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["관리번호","기술분류","국가","발명의 명칭","대표도면","원문이미지","출원번호","출원일","등록번호","등록일","요약","대표 청구항","발명자","국제특허분류","공개번호","공개일","우선권번호(우선권일자, 국가포함)","권리만료예상일","전체 청구항","INPADOC 패밀리","발명구분","판매특허수"]
["K04554","화학","KR","형태 안정성 및 내열성이 우수한 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 열가소성 탄성 복합체 조성물 및 그의 용도{THERMOPLASTIC ELASTOMER COMPOSITE COMPOSITION WITH HIGH DIMENSIONAL STABILITY FOR NOISE AND EMI SHIELDING AND USE THEREOF}",null,"원문이미지","KR20080100687A","2008.10.14","KR0963434B1","2010.06.07","본 발명은 형태 안정성 및 내열성이 우수한 열가소성 탄성 복합체 조성물 및 이를 이용한 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막에 관한 것으로, 구체적으로 가공성과 유연성이 뛰어난 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 단독, 또는 이와 함께 내열성 향상을 위한 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자를 포함하는 고분자 수지; 편상(flake)의 연자성 금속합금 분말; 및 가교제를 포함하는 형태 안정성 및 내열성이 우수한 열가소성 탄성 복합체 조성물 및 이를 이용한 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 열가소성 탄성 복합체 조성물은 열가소성 탄성체 단독 또는 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자와의 병용 사용과 금속합금 분말의 첨가로 인해 박막 단소화의 경우에도 형태 및 치수 안정성, 내열성, 유연성, 가공성 등의 물성이 우수하고 향상된 전자파 흡수 효율을 나타내기 때문에 전자기기에서 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막으로 유용하게 사용될 수 있다.","1 70 내지 100 중량% 미만의 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 및 0 초과 내지 30 중량%의 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자를 포함하는 고분자 수지 100 중량부에 대해, 400 내지 1000 중량부의 편상의 연자성 금속합금 분말 및 0.1 내지 5 중량부의 가교제를 포함하는, 형태 안정성 및 내열성이 향상된 열가소성 탄성 복합체 조성물.","홍순만, 황승상, 구종민, 조항규, 서용석, 오경환","C08K-007/00,C08K-003/10,C08L-023/00,C08K-005/14","KR20100041478A","2010.04.22",null,"2028.10.14","1 70 내지 100 중량% 미만의 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 및 0 초과 내지 30 중량%의 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자를 포함하는 고분자 수지 100 중량부에 대해, 400 내지 1000 중량부의 편상의 연자성 금속합금 분말 및 0.1 내지 5 중량부의 가교제를 포함하는, 형태 안정성 및 내열성이 향상된 열가소성 탄성 복합체 조성물. 2 제1항에 있어서, 상기 열가소성 탄성체가 105,000 내지 110,000 g/㏖의 중량평균분자량(Mw)을 갖고 10 내지 30 중량%의 고무상 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 3 제2항에 있어서, 상기 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체가 에틸렌프로필렌 다이엔모노머, 에틸렌 비닐아세테이트, 선형 저밀도 폴리에틸렌 수지, 저밀도 폴리에틸렌 수지, 메탈로센 촉매를 이용한 에틸렌, 폴리스티렌-폴리에틸렌부틸렌-폴리스티렌 공중합체, 무수말레인산 그라프트된 에틸렌 비닐아세테이트, 무수말레인산 그라프트된 폴리에틸렌 공중합체, 무수말레인산 그라프트된 폴리프로필렌 공중합체, 수소화된 폴리스티렌-폴리부타디엔 공중합체, 주쇄에 무수말레인산이 결합된 수소화된 폴리스티렌-폴리부타디엔 공중합체, 무수말레인산 그라프트된 수소화된 폴리스티렌-폴리에틸렌부틸렌-폴리스티렌 공중합체 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 4 제3항에 있어서, 상기 무수말레인산 그라프트된 열가소성 탄성체가 1 내지 3 중량%의 무수말레인산 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 5 제1항에 있어서, 상기 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자가 650,000 내지 750,000 g/㏖의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 고결정성 프로필렌계 수지와 60,000 g/㏖의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 저분자량 프로필렌계 수지의 혼합물 형태인 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 6 제5항에 있어서, 상기 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자가 폴리프로필렌, 이들의 공중합체, 무수말레인산 그라프트된 유도체 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 7 제6항에 있어서, 상기 무수말레인산 그라프트된 유도체가 무수말레인산 그라프트된 폴리에틸렌계 수지 또는 무수말레인산 그라프트된 폴리프로필렌계 수지인 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 8 제1항에 있어서, 상기 가교제가 퍼옥사이드계 가교제인 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 9 제8항에 있어서, 상기 퍼옥사이드계 가교제가 디큐밀퍼옥사이드(DCP), 퍼부틸퍼옥사이드(PBP), 벤조일퍼옥사이드(BP), 메틸에틸케톤퍼옥사이드(MEKP) 및 하이드로젠 퍼옥사이드(HP)로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 10 제1항에 있어서, 상기 연자성 금속합금 분말이 페라이트(Fe), 퍼멀로이(Fe-Ni) 및 센더스트(Fe-Si-Al) 중의 어느 하나의 구상 또는 편상 분말인 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 11 제10항에 있어서, 상기 연자성 금속합금 분말이 편상 분말로서 박막 방향으로 배향, 분산되는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 12 제1항에 있어서, 상기 조성물이 첨가제로서 산화방지제, 가교조제, 윤활제 및 상용화제 중의 어느 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 13 제12항에 있어서, 상기 첨가제가 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부의 양으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 열가소성 탄성 복합체 조성물. 14 제1항 내지 제13항 중의 어느 한 항에 따른 열가소성 탄성 복합체 조성물로 제조된 형태 안정성 및 내열성이 우수한 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막. 15 제14항에 있어서, 상기 복합 박막이 0.05 내지 1 ㎜ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막. 16 제14항에 있어서, 상기 복합 박막이 120 내지 500 ㎛/m℃ 범위의 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막. 17 제14항에 있어서, 상기 복합 박막이 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 단독 또는 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자와의 혼합물을 포함하는 펠렛(pellet) 또는 분말(powder) 형태의 고분자 수지에 믹서(internal mixer) 또는 사출기(extruder)를 이용하여 금속합금 분말 및 가교제를 혼합한 후 프레스(hot press)를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막. 18 제14항에 있어서, 상기 복합 박막이 니더(kneader), 반버리(banbury) 믹서 및 롤(roll) 중의 어느 하나를 이용하여 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 단독 또는 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자와의 혼합물을 포함하는 고분자 수지를 박막 형태로 가공한 후 금속합금 분말 및 가교제를 투입하여 컴파운딩을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막. 19 제14항에 있어서, 상기 복합 박막이 믹서에 열가소성 탄성체 또는 그의 유도체 단독 또는 고결정성 저분자량의 폴리올레핀계 고분자와의 혼합물을 포함하는 고분자 수지, 금속합금 분말 및 가교제 모두를 동시에 혼입한 후 롤 공정을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 및 노이즈 차단용 복합 박막.","KR100963434B1, KR20100041478A",null,"해당없음"]
["K04468","광학","KR","ＲＦ 신호를 이용한 구부림 센서 및 이를 이용한 구부림측정 방법{BENDING SENSOR USING RF SIGNALS AND BEND SENSING METHOD USING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20080067021A","2008.07.10","KR0963169B1","2010.06.04","RF 변조된 광신호를 생성하는 광원부; 서로 이격되며 상기 광원부의 광신호를 반사하는 기준 광섬유격자 및 센싱 광섬유격자를 구비하고, 양 방향으로 구부려지는 변형부; 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호에 파장에 따른 분산을 제공하는 광섬유 스풀; 및 상기 광섬유 스풀로부터 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호를 수신하고, 수신된 광신호들을 전기신호로 변환하는 광 검출부를 포함하되, 상기 광 검출부에 의해 변환된 전기신호의 세기는 상기 변형부의 곡률에 대응되는 구부림 센서 및 이를 이용한 구부림 측정 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 구부림 센서는 저손실의 광섬유를 이용하여 장거리 전송이 가능하므로 분포형 센서에 유용하게 사용될 수 있으며, 변조하는 RF 신호의 주파수를 바꿈으로서 측정감도와 측정범위를 자유로이 조절할 수 있는 이점이 있다.","1 RF 변조된 광신호를 생성하는 광원부; 서로 이격되며 상기 광원부의 광신호를 반사하는 기준 광섬유격자 및 센싱 광섬유격자를 구비하고, 양 방향으로 구부려지는 변형부; 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호에 파장에 따른 분산을 제공하는 광섬유 스풀; 및 상기 광섬유 스풀로부터 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호를 수신하고, 수신된 광신호들을 전기신호로 변환하는 광 검출부를 포함하되, 상기 광 검출부에 의해 변환된 전기신호의 세기는 상기 변형부의 곡률에 대응되는 것을 특징으로 하는 구부림 센서.","이관일, 이상배, 이주한","G02B-006/00,G01J-001/28","KR20100006704A","2010.01.21",null,"2028.07.10","1 RF 변조된 광신호를 생성하는 광원부; 서로 이격되며 상기 광원부의 광신호를 반사하는 기준 광섬유격자 및 센싱 광섬유격자를 구비하고, 양 방향으로 구부려지는 변형부; 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호에 파장에 따른 분산을 제공하는 광섬유 스풀; 및 상기 광섬유 스풀로부터 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호를 수신하고, 수신된 광신호들을 전기신호로 변환하는 광 검출부를 포함하되, 상기 광 검출부에 의해 변환된 전기신호의 세기는 상기 변형부의 곡률에 대응되는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 2 제 1항에 있어서, 상기 기준 광섬유격자 및 상기 센싱 광섬유격자는 상기 광원부의 광신호 중 서로 상이한 파장의 광신호를 반사하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 3 제 1항에 있어서, 상기 변형부는, 한쪽 끝이 고정되며, 다른 쪽 끝이 양 방향으로 구부려지는 금속판; 상기 금속판의 상기 한쪽 끝에 인접하여 위치하는 기준 광섬유격자; 및 상기 금속판의 상기 한쪽 끝으로부터 이격되어 위치하는 센싱 광섬유격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 4 제 1항에 있어서, 상기 변형부는, 한쪽 끝이 고정되며, 다른 쪽 끝이 양 방향으로 구부려지는 금속판; 상기 금속판의 상기 한쪽 끝으로부터 이격되어 위치하며, 상기 금속판의 한쪽 면에 형성된 기준 광섬유격자; 및 상기 금속판의 상기 한쪽 끝으로부터 이격되어 위치하며, 상기 금속판의 다른쪽 면에 형성된 센싱 광섬유격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 5 제 1항에 있어서, 상기 광섬유 스풀은, 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호에 서로 상이한 분산값을 제공하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 6 제 1항에 있어서, 상기 광원부는, 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier), 반사형 반도체 광 증폭기(Reflective Semiconductor Optical Amplifier) 또는 광신호가 출력되는 면이 무반사 코팅된 패브리-패롯 레이저(Fabry-Perot laser)를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 7 제 1항에 있어서, 상기 광원부는, 광신호를 생성하는 광대역광원을 포함하며, 상기 광대역 광원의 공급전류를 변조하여 RF 변조된 광신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 8 제 7항에 있어서, 상기 광원부는, 상기 광대역 광원에 RF 신호를 제공하는 전압 제어 오실레이터(Voltage Controlled Oscillator; VCO) 또는 RF 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 9 제 1항에 있어서, 상기 광원부는, 광신호를 생성하는 광대역 광원; 및 상기 광대역 광원의 광신호를 RF 변조하는 외부 광변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 센서. 10 RF 변조된 광신호를, 서로 이격된 기준 광섬유격자 및 센싱 광섬유격자를 구비하며 양 방향으로 구부려지는 변형부에 전송하는 단계; 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 각각에 파장에 따른 분산을 제공하는 단계; 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호를 전기신호로 변환하는 단계; 및 변환된 전기신호로부터 상기 변형부의 곡률을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 측정 방법. 11 제 10항에 있어서, 상기 파장에 따른 분산을 제공하는 단계는, 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 및 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호에 서로 상이한 분산값을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 측정 방법. 12 제 10항에 있어서, 상기 변형부의 곡률을 산출하는 단계는, 변환된 전기신호의 세기로부터, 상기 기준 광섬유격자에 의해 반사된 광신호와 상기 센싱 광섬유격자에 의해 반사된 광신호 사이의 파장 간격을 산출하는 단계; 상기 단계에서 산출된 파장 간격으로부터 상기 센싱 광섬유격자에 인가된 스트레인 값을 산출하는 단계; 및 상기 센싱 광섬유격자에 인가된 스트레인 값으로부터 상기 변형부의 곡률을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구부림 측정 방법.","KR100963169B1, KR20100006704A",null,"해당없음"]
["K04449","연료전지","KR","평면 밴드 구조의 고체 산화물 연료전지{SOLID OXIDE FUEL CELLS WITH A PLANAR BANDED ARRAY OF UNIT CELLS}",null,"원문이미지","KR20080094595A","2008.09.26","KR0964294B1","2010.06.09","본 발명은 가스 채널 및 임베딩 구역을 가지는 제1 분리판(12); 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 제1 전극(33); 상기 복수의 제1 전극(33) 위에 위치하며, 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 전해질(32); 상기 복수의 전해질(32) 위에 위치하는 복수의 제2 전극(31); 상기 복수의 제2 전극(31)을 덮는 제2 분리판(10); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 상호 접촉하는 제1 및 제2 직렬 접속 단자(71, 70); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 제1 및 제2 분리판(12, 10)과 접촉하는 밀봉재(20); 및 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10)이 각각 삽입되어 밀봉재(20)를 압착하는 제1 및 제2 하우징(13, 11)을 포함하는, 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지에 관한 것이다.","1 가스 채널 및 임베딩 구역을 가지는 제1 분리판(12); 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 제1 전극(33); 상기 복수의 제1 전극(33) 위에 위치하며, 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 전해질(32); 상기 복수의 전해질(32) 위에 위치하는 복수의 제2 전극(31); 상기 복수의 제2 전극(31)을 덮는 제2 분리판(10); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 상호 접촉하는 제1 및 제2 직렬 접속 단자(71, 70); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 제1 및 제2 분리판(12, 10)과 접촉하는 밀봉재(20); 및 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10)이 각각 삽입되어 밀봉재(20)를 압착하는 제1 및 제2 하우징(13, 11) 을 포함하는, 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지.","김형철, 이해원, 송휴섭, 이종호, 정훈기, 정화영","H01M-008/10,H01M-008/02","KR20100035300A","2010.04.05",null,"2028.09.26","1 가스 채널 및 임베딩 구역을 가지는 제1 분리판(12); 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 제1 전극(33); 상기 복수의 제1 전극(33) 위에 위치하며, 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역에 삽입되는 복수의 전해질(32); 상기 복수의 전해질(32) 위에 위치하는 복수의 제2 전극(31); 상기 복수의 제2 전극(31)을 덮는 제2 분리판(10); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 상호 접촉하는 제1 및 제2 직렬 접속 단자(71, 70); 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10) 사이에 위치하며, 제1 및 제2 분리판(12, 10)과 접촉하는 밀봉재(20); 및 상기 제1 및 제2 분리판(12, 10)이 각각 삽입되어 밀봉재(20)를 압착하는 제1 및 제2 하우징(13, 11) 을 포함하는, 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 제 1 항에 있어서, 상기 제1 분리판(12)의 임베딩 구역이 격자로 형성되어, 상기 복수의 제1 전극(33)이 격자로 배열되는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직렬 접속 단자(71, 70)가 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag)으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속, 세라믹 소재 또는 이들의 혼합물로 코팅된 코팅부를 가지는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 6 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직렬 접속 단자(71, 70)가 망(mesh), 다공체(foam), 와이어(wire), 울(wool)로 이루어진 군으로부터 선택되는 형태로 독립 또는 복합 적층하여 형성된 변형부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 7 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉재(20)가 상기 복수의 제2 전극(31)과 동일한 크기와 모양을 가지는 복수의 전극 창(21)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 8 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉재(20)가 유리 기지 상 및 보강재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료 전지. 9 제 8 항에 있어서, 상기 유리 기지 상이 B2O3-SiO2, Al2O3-B2O3-SiO2, 및 CaO-B2O3-SiO2로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료 전지. 10 제 8 항에 있어서, 상기 보강재가 밀봉재의 총 중량을 기준으로 5 내지 50중량%인 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1 항에 있어서, 상기 제1 하우징(13) 및 제2 하우징(11)의 압착으로 상기 밀봉재(20)의 압축 체결압이 0.001 내지 100 kgf/cm2인 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 13 제 1 항에 있어서, 상기 제1 분리판(12)과 제1 하우징(13) 및 상기 제2 분리판(10)과 제2 하우징(11)이 일체로 형성되는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 14 제 1 항에 있어서, 상기 제1 분리판(12)과 제1 전극(33) 사이에 위치하는 제1 집전체, 및 제2 분리판(10)과 제2 전극(31) 사이에 위치하는 제2 집전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지. 15<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 16 제 14 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 집전체가 니켈, 백금, 금, 은으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 평면밴드 구조 고체 산화물 연료전지.","KR100964294B1, KR20100035300A",null,"해당없음"]
["K04413","연료전지","KR","벌집형 고체산화물연료전지의 단전지, 이를 이용한 스택 및이들의 제조방법{Unit cell of honeycomb-type solid oxide fuel cell, stack using the unit cell and method for manufacturing the unit cell and stack}",null,"원문이미지","KR20080090965A","2008.09.17","KR0960870B1","2010.05.25","본 발명에서는, 복수의 채널을 구비하는 벌집형 SOFC의 단전지로서, 상기 단전지는 공기극이 형성된 공기극 채널과 연료극이 형성된 연료극 채널이 교대로 형성되는 채널들을 구비하고, 상기 공기극 채널 및 연료극 채널의 각각의 내부에는 집전체가 설치되어 있고, 상기 집전체가 설치된 상기 채널들에는 충전 재료가 충전되는 벌집형 SOFC의 단전지, 이를 이용한 스택 및 이들의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 고성능의 특히 휴대용 또는 소형 벌집형 SOFC에 있어서, 효과적이고 용이한 전기 집전이 가능할 뿐만 아니라, 적층과 밀봉이 용이하며, 연료를 채널 내부에서 직접 개질 하는 것이 가능하다.","1 복수의 채널을 구비하는 벌집형 SOFC의 단전지로서, 상기 단전지는 공기극이 형성된 공기극 채널과 연료극이 형성된 연료극 채널이 교대로 형성되는 채널들을 구비하고, 상기 공기극 채널 및 연료극 채널의 각각의 내부에는 집전체가 설치되어 있고, 상기 집전체가 설치된 상기 채널들에는 충전 재료가 충전되며, 상기 공기극 채널의 전단부 또는 후단부; 및 상기 연료극 채널의 후단부 또는 전단부;에는 전극이 형성되지 않는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지.","윤성필, 임태훈, 홍성안, 오인환, 남석우, 한종희, 정종필, 이광수, 김영천, 김형준, 조은애, 김수길, 이상엽","H01M-008/10,H01M-008/24","KR20100032023A","2010.03.25",null,"2028.09.17","1 복수의 채널을 구비하는 벌집형 SOFC의 단전지로서, 상기 단전지는 공기극이 형성된 공기극 채널과 연료극이 형성된 연료극 채널이 교대로 형성되는 채널들을 구비하고, 상기 공기극 채널 및 연료극 채널의 각각의 내부에는 집전체가 설치되어 있고, 상기 집전체가 설치된 상기 채널들에는 충전 재료가 충전되며, 상기 공기극 채널의 전단부 또는 후단부; 및 상기 연료극 채널의 후단부 또는 전단부;에는 전극이 형성되지 않는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 2 제 1 항에 있어서, 상기 충전 재료에는 개질 촉매가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 3 제 1 항에 있어서, 상기 충전 재료는 구형 또는 타원형의 비드, 체인(chain) 또는 휘스커(whisker) 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 4 제 1 항에 있어서, 상기 충전 재료는 벌집형 SOFC 단전지의 골격 재료와 열팽창 계수가 유사하거나 같은 알루미나, 지르코니아, YSZ, SDC, 유리로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 5 제 1 항에 있어서, 상기 채널들 내부에는 상기 충전 재료에 더하여 기공 형성제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 금속 망인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 8 제 7 항에 있어서, 상기 금속은 Pt, Ag, Au, Ni 또는 Cu이거나 또는 이들 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 9 제 1 항에 있어서, 상기 단전지의 골격 재료는 YSZ(yitria-stabilized zirconia), SDC(samria doped ceria), GDC(gadolinia doped ceria), LSG(lanthanum strontium doped gallate), LSGM(lanthanum strontium doped gallate magnesite)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상; Ni/YSZ, Ni/SDC, Ni/GDC, Cu/YSZ, CuO/SDC, Cu/GDC로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 서멧(cermet); 또는 x가 0.5 이하인 (La1-XSrX)MnO3 /YSZ, x가 0.5 이하인 (La1-XCarX)MnO3/ YSZ, x가 0.6 이하인 (La1-XSrX)CoO3/ SDC, x가 0.4 이하 그리고 y가 0.8 이하인 (La1-XSrX)(Co1-yFey)O3/ SDC로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 복합체 산화물인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 10 제 1 항에 있어서, 상기 연료극 재료로는 Ni/YSZ, Ni/SDC, Ni/GDC, Cu/YSZ, Cu/SDC, Cu/GDC으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 서멧(cermet)을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 11 제 1 항에 있어서, 상기 공기극 재료로는 Pt; Ag; Au; Rh; Ir; Pd; Ru; x가 0.5 이하인 (La1-XSrX)MnO3; x가 0.5 이하인 (La1-XCarX)MnO3; x가 0.6 이하인 (La1-XSrX)CoO3; x가 0.4 이하 그리고 y가 0.8 이하인 (La1-XSrX)(Co1-yFey)O3;으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지. 12 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항 또는 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 의한 단전지로 이루어진 벌집형 SOFC 스택. 13 제 12 항에 있어서, 상기 단전지 간에는 연결재가 개재되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택. 14 제 13 항에 있어서, 상기 연결재로서 금속 연결재가 사용되거나, 또는 상기 금속 연결재와 함께 유리가 사용되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택. 15 제 12 항에 있어서, 상기 스택은 복수의 단전지의 공기극 채널 및 연료극 채널이 일치하도록 적층된 스택이고, 상기 스택은 상기 공기극 채널 및 연료극 채널 내부에 들어가는 공기 주입부 및 연료 주입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택. 16 제 15 항에 있어서, 상기 연료 주입부가 들어가는 부분의 반대측의 스택 단부 및 상기 공기 주입부가 들어가는 부분의 반대측의 스택 단부에서 각각 채널을 막아주는 블록이 형성되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택. 17 제 16 항에 있어서, 상기 블록 재료로는 벌집형 SOFC 단위 전지의 골격 재료와 열팽창 계수가 유사하거나 같은 알루미나, 지르코니아, YSZ 또는 SDC인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택. 18 복수의 채널을 구비하는 벌집형 SOFC의 단전지의 제조 방법으로서, 상기 단전지가 공기극이 형성된 공기극 채널과 연료극이 형성된 연료극 채널이 교대로 형성되는 채널들을 구비하도록 하되, 상기 채널들 내부에 집전체를 설치하고, 상기 집전체가 설치된 상기 채널들에는 충전 재료를 충전하며, 상기 채널들 내에 공기극 또는 연료극 형성시 상기 공기극 채널의 전단부 또는 후단부 및 상기 연료극 채널의 후단부 또는 전단부를 매스킹 함으로써 매스킹 부위에 전극이 형성되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 단전지의 제조 방법. 19<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 20 복수의 채널을 구비하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법으로서, 상기 스택의 단전지가 공기극이 형성된 공기극 채널과 연료극이 형성된 연료극 채널이 교대로 형성되는 채널들을 구비하도록 하되, 상기 채널들 내부에 집전체를 설치하고, 상기 집전체가 설치된 상기 채널들에는 충전 재료를 충전하도록 하며, 상기 채널들 내에 공기극 또는 연료극 형성시 상기 공기극 채널의 전단부 또는 후단부 및 상기 연료극 채널의 후단부 또는 전단부를 매스킹 함으로써 매스킹 부위에 전극이 형성되지 않도록 하는 제 1 단계; 및 상기 단전지를 복수개 적층하여 스택화하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법. 21<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 22 제 20 항에 있어서, 상기 단전지 들 사이에 연결재를 개재하여 스택화하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법. 23 제 22 항에 있어서, 상기 연결재로서 금속 연결재를 사용하거나, 또는 상기 금속 연결재와 함께 유리를 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법. 24 제 20 항에 있어서, 상기 공기극 및 연료극 채널에 각각 공기극 및 연료극 주입부를 삽입한 후, 상기 주입부가 삽입된 채널에 충전 재료를 넣는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법. 25 제 24 항에 있어서, 상기 적층된 스택에서, 공기극 및 연료극 주입부의 반대측 스택 부분을 막음하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 스택의 제조 방법.","KR100960870B1, KR20100032023A, US2010203415A1",null,"해당없음"]
