク | イ ヒョンジョン","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2712044004880","【청구항】청구항 3에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 축합 반응성 관능기가 카르복실기(-COOH), 하이드록실기(-OH), 알콕시카르보닐기(-COOR1, 이 때, R1는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 또는 벤질기이다), 아미노기(-NH2) 및 티옥시기(-SH)로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 도전성 입자가 0.1μm내지 10μm의 평균 입자 지름을 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 9에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 이온 결합이 -NR23+(이 때, R2는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 알릴기이다)의 양이온의 말단과-COO-, -O- 또는―SO3-의 음이온의 말단과의 상호작용에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】고분자 미립자와 상기 고분자 미립자의 표면에 형성된 그래핀(graphen) 코팅층을 포함한, 도전성 입자. | 【청구항】청구항 6에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 축합 반응성 관능기와 공유결합할 수 있는 제2 관능기가 카르복실기(-COOH), 하이드록실기(-OH), 알콕시카르보닐기(-COOR1, 이 때, R1는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 또는 벤질기이다), 아미노기(-NH2) 및 티옥시기(-SH)로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 6에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 이온성 관능기와 이온 결합을 형성할 수 있는 제2 이온성 관능기가 카르복실기, 하이드록실기, 설포닐기, 4급 암모늄기 및 아미노기로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 고분자 미립자가 폴리스티렌계, 폴리메타크리레이트계 또는 폴리아크릴레이트계의 고분자 미립자인 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자를 포함한, 이방성 도전 필름. | 【청구항】청구항 2에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 그래핀이 축합 반응성 관능기와 공유결합을 형성할 수 있는 제2 관능기 또는 이온성 관능기와 이온 결합을 형성할 수 있는 제2 이온성 관능기를 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 고분자 미립자는 표면에 관능기를 가지며, 상기 그래핀 코팅층은 상기 관능기와의 화학 결합에 의해 상기 고분자 미립자의 표면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 2에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 화학 결합이 공유결합 또는 이온 결합인 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 고분자 미립자가 표면에 축합 반응성 관능기 또는 이온성 관능기를 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 1에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 고분자 미립자와 그래핀 코팅층과의 중량비가20:80내지 99.9:0.1인 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 9에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 공유결합이 에스테르 결합(-COO-), 아미드 결합(-CONH-) 또는 황화 결합(-S-S-)을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자. | 【청구항】청구항 3에 기재된 도전성 입자에 있어서 상기 이온성 관능기가 카르복실기, 하이드록실기, 설포닐기, 4급 암모늄기 및 아미노기로 구성되는 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자."]
["F02963","JP","P","주파수 가변 신호 발생 장치 및 방법","【요약】　　　（수정유） 【과제】스트레인에 의해 발진 파장 간의 간격이 변화하는 2개의 파장의 광원을 실현해, 2개의 파장의 광신호를 비팅시켜 발진 파장 간의 간격으로 대응하는 주파수의 신호를 발생시키는 주파수 가변 신호 발생 장치 및 방법을 제공한다. 【해결 수단】주파수 가변 신호 발생 장치는 광원과 하나 이상의 공진기와 스트레인에 의해 변형 가능한 구조물과 제1 및 제2 광섬유 격자와 및 광전 변환기를 포함한다. 제1 및 제2 광섬유 격자는 공진기 내에서 발진하는 광신호 중 제1 파장 및 제2 파장의 광신호를 필터링한다. 제1 및 제2 광섬유 격자는 구조물 상에 설치되는 반사형 광섬유 격자라도 좋다. 또는 제1 광섬유 격자는 구조물 상에 설치되는 위상 천이 광섬유 격자이며 제2 광섬유 격자는 공진기에 광학적으로 연결된 반사형 광섬유 격자일 수도 있다. 광전 변환기는 제1 및 제2 파장 간의 간격으로 대응하는 주파수의 신호를 생성할 수 있다. 【선택도】도 1","【청구항】주파수 가변 신호 발생 장치에 있어서 광신호를 생성하는 광원과 상기 광원의 광신호가 입력되고 서로 광학적으로 연결되어 서로 다른 공진 조건을 가지는 제1 및 제2 공진기와 히 완료에 의해 변형 가능한 구조물과 상기 구조물 상에 설치되고, 각각 제 1 파장 및 제2 파장의 광신호를 필터링 해, 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결되었다 제1 광섬유 격자 및 제2 광섬유 격자와 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결되어 상기 제 1 파장 및 제2 파장 간의 간격으로 대응하는 주파수의 신호를 생성하는 광전 변환기를 포함하고 상기 제 1 파장 및 상기 제 2 파장 간의 간격은 상기 구조물이 변형된 정도로 대응 해, 상기 구조물은 제1 방향으로 변형되는 제1 영역 및 제2 방향으로 변형되는 제2 영역을 포함하고 상기 제 1 광섬유 격자 및 상기 제 2 광섬유 격자는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에 각각 설치되어 상기 구조물은 안에 구멍이 빈 제1 원판, 상기 제 1 원판 내 제2 원판 및 상기 제 1 원판 및 상기 제 2 원판이 연결되어 상기 제 1 원판이 회전함으로써 변형되는 평판을 포함하고 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 상기 평판 상에 설치된다 일을 특징으로 하는 주파수 가변 신호 발생 장치.",7,"2009-207064","2009-09-08","2010-157685","2010-07-15","","5319465","2013-07-19","이관일","李 寛鎰 | 李 相培 | 金 善徳","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2713038005465","【청구항】 상기 제 1 공진기 및 상기 구조물 사이에 광학적으로 연결되는 광 순환기를 추가로 포함해, 상기 광 순환기는 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결된 제1 포트, 상기 구조물에 광학적으로 연결된 제2 포트 및 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결된 제3 포트를 구비하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】 상기 제 1 공진기 및 상기 제 2 공진기의 각각에 광학적으로 연결된 편광 조절기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】주파수 가변 신호 발생 장치에 있어서 광신호를 생성하는 광원과 상기 광원의 광신호가 입력되고 서로 광학적으로 연결되어 서로 다른 공진 조건을 가지는 제1 및 제2 공진기와 히 완료에 의해 변형 가능한 구조물과 상기 구조물 상에 설치되고, 각각 제 1 파장 및 제2 파장의 광신호를 필터링 해, 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결되었다 제1 광섬유 격자 및 제2 광섬유 격자와 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결되어 상기 제 1 파장 및 제2 파장 간의 간격으로 대응하는 주파수의 신호를 생성하는 광전 변환기를 포함하고 상기 제 1 파장 및 상기 제 2 파장 간의 간격은 상기 구조물이 변형된 정도로 대응 해, 상기 구조물은 제1 방향으로 변형되는 제1 영역 및 제2 방향으로 변형되는 제2 영역을 포함하고 상기 제 1 광섬유 격자 및 상기 제 2 광섬유 격자는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에 각각 설치되어 상기 구조물은 안에 구멍이 빈 제1 원판, 상기 제 1 원판 내 제2 원판 및 상기 제 1 원판 및 상기 제 2 원판이 연결되어 상기 제 1 원판이 회전함으로써 변형되는 평판을 포함하고 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 상기 평판 상에 설치된다 일을 특징으로 하는 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】 상기 제 1 공진기 및 상기 제 2 공진기의 각각은 링 공진기인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】 상기 제 1 광섬유 격자 및 상기 제 2 광섬유 격자의 각각은 반사형 광섬유 격자인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】 상기 광원은 반도체 광증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치. | 【청구항】 상기 제 1 공진기에 광학적으로 연결된 광아이솔레이터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 주파수 가변 신호 발생 장치."]
["F02915","JP","P","비스(스티릴) 피리미딘 및 비스(스티릴) 벤젠 유도체, 그 약학적으로 허용 가능한 염, 그 제조 방법 및 그것을 유효성분으로서 포함한β아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 또는 치료용 의약 조성물","【요약】　　　（수정유） 【과제】신규한 비스(스티릴) 피리미딘 및 비스(스티릴) 벤젠 유도체 화합물, 그 약학적으로 허용 가능한 염의 제공. 【해결 수단】하기 화학식 1로 표시되는 비스(스티릴) 피리미딘 및 비스(스티릴) 벤젠 유도체, 그 약학적으로 허용 가능한 염, 그 제조 방법 및 그것을 유효성분으로서 포함한β아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 또는 치료용 의약 조성물. 화학식 1의 유도체 화합물은 β아밀로이드 집적을 저해해β아밀로이드의 독성을 감소시키고β아밀로이드 집적 관련 질환에 있어서 나타나는 학습 및 기억력 저하를 개선시키는 효과를 나타낸다. 【선택도】없음","【청구항】 (1)(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (2)(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (4)(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (5)(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (6)(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (7)(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (8)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (9)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (10)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (11)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (12)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (13)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (14)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (15)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (16)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (17)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (18)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (19)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (22)(E,E)-3,5-비스(4'-히드록시스티릴) 페놀, (23)(E,E)-3,5-비스(3'-히드록시스티릴) 페놀, (24)(E,E)-3,5-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 페놀, (25)(E,E)-3,5-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 페놀, (26)(E,E)-3,5-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀 및 (27)(E,E)-3,5-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀, 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나이다 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염.",13,"2009-126637","2009-05-26","2010-168344","2010-08-05","","5113802","2012-10-19","노은주","キエ ヂュン・シン | ウン チョオ・ロー | ユン スク・イ","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2713001002602","【청구항】 (1)(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (2)(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (4)(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (5)(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (6)(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (7)(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (8)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (9)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (10)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (11)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (12)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (13)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (14)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (15)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (16)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (17)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (18)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (19)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (22)(E,E)-3,5-비스(4'-히드록시스티릴) 