["K04398","광학","KR","공진형 광도파로를 이용한 광소자 및 그 작동 방법{OPTICAL DEVICE USING RESONANT WAVEGUIDE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20080028816A","2008.03.28","KR0956750B1","2010.04.30","신호빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 광소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 및 그 작동 방법을 사용하면, 비선형 광학재료의 굴절율 변화 자체에 의존하는 광 스위칭 동작 방식을 적용하므로 공진형 나노복합체의 우수한 비선형 광학특성은 최대로 이용하면서 이에 수반되는 흡수 손실을 감소시켜 소자응답특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.","1 신호빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광소자.","이경석, 김원목, 이택성, 조성훈, 정병기","G02B-006/00,G02F-001/065","KR20090103299A","2009.10.01",null,"2028.03.28","1 신호빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광소자. 2 제 1항에 있어서, 상기 광 전달부는, 상기 신호빔이 입사되어 전파되는 프리즘; 및 상기 프리즘에 광학적으로 연결되어, 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔을 상기 광도파로에 커플링하는 커플링층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 3 제 2항에 있어서, 상기 프리즘 및 상기 커플링층 사이에 위치하며 광학적으로 투명한 기판; 및 상기 기판 및 상기 프리즘 사이에 위치하며 상기 기판과 상기 프리즘을 접합하는 인덱스 매칭 오일층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 4 제 2항에 있어서, 상기 신호빔 및 상기 펌프빔을 포함하는 평면 방향을 따른 상기 프리즘의 단면은 반구 형상인 것을 특징으로 하는 광소자. 5 신호빔 및 펌프빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되며, 상기 펌프빔 및 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 동일한 위치에 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장 및 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광소자. 6 제 5항에 있어서, 상기 광 전달부는, 상기 펌프빔이 입사되는 제1 면 및 상기 제1 면과 평행하며 상기 제1 면과 이격하여 위치하는 제2 면을 포함하는 프리즘; 및 상기 프리즘의 상기 제2 면에 광학적으로 연결되며, 상기 펌프빔 및 상기 프리즘으로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔을 상기 광도파로에 커플링하는 커플링층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 7 제 6항에 있어서, 상기 광 전달부는, 상기 프리즘의 상기 제1 면에 광학적으로 연결된 접합층; 및 상기 접합층에 광학적으로 연결되어, 상기 펌프빔을 상기 프리즘에 입사하는 광원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 8 제 7항에 있어서, 상기 광원부는, 어레이(array) 형태로 배열된 복수 개의 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 9 제 1항 또는 제 5항에 있어서, 상기 광 전달부는, 상기 광도파로에 광학적으로 연결된 표면 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 10 제 1항 또는 제 5항에 있어서, 상기 광 전달부는 상기 광도파로의 한쪽 면에 연결되며, 상기 광도파로의 다른쪽 면에 광학적으로 연결되어, 상기 광도파로에 입사된 상기 신호빔을 출사시키는 표면 격자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 11 제 1항 또는 제 5항에 있어서, 상기 광도파로는, 금속 나노입자 또는 반도체 나노입자가 광학적으로 투명한 기지상 재료내에 분산되어 형성된 나노복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 12 제 11항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, Au, Ag, Cu, Al, In, Sn, Pb, Sb, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ta, W, Pt 및 상기 물질의 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자. 13 제 11항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는, Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, CuBr, AgBr, CuCl, InP, GaP, GaAs, InAs 및 상기 물질들 사이의 고용체 및 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자. 14 제 11항에 있어서, 상기 투명 기지상 재료는, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Al2O3, CdO, ZnO, In2O3, SnO2, Ga2O3, Y2O3, BeO, MgO, WO3, V2O3, BaTiO3 및 PbTiO3 를 포함하는 산화물; Si3N4및 Al3N4 를 포함하는 질화물; InP 및 GaP 를 포함하는 인화물; ZnS 및 As2S3 를 포함하는 황화물; MgF2, CaF2, NaF, BaF2, PbF2, LiF 및 LaF 를 포함하는 불화물; ZnSe 를 포함하는 셀레나이드; 상기 산화물, 질화물, 인화물, 황화물, 불화물 및 셀레나이드 중 하나 이상의 혼합물을 포함하는 무기재료; 폴리카보네이트(Polycarbonate) 및 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate;PMMA)를 포함하는 유기재료; 상기 유기재료의 혼합물; 및 상기 유기재료의 복합물로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자. 15 제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 커플링층의 복소 굴절율의 실수항이 상기 프리즘의 굴절율 및 상기 광도파로의 굴절율보다 작은 것을 특징으로 하는 광소자. 16 제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 커플링층은 MgF2 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 17 제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 커플링층은 Au, Ag 및 Cu 를 포함하는 금속 및 상기 금속을 포함하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자. 18 제 1항 또는 제 5항에 따른 광소자의 작동 방법에 있어서, 상기 광도파로에 도파모드 각도로 입사되기 위한 상기 신호빔을 상기 광 전달부에 입사시키는 단계; 및 상기 광도파로에 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 상기 광도파로의 도파모드 각도를 결정하는 상기 펌프빔을 입사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 작동 방법.","KR100956750B1, KR20090103299A",null,"해당없음"]
["K04399","태양전지","KR","탄소나노튜브 전극을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법{DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING CARBON NANOTUBE BASED FILMS AND THE FABRICATION METHOD THEREOF}",null,"원문이미지","KR20080033349A","2008.04.10","KR0967090B1","2010.06.23","본 발명은 탄소나노튜브 전극을 이용하여 전류밀도를 향상시킨 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 탄소나노튜브를 전도성 투명 전극으로 활용함과 동시에, 탄소나노튜브 표면에 반도체 산화물을 코팅시킴으로써 광 전극으로도 활용한 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다.본 발명에 의하면, 전도성 투명 전극과 광 전극이 일체형으로 이루어져 있어 전기 전도성이 우수하다. 또한, 반도체 산화물이 코팅된 탄소나노튜브 전극의 다공성 구조는, 반응 면적을 증대시키고, 점도가 높은 준 고체 또는 고체 전해질의 높은 이동 경로를 제공함으로써, 염료감응 태양전지의 전류밀도 및 장기 안정성을 동시에 향상시킬 수 있다.","1 투명 기판의 내측 면상에, 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 전도성 투명 전극이 형성된 투명 전도성 기판과; 상기 전도성 투명 전극 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 다공층과, 이 다공층의 탄소나노튜브에 코팅된 제1 반도체 산화물과, 이 제1 반도체 산화물에 흡착된 염료 분자를 포함하여 이루어진 광 전극과; 상기 투명 전도성 기판과 대향하는 대전극 기판과; 상기 두 기판 사이에 충전된 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.","양수철, 박혜진, 김준경, 이현정","H01L-031/042","KR20090107851A","2009.10.14",null,"2028.04.10","1 투명 기판의 내측 면상에, 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 전도성 투명 전극이 형성된 투명 전도성 기판과; 상기 전도성 투명 전극 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 다공층과, 이 다공층의 탄소나노튜브에 코팅된 제1 반도체 산화물과, 이 제1 반도체 산화물에 흡착된 염료 분자를 포함하여 이루어진 광 전극과; 상기 투명 전도성 기판과 대향하는 대전극 기판과; 상기 두 기판 사이에 충전된 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 2 제1항에 있어서, 상기 다공층은 상기 전도성 투명 전극보다 기공도가 크고, 상기 전도성 투명 전극과 상기 다공층은 일체형으로 연결된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 3 제1항에 있어서, 상기 투명 기판과 상기 전도성 투명 전극 사이에 제2 반도체 산화물을 포함하여 이루어진 차단층 (blocking layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 4 제3항에 있어서, 상기 제1 반도체 산화물과 상기 제2 반도체 산화물은 동종 물질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 5 제1항에 있어서, 상기 다공층의 평균 두께는 1∼20 ㎛인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 6 제1항에 있어서, 상기 광 전극의 기공도는 20∼50 %인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 7 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일 벽 (single wall), 이중 벽 (double wall), 얇은 다중 벽 (thin multiwall), 또는 다중 벽 (multi wall)을 갖는 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 8 제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 산화물은 Ti산화물, Zr산화물, Sr산화물, Zn산화물, In산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Mo산화물, W산화물, Sn산화물, Nb산화물, Mg산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물 및 SrTi산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 복합물인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 9 제1항에 있어서, 상기 전해질은 액체, 준 고체 또는 고체인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 10 제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 유연성 (flexible) 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 11 투명 기판 위에, 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 전도성 투명 전극을 형성하여 투명 전도성 기판을 제조하는 단계와; 상기 전도성 투명 전극 위에, 탄소나노튜브를 포함하여 이루어진 다공층을 형성하고, 이 다공층의 탄소나노튜브에 제1 반도체 산화물을 코팅한 다음, 이 제1 반도체 산화물에 염료 분자를 흡착시켜 광 전극을 형성하는 단계와; 상기 투명 전도성 기판과 대향하도록 대전극 기판을 위치시키고, 상기 두 기판 사이에 전해질을 충전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. 12 제11항에 있어서, 상기 전도성 투명 전극 및 상기 다공층은 각각 스프레이 코팅 (spray coating), 스핀 코팅 (spin coating), 담금 코팅 (dip-coating), 전기영동 침전 (electrophoretic deposition), 진공 여과 (vacuum filtration), 에어브뤄싱 (airbrushing) 및 닥터 블레이드 (doctor blade)법 중의 어느 한 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. 13 제11항에 있어서, 상기 제1 반도체 산화물은 화학 기상 증착, 전기 화학 증착, 스핀 코팅, 스퍼터링 및 딥핑법 중의 어느 한 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. 14 제11항에 있어서, 상기 전도성 투명 전극의 형성 전에, 상기 투명 기판 위에 제2 반도체 산화물을 포함하여 이루어진 차단층을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법. 15 제11항에 있어서, 상기 전도성 투명 전극 및 상기 다공층은 동일 공정을 통해 기공도만 달리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.","KR100967090B1, KR20090107851A",null,"해당없음"]
["K04384","유전공학","KR","말라카이트그린 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를이용한 확인 방법{Biomarker for identification of exposure to malachite green and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20080022450A","2008.03.11","KR0962209B1","2010.06.01","본 발명은 말라카이트그린(malachite green)에 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 말라카이트그린에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 말라카이트그린에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이오마커는 진피싱을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 말라카이트그린의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 말라카이트그린에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 유전자등록번호(GeneBank) AB000584(Growth differentiation factor 15) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 말라카이트그린(malachite green)에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩.","류재천, 김연정, 송미","C12N-015/10,C12N-015/09,C12Q-001/68","KR20090097364A","2009.09.16",null,"2028.03.11","1 유전자등록번호(GeneBank) AB000584(Growth differentiation factor 15) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 말라카이트그린(malachite green)에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 말라카이트그린에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터 1) cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 2) 단계 1)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 3) 단계 2)의 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및, 4) 단계 3)의 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 말라카이트그린에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 말라카이트그린에 대한 노출 여부를 확인을 위한 유전자 검출 방법. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 8 제 5항에 있어서, 단계 2)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 9 말라카이트그린에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터 1) 상기 RNA를, 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는, 18 내지 30머 길이의 프라이머 쌍을 사용하여 실시간 RT-PCR(Real-time reverse transcription polymerase chain reaction)을 수행하는 단계; 및, 2) 단계 1)의 유전자 산물을 대조군과 비교하여 말라카이트그린에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 말라카이트그린에 대한 노출 여부를 확인을 위한 유전자 검출 방법. 10 제 5항 또는 제 9항에 있어서, RNA 시료는 인간의 간 또는 간암의 세포 및 조직에서 유래한 세포인 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 11 제 10항에 있어서, 상기 인간 간암 세포는 HepG2인 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 12 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩 또는 상기 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는, 18 내지 30머 길이의 프라이머 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 말라카이트그린에 대한 노출 여부 확인용 키트. 13 제 12항에 있어서, 대조군으로 정상 인간 간 세포 또는 간암 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 키트. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 15 제 12항에 있어서, 상기 프라이머 쌍은 서열번호 12로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 13으로 기재되는 역방향 프라이머로 구성된 것을 특징으로 하는 말라카이트그린에 대한 노출 여부 확인용 키트.","KR100962209B1, KR20090097364A",null,"해당없음"]
["K04381","유전공학","KR","메탄 생성 미생물 활성 억제제 및 가스 퍼징을 이용한유기성 폐기물로부터의 바이오 수소 가스 생산 장치 및방법{Method and apparatus for Bio-hydrogen gas production from organic waste by using inhibitor for methane producing microorganisms and gas purging}",null,"원문이미지","KR20080025209A","2008.03.19","KR0960596B1","2010.05.24","본 발명은 혐기성 발효 미생물을 이용하여 유기성 폐기물 내 존재하는 유기물로부터 수소를 생산하는 장치 및 방법을 개시한다. 구체적으로는, 메탄 생성 미생물의 활성 억제제를 주입하여 메탄 생성 미생물에 의한 수소의 소모를 최소화하고, 간헐적인 가스 퍼징에 의해 수소 분압을 낮추어, 수소 생성 미생물의 활성을 증대시켜 높은 수율로 수소를 생산하는 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따른 바이오 수소 가스 생산 방법을 이용하면, 기존의 유기성 폐기물로부터 바이오 수소 가스를 생산하는 방법에 비하여 경제적이고 안정적이면서도 고효율로 수소를 생산할 수 있고, 특히 연속적인 가스 퍼징 과정이 없이 간헐적인 가스 퍼징을 통해서도 고효율의 안정적인 바이오 수소 가스 생산이 가능하다. 또한 이러한 바이오 수소 가스 생산 방법을 단위 공정으로 조합하여 시스템화하여 상용화하는 것이 용이하다.","1 유기성 폐기물을 발효시키는 혐기성 수소 생성 미생물 및 수소 이용 메탄 생성 미생물(hydrogen-utilizing methanogens)이 존재하는 바이오 수소 가스 생산 반응조(1); 상기 반응조(1)에 공급되는 유기성 폐기물의 저장조(2); 상기 수소 이용 메탄 생성 미생물에 의한 수소 소모를 방지하기 위해 주입되는 메탄 생성 미생물 활성 억제제의 저장조(3); 상기 반응조(1) 내의 수소 분압을 낮추기 위해 공급되는 불활성 기체가 저장된 가스 탱크(11); 및 상기 반응조(1) 상부와 연결된 수소 가스 분리장치(8)를 포함하는 바이오 수소 생산 장치.","이영행, 이상협, 상병인","C12P-003/00,C02F-003/28,C01B-003/00","KR20090099915A","2009.09.23",null,"2028.03.19","1 유기성 폐기물을 발효시키는 혐기성 수소 생성 미생물 및 수소 이용 메탄 생성 미생물(hydrogen-utilizing methanogens)이 존재하는 바이오 수소 가스 생산 반응조(1); 상기 반응조(1)에 공급되는 유기성 폐기물의 저장조(2); 상기 수소 이용 메탄 생성 미생물에 의한 수소 소모를 방지하기 위해 주입되는 메탄 생성 미생물 활성 억제제의 저장조(3); 상기 반응조(1) 내의 수소 분압을 낮추기 위해 공급되는 불활성 기체가 저장된 가스 탱크(11); 및 상기 반응조(1) 상부와 연결된 수소 가스 분리장치(8)를 포함하는 바이오 수소 생산 장치. 2 제1항에 있어서, 상기 장치는, 상기 수소 가스 분리 장치와 상기 바이오 수소 가스 생산 반응조 하부를 연결하는 가스 반송 라인(10)을 더 포함하는 바이오 수소 생산 장치. 3 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장치는, 상기 가스 탱크(11) 또는 상기 가스 반송 라인(10)이 상기 바이오 수소 가스 생산 반응조 하부와 연결된 부분에 가스 확산 장치(14)를 더 포함하는 바이오 수소 생산 장치. 4 제3항에 있어서, 상기 가스 확산 장치는 다공성 산기석, 멤브레인, 튜빙 또는 산기관인 바이오 수소 생산 장치. 5 제1항에 있어서, 상기 수소 가스 분리 장치는 수소 가스를 분리할 수 있는 가스 분리막을 포함하는 바이오 수소 생산 장치. 6 유기성 폐기물로부터 바이오 수소 가스를 생산하는 방법으로서, 반응조에 유기성 폐기물을 주입하는 단계; 상기 유기성 폐기물을 혐기성 수소 생성 미생물을 통해 발효시키는 단계; 상기 반응조 중 혐기성 수소 생성 미생물과 함께 포함된 수소 이용 메탄 생성 미생물(hydrogen-utilizing methanogens)에 의해 수소가 소모되는 것을 방지하기 위해반응조에 메탄 생성 미생물 활성 억제제를 주입하는 단계; 반응조 내 수소 분압을 낮추기 위하여, 상기 반응조에 불활성 기체를 주입하는 단계; 및 생성된 가스 중 수소 가스를 분리 회수하는 단계를 포함하는 바이오 수소 가스 생산 방법. 7 제6항에 있어서, 상기 유기성 폐기물은 하· 폐수 처리장 발생 슬러지, 소화조 상등액 및 탈리액, 축산 폐수 및 폐기물, 농림업 폐수 및 폐기물, 또는 수산업 폐수 및 폐기물인 바이오 수소 가스 생산 방법. 8 제6항에 있어서, 상기 메탄 생성 미생물 활성 억제제는 2-브로모에탄설폰산(2-bromoethanesulfonic acid, BESA), 몰리브데이트(molybdate), 아자이드(azide), 아미노벤조산(aminobenzoic acid) 또는 안트라퀴논(anthraquinone)인 바이오 수소 가스 생산 방법. 9 제8항에 있어서, 상기 BESA를 주입할 경우 0.2 ~ 30 g/L 농도로 주입하는 바이오 수소 가스 생산 방법. 10 제6항에 있어서, 상기 수소 분압을 낮추기 위하여 주입하는 가스는 산소가 부피기준으로 0 ~ 5% 포함된 불활성 기체인 바이오 수소 가스 생산 방법. 11 제10항에 있어서, 상기 불활성 기체는 헬륨, 질소, 아르곤, 이산화탄소 또는 메탄인 바이오 수소 가스 생산 방법. 12 제6항에 있어서, 상기 수소 분압을 낮추기 위하여 주입하는 가스는 100 ~ 10,000 mL/분의 유량으로 주입되는 바이오 수소 가스 생산 방법. 13 제6항에 있어서, 상기 반응조에서 생성된 가스 중 수소 가스가 분리되고 남은 가스는, 반응조 내 수소 분압을 낮추기 위하여 반응조에 반송 주입되는 단계를 더 포함하는 바이오 수소 가스 생산 방법.","KR100960596B1, KR20090099915A",null,"해당없음"]