페놀, (23)(E,E)-3,5-비스(3'-히드록시스티릴) 페놀, (24)(E,E)-3,5-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 페놀, (25)(E,E)-3,5-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 페놀, (26)(E,E)-3,5-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀 및 (27)(E,E)-3,5-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀, 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나이다 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염. | 【청구항】하기 스킴 2【화2】 ( 식 중, R 1 (은)는 하이드록시이며 R 2 및 R 3 (은)는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, 메톡시 및 디메틸아미노로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나이며 R4 및 R5는 상기 R2 및 R3와 동일하지만 하이드록시일 경우에는 그것을 보호하는 p-메톡시벤질 또는 메톡시메틸로 보호되어 있고, 화학식 1 b는 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 벤젠 유도체이다 ) 에 의해 나타나는, 화학식 5의 벤젠 유도체 화합물과 화학식 3의 벤즈알데히드 유도체 화합물을 에테르류의 유기용매에 용해시킨 후, 0℃으로 염기를 첨가해 반응시키는 공정(공정 A);및 상기 공정 A로 제조한 화학식 6의 화합물을 탈보호 반응시키는 공정(공정 B)으로 구성되는 청구항 1 에 기재된 비스(스티릴) 벤젠 유도체의 제조 방법. | 【청구항】상기 공정 A의 염기가 금속 수소화합물, 금속 알콕사이드, 알킬 알칼리 금속 화합물 및 아미드형 알칼리 금속 화합물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 청구항 7 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염이β아밀로이드의 집적을 저해하는 것을 특징으로 하는, 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염을 유효성분으로서 포함한, 청구항 11 에 기재된β아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 및 치료용 의약 조성물. | 【청구항】상기 공정 2의 탈보호 반응이 염산/에틸 알코올(3:1) 용매로 가열 환류시키거나, 또는 트리플루오르 초산을 포함한 메틸렌클로라이드 용매에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 청구항 3 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】하기 스킴 1【화1】 ( 식 중, R 1 (은)는 수소, 메톡시 및 메틸 티오로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나이며 R 2 및 R 3 (은)는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, 메톡시 및 디메틸아미노로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이며 R4 및 R5는 상기 R2 및 R3와 동일하지만 하이드록시일 경우에는 그것을 보호하는 p-메톡시벤질 또는 메톡시메틸로 보호되어 있고, 화학식 1 a는 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 유도체 이다 ) 에 의해 나타나는, 화학식 2의 피리미딘 유도체 화합물과 화학식 3의 벤즈알데히드 유도체 화합물을 염기 조건 하에서 축합 반응시키는 공정(공정 1) 및 상기 공정 1으로 제조한 화학식 4의 화합물을 탈보호 반응시키는 공정(공정 2)으로 구성되는 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘의 유도체의 제조 방법. | 【청구항】β아밀로이드 집적 관련 질환이 알츠하이머병인 것을 특징으로 하는, 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염을 유효성분으로서 포함한, 청구항 11 에 기재된β아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 및 치료용 의약 조성물. | 【청구항】상기 공정 A의 반응 용매가 무수 테트라 히드로 퓨란이며 염기가 칼륨 t-부톡사이드인 것을 특징으로 하는, 청구항 7 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】상기 상간이동촉매가 테트라부틸 암모늄 수소 설페이트 또는 벤질 트리메틸 암모늄인 것을 특징으로 하는, 청구항 4 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】상기 염기가 수소화 나트륨(NaH), 수소화 리튬(LiH), 수소화 칼륨(KH)으로 구성되는 군에서 선택되는 알칼리 금속 수소화합물;또는 나트륨 메톡사이드, 나트륨에톡시드, 나트륨 프로폭사이드, 나트륨 t-부톡사이드, 칼륨 t-부톡사이드, 칼륨 이소프로폭사이드 및 리튬 이소프로폭사이드로 구성되는 군에서 선택되는 금속 알콕사이드인 것을 특징으로 하는, 청구항 8 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】 (8)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (9)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (10)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (11)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (12)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (13)2-메톡시-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (14)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-히드록시스티릴) 피리미딘, (15)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-히드록시스티릴) 피리미딘, (16)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 피리미딘, (17)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 피리미딘, (18)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (19)2-메틸 티오-(E,E)-4,6-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]피리미딘, (22)(E,E)-3,5-비스(4'-히드록시스티릴) 페놀, (23)(E,E)-3,5-비스(3'-히드록시스티릴) 페놀, (24)(E,E)-3,5-비스(4'-하이드록시-3'-메톡시스티릴) 페놀, (25)(E,E)-3,5-비스(3'-하이드록시-4'-메톡시스티릴) 페놀, (26)(E,E)-3,5-비스[4'-하이드록시-3'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀 및 (27)(E,E)-3,5-비스[3'-하이드록시-4'-(N,N-디메틸아미노) 스티릴]페놀, 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염. | 【청구항】상기 공정 1의 축합 반응이 상간이동촉매의 존재하에서 수산화나트륨 수용액으로 가열 환류시켜 수행되는 것을 특징으로 하는, 청구항 3 에 기재 의 제 조 방법. | 【청구항】 청구항 1에 기재된 비스(스티릴) 피리미딘 또는 비스(스티릴) 벤젠 유도체 또는 그 약학적으로 허용 가능한 염을 유효성분으로서 포함한, β아밀로이드 집적 관련 질환의 예방 및 치료용 의약 조성물."]
["F02727","JP","P","용매열 합성 공정을 이용한 염소화 유기 화합물 분해용 바나지아치타니아 촉매의 조제 방법","【요약】　　　（수정유） 【과제】염소화 유기 화합물의 분해를 위한 나노 구조의 바나지아치타니아 촉매의 조제 방법을 제공한다. 【해결 수단】염소 성분을 포함한 화합물의 연소 과정에서 배출되는 다이옥신을 시작으로 하는 염소화 유기 화합물을 처리할 수 있는 바나지아치타니아 촉매를 이산화티탄의 담체 표면 상에 바나지아 입자가 막구조의 형태로 코팅되어 있는 코어 셸(core shell) 구조의 바나지아치타니아 입자를 용매열 합성(solvothermal synthesis) 공정에 의해 연속해 조제하는 방법에 관한다. 용매열 합성의 공정을 이용하는 조제 방법은 습식법에 비해 비교적 간단 또한 연속한 공정으로 바나지아치타니아 촉매를 대량생산할 수 있고 이와 같이 용매열 합성 공정에 의해 조제되는 바나지아치타니아 촉매는 습식법에 의해 조제되는 촉매나 상용 촉매에 비해 저온(150℃~300℃)에 있어서도 염소화 유기 화합물에 대해서 높은 분해 효율을 나타낸다. 【선택도】도 1","【청구항】바나지아 전구체와 이산화티타늄 전구체와의 혼합 용액을 조제한 후, 캐리어 가스와 보호 공기를 주입해, 상기 전구체의 혼합 용액을 전기로의 고온부에 이동시키는 제1 단계와 상기 전기로의 고온부에서 상기 전구체의 혼합 용액을 용매열 합성 공정에 의해 처리해, 이산화티탄의 담체 표면에 바나지아 입자가 코팅된 입자 형태에 바나지아치타니아 촉매를 조제하는 제2 단계와 상기 바나지아치타니아 촉매의 입자를 냉각해 포집하는 제3 단계를 포함한 용매열 합성의 공정을 이용해 나노 구조의 바나지아치타니아 촉매를 연속해 조제하는 방법이며 상기 제 1 단계에 있어서 상기 바나지아 전구체와 상기 이산화티타늄 전구체가 3.5:96.5~15:85의 중량비로 혼합되고 상기 바나지아 전구체가 바나듐 옥시 트리프로폭사이드(C3H7O) 3VO)로 상기 이산화티타늄 전구체가 티타늄 테트라아이소 프로폭사이드(TTIP.Ti(OCH(CH3) 2) 4)인 것을 특징으로 하는 방법.",10,"2008-287052","2008-11-07","2009-119459","2009-06-04","","4923027","2012-02-10","정종수","ジョン ジョンス | ジン ソンミン | ジョン ジュヨン | イ ジョンウン | ベ グィナム","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2712016001927","【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 1 단계에 있어서 상기 캐리어가스가 질소 또는 아르곤의 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】바나지아 전구체와 이산화티타늄 전구체와의 혼합 용액을 조제한 후, 캐리어 가스와 보호 공기를 주입해, 상기 전구체의 혼합 용액을 전기로의 고온부에 이동시키는 제1 단계와 상기 전기로의 고온부에서 상기 전구체의 혼합 용액을 용매열 합성 공정에 의해 처리해, 이산화티탄의 담체 표면에 바나지아 입자가 코팅된 입자 형태에 바나지아치타니아 촉매를 조제하는 제2 단계와 상기 바나지아치타니아 촉매의 입자를 냉각해 포집하는 제3 단계를 포함한 용매열 합성의 공정을 이용해 나노 구조의 바나지아치타니아 촉매를 연속해 조제하는 방법이며 상기 제 1 단계에 있어서 상기 바나지아 전구체와 상기 이산화티타늄 전구체가 3.5:96.5~15:85의 중량비로 혼합되고 상기 바나지아 전구체가 바나듐 옥시 트리프로폭사이드(C3H7O) 3VO)로 상기 이산화티타늄 전구체가 티타늄 테트라아이소 프로폭사이드(TTIP.Ti(OCH(CH3) 2) 4)인 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 3 단계에 있어서 상기 바나지아치타니아 촉매 의 입자가 100℃이하로 냉각되어 포집되는 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 3 단계에서 포집된 상기 바나지아치타니아 촉매에 있어서 바나지아의 함량이 전체 촉매 중량의 3 중량%~15 중량%인 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 1 단계에 있어서 상기 보호 공기가 압축 공기인 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 캐리어가스와 상기 보호 공기와의 주입 온도가 80℃~110℃의 범위인 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 1 단계에 있어서 상기 캐리어가스와 상기 보호 공기와의 유량비가1:5~1:10에 조절되어 있는 것을 특징으로 하는 방법. | 【청구항】청구항 9에 기재되어 있는 바나지아치타니아 촉매를 이용해 염소화 유기 화합물을 분해하는 방법. | 【청구항】이산화티탄의 담체 표면에 바나지아 입자가 코팅된 나노 구조를 가지며, 상기 바나지아의 함량이 전체 촉매 중량의 3 중량%~15 중량%인 청구항 1에 기재되어 있는 방법에 의해 조제된, 염소화 유기 화합물을 분해하기 위한 바나지아치타니아 촉매. | 【청구항】청구항 1에 있어서 상기 제 2 단계에 있어서 상기 용매열 합성의 공정이 900℃~1100℃의 온도에서 1초~1분간 행해지는 것을 특징으로 하는 방법."]