["K04354","유전공학","KR","에틸벤젠 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한확인 방법{Biomarker for identification of exposure to Ethylbenzene and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20080007205A","2008.01.23","KR0962211B1","2010.06.01","본 발명은 휘발성 유기 화합물류 중의 하나인 에틸벤젠(Ethylbenzene)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 에틸벤젠에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 에틸벤젠에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 에틸벤젠의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 에틸벤젠에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 유전자 등록번호(Genebank) NM_012420(IFIT5, interferon-induced protein with tetratricopeptide repeats 5) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 에틸벤젠에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩.","류재천, 김연정, 송미경, 샤르마 사이렌드라 나쓰","C12N-015/12,C12N-015/10,C12N-015/09,C12Q-001/68","KR20090081234A","2009.07.28",null,"2028.01.23","1 유전자 등록번호(Genebank) NM_012420(IFIT5, interferon-induced protein with tetratricopeptide repeats 5) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 에틸벤젠에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 1) 실험군으로서 피검체 유래 인간 체세포와 대조군 체세포에서 RNA를 분리하는 단계; 2) 단계 1)의 실험군 및 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 3) 단계 2)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 4) 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및 5) 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 확인하는 단계를 포함하는 에틸벤젠에 대한 노출여부를 확인하는 방법. 6 제 5항에 있어서, 단계 1)의 인간 체세포는 인간 골수 세포 또는 인간 백혈병 세포인 것을 특징으로 하는 에틸벤젠에 대한 노출여부를 확인하는 방법. 7 제 6항에 있어서, 상기 인간 백혈병 세포는 HL-60인 것을 특징으로 하는 에틸벤젠에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 8 제 5항에 있어서, 단계 2)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 에틸벤젠에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩을 포함하는 에틸벤젠에 대한 노출 여부 확인용 키트. 13 제 12항에 있어서, 인간 골수 세포 또는 백혈병 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 에틸벤젠에 대한 노출 여부 확인용 키트. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100962211B1, KR20090081234A",null,"해당없음"]
["K04355","유전공학","KR","트리클로로에틸렌 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를이용한 확인 방법{Biomarker for identification of exposure to Trichloroethylene and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20080006573A","2008.01.22","KR0957055B1","2010.05.03","본 발명은 휘발성 유기 화합물 중의 하나인 트리클로로에틸렌(Trichloroethylene)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 트리클로로에틸렌에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 트리클로로에틸렌에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 트리클로로에틸렌의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 트리클로로에틸렌에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 세포사멸 관련 기능을 갖는, 하기의 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 트리클로로에틸렌 노출에 의한 상기 유전자의 발현량 증가 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호 (Genebank) NM_022168(IFIH1, interferon induced with helicase C domain 1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_004049(BCL2A1, BCL2-related protein A1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_001165(BIRC3, baculoviral IAP repeat-containing 3), 유전자 등록번호 (Genebank) BC012609(SERPINB2, serpin peptidase inhibitor, clade B(ovalbumin), member 2).","류재천, 김연정, 송미경, 샤르마 사이렌드라 나쓰","C12N-015/12,C12N-015/09,C12Q-001/68","KR20090080679A","2009.07.27",null,"2028.01.22","1 세포사멸 관련 기능을 갖는, 하기의 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 트리클로로에틸렌 노출에 의한 상기 유전자의 발현량 증가 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호 (Genebank) NM_022168(IFIH1, interferon induced with helicase C domain 1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_004049(BCL2A1, BCL2-related protein A1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_001165(BIRC3, baculoviral IAP repeat-containing 3), 유전자 등록번호 (Genebank) BC012609(SERPINB2, serpin peptidase inhibitor, clade B(ovalbumin), member 2). 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 실험군으로서 트리클로로에틸렌에 대한 노출이 의심되는 환자 유래 인간 골수 세포 또는 인간 백혈병 세포, 및 대조군으로서 정상인 유래 인간 골수 세포로부터 각각 분리된 RNA 시료로부터 1) cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 2) 단계 1)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 3) 단계 2)의 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및, 4) 단계 3)의 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 상기 유전자 발현량의 증가 여부를 측정하는 단계를 포함하는 트리클로로에틸렌 노출에 의한 상기 유전자 발현량 증가 여부 확인을 위한 유전자 검출 방법. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 8 제 5항에 있어서, 단계 2)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩 또는 상기 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는, 18 내지 30머 길이의 프라이머 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 트리클로로에틸렌 노출에 의한 상기 유전자 발현량 증가 여부 확인용 키트. 13<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100957055B1, KR20090080679A",null,"해당없음"]
["K04314","화학","KR","금속철 에어로젤을 이용한 유기 염소 화합물의 염소 제거 방법{Method for Dechlorinating Organic Chlorine-Containing Compounds using Zero-Valent Iron Aerogels}",null,"원문이미지","KR20080009215A","2008.01.29","KR0963197B1","2010.06.04","솔-젤 법을 이용하여 만든 산화철 습윤젤을 초임계 조건에서 건조 및 열처리하여 제조하는 금속철 에어로젤의 제조 방법을 개시한다. 상기 방법으로 제조된 금속철 에어로젤은 미세기공을 가지면서 동시에 높은 비표면적을 가지는 초경량의 재료이다. 또한, 상기의 방법으로 제조된 금속철 에어로젤을 이용하여 유해 유기 염소 화합물의 염소를 제거하는 방법을 개시하며, 이에 의하면, 마이크로 크기의 상용 금속철에 비하여 염소의 제거속도가 향상되며, 상온에서 수중의 고농도 유해 유기 염소 화합물을 분해하는 것이 가능하고, 그리고 전이금속 함유량을 조절함으로써 다양한 농도의 유해 유기 염소 화합물의 처리가 가능하다.","1 철 염 및 에폭사이드를 유기 용매에서 반응시켜 젤을 제조하는 제 1 단계; 상기에서 제조된 젤을 숙성시키는 제 2 단계; 상기에서 숙성된 젤 내부의 용매를 이산화탄소로 치환 후, 초임계 조건에서 건조시키는 제 3 단계; 및 상기에서 건조된 젤을 수소 분위기에서 열처리하는 제 4 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된 금속철 에어로젤을 이용하여 유기 염소 화합물의 염소를 제거하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법.","서영웅, 서동진, 박태진, 윤영현, 류지혜","B01J-013/00,B01J-023/74","KR20090083201A","2009.08.03",null,"2028.01.29","1 철 염 및 에폭사이드를 유기 용매에서 반응시켜 젤을 제조하는 제 1 단계; 상기에서 제조된 젤을 숙성시키는 제 2 단계; 상기에서 숙성된 젤 내부의 용매를 이산화탄소로 치환 후, 초임계 조건에서 건조시키는 제 3 단계; 및 상기에서 건조된 젤을 수소 분위기에서 열처리하는 제 4 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된 금속철 에어로젤을 이용하여 유기 염소 화합물의 염소를 제거하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 철 염과 함께 전이금속 염을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 철 염은 염화철 수화물인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 제 1 항에 있어서, 상기 에폭사이드는 프로필렌 옥사이드인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 철 염과 에폭사이드의 몰비는 1 : 4 내지 1 : 9인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 7 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는 철 염을 물과 1 : 0 내지 1 : 9의 몰비로 혼합하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 유기 용매는 알코올인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 9 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 유기 용매는 에탄올인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 10 제 2 항에 있어서, 상기 전이금속 염은 팔라듐 아세틸아세토네이트 또는 염화니켈 수화물인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 11 제 2 항에 있어서, 상기 전이금속 염의 중량 함량은 조성물 총 중량의 0.1 내지 10 %인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 12 제 11 항에 있어서, 상기 전이금속 염의 중량 함량은 조성물 총 중량의 0.1 내지 1 %인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 13 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서 숙성은 6 내지 9일 동안 시키는 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 14 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서 초임계 조건은 온도는 50 내지 70℃이고 압력은 150 내지 200 기압인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 15 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 열처리는 350 내지 500℃의 온도에서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 16 제 15 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 열처리는 350 내지 370℃의 온도에서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 17 제 15 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 열처리 시 승온 온도는 0.5 내지 5 ℃/분인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 18 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계 이후, 금속철 에어로젤을 상온에서 1 % 이하의 산소 함유 질소 가스로 약하게 산화시키는 제 5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법에 의해 제조된 금속철 에어로젤을 이용하여 유기 염소 화합물의 염소를 제거하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 19 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제조된 금속철 에어로젤은 비표면적이 25 m2/g 이상이고, 에어로젤 총 중량에 대한 산화철 중량비율이 25 내지 35%인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 20<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 21 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기에서 유기 염소 화합물의 염소 제거에 이용하는 금속철 에어로젤의 투입 농도는 5 내지 10 g/L인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 22 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기에서 금속철 에어로젤을 이용하여 유기 염소 화합물의 염소를 제거할 때 상기 유기 염소 화합물의 초기 농도는 5 내지 50 mg/L인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법. 23 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기에서 금속철 에어로젤을 이용하는 유기 염소 화합물의 염소 제거 반응 온도는 20 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 유기 염소 화합물의 탈염소 방법.","KR100963197B1, KR20090083201A",null,"해당없음"]
["K04325","생화학","KR","나노채널이 집적된 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을포함하는 바이오센서, 그 제작방법 및 상기 바이오센서를포함하는 바이오 디스크 시스템{BIO-SENSORS INCLUDING NANOCHANNEL INTEGRATED 3-DEMENSIONAL METALLIC NANOWIRE GAP ELECTRODES, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND BIO-DISK SYSTEM COMPRISING SIAD BIO-SENSORS}",null,"원문이미지","KR20080009649A","2008.01.30","KR0958307B1","2010.05.10","본 발명은 나노채널이 집적된 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을 포함하는 바이오센서, 그 제작방법 및 상기 바이오센서를 포함하는 바이오 디스크 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상부 및 하부 기판 상에 금속 나노와이어를 형성하고 상기 금속 나노와이어를 이용하여 상·하부 기판을 정렬한 후 이들을 접착함으로써 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을 포함하는 바이오센서를 제작하는 방법, 상기 방법에 의해 제작된 바이오센서 및 상기 바이오센서를 이용하여 바이오 물질을 검출하기 위한 바이오 디스크 시스템에 관한 것이다.","1 하부 면에 복수의 금속 나노와이어가 형성되고, 바이오 물질이 포함된 샘플이 주입되는 주입구를 구비하는 상부기판부; 상부 면에 복수의 금속 나노와이어가 형성된 하부기판부; 및 상기 상부 및 하부 기판부가 이격되도록 지지하여 일정 간격의 나노채널을 형성하는 지지부를 포함하고, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어가 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 바이오센서.","이병철, 문성욱","G01N-035/00,G01N-033/48","KR20090083689A","2009.08.04",null,"2028.01.30","1 하부 면에 복수의 금속 나노와이어가 형성되고, 바이오 물질이 포함된 샘플이 주입되는 주입구를 구비하는 상부기판부; 상부 면에 복수의 금속 나노와이어가 형성된 하부기판부; 및 상기 상부 및 하부 기판부가 이격되도록 지지하여 일정 간격의 나노채널을 형성하는 지지부를 포함하고, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어가 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 2 제 1 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어는 상기 바이오센서의 상부에서 투과하여 볼 때 상기 나노채널의 진행 방향과 수직을 이루도록 배열되는 것을 특징으로 바이오센서. 3 제 2 항에 있어서, 상기 바이오센서의 상부에서 투과하여 볼 때 상기 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어의 배열이 상기 상부 기판부에 형성된 금속 나노와이어의 배열과 겹치는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 4 제 2 항에 있어서, 상기 바이오센서의 상부에서 투과하여 볼 때 상기 상부 기판부에 형성된 금속 나노와이어 다음에 상기 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어가 교대로 배열되는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 5 제 1 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어 중 어느 하나는 상기 바이오센서의 상부에서 투과하여 볼 때 상기 나노채널의 진행 방향과 수직을 이루도록 배열되고, 나머지 하나는 상기 나노채널과 수평으로 배열되는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 6 제 1 항에 있어서, 상기 상부 기판부에 형성된 금속 나노와이어와 상기 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어는 상기 바이오센서의 상부에서 투과하여 볼 때 서로 임의의 각도를 형성하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 7 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 나노와이어는 Ag, Cu, Au, Al, Pt 중 어느 하나, 혹은 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 8 하부 면에 금속 전극이 형성되고, 바이오 물질이 포함된 샘플이 주입되는 주입구를 구비하는 상부기판부; 상부 면에 금속 전극이 형성된 하부기판부; 및 상기 상부 및 하부 기판부가 이격되도록 지지하여 일정 간격의 나노채널을 형성하는 지지부를 포함하고, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 전극 중 어느 하나는 복수의 금속 나노와이어로 형성되며, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 전극이 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 9 제 8 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판부에 형성된 금속 전극은 Ag, Cu, Au, Al, Pt 중 어느 하나, 혹은 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이오센서. 10 (a) 하부기판의 상부 면에 금속 전극을 형성하는 단계; (b) 나노채널의 폭과 길이를 결정하기 위해 상부기판의 하부 면에 도포된 레지스트에 나노채널을 패터닝하는 단계; (c) 상기 (b)단계에서 형성된 패턴을 마스크로 이용하여 나노채널을 식각하는 단계; (d) 상기 (c)단계에서 형성된 나노채널상에 금속 전극을 형성하는 단계; (e) 상기 상부 및 하부 기판에 형성된 금속 전극을 이용하여 상기 상부 및 하부 기판을 정렬하는 단계; 및 (f) 상기 (e)단계에서 정렬된 상기 상부 및 하부 기판을 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 11 제 10 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판에 형성하는 금속 전극 중 하나 이상은 복수의 금속 나노와이어로 구성하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 12 (a) 하부기판의 상부 면에 복수의 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (b) 상부기판의 하부 면에 복수의 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (c) 하부기판의 상부 면에 나노채널을 형성하기 위한 폴리머를 스핀코팅(spin-coating)하는 단계; (d) 나노채널의 폭과 길이를 결정하고 마스크 패턴을 이용하여 폴리머를 식각하는 단계; (e) 상기 상부 및 하부 기판에 형성된 금속 나노와이어를 이용하여 상기 상부 및 하부 기판을 정렬하는 단계; 및 (f) 상기 (e)단계에서 정렬된 상기 상부 및 하부 기판을 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 13 (a) 하부기판의 상부 면에 복수의 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (b) 상부기판의 하부 면에 복수의 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (c) 하부기판의 상부 면에 나노채널을 형성하기 위한 폴리머를 스핀코팅(spin-coating)하는 단계; (d) 상기 상부 및 하부 기판에 형성된 금속 나노와이어를 이용하여 상기 상부 및 하부 기판을 정렬하는 단계; (e) 상기 (d)단계에서 정렬된 상기 상부 및 하부 기판을 접착하는 단계; 및 (f) 나노채널의 폭과 길이를 결정하고 마스크 패턴을 이용한 감광을 통해 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 14 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식각하는 단계는, 화학적인 습식식각, VPE(Vapor-Phase Etching), 플라즈마 에칭(Plasma Etching) 및 RIE(Reactive ion etching) 공정 중 어느 하나의 공정에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 15 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판을 접착하는 단계는, 양극 본딩(anodic bonding), 융합 본딩(fusion bonding), 폴리머를 이용한 본딩(bonding) 및 SAM(Self Assembled Monolayer)을 이용한 본딩 중 어느 하나의 공정에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 16 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 및 하부 기판에 형성된 금속 나노와이어 사이, 또는 금속 전극 사이에 형성되는 갭의 거리는 상기 나노채널의 깊이 및 상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 전극의 증착 두께를 조절함으로써 상이하게 형성되는 것을 특징으로 하는 바이오센서 제작방법. 17 제 1 항 또는 제 8 항에 의한 바이오센서를 이용하여 주입되는 샘플로부터 바이오 물질을 검출하는 바이오 디스크 시스템. 18 제 17 항에 있어서, 상기 바이오센서는 CD-ROM, DVD, 바이오 CD 또는 바이오 DVD와 같은 박막 형태의 디스크형 몸체에 배치되는 것을 특징으로 하는 바이오 디스크 시스템.","CN101571535A, EP2088430A1, JP2009180726A, JP4932860B2, KR100958307B1, KR20090083689A, US2009188784A1","D","K04325(KR)\nF02828(JP)"]
["K04370","의료","KR","다중약물내성 암세포에 유용한 항암제{Anti-cancer drug Effective for Multidrug resistant cancer cells}",null,"원문이미지","KR20080018323A","2008.02.28","KR0961688B1","2010.05.28","본 발명은 다중약물내성 암세포에 유용한 항암제에 관한 것으로서, 구체적으로 상기 3-(2-벤족사졸릴)-7-(디에틸아미노)쿠마린[3-(2-Benzoxazolyl)- 7-(diethylamino)Coumarin]을 유효성분으로 함유하는 기존 항암제에 대해 다중약물내성을 나타내는 암세포에 대한 우수한 사멸효과를 제공하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 항암제에 내성을 나타내는 다중약물내성(Multidrug resistance, MDR) 세포에서 보이는 항암제내성을 극복할 수 있어서 정상암세포는 물론 MDR을 나타내는 세포에서도 항암효과가 있으므로, 약학적으로 유용한 항암제로 사용될 수 있다.","1 화학식 1로 표시되는 3-(2-벤족사졸릴)-7-(디에틸아미노)쿠마린 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 포함하는 항암제에 대한 다중약물내성 억제용 조성물: &amp;lt;화학식 1&amp;gt; .","김수남, 이석준, 김용기","A61K-031/423,A61K-031/421,A61K-031/422,A61P-035/00","KR20090093026A","2009.09.02",null,"2028.02.28","1 화학식 1로 표시되는 3-(2-벤족사졸릴)-7-(디에틸아미노)쿠마린 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 포함하는 항암제에 대한 다중약물내성 억제용 조성물: &amp;lt;화학식 1&amp;gt; . 2 제 1항에 있어서, 상기 화합물은 정상암세포 및 다중약물내성 암세포에서 세포독성을 나타내는 것을 특징으로 하는 조성물. 3 제 1항에 있어서, 상기 화합물은 다중약물내성 암세포에서 정상암세포와 유사하거나 더 향상된 세포사멸 유도효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 조성물. 4 제 2항에 있어서, 다중약물내성 암세포는 항암제 구조에 상관없이 비 특이적인 내성을 획득한 암세포인 것을 특징으로 하는 조성물. 5 제 2항에 있어서, 상기 암세포는 대장암(colon cancer), 방광암(bladder cancer), 난소암(ovarian cancer), 위암(gastric cancer), 폐암(lung cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer) 및 대장직장암(colorectal cancer)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물. 6 화학식 1로 표시되는 3-(2-벤족사졸릴)-7-(디에틸아미노)쿠마린 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 유효성분으로 포함하고, 약제학적으로 허용가능한 담체와 함께 포함하는 정상 암세포 및 다중약물내성 암세포에서 세포독성을 나타내는 항암보조제. 7<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 8 제 6항에 있어서, 상기 화합물은 다중약물내성 암세포에서 정상암세포와 유사하거나 더 향상된 세포사멸 유도효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 항암보조제. 9 제 6항에 있어서, 다중약물내성 암세포는 항암제 구조에 상관없이 비 특이적인 내성을 획득한 암세포인 것을 특징으로 하는 항암보조제. 10 제 6항에 있어서, 상기 암세포는 대장암(colon cancer), 방광암(bladder cancer), 난소암(ovarian cancer), 위암(gastric cancer), 폐암(lung cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer) 및 대장직장암(colorectal cancer)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 항암보조제. 11 화학식 1로 표시되는 3-(2-벤족사졸릴)-7-(디에틸아미노)쿠마린 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 다중약물내성을 억제하는 유효농도로 항암제에 대한 다중약물내성을 나타내는 인간을 제외한 동물인 개체에 투여하는 단계를 포함하는 인간을 제외한 동물인 개체의 암질환 치료 방법. 12 제 11항에 있어서, 다중약물내성을 나타내는 개체는 항암제 구조에 상관없이 비 특이적인 내성을 획득한 개체인 것을 특징으로 하는 암질환 치료 방법. 13 제 11항에 있어서, 상기 암질환은 대장암(colon cancer), 방광암(bladder cancer), 난소암(ovarian cancer), 위암(gastric cancer), 폐암(lung cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer) 및 대장직장암(colorectal cancer)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 암질환 치료 방법. 14 다중약물내성을 억제하는 유효 농도의 제 6항의 항암보조제 및 하나 이상의 항암제를 항암제에 대한 다중약물내성을 나타내는 인간을 제외한 동물인 개체에 병용 투여하는 단계를 포함하는 인간을 제외한 동물인 개체의 암질환 치료 방법. 15 제 14항에 있어서, 다중약물내성을 나타내는 개체는 항암제 구조에 상관없이 비 특이적인 내성을 획득한 개체인 것을 특징으로 하는 암질환 치료 방법. 16 제 14항에 있어서, 상기 암질환은 대장암(colon cancer), 방광암(bladder cancer), 난소암(ovarian cancer), 위암(gastric cancer), 폐암(lung cancer), 전립선암(prostate cancer), 췌장암(pancreatic cancer) 및 대장직장암(colorectal cancer)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 암질환 치료 방법.","KR100961688B1, KR20090093026A",null,"해당없음"]
["K04282","유전공학","KR","니트로푸란토인 처리에 따른, 폐독성 유발 약물 검색용마커유전자 및 이를 이용한 검색 방법{Marker genes based on nitrofurantoin treatment for screening of drug inducing pulmonary toxicity and screening method using thereof}",null,"원문이미지","KR20070139711A","2007.12.28","KR0957051B1","2010.05.03","본 발명은 폐독성 유발 약물 검색용 마커유전자 및 이를 이용한 검색 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폐독성 유발 약물인 니트로푸란토인(nitrofurantoin)에 의해 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 마커유전자 및 이를 이용한 폐독성 유발 약물의 검색 방법에 관한 것이다. 본 발명의 마커유전자는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 마커유전자로 이용하여 폐독성의 위험성을 지닌 약물 또는 화학물질을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 니트로푸란토인이 폐독성 및 부작용을 일으키는 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 하기의 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자등록번호(Genebank) NM_053056(Cyclin D1), 유전자등록번호(Genebank) BC069137[Interleukin 5 (colony-stimulating factor, eosinophil), 유전자등록번호(Genebank) NM_003629[Phosphoinositide-3-kinase, regulatory subunit 3 (p55, gamma)], 유전자등록번호(Genebank) NM_003955(Suppressor of cytokine signaling 3), 유전자등록번호(Genebank) NM_002309(Hypothetical protein MGC20647), 유전자등록번호(Genebank) NM_172220[Colony stimulating factor 3 (granulocyte)], 유전자등록번호(Genebank) AA995107[Transcribed locus, moderately similar to XP_517807.1 PREDICTED: interleukin 7 receptor (Pan troglodytes)].","류재천, 김연정, 송미","C12N-015/12,C12N-015/11,C12Q-001/68","KR20090071808A","2009.07.02",null,"2027.12.28","1 하기의 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자등록번호(Genebank) NM_053056(Cyclin D1), 유전자등록번호(Genebank) BC069137[Interleukin 5 (colony-stimulating factor, eosinophil), 유전자등록번호(Genebank) NM_003629[Phosphoinositide-3-kinase, regulatory subunit 3 (p55, gamma)], 유전자등록번호(Genebank) NM_003955(Suppressor of cytokine signaling 3), 유전자등록번호(Genebank) NM_002309(Hypothetical protein MGC20647), 유전자등록번호(Genebank) NM_172220[Colony stimulating factor 3 (granulocyte)], 유전자등록번호(Genebank) AA995107[Transcribed locus, moderately similar to XP_517807.1 PREDICTED: interleukin 7 receptor (Pan troglodytes)]. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 6 1) 인간 기관지 세포 또는 폐 세포에 피검화합물을 처리하는 단계; 2) 단계 1)의 피검화합물을 처리한 실험군 세포와 피검화합물을 처리하지 않은 대조군 세포에서 RNA를 분리하는 단계; 3) 단계 2)의 실험군 및 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 4) 단계 3)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 5) 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및 6) 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 확인하는 단계를 포함하는, 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인 방법. 7 제 6항에 있어서, 단계 1)의 인간 기관지 세포는 인간 기관지 상피 세포인 BEAS-2B 세포인 것을 특징으로 하는 방법. 8 제 6항에 있어서, 단계 3)의 형광물질은 Cy3, Cy5, 폴리 L-라이신-플루오레세인 이소티오시아네이트(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate, FITC), 로다민-B-이소티오시아네이트(rhodamine-B-isothiocyanate, RITC), 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법. 9 1) 인간 기관지 세포 또는 폐 세포에 피검화합물을 처리하는 단계; 2) 단계 1)의 피검화합물을 처리한 실험군 세포와 처리하지 않은 대조군 세포에서 RNA를 분리하는 단계; 3) 단계 2)의 RNA를, 제 1항의 마이크로어레이칩에 집적된 유전자에 상보적이고 상기 유전자를 증폭할 수 있는 18머 내지 30머 길이의 프라이머쌍을 사용하여 실시간 RT-PCR(Real-time reverse transcript polymerase chain reaction)을 수행하는 단계; 및 4) 단계 3)의 유전자 산물을 대조군과 비교하여 발현 정도를 확인하는 단계를 포함하는, 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인 방법. 10 제 9항에 있어서, 단계 1)의 인간 기관지 세포는 인간 기관지 상피 세포인 BEAS-2B 세포인 것을 특징으로 하는 방법. 11 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩을 포함하는, 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인용 키트. 12 제 11항에 있어서, BEAS-2B 세포, 인간 기관지 세포 또는 폐 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 키트. 13 제 11항에 있어서, 스트렙타비딘-알칼리 탈인화효소 접합물질(strepavidin-like phosphatease conjugate), 화학형광물질(chemiflurorensce) 및 화학발광물질(chemiluminescent)로 이루어진 형광물질군으로부터 선택되는 어느 하나를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 키트. 14 제 11항에 있어서, 혼성화에 사용되는 완충용액, RNA로부터 cDNA를 합성하기 위한 역전사효소, cNTPs 및 rNTP(사전 혼합형 또는 분리 공급형), 표식시약, 및 세척 완충용액으로 이루어진 반응시약군으로부터 선택되는 어느 하나를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 키트. 15 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는 18머 내지 30머 길이의 프라이머쌍을 포함하는, 니트로푸란토인 처리에 대한 JAK-STAT 신호경로(signaling pathway) 관련 기능을 갖는 유전자 발현 여부 확인용 키트. 16<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100957051B1, KR20090071808A",null,"해당없음"]
["K04267","생물","KR","ＤＤＲ과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법{The method for screening inhibitors on the binding of DDR proteins to collagens}",null,"원문이미지","KR20070108127A","2007.10.26","KR0945018B1","2010.02.23","본 발명은 디스코이딘 도메인 리셉터(Discoidin Domain Receptor, DDR)와 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 DDR의 세포외 도메인과 세포막 통과 도메인을 포함하는 단백질을 곤충세포에서 발현시 세포막에 올바른 방향성으로 존재하며 DDR의 세포외 부위와 배양 접시 표면에 코팅된 콜라겐 단백질이 결합하는 특성을 이용하여 이들 결합을 저해하는 물질을 세포차원에서 검색하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 검색법은 간편하여 짧은 시간 내에 많은 물질을 탐색할 수 있고 DDR 단백질의 과잉 활성에 의해 유발되는 질환의 예방 및 치료제 개발에 유용하게 사용될 수 있다.","1 ⅰ) 세포 배양 접시 또는 단백질을 잘 부착시키는 성질을 가진 표면에 콜라겐을 코팅하는 단계; ⅱ) DDR 단백질의 세포외 도메인을 세포 표면에 발현하는 형질전환 곤충세포를 콜라겐으로 코팅된 배양 접시에 가하여 반응시키는 단계; ⅲ) 배양접시에 부착된 곤충세포를 고정시킨 후 염색하는 단계; 및 ⅳ) 흡광도를 측정하여 고정된 세포수를 정량하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DDR(Discoidin Domain Receptor) 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법.","양범석, 조승주","G01N-033/68,G01N-033/53","KR20090042397A","2009.04.30",null,"2027.10.26","1 ⅰ) 세포 배양 접시 또는 단백질을 잘 부착시키는 성질을 가진 표면에 콜라겐을 코팅하는 단계; ⅱ) DDR 단백질의 세포외 도메인을 세포 표면에 발현하는 형질전환 곤충세포를 콜라겐으로 코팅된 배양 접시에 가하여 반응시키는 단계; ⅲ) 배양접시에 부착된 곤충세포를 고정시킨 후 염색하는 단계; 및 ⅳ) 흡광도를 측정하여 고정된 세포수를 정량하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DDR(Discoidin Domain Receptor) 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 2 제 1항에 있어서, 곤충세포는 sf9, sf21 및 Hi-five로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 세포인 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 3 제 1항에 있어서, 곤충세포에서 발현된 DDR 단백질이 동물세포에서와 같이 세포막에 존재하며 세포외 부분은 세포외로 표출되는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 4 제 1항에 있어서, 콜라겐은 제 1형, 제 2형 또는 제 3형 콜라겐으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 DDR 단백질 리간드인 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 5 제 1항에 있어서, 상기 형질전환 곤충세포는 DDR 단백질의 N-말단 세포외 도메인과 막통과 도메인을 포함하는 단백질을 코딩하는 폴리뉴클레오티드를 포함하는 배큘로 바이러스에 감염된 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 6 제 5항에 있어서, 상기 DDR 단백질의 N-말단 세포외 도메인과 막통과 도메인을 포함하는 단백질은 서열번호 2로 기재되는 아미노산 서열을 갖는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 7 제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅳ)의 흡광도는 고정된 세포에 염색된 염료를 용출하여 측정하는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 8 제 1항에 있어서, 상기 DDR 단백질은 DDR2 단백질인 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 9 제 1항에 있어서, 상기 DDR 단백질은 포유류에서 유래한 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 10 제 9항에 있어서, 상기 포유류는 식충목, 피익목, 박쥐목, 영장목, 빈치목, 토끼목, 식육목, 고래목, 관치목, 장비목, 바위너구리목, 바다소목, 말목, 소목, 쥐목으로 구성된 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 상호작용을 정량적으로 분석하는 방법. 11 ⅰ) 세포 배양 접시에 콜라겐을 코팅하는 단계; ⅱ) DDR 단백질의 세포외 도메인을 세포 표면에 발현하는 형질전환 곤충세포 및 검색 후보물질을 콜라겐으로 코팅된 배양 접시에 가하여 반응시키는 단계; 및 ⅲ) 후보물질을 투여하지 않은 대조군과 비교하여 DDR 단백질과 콜라겐 결합을 유의하게 저해하는 후보 물질을 선별하는 단계를 포함하는 곤충세포 발현법을 이용하여 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법. 12 제 11항에 있어서, 상기 형질전환 곤충세포는 DDR 단백질의 N-말단 세포외 도메인과 막통과 도메인을 포함하는 단백질을 코딩하는 폴리뉴클레오티드를 포함하는 배큘로 바이러스에 감염된 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법. 13 제 12항에 있어서, 상기 DDR 단백질의 N-말단 세포외 도메인과 막통과 도메인을 포함하는 단백질은 서열번호 2로 기재되는 아미노산 서열을 갖는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법. 14 제 11항에 있어서, DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질이 암, 간경화, 류마티스 질환 또는 동맥경화의 예방 또는 치료제로 사용되는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법. 15 제 11항에 있어서, 상기 단계 ⅱ)의 후보물질은 펩티드, 단백질, 비펩티드성 화합물, 합성 화합물, 발효 생산물, 세포 추출액, 식물 추출액, 동물 조직 추출액 또는 혈장인 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는 방법. 16 제 11항에 있어서, 결합 저해는 IC50을 측정하는 것을 특징으로 하는 DDR 단백질과 콜라겐 결합 저해물질을 검색하는방법. 17<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100945018B1, KR20090042397A",null,"해당없음"]
["K04265","유전공학","KR","벤조에이안트라센 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를이용한 확인 방법{Biomarker for identification of exposure to benzo[a]anthracene and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20070114257A","2007.11.09","KR0967546B1","2010.06.25","본 발명은 다환 방향족 탄화수소류 중의 하나인 벤조에이안트라센(benzo[a]anthracene)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 벤조에이안트라센에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 벤조에이안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 벤조에이안트라센의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 벤조에이안트라센에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 하기 모든 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호(Genebank) AF524864(AKR1B10,Aldo-keto reductase family 1,member B10 (aldose reductase)), 유전자 등록번호(Genebank) AK057762(TDH,L-threonine dehydrogenase), 유전자 등록번호(Genebank) AK091948(LTB4DH,Leukotriene B4 12-hydroxydehydrogenase), 유전자 등록번호(Genebank) BC034763(FDXR,Ferredoxin reductase), 유전자 등록번호(Genebank) BC094756(CRA,Myotubularin related protein 11), 유전자 등록번호(Genebank) BG567934(APOM,Apolipoprotein M), 유전자 등록번호(Genebank) BQ939577(AKR1C3,Aldo-keto reductase family 1,member C3 (3-alpha hydroxysteroid dehydrogenase,type II)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_000860(HPGD,Hydroxyprostaglandin dehydrogenase 15-(NAD)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_004278(PIGL,Phosphatidylinositol glycan,class L), 유전자 등록번호(Genebank) NM_203380(ACSL5,Acyl-CoA synthetase long-chain family member 5), 유전자 등록번호(Genebank) AF059203(SOAT2,Sterol O-acyltransferase 2), 유전자 등록번호(Genebank) AF202889(APOA5,Apolipoprotein A-V), 유전자 등록번호(Genebank) AF220490(PLA2G3,Phospholipase A2,group III), 유전자 등록번호(Genebank) AF288389(GLT25D2,Glycosyltransferase 25 domain containing 2), 유전자 등록번호(Genebank) AK124635(PCSK9,Proprotein convertase subtilisin/kexin type 9), 유전자 등록번호(Genebank) AL138578(ADPN,Adiponutrin), 유전자 등록번호(Genebank) BC000054(DHCR7,7-dehydrocholesterol reductase), 유전자 등록번호(Genebank) BC026264(UGT2B4,UDP glucuronosyltransferase 2 family,polypeptide B4), 유전자 등록번호(Genebank) BC035638(LSS,Lanosterol synthase(2,3-oxidosqualene-lanosterol cyclase)), 유전자 등록번호(Genebank) BC050292(DTX2,Deltex homolog 2(Drosophila)), 유전자 등록번호(Genebank) BC051385(SREBF2,Sterol regulatory element binding transcription factor 2), 유전자 등록번호(Genebank) BI521580(APOC3,Apolipoprotein C-III), 유전자 등록번호(Genebank) BX641139(SHC3,SHC(Src homology 2 domain containing) transforming protein 3), 유전자 등록번호(Genebank) CR595353(CD74,CD74 antigen (invariant polypeptide of major histocompatibility complex,class II antigen-associated)), 유전자 등록번호(Genebank) J05428(UGT2B7,UDP glucuronosyltransferase 2 family,polypeptide B7), 유전자 등록번호(Genebank) NM_000102(CYP17A1,Cytochrome P450, family 17, subfamily A, polypeptide 1), 유전자 등록번호(Genebank) NM_000236(LIPC,Lipase,hepatic), 유전자 등록번호(Genebank) NM_001701(BAAT,Bile acid Coenzyme A: amino acid N-acyltransferase (glycine N-choloyltransferase)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_002130(HMGCS1,3-hydroxy-3-methylglutaryl-Coenzyme A synthase 1 (soluble)), 유전자 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AK057762(TDH,L-threonine dehydrogenase), 유전자 등록번호(Genebank) AK091948(LTB4DH,Leukotriene B4 12-hydroxydehydrogenase), 유전자 등록번호(Genebank) BC034763(FDXR,Ferredoxin reductase), 유전자 등록번호(Genebank) BC094756(CRA,Myotubularin related protein 11), 유전자 등록번호(Genebank) BG567934(APOM,Apolipoprotein M), 유전자 등록번호(Genebank) BQ939577(AKR1C3,Aldo-keto reductase family 1,member C3 (3-alpha hydroxysteroid dehydrogenase,type II)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_000860(HPGD,Hydroxyprostaglandin dehydrogenase 15-(NAD)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_004278(PIGL,Phosphatidylinositol glycan,class L), 유전자 등록번호(Genebank) NM_203380(ACSL5,Acyl-CoA synthetase long-chain family member 5), 유전자 등록번호(Genebank) AF059203(SOAT2,Sterol O-acyltransferase 2), 유전자 등록번호(Genebank) AF202889(APOA5,Apolipoprotein A-V), 유전자 등록번호(Genebank) AF220490(PLA2G3,Phospholipase A2,group III), 유전자 등록번호(Genebank) AF288389(GLT25D2,Glycosyltransferase 25 domain containing 2), 유전자 등록번호(Genebank) AK124635(PCSK9,Proprotein convertase subtilisin/kexin type 9), 유전자 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status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 1) 인간 체세포에 피검화합물을 처리하는 단계; 2) 단계 1)의 피검화합물을 처리한 실험군 세포와 피검화합물을 처리하지 않은 대조군 세포에서 RNA를 분리하는 단계; 3) 단계 2)의 실험군 및 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 4) 단계 3)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 5) 단계 4)의 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및 6) 단계 5)의 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 확인하는 단계를 포함하는 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인 방법. 6 제 5항에 있어서, 단계 1)의 인간 체세포는 인간 간 세포 또는 인간 간암 세포인 것을 특징으로 하는 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인 방법. 7 제 6항에 있어서, 상기 인간 간암 세포는 HepG2인 것을 특징으로 하는 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인 방법. 8 제 5항에 있어서, 단계 3)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인 방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인용 키트. 13 제 12항에 있어서, 인간 간 세포 또는 인간 간암 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조에이안트라센에 대한 지질대사 관련 유전자 발현 여부 확인용 키트. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100967546B1, KR20090048057A",null,"해당없음"]