["F02514","JP","P","누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터","【요약】 【과제】 반도체와 강자성체의 접합면을 통과시키지 않고 전하에 스핀 정보를 전달할 수 있고 스핀 전달 효과가 매우 높은 트랜지스터를 제공한다. 【해결 수단】 본 발명은 채널층을 가지는 반도체 기판부와 상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정의 간격으로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제 1 전극과 제2 전극 사이에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정의 간격으로 이격 배치되어 자화된 강자성체로 구성되는 소스 및 드레인과 상기 소스와 드레인 사이의 상기 기판부 상에 형성되어 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하고 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀은 상기 소스 하부에서 상기 소스의 누설 자장에 의해 정렬되고 상기 드레인 하부에서 상기 드레인의 누설 자장에 의해 필터링된다. 【선택도】 도 1","【청구항】채널층을 가지는 반도체 기판부와 상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정의 간격으로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제 1 전극과 제2 전극 사이에 상기 채널의 길이 방향을 따라 상호 소정의 간격으로 이격되어 또한 상기 제 1 전극 및 제2 전극 모두 이간되도록 배치되어 자화된 강자성체로 구성되는 제1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 상기 제 1 강자성 영역과 제2 강자성 영역 사이의 상기 기판부 상에 상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 이간되도록 형성되고 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트와 상기 제 1 강자성 영역과 제2 강자성 영역 사이에는 스핀 정렬과 스핀 필터링을 위한 공간을 확보하도록 상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 각각 소정의 간격으로 이격 배치된 고투자율 물질을 포함하고 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀은 상기 제 1 강자성 영역의 하부에서 상기 제 1 강자성 영역의 누설 자장에 의해 정렬되고 상기 제 2 강자성 영역의 하부에서 상기 제 2 강자성 영역의 누설 자장에 의해 필터링되고 상기 고투자율 물질은 상기 게이트와 채널층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터.",20,"2007-188062","2007-07-19","2008-166689","2008-07-17","","4919893","2012-02-10","구현철","具 賢 ▲ちょる▼ | 嚴 宗 和 | 韓 ▲そく▼ 熙 | 張 ▲じゅん▼ 然 | 金 亨 ▲じゅん▼","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2712015003293","【청구항】채널층을 가지는 반도체 기판부와 상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정의 간격으로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제 1 전극과 제2 전극 사이에 상기 채널의 길이 방향을 따라 상호 소정의 간격으로 이격되어 또한 상기 제 1 전극 및 제2 전극 모두 이간되도록 배치되어 자화된 강자성체로 구성되는 제1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 상기 제 1 강자성 영역과 제2 강자성 영역 사이의 상기 기판부 상에 상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 이간되도록 형성되고 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트와 상기 제 1 강자성 영역과 제2 강자성 영역 사이에는 스핀 정렬과 스핀 필터링을 위한 공간을 확보하도록 상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역과 각각 소정의 간격으로 이격 배치된 고투자율 물질을 포함하고 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀은 상기 제 1 강자성 영역의 하부에서 상기 제 1 강자성 영역의 누설 자장에 의해 정렬되고 상기 제 2 강자성 영역의 하부에서 상기 제 2 강자성 영역의 누설 자장에 의해 필터링되고 상기 고투자율 물질은 상기 게이트와 채널층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 강자성 반도체는 (Ga,Mn) As인 것을 특징으로 하는 청구항 14에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 2차원 전자가스층은 GaAs, InAs 및 InGaAs로 구성되는 그룹에서 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 