["K04255","유전공학","KR","벤조케이플루오란텐 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를이용한 확인 방법{Biomarker for identification of exposure to benzo[k]fluoranthene and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20070104948A","2007.10.18","KR0958545B1","2010.05.11","본 발명은 다환 방향족 탄화수소류 중의 하나인 벤조케이플루오란텐(benzo[k]fluoranthene)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 벤조케이플루오란텐에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 벤조케이플루오란텐에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 벤조케이플루오란텐의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 벤조케이플루오란텐에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 하기의 모든 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호(Genebank) BC012609(SERPINB2,Serpin peptidase inhibitor,clade B(ovalbumin),member 2), 유전자 등록번호(Genebank) AB033060(PDCD6,Aryl-hydrocarbon receptor repressor), 유전자 등록번호(Genebank) NM_013246(CLC,Cardiotrophin-like cytokine factor 1), 유전자 등록번호(Genebank) NM_078467(CDKN1A,Cyclin-dependent kinase inhibitor 1A(p21, Cip1)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_003897(IER3,Immediate early response 3), 유전자 등록번호(Genebank) NM_003877(SOCS2,Suppressor of cytokine signaling 2), 유전자 등록번호(Genebank) NM_016315(GULP1,GULP, engulfment adaptor PTB domain containing 1), 유전자 등록번호(Genebank) NM_004226(STK17B,Serine/threonine kinase 17b(apoptosis-inducing)), 유전자 등록번호(Genebank) NM_147780(CTSB,Cathepsin B), 유전자 등록번호(Genebank) NM_001197(BIK,BCL2-interacting killer(apoptosis-inducing)), 유전자 등록번호(Genebank) BC047362(PHLDA1,Pleckstrin homology-like domain,family A,member 1), 유전자 등록번호(Genebank) NM_002583(PAWR,PRKC,apoptosis, WT1,regulator), 유전자 등록번호(Genebank) BX537586(STK17A,Serine/threonine kinase 17a(apoptosis-inducing)), 유전자 등록번호(Genebank) AY028896(CARD10,Caspase recruitment domain family,member 10), 유전자 등록번호(Genebank) AY358103(HIP1,Huntingtin interacting protein 1), 유전자 등록번호(Genebank) NM_005018(PDCD1,Programmed cell death 1), 유전자 등록번호(Genebank) CR603540(MGC13096,Hypothetical protein MGC13096), 유전자 등록번호(Genebank) AK055180(PDCD2,Programmed cell death 2), 유전자 등록번호(Genebank) AA601902(NME3,Non-metastatic cells 3,protein expressed in), 유전자 등록번호(Genebank) NM_006024(TAX1BP1,Tax1(human T-cell leukemia virus type I) binding protein 1), 유전자 등록번호(Genebank) AY869712(PPP1R13L,Protein phosphatase 1,regulatory(inhibitor) subunit 13 like), 유전자 등록번호(Genebank) NM_001344(DAD1,Defender against cell death 1), 유전자 등록번호(Genebank) AK097284(TNFAIP8,Tumor necrosis factor,alpha-induced protein 8), 유전자 등록번호(Genebank) NM_016639(TNFRSF12A,Tumor necrosis factor receptor superfamily,member 12A), 유전자 등록번호(Genebank) BC067799(C10orf97,Chromosome 10 open reading frame 97), 유전자 등록번호(Genebank) NM_197966(BID,BH3 interacting domain death agonist), 유전자 등록번호(Genebank) NM_004333(BRAF,V-raf murine sarcoma viral oncogene homolog B1), 유전자 등록번호(Genebank) BX647177(Bit1,Bcl-2 inhibitor of transcription), 유전자 등록번호(Genebank) NM_033357(CASP8,Caspase 8,apoptosis-related cysteine peptidase), 유전자 등록번호(Genebank) NM_020371(AVEN,Apoptosis,caspase 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NM_005018(PDCD1,Programmed cell death 1), 유전자 등록번호(Genebank) CR603540(MGC13096,Hypothetical protein MGC13096), 유전자 등록번호(Genebank) AK055180(PDCD2,Programmed cell death 2), 유전자 등록번호(Genebank) AA601902(NME3,Non-metastatic cells 3,protein expressed in), 유전자 등록번호(Genebank) NM_006024(TAX1BP1,Tax1(human T-cell leukemia virus type I) binding protein 1), 유전자 등록번호(Genebank) AY869712(PPP1R13L,Protein phosphatase 1,regulatory(inhibitor) subunit 13 like), 유전자 등록번호(Genebank) NM_001344(DAD1,Defender against cell death 1), 유전자 등록번호(Genebank) AK097284(TNFAIP8,Tumor necrosis factor,alpha-induced protein 8), 유전자 등록번호(Genebank) NM_016639(TNFRSF12A,Tumor necrosis factor receptor superfamily,member 12A), 유전자 등록번호(Genebank) BC067799(C10orf97,Chromosome 10 open reading frame 97), 유전자 등록번호(Genebank) NM_197966(BID,BH3 interacting domain death agonist), 유전자 등록번호(Genebank) NM_004333(BRAF,V-raf murine sarcoma viral oncogene homolog B1), 유전자 등록번호(Genebank) BX647177(Bit1,Bcl-2 inhibitor of transcription), 유전자 등록번호(Genebank) NM_033357(CASP8,Caspase 8,apoptosis-related cysteine peptidase), 유전자 등록번호(Genebank) NM_020371(AVEN,Apoptosis,caspase activation inhibitor), 유전자 등록번호(Genebank) CR625942(PPM1F,Protein phosphatase 1F(PP2C domain containing)), 유전자 등록번호(Genebank) AB007960(SH3GLB1,SH3-domain GRB2-like endophilin B1), 유전자 등록번호(Genebank) AL831982(BCL2L13,BCL2-like 13(apoptosis facilitator)), 유전자 등록번호(Genebank) CN478604(LGALS7,Lectin,galactoside-binding,soluble,7(galectin 7)), 유전자 등록번호(Genebank) BC039110(SMNDC1,Survival motor neuron domain containing 1), 유전자 등록번호(Genebank) AB209468(UBQLN1,Ubiquilin 1), 유전자 등록번호(Genebank) AB209147(CASP9,Caspase 9, apoptosis-related cysteine peptidase), 유전자 등록번호(Genebank) T35134(PHLDA2,Pleckstrin homology-like domain,family A,member 2). 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 1)실험군인 피검체 유래 인간 체세포와 대조군 체세포에서 RNA를 분리하는 단계; 2) 단계 1)의 실험군과 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질을 표지하는 단계; 3) 단계 2)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 4) 반응한 DNA 마이크로어레이 칩을 분석하는 단계; 및 5) 분석한 데이터에서 제1항의 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 벤조케이플루오란텐 노출 여부를 판정하는 단계를 포함하는 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부를 확인하는 방법. 6 제 5항에 있어서, 단계 1)의 인간 체세포는 인간 간 세포 또는 인간 간암 세포인 것을 특징으로 하는 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부를 확인하는 방법. 7 제 6항에 있어서, 상기 인간 간암 세포는 HepG2인 것을 특징으로 하는 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부를 확인하는 방법. 8 제 5항에 있어서, 단계 3)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부를 확인하는 방법. 9 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부 확인용 키트. 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11 제 9항에 있어서, 인간 간 세포 또는 인간 간암 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조케이플루오란텐에 대한 세포사멸 관련 유전자 발현 여부 확인용 키트.","KR100958545B1, KR20090039354A",null,"해당없음"]
["K04239","태양전지","KR","복합 전해질 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 중공형금속산화물 입자를 포함하는 전해질 기반의 염료감응태양전지{COMPOSITE ELECTROLYTE AND THE FABRICATION METHOD THEREOF, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL BASED ON ELECTROLYTE WITH HOLLOW PARTICLES OF METAL OXIDES USING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20070127809A","2007.12.10","KR0949762B1","2010.03.19","본 발명은 복합 전해질 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 중공형 금속산화물 입자를 포함하는 전해질 기반의 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 기 제조된 코어 표면에 금속산화물 미립자들을 흡착시킨 후 상기 코어를 제거하여 중심 부위가 비어있는 중공형 입자를 제조하고, 이 입자를 염료감응 태양전지의 전해질에 첨가하여, 전해질의 겔화를 통한 태양전지의 기계적 강도 개선 효과와, 전해질 내에서의 이온의 확산 계수 향상 효과와, 빛의 산란 효과를 동시에 얻게 되어, 단순한 금속산화물 나노 분말을 첨가하거나 혹은 광전극에 빛 산란만을 목적으로 하는 층을 도입하였을 때보다 태양전지의 에너지 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.","1 전해질 및 금속산화물 미립자들을 포함하는 중공형 입자가 혼합된 것으로서, 상기 중공형 입자는 내부가 비어있는 쉘 구조의 구형 또는 다면체 중공형 입자인 것을 특징으로 하는 복합 전해질.","이상수, 박종혁, 김준경","H01L-031/042,C01F-007/00,C01G-023/00","KR20090060855A","2009.06.15",null,"2027.12.10","1 전해질 및 금속산화물 미립자들을 포함하는 중공형 입자가 혼합된 것으로서, 상기 중공형 입자는 내부가 비어있는 쉘 구조의 구형 또는 다면체 중공형 입자인 것을 특징으로 하는 복합 전해질. 2 제1항에 있어서, 상기 중공형 입자와 상기 전해질의 질량비는 1:1000∼2:1인 것을 특징으로 하는 복합 전해질. 3 제1항에 있어서, 상기 중공형 입자의 평균 외경은 50 ㎚∼100 ㎛이고, 상기 금속산화물 미립자의 평균 입경은 1 ㎚∼10 ㎛인 것을 특징으로 하는 복합 전해질. 4 제1항에 있어서, 상기 중공형 입자의 평균 껍질 두께는 10 ㎚∼10 ㎛인 것을 특징으로 하는 복합 전해질. 5 제1항에 있어서, 상기 금속산화물 미립자는 알루미늄 (Al)산화물, 규소 (Si)산화물, 티타늄 (Ti)산화물, 인듐 (In)산화물, 아연 (Zn)산화물, 주석 (Sn)산화물, 텅스텐 (W)산화물, 납 (Pb)산화물, 마그네슘 (Mg)산화물, 갈륨 (Ga)산화물, 지르코늄 (Zr)산화물, 스트론디움 (Sr)산화물, 몰리브데늄 (Mo)산화물, 바나디움 (V)산화물, 이리듐 (Yr)산화물, 스캔디움 (Sc)산화물, 사마리움 (Sm)산화물, 철티타늄 (FeTi)산화물, 망간티타늄 (MnTi))산화물, 바륨티타늄 (BaTi)산화물 스트론티움티타늄 (SrTi)산화물 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 복합물인 것을 특징으로 하는 복합 전해질. 6 광전극 기판 및 이에 대향하는 대전극 기판과; 상기 광전극 기판의 안쪽 면 위에 형성된 염료가 흡착된 광 흡수층과; 상기 광 흡수층과 상기 대전극 기판 사이에 주입된 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 복합 전해질;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지. 7 (가) 코어 표면에 금속산화물 미립자들을 흡착시켜 금속산화물 흡착체를 형성한 후, 상기 금속산화물 흡착체로부터 상기 코어를 제거하여 중공형 입자를 얻고, (나) 상기 중공형 입자를 전해질에 혼합하여 복합 전해질을 얻는 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 8 제7항에 있어서, 상기 코어는 고분자 혹은 그 유도체, 또는 실리카 혹은 그 유도체인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 9 제8항에 있어서, 상기 고분자는 폴리스티렌 (polystyrene), 폴리스티렌/디비닐벤젠 공중합체 (styrene/divinylbenzene copolymer), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate), 폴리비닐톨루엔 (polyvinyltoluene), 폴리스티렌/부타디엔 공중합체 (styrene/butadiene copolymer) 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 복합물인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 10 제7항에 있어서, 상기 코어의 평균 입경은 50 ㎚∼100 ㎛인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 11 제7항에 있어서, 상기 금속산화물 미립자는 알루미늄 (Al)산화물, 규소 (Si)산화물, 티타늄 (Ti)산화물, 인듐 (In)산화물, 아연 (Zn)산화물, 주석 (Sn)산화물, 텅스텐 (W)산화물, 납 (Pb)산화물, 마그네슘 (Mg)산화물, 갈륨 (Ga)산화물, 지르코늄 (Zr)산화물, 스트론디움 (Sr)산화물, 몰리브데늄 (Mo)산화물, 바나디움 (V)산화물, 이리듐 (Yr)산화물, 스캔디움 (Sc)산화물, 사마리움 (Sm)산화물, 철티타늄 (FeTi)산화물, 망간티타늄 (MnTi))산화물, 바륨티타늄 (BaTi)산화물 스트론티움티타늄 (SrTi)산화물 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 복합물인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 12 제7항에 있어서, 상기 코어와 상기 금속산화물 미립자의 입경 비는 10:1∼100000:1인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 13 제7항에 있어서, 상기 금속산화물 미립자는 알루미늄 (Al)산화물, 규소 (Si)산화물, 티타늄 (Ti)산화물, 인듐 (In)산화물, 아연 (Zn)산화물, 주석 (Sn)산화물, 텅스텐 (W)산화물, 납 (Pb)산화물, 마그네슘 (Mg)산화물, 갈륨 (Ga)산화물, 지르코늄 (Zr)산화물, 스트론디움 (Sr)산화물, 몰리브데늄 (Mo)산화물, 바나디움 (V)산화물, 이리듐 (Yr)산화물, 스캔디움 (Sc)산화물, 사마리움 (Sm)산화물, 철티타늄 (FeTi)산화물, 망간티타늄 (MnTi))산화물, 바륨티타늄 (BaTi)산화물 스트론티움티타늄 (SrTi)산화물 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 복합물인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 14 제7항에 있어서, 상기 금속산화물 흡착체는 건식 방법 또는 습식 방법을 이용하여 형성하고, 상기 건식 방법은, 혼합 기기를 이용한 기계적 흡착, 스퍼터링법 (sputtering), 전자빔증착법 (e-beam evaporation), 열증착법 (thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (laser molecular beam epitaxy), 펄스레이저증착법 (pulsed laser deposition), MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydiride vapor phase epitaxy), 일렉트로증착법 (Electro deposition), 아토믹레이어증착법 (atomic layer deposition), MOMBE (Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy) 중의 어느 한 방법이고, 상기 습식 방법은, 에멀젼중합법 (emulsion polymerization), 전기영동법 (electrophoresis), 딥코팅법 (dip coating), 표면 작용기 (surface functional group)를 이용한 화학적 흡착법 중의 어느 한 방법인 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법. 15 제7항에 있어서, 상기 금속산화물 흡착체로부터 상기 코어를 제거하는 것은 열처리법 또는 용액처리법에 의하여 이루어지고, 상기 열처리법은, 상기 금속산화물 흡착체를 분당 10 ℃ 미만의 속도로 승온시켜 300∼1000 ℃의 온도에서 5분∼48시간 열처리하는 것이고, 상기 용액처리법은 용매로 물, 알코올, 아세톤, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 에틸아세테이트, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 테트라하이드로퓨란, 헥산, 다이에틸에테르, 플루오르화수소산 (hydrofluoric acid) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 복합 전해질의 제조 방법.","KR100949762B1, KR20090060855A, US2011174368A1",null,"해당없음"]
["K04263","광학","KR","결합 공진기를 포함하는 다파장 광섬유 레이저 장치 및다파장 레이저의 발진 방법{MULTIWAVELENGTH FIBER LASER APPARATUS INCLUDING COUPLED CAVITIES AND OSCILLATION METHOD OF MULTIWAVELENGTH LASER}",null,"원문이미지","KR20070127945A","2007.12.11","KR0957133B1","2010.05.03","서로 연결된 제1 공진기 및 제2 공진기를 포함하며, 광신호를 미리 설정된 주파수에서 발진시켜 사이드 모드(side mode)의 광신호를 감소시키는 결합 공진기; 레이저 광신호를 생성하는 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA); 상기 반도체 광 증폭기에 의해 생성된 광신호를 복수 개의 광신호로 필터링하여 상기 제1 공진기에 인가하는 다파장 필터; 및 상기 제1 공진기로부터 광신호의 일부분 이상을 분리하여 출력하는 가변 광 커플러를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다파장 광섬유 레이저 장치 및 다파장 레이저의 발진 방법을 사용하면, 버니어(Vernier) 효과에 의해 효과적으로 사이드 모드(side mode)의 발진을 억제함으로써 단일 모드 다파장 레이저를 제공할 수 있으며, 출력 광 커플러의 출력비를 조절함으로써 발진 파장 대역을 변화시킬 수 있는 이점이 있다.","1 서로 연결된 제1 공진기 및 제2 공진기를 포함하며, 광신호를 미리 설정된 주파수에서 발진시켜 사이드 모드(side mode)의 광신호를 감소시키는 결합 공진기; 레이저 광신호를 생성하는 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA); 상기 반도체 광 증폭기에 의해 생성된 광신호를 복수 개의 광신호로 필터링하여 상기 제1 공진기에 인가하는 다파장 필터; 및 상기 제1 공진기로부터 광신호의 일부분 이상을 분리하여 출력하는 가변 광 커플러를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치.","이관일, 이상배","G02B-006/00,G02B-006/293,H01S-003/067","KR20090061100A","2009.06.16",null,"2027.12.11","1 서로 연결된 제1 공진기 및 제2 공진기를 포함하며, 광신호를 미리 설정된 주파수에서 발진시켜 사이드 모드(side mode)의 광신호를 감소시키는 결합 공진기; 레이저 광신호를 생성하는 반도체 광 증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA); 상기 반도체 광 증폭기에 의해 생성된 광신호를 복수 개의 광신호로 필터링하여 상기 제1 공진기에 인가하는 다파장 필터; 및 상기 제1 공진기로부터 광신호의 일부분 이상을 분리하여 출력하는 가변 광 커플러를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 2 제 1항에 있어서, 상기 다파장 필터는, 인터리버(Interleaver) 또는 패브리-패롯 필터(Fabry-Perot filter)인 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 3 제 1항에 있어서, 상기 미리 설정된 주파수는 상기 제1 공진기 및 상기 제2 공진기의 공진 조건을 만족하는 주파수인 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 4 제 1항에 있어서, 상기 제1 공진기 및 상기 제2 공진기 각각에 연결되어, 사이드 모드의 광신호가 최소화 되도록 상기 제1 공진기 및 상기 제2 공진기의 편광을 조절하는 편광 조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 5 제 1항에 있어서, 상기 제1 공진기는 고리형 공진기인 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 6 제 5항에 있어서, 상기 제1 공진기에 연결되어 광신호의 역방향 진행을 억제하는 광 아이솔레이터(isolator)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 7 제 1항에 있어서, 상기 제1 공진기는 직선형 공진기이며, 상기 반도체 광 증폭기는 상기 제1 공진기의 한쪽 끝에 연결된 반사형 반도체 광 증폭기(Reflective Semiconductor Optical Amplifier; RSOA)이고, 상기 제1 공진기의 다른쪽 끝에 연결되어 광신호를 반사하는 공진기 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 8 제 1항에 있어서, 상기 다파장 광섬유 레이저 장치는, 상기 가변 광 커플러의 출력비에 따라 상이한 파장 대역의 광신호를출력하는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 9 제 1항에 있어서, 상기 복수 개의 광신호는 서로 상이한 파장 대역을 가지는 것을 특징으로 하는 다파장 광섬유 레이저 장치. 10 레이저 광신호를 생성하는 단계; 상기 단계에서 생성된 광신호를 복수 개의 광신호로 필터링하는 단계; 상기 복수 개의 광신호로 필터링하는 단계에서 필터링된 광신호를 복수 개의 공진기를 포함하는 결합 공진기를 사용하여 미리 설정된 주파수에서 발진시켜, 사이드 모드(side mode)의 광신호를 감소시키는 단계; 및 광신호의 일부분 이상을 상기 결합 공진기로부터 분리하여 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법. 11 제 10항에 있어서, 상기 미리 설정된 주파수는 상기 복수 개의 공진기의 공진 조건을 만족하는 주파수인 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법. 12 제 10항에 있어서, 상기 사이드 모드의 광신호를 감소시키는 단계는, 사이드 모드의 광신호가 최소화 되도록 상기 복수 개의 공진기의 편광을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법. 13 제 10항에 있어서, 상기 복수 개의 광신호로 필터링하는 단계 후 및 상기 사이드 모드의 광신호를 감소시키는 단계 전에, 상기 결합 공진기 내의 광신호의 역방향 진행을 억제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법. 14 제 10항에 있어서, 상기 광신호의 일부분 이상을 상기 결합 공진기로부터 분리하여 출력하는 단계는, 출력되는 광신호의 비율에 따라 상이한 파장 대역의 광신호를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법. 15 제 10항에 있어서, 상기 복수 개의 광신호는 서로 상이한 파장 대역을 가지는 것을 특징으로 하는 다파장 레이저의 발진 방법.","KR100957133B1, KR20090061100A",null,"해당없음"]
["K04212","유전공학","KR","다이벤조에이에이취안트라센 노출 여부 확인용 바이오마커및 이를 이용한 확인 방법{Biomarker for identification of exposure to dibenzo［a, h］anthracene and the method of identification using thereof}",null,"원문이미지","KR20070099135A","2007.10.02","KR0961487B1","2010.05.27","본 발명은 다환 방향족 탄화수소류 중의 하나인 다이벤조에이에이취안트라센(dibenzo[a,h]anthracene)에 대한 노출 여부 확인용 바이오마커 및 이를 이용한 확인 방법에 관한 것으로, 구체적으로 다이벤조에이에이취안트라센에 의해 특이적으로 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경 시료에서 다이벤조에이에이취안트라센의 오염을 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 다이벤조에이에이취안트라센에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 유전자 등록번호(Genebank) NM_001633(AMBP, Alpha-1-microglobulin/bikunin precursor) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된, 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩.","류재천, 김연정, 전희경","C12Q-001/68","KR20090034011A","2009.04.07",null,"2027.10.02","1 유전자 등록번호(Genebank) NM_001633(AMBP, Alpha-1-microglobulin/bikunin precursor) 유전자의 핵산서열의 전부 또는 18 내지 30개의 핵산 서열로 구성되는 상기 유전자의 단편인 올리고뉴클레오티드 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된, 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부 확인용 DNA 마이크로어레이 칩. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 1) 인간 체세포에 피검화합물을 처리하는 단계; 2) 단계 1)의 피검화합물을 처리한 실험군 세포와 피검화합물을 처리하지 않은 대조군 세포에서 RNA를 분리하는 단계; 3) 단계 2)의 실험군 및 대조군의 RNA를 cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 4) 단계 3)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩과 혼성화시키는 단계; 5) 반응한 DNA 마이크로어레이칩을 분석하는 단계; 및 6) 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 확인하는 단계를 포함하는 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 6 제 5항에 있어서, 단계 1)의 인간 체세포는 인간의 간 세포 또는 인간 간암 세포인 것을 특징으로 하는 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 7 제 6항에 있어서, 상기 인간 간암 세포는 HepG2인 것을 특징으로 하는 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 8 제 5항에 있어서, 단계 3)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate) 및 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용하는 것을 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부를 확인하는 방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부 확인용 키트. 13 제 12항에 있어서, 인간 간 세포 또는 간암 세포를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다이벤조에이에이취안트라센에 대한 노출 여부 확인용 키트. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 15<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100961487B1, KR20090034011A",null,"해당없음"]