청구항 6에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 기판부는 상기 채널층의 상부 및 하부에 형성되는 상부 및 하부 클래드층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 스핀트 랜지스터의 온-오프 동작을 제어하기 때문에, 상기 게이트에 인가되는 전압에 의해 상기 제 2 강자성 영역의 하부에 도달한 전자의 스핀을 상기 제 2 강자성 영역의 누설 자장의 방향과 평행 또는 반 평행하도록 조절하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역 중 적어도 하나는 강자성 반도체 또는 얇은 자성 반도체로 형성된 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역의 자화 방향은 상기 채널의 길이 방향을 따라 상호 역방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 강자성 금속은 Fe, Co, Ni, CoFe, NiFe 및 이들의 조합으로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 청구항 12에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 기판부는 상기 채널의 길이 방향을 따라 양측부의 일부가 컷 아웃된 리지 구조를 가지며, 상기 리지 구조에 의해 채널의 폭이 한정되는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역 중 적어도 하나는 강자성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역의 자화 방향은 상기 채널층의 표면에 수직의 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 절연막은 SiO2 또는 TaO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 리지 구조의 컷 아웃된 양측부에는 평탄화를 위한 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 청구항 3에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 기판부는 상기 상부 클래드층 위에 형성된 InAs 캐핑층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 8에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 상부 및 하부 클래드층의 각각은 InGaAs층과 InAlAs층의 2층 구조를 가지는 2중 클래드층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 청구항 8에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 기판부는 상기 하부 클래드층 아래에 형성된 InAlAs 캐리어 공급층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 8에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 기판부의 채널층은 2차원 전자가스층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 1 강자성 영역 및 제2 강자성 영역의 자화 방향은 동일한 것을 특징으로 하는 청구항 17에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 제 2 강자성 영역의 하부에 도달한 전자의 스핀 방향이 상기 제 2 강자성 영역의 누설 자장의 방향과 평행이면 상기 트랜지스터는 온 상태에 있어 상기 제 2 강자성 영역의 하부에 도달한 전자의 스핀 방향이 상기 제 2 강자성 영역의 누설 자장의 방향과 반 평행이면 상기 트랜지스터는 오프 상태에 있는 것을 특징으로 하는 청구항 19에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터. | 【청구항】상기 고투자율 물질은 뮤 메탈인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 누설 자장을 이용한 스핀트 랜지스터."]
["F02371","JP","P","고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체 및 이 제조 방법","【요약】　　　（수정유） 【과제】다기능성 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체 및 그 제조 방법을 제공한다. 【해결 수단】도전성 금속 입자 4 또는 도전성 금속층 1으로 피복된 고분자 입자 2 등의 도전성 입자의 표면에 금속과의 화학적 친화력을 가지는 관능기가 표면에 존재해, 내부에 경화성 물질이 충전된 고분자 마이크로캡슐 5를 부착시킨 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체 및 이 제조 방법에 관한다. 도전성 금속 입자 또는 고분자 입자의 표면 개질에 적용할 수 있어 입자 간의 응집 현상 방지, 단층 흡착 및 캡슐 내 코어 물질의 방출에 의한 자기 수복 등이 가능하다고 하는 효과가 있다. 