["K04205","유전공학","KR","포름알데히드 노출 여부 진단용 바이오마커 및 이를 이용한진단 방법{Biomarker for diagonosis of exposure to formaldehyde and the method of diagonosis using thereof}",null,"원문이미지","KR20070081823A","2007.08.14","KR0967547B1","2010.06.25","본 발명은 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단용 바이오마커 및 이를 이용한 진단 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포름알데히드에 의해 유전자 발현이 증가 또는 감소하는 바이오마커 및 이를 이용한 포름알데히드에 대한 노출 여부를 진단하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 바이오마커는 DNA 마이크로어레이 칩을 통하여 선별된 반응 유전자들을 바이오마커로 이용하여 환경이나 실생활에서 포름알데히드를 모니터링 및 판정하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 포름알데히드에 의해 유발되는 독성 작용 기작을 규명하는 도구로 이용될 수 있다.","1 하기 모든 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호 (Genebank) NM_001778(CD48 antigen(B-cell membrane protein)), 유전자 등록번호 (Genebank) BC071718(Chemokine(C-C motif) ligand 4-like 1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_005101(Interferon, alpha-inducible protein(clone IFI-15K)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_005238(V-ets erythroblastosis virus E26 oncogene homolog 1(avian)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_207037(Transcription factor 12(HTF4, helix-loop-helix transcription factors 4)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_002982(Chemokine(C-C motif) ligand 2), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_004334(Bone marrow stromal cell antigen 1), 유전자 등록번호 (Genebank) X74328(Cannabinoid receptor 2(macrophage)).","류재천, 김연정, 사르마","C12Q-001/68","KR20090017230A","2009.02.18",null,"2027.08.14","1 하기 모든 유전자의 핵산서열의 전부 또는 그의 상보가닥 분자가 집적된 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단용 DNA 마이크로어레이 칩: 유전자 등록번호 (Genebank) NM_001778(CD48 antigen(B-cell membrane protein)), 유전자 등록번호 (Genebank) BC071718(Chemokine(C-C motif) ligand 4-like 1), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_005101(Interferon, alpha-inducible protein(clone IFI-15K)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_005238(V-ets erythroblastosis virus E26 oncogene homolog 1(avian)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_207037(Transcription factor 12(HTF4, helix-loop-helix transcription factors 4)), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_002982(Chemokine(C-C motif) ligand 2), 유전자 등록번호 (Genebank) NM_004334(Bone marrow stromal cell antigen 1), 유전자 등록번호 (Genebank) X74328(Cannabinoid receptor 2(macrophage)). 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 포름알데히드에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터 1) cDNA로 합성하면서 실험군과 대조군을 각기 다른 형광물질로 표지하는 단계; 2) 단계 1)의 각기 다른 형광물질로 표지된 cDNA를 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩과 혼성화시키는 단계; 3) 단계 2)의 반응한 DNA 마이크로어레이 칩을 분석하는 단계; 및 4) 단계 3)의 분석한 데이터에서 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자의 발현 정도를 대조군과 비교하여 포름알데히드에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단을 위한 유전자 검출 방법. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7 제 5항에 있어서, 단계 1)의 형광물질은 Cy3, Cy5, FITC(poly L-lysine-fluorescein isothiocyanate), RITC(rhodamine-B-isothiocyanate), 로다민(rhodamine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 8 포름알데히드에 대한 노출이 의심되는 개체(실험군) 및 대조군으로부터 분리된 RNA 시료로부터 1) 상기 RNA를, 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고 바이오마커 유전자를 증폭할 수 있는 프라이머를 사용하여 실시간 RT-PCR(Real-time reverse transcript polymerase chain reaction)을 수행하는 단계; 및, 2) 단계 1)의 유전자 산물을 대조군과 비교하여 포름알데히드에 대한 노출 여부를 측정하는 단계를 포함하는 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단을 위한 유전자 검출 방법. 9 제 5항 또는 제 8항에 있어서, RNA 시료는 실험군의 혈액 세포 또는 림프세포는 인간 골수성 백혈병 세포인 HL-60 세포로부터 유래한 것을 특징으로 하는 유전자 검출 방법. 10 제 1항의 DNA 마이크로어레이 칩 또는 상기 DNA 마이크로어레이 칩에 집적된 유전자에 상보적이고, 상기 유전자를 증폭할 수 있는, 18 내지 30머 길이의 프라이머 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 포름알데히드에 대한 노출 여부 진단용 키트. 11 제 10항에 있어서, 대조군으로 정상 인간 골수성 백혈병 세포인 HL-60 세포, 인간 혈액 세포 또는 림프 세포를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 진단용 키트. 12<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 13 제 10항에 있어서, 상기 프라이머 쌍은 하기 프라이머 쌍 1 내지 8로 구성되는 것을 특징으로 하는 진단용 키트: 프라이머 쌍 1: 서열번호 1로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 2로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 2: 서열번호 5로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 6으로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 3: 서열번호 7로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 8로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 4: 서열번호 9로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 10으로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 5: 서열번호 11로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 12로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 6: 서열번호 13으로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 14로 기재되는 역방향 프라이머; 프라이머 쌍 7: 서열번호 17로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 18로 기재되는 역방향 프라이머; 및, 프라이머 쌍 8: 서열번호 19로 기재되는 정방향 프라이머 및 서열번호 20으로 기재되는 역방향 프라이머.","KR100967547B1, KR20090017230A",null,"해당없음"]
["K04179","화학","KR","이온성 액체에 용해된 셀룰로오즈 용액{Cellulose solution by using ionic liquids}",null,"원문이미지","KR20070068434A","2007.07.09","KR0889373B1","2009.03.11","본 발명은 이온성 액체에 용해된 셀룰로오즈 용액에 관한 것으로서, 보다 상세하게 셀룰로오즈와 상호작용을 할 수 있는 관능기가 치환된 양이온 및 음이온으로 구성된 특정의 이온성 액체를 이용하여 셀룰로오즈를 용해시켜 제조된 셀룰로오즈 용액에 관한 것이다.","1 질소원자에 수소결합성 관능기가 하나 이상 치환된 하기 화학식 1로 표시되는 4급 암모늄 양이온과, 하기 화학식 2로 표시되는 음이온으로 이루어진 이온성 액체에, 셀룰로오즈가 용해되어 있는 셀룰로오즈 용액 : [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 서로 같거나 다른 것으로 C1-C6 알킬기이거나, 또는 C1-C6 알킬카르복시산기, C1-C6 알킬에스테르기, 하이드록시 C1-C6 알킬기, 디하이드록시 C1-C6 알킬기, 및 C1-C6 알콕시 C1-C6 알킬기로 이루어진 수소결합성 관능기로부터 선택되며; 다만 R1 및 R2가 동시에 알킬기인 경우, 또는 R3 및 R4가 동시에 알킬기인 경우, 또는 R5, R6, R7 및 R8가 동시에 알킬기인 경우는 제외하며, [화학식 2] 상기 화학식 2에서, R9 및 R10은 각각 수소원자, C1-C6 알킬기, 하이드록시 C1-C6 알킬기, 및 디하이드록시 C1-C6 알킬기 중에서 선택된다.","이현주, 김창수, 안병성, 서동진, 상병인, 이지연","C08B-001/00,C08B-016/00","KR20090005423A","2009.01.14",null,"2027.07.09","1 질소원자에 수소결합성 관능기가 하나 이상 치환된 하기 화학식 1로 표시되는 4급 암모늄 양이온과, 하기 화학식 2로 표시되는 음이온으로 이루어진 이온성 액체에, 셀룰로오즈가 용해되어 있는 셀룰로오즈 용액 : [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 서로 같거나 다른 것으로 C1-C6 알킬기이거나, 또는 C1-C6 알킬카르복시산기, C1-C6 알킬에스테르기, 하이드록시 C1-C6 알킬기, 디하이드록시 C1-C6 알킬기, 및 C1-C6 알콕시 C1-C6 알킬기로 이루어진 수소결합성 관능기로부터 선택되며; 다만 R1 및 R2가 동시에 알킬기인 경우, 또는 R3 및 R4가 동시에 알킬기인 경우, 또는 R5, R6, R7 및 R8가 동시에 알킬기인 경우는 제외하며, [화학식 2] 상기 화학식 2에서, R9 및 R10은 각각 수소원자, C1-C6 알킬기, 하이드록시 C1-C6 알킬기, 및 디하이드록시 C1-C6 알킬기 중에서 선택된다. 2 청구항 1에 있어서, 100℃에서 이온성 액체 1 g에 셀룰로오즈가 0.4 g 용해됨을 특징으로 하는 셀룰로오즈 용액. 3 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 4급 암모늄 양이온에 치환되는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8 그룹은 각각 C1-C6 알킬이거나, 또는 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 에틸 프로피오네이트, 에틸 부티레이트, 하이드록시메틸, 하이드록시에틸, 하이드록시프로필, 하이드록시부틸, 하이드록시헥실, 1,2-디하이드록시에틸, 메톡시메틸, 메톡시에틸, 에톡시에틸, 에톡시프로필, 및 에톡시부틸로 이루어진 수소결합성 관능기로부터 선택되며; 다만 R1 및 R2가 동시에 알킬인 경우, 또는 R3 및 R4가 동시에 알킬인 경우, 또는 R5, R6, R7 및 R8가 동시에 알킬인 경우는 제외된 것을 특징으로 하는 셀룰로오즈 용액. 4 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 음이온에 치환되는 R9및 R10그룹은 각각 수소원자, 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실, 하이드록시메틸, 하이드록시에틸, 1,2-디하이드록시에틸, 하이드록시프로필, 하이드록시부틸, 및 하이드록시헥실로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 셀룰로오즈 용액. 5 청구항 1에 있어서, 상기 이온성 액체가 다음에서 선택된 것을 특징으로 하는 셀룰로오즈 용액. , , , , , , , , , , , , . 6 청구항 1, 청구항 2, 또는 청구항 5에 있어서, 상기 이온성 액체 1 g이 셀룰로오즈 0.1 g을 녹이는 온도가 60℃ 내지 72℃인 것을 특징으로 하는 셀룰로오즈 용액.","KR100889373B1, KR20090005423A",null,"해당없음"]
["K04431","화학","KR","약물전달용 폴리포스파젠계 하이드로젤, 그의 제조방법 및그의 용도{POLY(ORGANOPHOSPHAZENE) HYDROGELS FOR DRUG DELIVERY, PREPARATION METHOD THEREOF AND USE THEREOF}",null,"원문이미지","KR20080040413A","2008.04.30","KR0968591B1","2010.06.30","본 발명은 온도 변화에 따라 솔-젤 거동을 보이며 관능기를 갖는 생분해성 및 온도 감응성 포스파젠계 고분자, 그의 제조방법 및 그의 생리 활성 물질 전달 재료로서의 용도에 관한 것이다.","1 다음의 화학식 1a의 구조를 갖는 포스파젠계 고분자: [화학식 1a] 상기 식에서, p는 에틸렌글리콜의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서, 7 내지 50의 값을 갖고, NHCH(R1)CO2R2는 소수성 아미노산 에스테르로서, R1은 H, CH3, CH2SH, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C6H4OH 및 CH2C2NH2C6H4로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, R2는 CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 및 CH2CHCH2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R3)(R4)(R5)는 아미노산, 펩티드, 또는 뎁시 펩티드 에스테르로서, R3는CH(W)이고, R4는 CO2, CO2CH2CO2, CO2CH(CH3)CO2 및 CONHCH(X)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R5는 H, CH3 및 C2H5로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 W와 X는 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R6)(R7)(R8)와 NH(R6)(R7)(R9)는 관능기를 갖는 치환체를 나타내는 것으로서, R6는CH(Y)이고, R7은 CH2, C2H4CO2, CONHCH(Z)CONHCH(M)O, CONHCH(Z)CONHCH(L)CONHCH(L)O, CONHCH(Z)CONHCH(M)S, CONHCH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)S, CONHCH(Z)CONHCH(M)N, CONHCH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)N, COCHNH(Z)CONHCH(M)CON, COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CON, COCHNH(Z)CONHCH(M)CO, COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CO, COCHNH(Z)CONHCH(M)CO2, 및 COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R8는 OH, SH, H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 CH2CHCH2 및 하기의 표 2a 내지 2e의 보호기로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 Y, Z, L, 및 M은 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R9는 OH, SH, H, NH2, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5, CH2CHCH2, NHCH(SH)CO2H, NH(CH2)qSH, NH(CH2CH2NH)rH, [NHCH(C4H8NH2)CO]rOH, [NHCH[(CH2)3C(=NH)(NH2)]CO]rOH, 폴산, 히알루론산, 폴리히스티딘, 싸이크로덱스트린, 헤파린, 키토산, 및 프로타민으로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, 이 때, q는 메틸렌의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서 1 내지 20의 값을 갖고, r는 에틸렌이민, 라이신 또는 아르기닌의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서 1 내지 18000의 값을 나타내며, a1, a2, b, c, d 및 e는 각 치환체의 함량을 나타내는 값으로서, a1, a2, b, d는 각각 0.01 내지 1.9의 값을 가지고, c 및 e는 각각 0 내지 1.9의 값을 가지며, a1 + a2 + b + c + d + e = 2.0이고, n은 폴리포스파젠의 중합도로서 5 내지 100000의 값을 갖는다. [표 2a] [표 2b] [표 2c] [표 2d] [표 2e]","송수창, 박미란, 이선미","C08G-079/02,A61K-031/745","KR20080110472A","2008.12.18","2007-06-14 (KR 1020070058461)","2028.04.30","1 다음의 화학식 1a의 구조를 갖는 포스파젠계 고분자: [화학식 1a] 상기 식에서, p는 에틸렌글리콜의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서, 7 내지 50의 값을 갖고, NHCH(R1)CO2R2는 소수성 아미노산 에스테르로서, R1은 H, CH3, CH2SH, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C6H4OH 및 CH2C2NH2C6H4로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, R2는 CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 및 CH2CHCH2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R3)(R4)(R5)는 아미노산, 펩티드, 또는 뎁시 펩티드 에스테르로서, R3는CH(W)이고, R4는 CO2, CO2CH2CO2, CO2CH(CH3)CO2 및 CONHCH(X)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R5는 H, CH3 및 C2H5로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 W와 X는 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R6)(R7)(R8)와 NH(R6)(R7)(R9)는 관능기를 갖는 치환체를 나타내는 것으로서, R6는CH(Y)이고, R7은 CH2, C2H4CO2, CONHCH(Z)CONHCH(M)O, CONHCH(Z)CONHCH(L)CONHCH(L)O, CONHCH(Z)CONHCH(M)S, CONHCH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)S, CONHCH(Z)CONHCH(M)N, CONHCH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)N, COCHNH(Z)CONHCH(M)CON, COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CON, COCHNH(Z)CONHCH(M)CO, COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CO, COCHNH(Z)CONHCH(M)CO2, 및 COCHNH(Z)CONHCH(M)CONHCH(L)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R8는 OH, SH, H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 CH2CHCH2 및 하기의 표 2a 내지 2e의 보호기로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 Y, Z, L, 및 M은 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R9는 OH, SH, H, NH2, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5, CH2CHCH2, NHCH(SH)CO2H, NH(CH2)qSH, NH(CH2CH2NH)rH, [NHCH(C4H8NH2)CO]rOH, [NHCH[(CH2)3C(=NH)(NH2)]CO]rOH, 폴산, 히알루론산, 폴리히스티딘, 싸이크로덱스트린, 헤파린, 키토산, 및 프로타민으로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, 이 때, q는 메틸렌의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서 1 내지 20의 값을 갖고, r는 에틸렌이민, 라이신 또는 아르기닌의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서 1 내지 18000의 값을 나타내며, a1, a2, b, c, d 및 e는 각 치환체의 함량을 나타내는 값으로서, a1, a2, b, d는 각각 0.01 내지 1.9의 값을 가지고, c 및 e는 각각 0 내지 1.9의 값을 가지며, a1 + a2 + b + c + d + e = 2.0이고, n은 폴리포스파젠의 중합도로서 5 내지 100000의 값을 갖는다. [표 2a] [표 2b] [표 2c] [표 2d] [표 2e] 2 다음의 화학식 1b의 구조를 갖는 포스파젠계 고분자: [화학식 1b] 상기 식에서, p는 에틸렌글리콜의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서, 7 내지 50의 값을 갖고, NHCH(R1)CO2R2는 소수성 아미노산 에스테르로서, R1은 H, CH3, CH2SH, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C6H4OH 및 CH2C2NH2C6H4로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, R2는 CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 및 CH2CHCH2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R3)(R4)(R5)는 아미노산, 펩티드, 또는 뎁시 펩티드 에스테르로서, R3는CH(W)이고, R4는 CO2, CO2CH2CO2, CO2CH(CH3)CO2 및 CONHCH(X)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R5는 H, CH3 및 C2H5로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 W와 X는 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R6)(R7)(R8)와 NH(R6)(R7)(R9)는 관능기를 갖는 치환체를 나타내는 것으로서, R6는CH(Y)이고, R7은 C2H4, C3H6, C4H8, CH2C6H4, CH2CO2, O, CONHCH(Z)O, CO2, S, CONHCH(Z)S, N, CONHCH(Z)N, CON, COCHNH(Z)CON, 및 CONHCH(Z)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R8는 OH, SH, H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 CH2CHCH2 및 하기의 표 2a 내지 2e의 보호기로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 Y, 및 Z은 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R9는 폴산, 히알루론산, 폴리히스티딘, 싸이크로덱스트린, 헤파린, 및 키토산으로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, a1, a2, b, c, d 및 e는 각 치환체의 함량을 나타내는 값으로서, a1, a2, b, d는 각각 0.01 내지 1.9의 값을 가지고, c 및 e는 각각 0 내지 1.9의 값을 가지며, a1 + a2 + b + c + d + e = 2.0이고, n은 폴리포스파젠의 중합도로서 5 내지 100000의 값을 갖는다. [표 2a] [표 2b] [표 2c] [표 2d] [표 2e] 3 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포스파젠계 고분자는 다음의 화합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 포스파젠계 고분자: 폴리[(글라이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(글라이신페닐알라닌루이신)포스파젠], 폴리[(글라이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(글라이신페닐알라닌루이신)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(글라이실글라이신)(글라이실글라이실프로타민)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(글라이실글라이신)(글라이실글라이실에틸렌헤파린)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(글라이실글라이신)(글라이실글라이실에틸렌히알루논산)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(아미노에틸석시네이트)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(아미노에틸석시네이트)(아미노에틸석시네이트PEI)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(아미노에틸석시네이트)(아미노에틸석시네이트프로타민)포스파젠], 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(아미노에틸석시네이트)(아미노에틸석시네이트에틸렌헤파린)포스파젠], 및 폴리[(아이소루이신에틸에스테르)(아미노메톡시폴리에틸렌글리콜550)(아미노에틸석시네이트)(아미노에틸석시네이트에틸렌히알루논산)포스파젠]. 4 제1항에 따른 포스파젠계 고분자가 물, 완충용액, 산성용액, 염기성 용액, 염용액, 생리식염수, 주사용수 및 포도당 식염액으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 용매에 1 내지 50 중량%의 농도로 용해된 고분자 용액을 포함하는, 온도에 따라서 솔-젤 거동을 나타내고 생분해성인, 포스파젠 고분자 하이드로젤. 5 제2항에 따른 포스파젠계 고분자가 물, 완충용액, 산성용액, 염기성 용액, 염용액, 생리식염수, 주사용수 및 포도당 식염액으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 용매에 1 내지 50 중량%의 농도로 용해된 고분자 용액을 포함하는, 온도에 따라서 솔-젤 거동을 나타내고 생분해성인, 포스파젠계 고분자 하이드로젤. 6 제1항 또는 제2항에 따른 포스파젠계 고분자, 또는 제4항 또는 제5항에 따른 포스파젠계 고분자 하이드로젤; 및 생리 활성 물질로서, 단백질, 폴리펩티드, 펩티드, 백신, 유전자, 호르몬, 항암제 및 신생혈관 억제제로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 약물, 또는 치료용 세포 또는 이들의 조합을 포함하는, 생리 활성 물질 전달체. 7 제6항에 있어서, 상기 단백질, 폴리펩티드, 및 펩티드는 엑센딘-4, 에리스로포이에틴, 인터페론-알파, 인테페론-베타, 인터페론-감마, 성장 호르몬, 성장 호르몬 방출인자, 신경 성장 인자, G-CSF(granulocyte-colony stimulating factor), GM-CSF(granulocyte macrophage-colony stimulating factor), M-CSF(macrophage-colony stimulating factor), 혈액응고 인자, 인슐린, 옥시토신, 바소프레신, 부신피질 자극호르몬, 섬유아세포 성장인자, 표피성장인자, 혈소판 유래 성장인자, 인슐린유사 성장인자, 혈관내피 성장인자, 변환성장인자, 신경성장인자, 뇌신경성장인자, 뉴로트로핀-3, 뉴로트로핀-4/5, 프로락틴, 룰리베린, 황체형성호르몬 방출호르몬(LHRH), LHRH 작용제, LHRH 길항제, 성장호르몬방출 억제인자, 글루카곤, 인터루킨-2(IL-2), 인터루킨-11(IL-11), 가스트린, 테트라가스트린, 펜타가스트린, 유로가스트론, 세크레틴, 칼시토닌, 엔케팔린, 엔돌핀, 안지오텐신, 갑상선자극호르몬 방출호르몬, 종양괴사인자, 종양괴사인자관련 세포자멸사유발 리간드, 헤파린 분해효소, 골형성 단백질, hANP(human atrial natriuretic peptide), 글루카곤유사 펩타이드, 레닌, 브라디키닌, 바시트라신, 폴리믹신, 콜리스틴, 티로시딘, 그라미시딘, 사이클로스포린, 뉴로텐신, 타키티닌, 뉴로펩타이드 Y, 펩타이드 YY, 혈관활성장내폴리펩타이드, 하수체성 아데닐레이트 사이클레이즈-활성 폴리펩타이드; 상기 물질들 중 어느 하나의 합성 아날로그, 단클론항체, 항체, 및 변형되거나 약효를 나타내는 부분; 효소; 및 사이토카인류로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 것인 생리 활성 물질 전달체. 8 제6항에 있어서, 상기 백신은 간염 백신인 생리 활성 물질 전달체. 9 제6항에 있어서, 상기 유전자는 짧은 간섭 리보헥산(siRNA), 플라스미드 디옥시리보헥산 및 안티센스 올리고디옥시뉴클레오티드(AS-ODN)로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 것인 생리 활성 물질 전달체. 10 제6항에 있어서, 상기 호르몬은 테스토스테론, 에스트라디올, 프로게스테론, 프로스타글란딘; 및 상기 물질들 중 어느 하나의 합성 아날로그, 및 변형되거나 동일한 약효를 나타내는 물질로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 것인 생리 활성 물질 전달체. 11 제6항에 있어서, 상기 항암제는 파클리탁셀, 독소루비신, 5-플루오로우라실, 시스플라틴, 카보플라틴, 옥살리플라틴, 테가푸르, 이리노테칸, 도세탁셀, 사이클로포스파미드, 셈시타빈, 이포스파미드, 미토마이신 C, 빈크리스틴, 에토포사이드, 메토트렉세이트, 토포테칸, 타모시펜, 비노렐빈, 캄토테신, 다누오루비신, 클로람부실, 브리오스타틴-1, 칼리케아미신, 마이아탄신, 레바이솔, DNA 재조합 인터페론 알파-2a, 미토산트론, 니무스틴, 인터페론 알파-2a, 독시플루리딘, 포메스테인, 류프롤라이드 아세테이트, 메게스트롤 아세테이트, 카모포르, 테니포사이드, 블레오마이신, 카무스틴, 헵타플라틴, 엑세메스탄, 아나스트로졸, 에스트라무스틴, 카페시타빈, 고세렐린 아세테이트, 폴리사카라이드 칼륨, 메드록시포게스테론 아세테이트, 에피루비신, 레트로졸, 피라루비신, 토포테칸, 알트레타민, 토레미펜 시트레이트, BCNU, 탁소텔, 악티노마이신 D, 아나스트로졸, 벨로테칸, 이메티닙, 플록수리딘, 젬시타빈, 하이드로시유리아, 졸레드로네이트, 플루타마이드, 발루비신, 스트렙토조신, 폴리에틸렌글라이콜 접합 항암제; 및 상기 물질들 중 어느 하나의 합성 아날로그 및 변형되거나 동일한 약효를 나타내는 물질로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 물질인, 생리 활성 물질 전달체. 12 제6항에 있어서, 상기 신생혈관 억제제는 BMS-275291, 클로드로네이트,6-데옥시-6-데메틸-4-데디메틸아미노테트라시클린, 독시사이클린, 마리마스타트, 2-메톡시에스트라디올, 스쿠알라민, SU5164, 탈리도미드, TNP-470, 콤브레타스타틴 A4, 소이 이소플라본, 엔자스타우린, CC 5013(Revimid), 셀레콕십, ZD 6474, 할로푸지논 하이드로브로마이드, 인터페론-알파, 베바시주맵, AE-941, 인터루킨-12, 혈관 내피 성장 인자 트랩, 세툭시맵, 레비마스타트, S-3304, LY317615, 엔도스타틴, 바탈라니브 (PTK787/ZK 222584), 수니티니브 말레이트(SU11248), 실렌퀴타이드(EMD-121974), MEDI-522, EOS-200-4, ATN-161; 상기 물질들 중 어느 하나의 합성 아날로그 및 변형되거나 동일한 약효를 나타내는 물질로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 생리 활성 물질 전달체. 13 제6항에 있어서, 상기 치료용 세포는 전조골세포, 연골세포, 신생혈관세포, 조골세포, 성체줄기세포, 슈반세포, 희돌기교세포, 간세포(hepatocyte), 벽세포, 근아세포, 인슐린 분비 세포, 내피세포, 평활근세포, 섬유아세포, 베타세포, 내배엽세포, 간 기간 세포(hepatic stem cell), 사구체 엽세포, 골격근세포, 각질세포, 멜라닌세포, 랑켈한스 세포, 머클세포, 진피 섬유아세포 및 지방전구세포로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 것인, 생리 활성 물질 전달체. 14 제6항에 있어서, 중량평균분자량 200 내지 750,000의 양이온성 고분자, 중량평균분자량 200 내지 750,000의 음이온성 고분자, 아미노산, 펩타이드, 단백질, 지방산, 인지질, 비타민류, 약물, 폴리에틸렌글리콜 에스테르, 스테로이드, 아민 화합물, 아크릴계 공중합체, 유기용매, 보존제, 당류, 폴리올, 당함유 폴리올, 당함유 아미노산, 계면활성제, 당함유 이온, 규산염, 금속염 및 암모늄염으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 생리 활성 물질 전달체 전체 중량을 기준으로 1 X 10-6 내지 30 중량%의 양으로 추가로 함유하는, 생리 활성 물질 전달체. 15 다음의 화학식 1c로 표현되는 포스파젠계 고분자 또는 상기 포스파젠계 고분자 용액을 포함하는 포스파젠계 고분자 하이드로젤; 및 생리 활성 물질을 포함하고, 상기 생리 활성 물질은 엑센딘-4, 섬유아세포 성장인자, 인슐린유사 성장인자, 혈관내피 성장인자, 변환성장인자(TGF-β), 뇌신경성장인자, 뉴로트로핀-3, 뉴로트로핀-4/5, 뉴로텐신, 타키티닌, 뉴로펩타이드 Y, 펩타이드 YY, 혈관활성장내폴리펩타이드, 하수체성 아데닐레이트 사이클레이즈-활성폴리펩타이드, 상기 물질들 중 어느 하나의 단클론항체, 및 항체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단백질, 폴리펩티드, 또는 펩티드, 이메티닙, 플록수리딘, 젬시타빈, 하이드로시유리아, 졸레드로네이트, 플루타마이드, 발루비신, 및 스트렙토조신으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 항암제, 레비마스타트, S-3304, LY317615, 엔도스타틴, 바탈라니브(PTK787/ZK 222584), 수니티니브 말레이트 (SU11248), 실렌퀴타이드 (EMD-121974), MEDI-522, EOS-200-4, 및 ATN-161로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 신생혈관 억제제, 및 상기 물질들의 합성 아날로그 및 변형되거나 동일한 약효를 나타내는 물질 로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 것인, 생리 활성 물질 전달체: [화학식 1c] 상기 식에서, p는 에틸렌글리콜의 반복 단위 수를 나타내는 것으로서, 7 내지 50의 값을 갖고, NHCH(R1)CO2R2는 소수성 아미노산 에스테르로서, R1은 H, CH3, CH2SH, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C6H4OH 및 CH2C2NH2C6H4로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, R2는 CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 및 CH2CHCH2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R3)(R4)(R5)는 아미노산, 펩티드, 또는 뎁시 펩티드 에스테르로서, R3는CH(W)이고, R4는 CO2, CO2CH2CO2, CO2CH(CH3)CO2 및 CONHCH(X)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R5는 H, CH3 및 C2H5로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 W와 X는 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, NH(R6)(R7)(R8)와 NH(R6)(R7)(R9)는 관능기를 갖는 치환체를 나타내는 것으로서, R6는CH(Y)이고, R7은 C2H4, C3H6, C4H8, CH2C6H4, CH2CO2, O, CONHCH(Z)O, CO, CO2, S, CONHCH(Z)S, N, CONHCH(Z)N, CON, COCHNH(Z)CON, CONHCH(Z)CO 및 CONHCH(Z)CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R8는 OH, SH, H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5 CH2CHCH2 및 하기의 표 2a 내지 2e의 보호기로 이루어진 군 중에서 선택된 것이고, 여기서 Y, 및 Z은 각각 독립적으로 H, HCH2, CH3, CH(CH3)2,CH2CH(CH3)2, CH(CH3)C2H5, CH2CH2SCH3, CH2C6H5, CH2C2NH2C6H4, CO2C2H5, (CH2)2CO2C2H5, CH2OH, CH(CH3)OH, CH2C6H4OH, CH2COOH, CH2CH2COOH, CH2CONH2, C4H8NH2, C3H6NHC(=NH)NH2, CH2C3N2H3 및 CH2SH로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, R9는 OH, SH, H, NH2, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, CH2C6H5, CH2CHCH2, NHCH(SH)CO2H, NH(CH2)qSH, NH(CH2CH2NH)rH, [NHCH(C4H8NH2)CO]rOH, [NHCH[(CH2)3C(=NH)(NH2)]CO]rOH 및 프로타민으로 이루어진 군 중에서 선택된 것이며, 이 때, q는 1 내지 20의 정수이고, r은 1 내지 18000의 정수이며, a1, a2, b, c, d 및 e는 각 치환체의 함량을 나타내는 값으로서, a1, a2, b, d는 각각 0.01 내지 1.9의 값을 가지고, c 및 e는 각각 0 내지 1.9의 값을 가지며, a1 + a2 + b + c + d + e = 2.0이고, n은 5 내지 100000의 정수이다. [표 2a] [표 2b] [표 2c] [표 2d] [표 2e] 16 제15항에 있어서, 중량평균분자량 200 내지 750,000의 양이온성 고분자, 중량평균분자량 200 내지 750,000의 음이온성 고분자, 아미노산, 펩타이드, 단백질, 지방산, 인지질, 비타민류, 약물, 폴리에틸렌글리콜 에스테르, 스테로이드, 아민 화합물, 아크릴계 공중합체, 유기용매, 보존제, 당류, 폴리올, 당함유 폴리올, 당함유 아미노산, 계면활성제, 당함유 이온, 규산염, 금속염 및 암모늄염으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 생리 활성 물질 전달체 전체 중량을 기준으로 1 X 10-6 내지 30 중량%의 양으로 추가로 함유하는, 생리 활성 물질 전달체.","EP2158254A1, EP2158254A4, KR100968591B1, KR20080110472A, US2009047348A1, US8075916B2, WO2008153277A1",null,"해당없음"]
["K04047","화학","KR","금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법{Surface modifiers and process for surface modifications of particles of metal oxide using the same}",null,"원문이미지","KR20070116574A","2007.11.15","KR0947891B1","2010.03.09","본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 알킬기를 함유하는 알킬실란폴리올 단독 또는 알킬알콕시실란과의 혼합물로 이루어진 표면개질제와, 금속산화물 입자의 친수성 표면에 상기한 표면개질제를 화학적 결합을 통해 코팅하여 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성으로 개질하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 선택 사용함으로써 금속산화물과 개질제간의 화학적 결합을 유도하기 위한 고온 축합반응 중에서의 표면개질제 자체의 축합으로 인한 응집을 억제함은 물론이고 규소-수산기(Si-OH) 결합을 안정화시켜, 고른 입자 분포를 갖는 표면개질된 금속산화물 입자를 제공할 수 있다.","1 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올인 것임을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면개질제 : [화학식 1] RR1Si(OH)2 상기 화학식 1에서, R은 시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일 중에서 선택되고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다.","유복렬, 한준수, 임원철, 정용수","C07F-007/18,C07F-007/08","KR20090050237A","2009.05.20",null,"2027.11.15","1 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올인 것임을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면개질제 : [화학식 1] RR1Si(OH)2 상기 화학식 1에서, R은 시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일 중에서 선택되고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 시클로펜틸실란트리올, 시클로헥사닐실란트리올, 시클로펜텐-1-일실란트리올, 시클로펜텐-2-일실란트리올, 시클로펜텐-3-일실란트리올, 시클로헥센-1-일실란트리올, 시클로헥센-2-일실란트리올, 시클로헥센-3-일실란트리올, 3-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 4-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(4-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3,4-디메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 표면개질제. 4 청구항 1에 있어서, 하기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 추가로 포함하는 것임을 특징으로 하는 표면개질제 : [화학식 2] R3Si(OR2)3 상기 화학식 2에서, R2는 C1-6의 알킬기이고; R3은 3-(글리시독시)프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸, 3,3,3-트리플르오르프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-아미노프로필, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필, 3-아크릴록시프로필, 3-메타아크릴록시프로필, 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 3-이소시아네이토프로필, 3-메르캅토프로필, 3-(메타아크릴옥시)프로필, CF3(CF2)nCH2CH2 (이때, n은 0 내지 10의 정수), 2-(3-헥센닐)에틸, 또는 말단 알켄닐기이다. 5 청구항 4에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 3-시아노프로필트리에톡시실란, 3-시아노프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH2CH3)3, CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH3)3, 2-(3-헥센닐)에틸트리에톡시실란, 2-(3-헥센닐)에틸트리메톡시실란, 또는 말단 알켄닐기에톡시실란 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 표면개질제. 6 청구항 1, 및 청구항 3 내지 5항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 아세트산 수용액이 추가로 첨가되는 것을 특징으로 하는 표면개질제. 7 금속산화물 분말과 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올을 물 및 탄소수 1 내지 6의 알코올 중에서 선택된 용매에 분산시키는 과정, 상기 분산액으로부터 용매를 증발시켜 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는 과정, 및 상기 코팅된 금속산화물 입자를 100 ℃ 내지 130 ℃에서 열처리하여 입자 표면에 알킬실란폴리올이 화학적으로 결합된 금속산화물 입자를 얻는 과정 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법 : [화학식 1] RR1Si(OH)2 상기 화학식 1에서, 시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일 중에서 선택되고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다. 8 청구항 7에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 시클로펜틸실란트리올, 시클로헥사닐실란트리올, 시클로펜텐-1-일실란트리올, 시클로펜텐-2-일실란트리올, 시클로펜텐-3-일실란트리올, 시클로헥센-1-일실란트리올, 시클로헥센-2-일실란트리올, 시클로헥센-3-일실란트리올, 3-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 4-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(4-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3,4-디메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. 9 청구항 7에 있어서, 상기 용매에 하기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 추가로 분산시키는 것을 특징으로 하는 방법 : [화학식 2] R3Si(OR2)3 상기 화학식 2에서, R2는 C1-6의 알킬기이고; R3은 3-(글리시독시)프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸, 알릴, 3,3,3-트리플르오르프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-아미노프로필, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필, 3-아크릴록시프로필, 3-메타아크릴록시프로필, 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 3-이소시아네이토프로필, 3-메르캅토프로필, 3-(메타아크릴옥시)프로필, CF3(CF2)nCH2CH2, 2-(3-헥센닐)에틸, 또는 말단 알켄닐기이다. 10 청구항 7에 있어서, 상기 금속산화물 분말은 실리카, 마이카, 탈크, 산화티타늄, 산화지르코늄, 주석산화물, 철산화물, 및 아연산화물 중에서 선택된 금속산화물이며, 입경이 5 nm 내지 100 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 방법. 11 청구항 7, 또는 8항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 상기 금속산화물 분말에 대하여 0.1 내지 30 중량% 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법. 12 청구항 9에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 상기 금속산화물 분말에 대하여 0.1 내지 10 중량% 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법. 13 청구항 7 내지 10항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 아세트산 수용액이 추가로 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법. 14 청구항 13에 있어서, 상기 아세트산 수용액은 1 중량% 농도의 것을 기준으로 할 때, 금속산화물 분말 중량에 대비하여 1 내지 5 중량% 범위로 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.","EP2062948A2, EP2062948A3, EP2062948B1, EP2062948B8, JP2009120804A, JP4982427B2, KR100947891B1, KR20090050237A, US2009130306A1","G","K04047(KR)\nF02613(JP)\nF04051(GB)\nF04052(DE)\nF04053(FR)"]
["K04014","영상처리","KR","환경 카메라 시스템을 이용한 사용자 착용 카메라에 대한물체 자세의 간접적 추정 방법{Indirect Object Pose Estimation Method With Respect To User-Wearable Camera Using Multi-view Camera System}",null,"원문이미지","KR20070015858A","2007.02.15","KR0825859B1","2008.04.22","세대 이상의 복수의 카메라를 포함하는 환경 카메라군, 3차원 캘리브레이션용 구조물, 사용자 착용 카메라, 사용자에 부착된 사용자 마크점 및 움직이는 물체에 부착된 마크점으로 구성되는 시스템에 있어서, 환경 카메라에서 사용자의 마크점과 물체의 마크점을 검출하여 사용자 착용 카메라에 물체가 어떻게 투영되는지를 알아보는 방법이 개시된다. 본 발명에서는, 사용자 착용 카메라에 물체의 마크점이 보이지 않아 사용자 착용 카메라 좌표계와 움직이는 물체에 부착된 마크점 좌표계 사이의 변환관계를 기존의 방법으로 구할 수 없는 경우, 환경 카메라를 이용하여 사용자 마크점과 움직이는 물체 마크점을 검출하여 사용자 착용 카메라와 물체 마크점 좌표계 사이의 변환관계를 구하는 방법이 제시된다.","1 복수의 카메라를 포함하는 환경 카메라군, 원점에 세계 좌표계가 설정되는 카메라 캘리브레이션용 3차원 구조물, 사용자가 착용하는 카메라, 상기 사용자에 부착된 마크점 및 상기 사용자로부터 이격되어 위치하는 물체에 부착된 마크점을 포함하는 시스템을 사용하여, 상기 환경 카메라군을 이용하여 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계 및 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환 관계를 검출하는 단계(a); 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계(b); 상기 환경 카메라군을 이용하여 상기 세계 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 검출하는 단계(c); 및 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환식을 구하는 단계(d)를 포함하는 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법.","정문호, 유범재","H04N-013/00,H04N-013/02",null,null,null,"2027.02.15","1 복수의 카메라를 포함하는 환경 카메라군, 원점에 세계 좌표계가 설정되는 카메라 캘리브레이션용 3차원 구조물, 사용자가 착용하는 카메라, 상기 사용자에 부착된 마크점 및 상기 사용자로부터 이격되어 위치하는 물체에 부착된 마크점을 포함하는 시스템을 사용하여, 상기 환경 카메라군을 이용하여 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계 및 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환 관계를 검출하는 단계(a); 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계(b); 상기 환경 카메라군을 이용하여 상기 세계 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 검출하는 단계(c); 및 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환식을 구하는 단계(d)를 포함하는 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 2 제1항에 있어서, 상기 단계(b)는, 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 라 할 경우, 의 수학식에 의하여 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계인 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 3 제1항에 있어서, 상기 단계(d)는, 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 세계 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 라 할 경우, 의 수학식에 의하여 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환식을 구하는 단계인 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 4 제1항에 있어서, 상기 단계(b)는, 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 라 할 경우, 의 수학식에 의하여 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계이며, 상기 단계(d)는, 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 세계 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 라 할 경우, 의 수학식에 의하여 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계에 대한 상기 물체에 부착된 마크점 좌표계의 변환식을 구하는 단계인 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 5 제1항 또는 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 환경 카메라군은 3대 이상의 환경 카메라를 포함하는 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 6 제1항 또는 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 사용자가 착용하는 카메라는 HMD 투시형 카메라인 것을 특징으로 하는 사용자 착용 카메라에 대한 물체 자세의 간접적 추정 방법. 7 복수의 카메라를 포함하는 환경 카메라군, 원점에 세계 좌표계가 설정되는 카메라 캘리브레이션용 3차원 구조물, 사용자가 착용하는 카메라 및 상기 사용자에 부착된 마크점을 포함하는 시스템을 사용하여, 상기 환경 카메라군을 이용하여 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계 및 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환 관계를 검출하는 단계; 및 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사용자에 부착된 마크점 좌표계와 사용자 착용 카메라 좌표계 사이의 변환관계를 구하는 방법. 8 제 7항에 있어서, 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계는, 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 , 상기 세계 좌표계에 대한 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계의 변환관계를 , 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환관계를 라 할 경우, 의 수학식에 의하여 상기 사용자에 부착된 마크점 좌표계에 대한 상기 사용자가 착용하는 카메라 좌표계의 변환식을 구하는 단계인 것을 특징으로 하는 사용자에 부착된 마크점 좌표계와 사용자 착용 카메라 좌표계 사이의 변환관계를 구하는 방법.","KR100825859B1",null,"해당없음"]
["K03979","재료","KR","마그네슘계 수소저장재료의 제조방법{FABRICATION METHOD OF MAGNESIUM BASED HYDROGEN STORAGE METARIAL}",null,"원문이미지","KR20060112215A","2006.11.14","KR0811116B1","2008.02.29","본 발명에 따른 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법은 마그네슘 수소화물 분말과 전이금속 할로겐화물 분말의 혼합물을 형성하는 단계, 혼합물과 볼을 용기에 장입하는 단계, 용기에 불활성 가스 또는 수소 가스를 충진하는 단계 및 혼합물에 대하여 고에너지 볼밀링(high energy ball milling)을 실시하는 단계를 포함한다.","1 마그네슘 수소화물 분말과 전이금속 할로겐화물 분말의 혼합물을 형성하는 단계, 상기 혼합물과 볼을 용기에 장입하는 단계, 상기 용기에 불활성 가스 또는 수소 가스를 충진하는 단계, 및 상기 혼합물에 대하여 5~30 분 동안 고에너지 볼밀링(high energy ball milling)을 실시하는 단계 를 포함하는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법.","심재혁, 진선아, 조영환","C01B-003/00,C01F-005/00",null,null,null,"2026.11.14","1 마그네슘 수소화물 분말과 전이금속 할로겐화물 분말의 혼합물을 형성하는 단계, 상기 혼합물과 볼을 용기에 장입하는 단계, 상기 용기에 불활성 가스 또는 수소 가스를 충진하는 단계, 및 상기 혼합물에 대하여 5~30 분 동안 고에너지 볼밀링(high energy ball milling)을 실시하는 단계 를 포함하는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 2 제1항에 있어서, 상기 혼합물을 형성하는 단계에서, 상기 전이금속 할로겐화물 분말을 상기 혼합물에 대하여 0.1~5 mol% 첨가하는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 3 제2항에 있어서, 상기 전이금속 할로겐화물은, 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 철(Fe) 및 크롬(Cr)의 불화물 또는 염화물 중 적어도 하나를 포함하는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 4 제2항에 있어서, 상기 볼은 5~30mm의 직경을 갖는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 5 제2항에 있어서, 상기 용기에 투입되는 상기 혼합물과 상기 볼의 중량비가 1:1 내지 1:100인 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 6 제2항에 있어서, 상기 볼밀링은 쉐이커밀(shaker mill), 진동밀(vibratory mill), 유성밀(planetary mill) 또는 어트리터밀(attritor mill)을 이용하여 이루어지는 마그네슘계 수소저장재료의 제조방법. 7 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤 또는 헬륨인 마그네슘 수소저장재료의 제조방법.","AT550294T, EP1923350A2, EP1923350A3, EP1923350B1, JP2008120675A, JP4918463B2, KR100811116B1, US2008111105A1, US7871537B2","H","K03979(KR)\nF02606(JP)\nF03632(FR)\nF03631(DE)"]