【선택도】도 1","【청구항】도전성 금속 입자, 또는 도전성 금속층으로 표면을 피복하고 있는 고분자 입자인 도전성 입자와 코어 부분과 쉘 부분으로 구성되어, 코어 부분은 마이크로캡슐이 파괴될 경우로 경화하는 경화성 물질로 구성되며, 쉘 부분은 표면에 카르복실기 또는 카르복실산의 유도체인 관능기를 가지는 고분자로 구성되는 것인 고분자 마이크로캡슐을 포함하고 도전성 금속 입자 또는 도전성 입자의 표면에 고분자 마이크로캡슐이 흡착에 의해 피복된 코어 쉘 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체.",13,"2006-349079","2006-12-26","2008-117744","2008-05-22","","4842116","2011-10-14","이상수","イ・サン-ソ | キム・ジュン-キュン | チョン・ヘ-ウン | パク・ミン | イム・スン-ホ | イ・ヒョン-ジョン","","","","http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=2711050001986","【청구항】도전성 금속 입자, 또는 도전성 금속층으로 표면을 피복하고 있는 고분자 입자인 도전성 입자와 코어 부분과 쉘 부분으로 구성되어, 코어 부분은 마이크로캡슐이 파괴될 경우로 경화하는 경화성 물질로 구성되며, 쉘 부분은 표면에 카르복실기 또는 카르복실산의 유도체인 관능기를 가지는 고분자로 구성되는 것인 고분자 마이크로캡슐을 포함하고 도전성 금속 입자 또는 도전성 입자의 표면에 고분자 마이크로캡슐이 흡착에 의해 피복된 코어 쉘 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체. | 【청구항】코어 부분과 쉘 부분으로 구성되어, 코어 부분은 마이크로캡슐이 파괴될 경우로 경화하는 경화성 물질로 구성되며, 쉘 부분은 표면에 카르복실기 또는 카르복실산의 유도체인 관능기를 가지는 고분자로 구성되는 것인 고분자 마이크로캡슐을 제조하는 단계와 도전성 금속 입자, 또는 도전성 금속층으로 표면을 피복하고 있는 고분자 입자인 도전성 입자의 표면에 고분자 마이크로캡슐을 흡착하고, 상기 도전성 금속 입자 또는 도전성 입자를 피복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】고분자 마이크로캡슐을 제조하는 단계가(A) 탈이온수에 계면활성제를 첨가해 마이셀을 형성하는 단계와(B) 탈이온수에 쉘 부분을 형성한다 단량체와 함께 가교제, 지용성 개시제 및 캡슐 내에 위치하는 코어 물질을 적가해, 교반해 마이셀 내에 도입하는 단계와(C) 초음파기를 이용해 미니 드롭을 형성하는 단계와(D) 열을 가해 쉘 부분을 형성하는 단량체를 중합 한다 단계와(E) 잔여 단량체를 세정한 후, 건조시키는 단계를 포함한, 청구항 7에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】도전성 금속 입자 및 도전성 금속층의 금속이 금, 은 , 구리 및 니켈 중 하나인 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】고분자 마이크로캡슐의 쉘 부분의 고분자가 가교 중합체인 청구항 3에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체. | 【청구항】단계(B)의 단량체가 카르복실산기가 존재하는 비닐계 단량체군에서 선택된 단량체 및 이것과 공중합할 수 있는 스티렌계 또는 아크릴레이트계의 비닐계 단량체군에서 선택된 단량체의 1종 이상을 사용하는, 청구항 8에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】고분자 마이크로캡슐의 쉘 부분의 고분자가 스티렌계, 아크릴레이트계 열가소성 비닐계 중합체 또는 이들의 열가소성 비닐계 공중합체인 청구항 1에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체. | 【청구항】고분자 마이크로캡슐의 코어 물질이 에폭시계 단량체 또는 아크릴레이트 계 단 량체인 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】도전성 금속 입자 또는 도전성 금속층의 금속이 금, 은 , 구리 및 니켈 중 하나인 청구항 1에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체. | 【청구항】고분자 마이크로캡슐의 코어 부분이 화학적 가교 반응을 일으키는 에폭시계 단량체 또는 아크릴레이트 계 단 량체인 청구항 1에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체. | 【청구항】도전성 금속 입자 또는 도전성 입자에 고분자 마이크로캡슐을 흡착해 도전성 금속 입자 또는 도전성 입자를 피복하는 단계가 표면에 관능기를 포함한 고분자 마이크로캡슐을 용매에 분산시키고 도전성 입자를 투입해 교반한 후, 세정용 용매로 세정해, 건조시키는 것을 포함한, 청구항 7에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】단계(B)에서 지용성 개시제를 첨가하지 않고, 단계(D)의 직전에 수용성 개시제를 첨가하는, 청구항 8에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체의 제조 방법. | 【청구항】도전성 금속 입자 또는 도전성 입자와 고분자 마이크로캡슐과의 흡착력이 반데르발스력, 정전기적 상호작용 및 화학 결합 중 하나에 의한 청구항 1에 기재된 고분자 마이크로캡슐-도전성 입자 복합체."]
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[8]

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["KIST관리번호","국가코드","특허/실용 구분","발명의 명칭(KOR)","발명의 명칭","요약","대표청구항","청구항 수","출원번호","출원일","공개번호/공표/재공표 ","공개일","공고일","등록번호","등록일","발명자(KOR)","발명자/고안자","대표도면","원문 링크","전체 청구항"]
["F03070","CN","P","메탈와이어를 이용한 전도성필름 제조 방법 및 전도성필름","Method for fabrication of conductive film using metal wire and conductive film","A method for fabricating a conductive film, and a conductive film fabricated by the same. The method comprises: preprocessing carbon nanotubes by at least one of a cutting step using ultrasonic wave, and a chemical reaction step with acid; dispersing the carbon nanotubes in a solvent; mixing metal wires with the carbon nanotubes dispersion solution; and forming an electrode layer by coating the mixed resultant on a substrate. Accordingly, can be easily fabricated the conductive film having high transmittance and high electric conductivity.","1. A method of preparing conductive thin film, the method comprises: Through the use of ultrasonic cutting step the chemical reaction using an acid and at least one of the pre-processing steps to the carbon nanotube; The carbon nanotube is dispersed in a solvent; The wires with the carbon nanotube dispersing solution are mixed; and Through the mixed resultant coating on the substrate in order to form the electrode layer; Wherein, the method also includes adding to the solvent of the liquid material, and the ionic liquid material comprises 1-butyl-3-methylimidazolium, 1-hexyl-3-methyl imidazolium and 1-methyl-3-methyl-imidazole in at least one of.",11,"2009-10179972","2009-10-14",null,null,null,101866722,"2012-06-27","김희숙",null,null,"http://sd.wips.co.kr/wipslink/api/dwn_pdf_dsdirect.wips?skey=6712187000177","1. A method of preparing conductive thin film, the method comprises: Through the use of ultrasonic cutting step the chemical reaction using an acid and at least one of the pre-processing steps to the carbon nanotube; The carbon nanotube is dispersed in a solvent; The wires with the carbon nanotube dispersing solution are mixed; and Through the mixed resultant coating on the substrate in order to form the electrode layer; Wherein, the method also includes adding to the solvent of the liquid material, and the ionic liquid material comprises 1-butyl-3-methylimidazolium, 1-hexyl-3-methyl imidazolium and 1-methyl-3-methyl-imidazole in at least one of. | 2. Method according to Claim 1, wherein, in the carbon nanotube includes the following group of at least one of: Through the use of ultrasonic cutting step of the 1st group prepared; and Through the use of acid to make the chemical reaction step 2nd group having hydrophilicity. | 3. Method according to Claim 1, wherein, the solvent comprises dimethyl formamide, N-methyl-2-pyrrolidone, ethanol, water and paradichlorbenzene in at least one of. | 4. Method according to Claim 1, wherein, the method also includes passing the material of the plurality of different mutual reaction to synthesize the metal wire. | 5. Method according to Claim 4, wherein, the synthesis includes the steps of: Used for heating step of heating the glycol solution; Used to add chemical reaction of the reactant in the solution feeding step; and The solution for the centrifugal separation of the metal wire of the generating steps is generated. | 6. Method according to Claim 1, wherein, the diameter of the metal wires is 1-2000 nanometer. | 7. Method according to Claim 1, wherein, the length of the metal wires the 1-100  m. | 8. Method according to Claim 1, wherein, the stated wire containing gold, silver, copper and in platinum of at least one. | 9. Method according to Claim 1, wherein, the method also includes adding to the solvent conductive polymer. | 10. Method according to Claim 9, wherein, the conductive polymer comprises a poly 3, 4-ethylene dioxy thiophene, pyrrole and polyaniline in a plurality of at least one. | 11. Method according to Claim 1, wherein, the method also including the surface of the substrate to a chemical treatment of the surface treatment process, in order to make this surface is provided with a hydrophilic or hydrophobic."]
["F04210","DE","P","누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터","Spin transistor using stray magnetic field","Disclosed herein is a spin transistor including: a semiconductor substrate having a channel layer formed therein; first and second electrodes which are formed to be spaced apart from each other on the substrate at a predetermined distance along a longitudinal direction of the channel layer; a source and drain which include magnetized ferromagnetic materials and are formed to be spaced apart from each other and from the electrodes between the first electrode and the second electrode at a predetermined distance along the longitudinal direction of the channel layer; and a gate which is formed on the substrate between the source and the drain, and adjusts spin orientations of electrons passing through the channel layer, wherein the electrons passing through the channel layer are spin-aligned at a lower side of the source by a stray magnetic field of the source and spin-filtered at a lower side of the drain by a stray field of the drain. ",null,null,"07112597.5",{"$nulls":4},1942527,"2014-07-02","구현철"]
["F04211","FR","P","누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터",{"$nulls":4},"07112597.5",{"$nulls":4},1942527,"2014-07-02","구현철"]
["F04209","GB","P","누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터",{"$nulls":4},"07112597.5",{"$nulls":4},1942527,"2014-07-02","구현철"]
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