["K03977","화학","KR","시클로헥세닐실란의 제조 방법{PREPARATION METHOD OF CYCLOHEXENYLSILANE}",null,"원문이미지","KR20070056294A","2007.06.08","KR0899605B1","2009.05.20","본 발명은 시클로헥세닐실란의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공액 디엔 (Conjugated Diene)과 비닐 실란 화합물을 가열 반응시켜 시클로헥세닐실란을 제조할 때, 특정 비점의 탄화수소 화합물을 함께 넣거나 또는 과량의 비닐 실란 화합물과 특정 비점의 탄화수소 화합물을 함께 넣어 가열 반응시킴으로써 연속 공정 혹은 대량 생산에서 문제가 되었던 고온 반응에서의 불포화 유기 화합물의 중합물, 유기 실란 화합물의 고분자 중합물 및 타르의 생성을 효과적으로 억제할 수 있는 시클로헥세닐실란의 제조 방법에 관한 것이다.시클로헥세닐실란은 유·무기 화합물의 보강제, 고무 합성시에 첨가하는 결합제, 실리카의 극성을 개질하는 기능성 실리콘 고분자, 살충제의 합성 중간 물질, 절연 (insulating) 무기 물질 또는 금속과 접촉력이 좋은 폴리올레핀 고분자의 출발 물질, 유-무기 하이브리드 물질로서 이용될 뿐만 아니라 근래 전자 산업의 발달과 함께 반도체 소자가 점점 가속화, 고밀도화, 고집적화 및 미세화가 요구됨에 따라 전자의 이동이 용이하며 분자 단위의 차원에서 제어 기능을 가지는 유기 초박막 소자의 개발 등에의 응용이 기대되는 물질이다.","1 공액 디엔과 화학식 2로 표시되는 비닐 실란 화합물을 가열 반응시켜 화학식 1로 표시되는 시클로헥세닐실란을 제조함에 있어서, 비점이 30 ~ 400℃ 범위인 탄화수소 화합물을 함께 넣는 것을 특징으로 하는 시클로헥세닐실란의 제조 방법. [화학식 1] [화학식 2] 식 중에서, R1과 R2는 같거나 다를 수 있고, 수소 원자 및 탄소수 1∼6의 알킬기 중에서 선택되고, R3은 탄소수 1 ~ 6의 알킬기 중에서 선택되며, X는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼3의 알콕시기 중에서 선택되고, m은 2 또는 3이다.","유복렬, 한준수, 임원철, 정동의, 정용수","C07F-007/12,C07F-007/14,C07F-007/08","KR20080107911A","2008.12.11",null,"2027.06.08","1 공액 디엔과 화학식 2로 표시되는 비닐 실란 화합물을 가열 반응시켜 화학식 1로 표시되는 시클로헥세닐실란을 제조함에 있어서, 비점이 30 ~ 400℃ 범위인 탄화수소 화합물을 함께 넣는 것을 특징으로 하는 시클로헥세닐실란의 제조 방법. [화학식 1] [화학식 2] 식 중에서, R1과 R2는 같거나 다를 수 있고, 수소 원자 및 탄소수 1∼6의 알킬기 중에서 선택되고, R3은 탄소수 1 ~ 6의 알킬기 중에서 선택되며, X는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼3의 알콕시기 중에서 선택되고, m은 2 또는 3이다. 2 제1항에 있어서, 상기 가열 반응은 압력 반응기 또는 연속 반응 장치를 이용하여 150 ~ 220℃의 온도에서 수행되는 것이 특징인 시클로헥세닐실란의 제조 방법. 3 제1항에 있어서, 상기 가열 반응은 압력 반응기 또는 연속 반응 장치을 이용하여 100 ~ 500 PSIG의 압력에서 수행되는 것이 특징인 시클로헥세닐실란의 제조 방법. 4 제1항에 있어서, 탄화수소 화합물은 탄소수 3 ~ 20 범위의 지방족 탄화수소, 탄소수 6 ~ 12 범위의 방향족 탄화수소, 페닐기로 치환된 탄소수 1 ~ 5 범위의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 ~ 5 범위의 알킬기로 치환된 방향족 탄화수소, 탄소수 1 ~ 5 범위의 알킬기로 치환된 비페닐, 탄소수 1 ~ 5 범위의 알킬기로 치환된 터페닐 및 탄소수 1 ~ 5 범위의 알킬기로 치환된 나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 시클로헥세닐실란의 제조 방법. 5 제1항에 있어서, 탄화수소 화합물은 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, 데칸, 도데칸, 운데칸, 테트라데칸, 헥사데칸, 옥타데칸, 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 크실렌, 2,2-디페닐프로판, 트리페닐메탄, 1,1,2-트리페닐에탄, 1,1,1-트리페닐에탄, 디에틸페닐, 트리에틸페닐, o-터페닐, m-터페닐, p-터페닐, 시클로헥실비페닐, 1,2,3-트리메틸나프탈렌, 1,2,5-트리메틸나프탈렌, 디에틸벤젠, 헥실벤젠, 디벤질벤젠, 디벤질톨루엔 및 시클로헥실벤젠으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 시클로헥세닐실란의 제조 방법. 6 제1항에 있어서, 비닐 실란 화합물을 공액 디엔에 대하여 몰비로 1~4배로 넣는 것을 특징으로 하는 시클로헥시닐실란의 제조 방법. 7 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 탄화수소 화합물은 공액 디엔에 대하여 부피비로 0.5 ~ 10배 사용되는 것이 특징인 시클로헥세닐실란의 제조 방법.","KR100899605B1, KR20080107911A",null,"해당없음"]
["K03931","재료","KR","폴리머와 고유전성 세라믹이 코팅된 금속 입자를 포함하는복합 유전막 및 이를 구비하는 캐패시터{COMPOSITE DIELECTRIC FILM INCLUDING POLYMER AND HIGH DIELECTRIC CERAMIC COATED METALLIC PARTICLES AND CAPACITOR INCLUDING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20060099318A","2006.10.12","KR0813177B1","2008.03.06","본 발명은 폴리머와 고유전성 세라믹이 코팅된 금속 입자를 포함하는 복합 유전막 및 이를 구비하는 캐패시터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 졸(sol) 형태의 고유전 세라믹 전구체(precursor)를 이용하여 금속 입자를 코팅 시 금속 입자간의 급격한 뭉침 현상을 최소화하기 위해 금속입자 표면에 말단기가 친수성 관능기로 되어있는 티올 화합물을 결합시켜 제조된 고유전성 세라믹이 코팅된 금속 입자를 포함하는 복합 유전막 및 이를 구비하는 내장형 캐패시터에 관한 것이다.","1 폴리머 기질과 금속입자를 포함하는 복합 유전막에 있어서, 상기 금속입자는 티올 화합물로 처리 후, 세라믹으로 코팅된 것을 특징으로 하는 복합 유전막.","김일두, 홍재민, 최승훈, 정성윤","H01G-004/12",null,null,null,"2026.10.12","1 폴리머 기질과 금속입자를 포함하는 복합 유전막에 있어서, 상기 금속입자는 티올 화합물로 처리 후, 세라믹으로 코팅된 것을 특징으로 하는 복합 유전막. 2 제 1 항에 있어서, 상기 티올 화합물은 말단기에 -OH , -COOH, -NH3, -C≡N, -SO2, -NO2 의 친수성 관능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 유전막. 3 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머는 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스계 유도체, 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트(PVAc), 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜(PVA), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스틸렌, 폴리스틸렌 공중합체, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드, 폴리이미드 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 복합 유전막. 4 제 1 항에 있어서, 상기 금속입자는 Ag, Fe, Ni, Al, Au, Pt, Cu, Mo, Cr, Ti 또는 Ta인 것을 특징으로 하는 복합 유전막 5 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹은 ZrO2, TiO2, BaTiO3, Al2O3, Ta2O5, SrTiO3, (Ba,Sr)TiO3, (Pb,Zr)TiO3, Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3 또는 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7인 것을 특징으로 하는 복합 유전막. 6 제 1 항에 있어서, 상기 금속입자는 고분자 부피의 0.5 ~ 90 부피%인 것을 특징으로 하는 복합 유전막. 7 금속 입자 현탁액 표면에 티올 화합물 용액을 첨가시킨 다음, 비이온 계면활성제로 처리하는 단계; 상기 비이온 계면활성제가 처리된 금속 입자 표면에 세라믹 전구체 졸 용액을 반응시켜 표면을 코팅하는 단계; 상기 세라믹 전구체가 코팅된 금속 입자를 가열하여 세라믹이 코팅된 금속 분말을 얻는 단계; 유기용매 내에 폴리머를 용해시켜 폴리머 기질을 얻는 단계; 상기 세라믹이 코팅된 금속 분말을 상기 폴리머 기질 내에 분산시켜 현탁액을 형성하는 단계; 및 기판 상에 상기 현탁액을 도포하고 열처리하여 복합 유전막을 제조하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 8 제 7 항에 있어서, 상기 금속입자 현탁액은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로판올, 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide) 및 디메틸 술폭사이드(Dimethyl sulfoxide) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 용매에 금속분말을 분산시켜 제조된 것임을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 9 제 7 항에 있어서, 상기 티올 화합물은 말단기가 -OH, -COOH, -NH3, -C≡N, -SO2, -NO2의 친수성 관능기로 되어있는 것을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 10 제 7 항에 있어서, 상기 비이온 계면활성제는 폴리비닐피롤리돈, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르 폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르, 소르비탄지방산에스테르 및 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 11 제 7 항에 있어서, 상기 세라믹 전구체는 지르코늄 알콕사이드, 지르코늄 이소프로폭사이드, 티타늄 알콕사이드, 티타늄(IV) 클로라이드, 티타늄(IV) 부톡사이드, 바륨티타네이트(BaTiO3) 또는 리드 지르코늄 티타네이트(Pb,Zr)TiO3 인 것을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 12 제 7 항에 있어서, 상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로판올, 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide), 디메틸 술폭사이드(Dimethyl sulfoxide) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 복합 유전막의 제조방법. 13 청구항 1 내지 6 중에서 선택된 어느 한 항의 복합 유전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 내장형 캐패시터.","KR100813177B1",null,"해당없음"]
["K03911","연료전지","KR","고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극의 제조 방법{PREPARATION METHOD OF COPPER-BASED CERMET ANODE FOR SOLID OXIDE FUEL CELL}",null,"원문이미지","KR20060096370A","2006.09.29","KR0804481B1","2008.02.12","본 발명은 고체 산화물 연료전지의 산화극 물질로 사용될 수 있는 구리계 복합체를 간편하게 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 CuO/GDC, CuO/YSZ 또는 CuO/GDC/YSZ의 성형체를 산화구리의 융점보다 약간 높은 온도에서 짧은 시간 동안 소결하여 즉석(in situ) 침투가 일어나도록 함으로써 간편하게 CuO-YSZ 소결체를 제조하는 공정을 포함한다.","1 (1) Y2O3으로 안정화한 ZrO2 또는 Ce0.9Gd0.1O2 분말을 용매에 분산시키고, 산성계 구리염을 첨가하여 혼합하는 단계, (2) 염기성계 구리염을 첨가하고 혼합하는 단계, (3) 용매를 제거하여 건조 분말을 얻는 단계, (4) 단계 (3)에서 얻어지는 분말을 300 내지 600℃에서 하소하여 복합 분말을 얻는 단계 및 (5) 상기 단계 (4)에서 얻어진 복합 분말을 성형하고, 1100 내지 1250℃에서 열처리하여 소결시키는 단계를 포함하는, 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법.","임경란, 정윤지, 김창삼","H01M-004/88,H01M-004/86,C04B-035/01",null,null,null,"2026.09.29","1 (1) Y2O3으로 안정화한 ZrO2 또는 Ce0.9Gd0.1O2 분말을 용매에 분산시키고, 산성계 구리염을 첨가하여 혼합하는 단계, (2) 염기성계 구리염을 첨가하고 혼합하는 단계, (3) 용매를 제거하여 건조 분말을 얻는 단계, (4) 단계 (3)에서 얻어지는 분말을 300 내지 600℃에서 하소하여 복합 분말을 얻는 단계 및 (5) 상기 단계 (4)에서 얻어진 복합 분말을 성형하고, 1100 내지 1250℃에서 열처리하여 소결시키는 단계를 포함하는, 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 2 제1항에 있어서, 최종적으로 얻어지는 구리계 산화극 물질 중의 CuO 함량이 20 내지 60중량%인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 3 제1항에 있어서, 상기 단계 (5)의 열처리 시간이 30분 이하인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 4 제1항에 있어서, 상기 단계 (5)의 열처리 온도가 1130 내지 1180℃인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 5 제1항에 있어서, 상기 산성계 구리염은 초산구리, 질산구리, 황산구리 및 염화구리로 구성된 군에서 선택되는 것인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 6 제1항에 있어서, 상기 염기성계 구리염은 탄산구리인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 7 제1항에 있어서, 최종적으로 얻어지는 산화극 물질이 CuO/Ce0.9Gd0.1O2 복합체 또는 CuO/Ce0.9Gd0.1O2/Y2O3으로 안정화한 ZrO2 복합체인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 8 제1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서 얻어지는 복합 분말을 MgO 졸로 표면 개질하고, 이어서 단계 (5)를 수행하는 것인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 9 제1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 Y2O3으로 안정화한 ZrO2를 사용하고, 단계 (4)에서 얻어지는 분말에 GDC 분말 또는 MgO 졸로 표면 개질한 GDC 분말을 첨가하여 CuO/Ce0.9Gd0.1O2/Y2O3으로 안정화한 ZrO2 복합 분말을 제조하고, 이어서 단계 (5)를 수행하는 것인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 10 제1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 Y2O3으로 안정화한 ZrO2를 사용하고, 단계 (4)에서 얻어지는 분말을 MgO 졸로 표면 개질한 다음 Ce0.9Gd0.1O2 분말 또는 MgO로 표면 개질한 Ce0.9Gd0.1O2 분말을 첨가하여 CuO/Ce0.9Gd0.1O2/Y2O3으로 안정화한 ZrO2 복합 분말을 제조하고, 이어서 단계 (5)를 수행하는 것인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 11 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 CuO/Ce0.9Gd0.1O2/Y2O3으로 안정화한 ZrO2복합 분말의 비 CuO : YSZ : GDC가 20 내지 60중량% : 30 내지 70중량% : 5 내지 30중량%인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법. 12 제8항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 표면 개질에 사용되는 MgO 졸의 양은 표면이 개질되는 분말의 중량에 대하여 MgO의 양이 0.1 내지 3중량%가 되는 양인 고체 산화물 연료전지용 구리계 산화극 물질의 제조 방법.","KR100804481B1",null,"해당없음"]
["K03941","화학","KR","금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체 및 이의 제조방법과 이를 함유하는 전기영동성 컬러 잉크 재료 및전기영동성 디스플레이 구조체{POLYMER MICROCAPSULE COMPLEX WITH GOLD NANO PARTICLES, PREPARATION THEREOF, AND ELECTROPHORETIC COLOR INK MATERIAL AND ELECTROPHORETIC DISPLAY COMPLEX COMPRISING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20070006712A","2007.01.22","KR0835396B1","2008.05.29","본 발명은 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체 및 이의 제조 방법과 이를 함유하는 전기영동성 컬러 잉크 재료 및 전기영동성 디스플레이 구조체에 관한 것으로, 보다 구체적으로 본 발명은 표면 플라즈몬 현상에 의하여 고유의 특이 컬러를 나타내는 금 나노 입자를, 금 등의 전이 금속에 대한 친화력을 지닌 관능기를 표면에 갖는 고분자 미세 입자 지지체의 표면에 복합화시켜, 금 나노 입자의 안정적인 색상 발현과 전기 응답성 및 컬러 영속성 유지가 가능하도록 제조한 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체 및 이의 제조 방법과 이를 함유하는 전기영동성 컬러 잉크 재료 및 전기영동성 디스플레이 구조체에 관한 것이다.","1 (1) 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 그 표면에 전이 금속에 대한 화학적 친화력이 있는 표면 관능기를 갖는 고분자 미세 입자와, (2) 상기 고분자 미세 입자의 표면에 복합되어 있는 금 나노 입자를 포함하며, 상기 전이 금속에 대한 화학적 친화력이 있는 표면 관능기는 카르복실기, 히드록시기, 아민기, 니트릴기, 티올기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포함하는 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체.","이상수, 김준경, 임해진","C08J-003/12,C08K-003/08",null,null,null,"2027.01.22","1 (1) 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 그 표면에 전이 금속에 대한 화학적 친화력이 있는 표면 관능기를 갖는 고분자 미세 입자와, (2) 상기 고분자 미세 입자의 표면에 복합되어 있는 금 나노 입자를 포함하며, 상기 전이 금속에 대한 화학적 친화력이 있는 표면 관능기는 카르복실기, 히드록시기, 아민기, 니트릴기, 티올기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포함하는 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 2 제1항에 있어서, 상기 금 나노 입자의 평균 입경은 1 ~ 100 nm인 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 3 제1항에 있어서, 상기 금 나노 입자는 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체 중량에 대하여 0.0001 ~ 0.1 중량%의 양으로 존재하는 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 6 제1항에 있어서, 상기 코어는 방향족 비닐계 화합물, 시안계 비닐계 화합물, 아크릴레이트계 화합물, 메타크릴레이트계 화합물, 디아크릴레이트계 화합물 및 디메타크릴레이트계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 소수성 비닐계 단량체가 가교 중합되어 이루어진 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 7 제6항에 있어서, 상기 소수성 비닐계 단량체는 스티렌, 디비닐벤젠, 에틸비닐벤젠, 알파메틸스티렌, 플루오로스티렌, 비닐피리딘, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실에틸아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N,N'-디메틸아미노에틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실에틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트 및 1,3-부틸렌글리콜디메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 단량체인 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 8 제1항에 있어서, 상기 쉘은 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 알킬(메타)아크릴아미드, 말레산, 푸마르산, (메타)아크릴로니트릴, 염화비닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 친수성 비닐계 단량체가 가교 중합되어 이루어진 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10 제1항에 있어서, 상기 금 나노 입자가 고분자 미세 입자에 복합화되는 힘은 반데르발스힘, 정전기적 상호 작용 및 화학 결합 중 어느 하나에 의하는 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체. 11 (1) 소수성 비닐계 단량체, 카르복실기, 히드록시기, 아민기, 니트릴기, 티올기 중 어느 하나인 표면 관능기를 갖는 친수성 비닐계 단량체, 친수성 중합 개시제 및 가교제를 용매에 용해시켜 무유화 중합으로 친수성 비닐계 단량체가 중합된 쉘과 소수성 비닐계 단량체가 중합된 코어를 가지는 고분자 미세 입자를 제조하는 단계; (2) 금(Au)의 염을 환원제를 이용하여 환원시켜 금 나노 입자 수용액을 만드는 단계; (3) 상기 고분자 미세 입자를 금 나노 입자 수용액과 혼합하고 교반시켜 고분자 미세 입자 표면에 금 나노 입자를 흡착시켜 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 얻는 단계 를 포함하는, 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 제조 방법. 12<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 13<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 14 제11항에 있어서, 상기 단계 (3)에서 얻어지는 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체는 금 나노 입자를 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 중량에 대하여 0.0001 ~ 0.1 중량%의 양으로 함유하는 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 제조 방법. 15 제11항에 있어서, 상기 소수성 비닐계 단량체는 방향족 비닐계 화합물, 시안계 비닐계 화합물, 아크릴레이트계 화합물, 메타크릴레이트계 화합물, 디아크릴레이트계 화합물 및 디메타크릴레이트계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 단량체인 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 제조 방법. 16 제15항에 있어서, 상기 소수성 비닐계 단량체는 스티렌, 디비닐벤젠, 에틸비닐벤젠, 알파메틸스티렌, 플루오로스티렌, 비닐피리딘, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실에틸아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N,N'-디메틸아미노에틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실에틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트 및 1,3-부틸렌글리콜디메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 단량체인 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 제조 방법. 17 제11항에 있어서, 상기 친수성 비닐계 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 알킬(메타)아크릴아미드, 말레산, 푸마르산, (메타)아크릴로니트릴, 염화비닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 단량체인 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체의 제조 방법. 18<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 19 제1항 내지 제3항, 제6항 내지 제8항, 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 무극성 용매에 분산시킨 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 함유하는 전기영동성 컬러 잉크 재료. 20<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 21 제1항 내지 제3항, 제6항 내지 제8항, 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 함유하는 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 함유하는 전기영동성 디스플레이 구조체. 22 제19항에 따른 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 함유하는 전기영동성 컬러 잉크 재료를 함유하는 것인 금 나노 입자/고분자 미세 입자 복합체를 함유하는 전기영동성 디스플레이 구조체. 23<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100835396B1",null,"해당없음"]
["K03874","반도체","KR","상변화 메모리 소자 및 그 제조방법{PHASE-CHANGE RAM AND FABRICATION METHOD THEREOF}",null,"원문이미지","KR20060128888A","2006.12.15","KR0830060B1","2008.05.09","본 발명은 상변화 메모리 소자에 있어서, 상변화 재료를 U-groove 안에 채워 넣어 상변화 재료의 부피를 최소화함으로써 전류에 의한 상변화시 발생할 수 있는 조성 변화를 방지하고, 이와 함께 상변화 재료 주위의 열을 외부로 방출할 수 있는 구조를 통해 상변화 메모리 소자가 열에 의해 변형되는 것을 방지하도록 구조적 안정성을 확보하며, 상변화 메모리 소자 내의 상변화 재료가 차지하는 부피를 줄여 고집적화를 가능하게 하고, 상변화 재료 내의 상변화 영역을 항상 일정하게 유지하도록 하여 전기적으로 우수한 특성을 갖는 U-groove 형태의 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.","1 기판; 기판 위에 형성되며, 상면에 하방으로 파여 진 그루브가 형성된 제1절연층; 상기 제1절연층 위에 증착되어 상기 그루브의 형상을 따라 하방으로 움푹 꺼진 오목부가 존재하는 하부 전극; 상기 오목부에 채워진 상변화 재료; 상기 상변화 재료 위에 형성되며, 상기 상변화 재료의 상면 중 일부가 노출되도록 개구부가 형성된 제2절연층; 및 상기 개구부를 통해 상기 상변화 재료 상면과 접촉하는 상부 전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자.","김용태, 염민수","H01L-027/115",null,null,null,"2026.12.15","1 기판; 기판 위에 형성되며, 상면에 하방으로 파여 진 그루브가 형성된 제1절연층; 상기 제1절연층 위에 증착되어 상기 그루브의 형상을 따라 하방으로 움푹 꺼진 오목부가 존재하는 하부 전극; 상기 오목부에 채워진 상변화 재료; 상기 상변화 재료 위에 형성되며, 상기 상변화 재료의 상면 중 일부가 노출되도록 개구부가 형성된 제2절연층; 및 상기 개구부를 통해 상기 상변화 재료 상면과 접촉하는 상부 전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 2 제 1 항에 있어서, 상기 상변화 재료의 부피는 상변화가 일어나는 영역과 같은 부피인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 3 제 1 항에 있어서, 상기 상변화 재료의 상면을 제외한 나머지 부분은 상기 하부 전극과 접촉하여 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 4 제 1 항에 있어서, 상기 오목부의 최대 깊이는 상기 상변화 재료의 하방 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 5 제 1 항에 있어서, 상기 상변화 재료는 Ge, Sb, Te, Sn, Ag, In, Bi, Se, Pb, As, S의 원소들 중 적어도 2개의 원소의 조합으로 이루어진 물질인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 6 제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극은 W, WN, WCN, TiN 또는 TiAlN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 7 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 상변화 재료의 상변화를 유도하는 열을 발생시키는 열전극으로, W, WN, WCN, TiN 또는 TiAlN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 8 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극과 상기 제2절연층 사이에 개재된 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 9 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극의 상면과 전기 접속하는 상부 전극 접촉과, 상기 하부 전극의 상면과 전기 접속하는 하부 전극 접촉을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 10 제 1 항에 있어서, 상기 그루브의 일 단면은 U-자형인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자. 11 기판 위에 제1절연층을 형성하는 단계; 상기 제1절연층의 상면에 하방으로 그루브를 형성하는 단계; 상기 그루브가 형성된 영역을 포함한 제1절연층 위에 전도성 재료를 증착하여 상기 그루브의 형상을 따라 하방으로 움푹 꺼진 오목부가 존재하는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극이 형성하는 상기 오목부에 상변화 재료를 형성하는 단계; 상기 하부 전극 및 상기 상변화 재료 위에 제2절연층을 형성하는 단계; 상기 상변화 재료의 상면 중 일부가 노출되도록 상기 제2절연층에 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 개구부를 통해 상기 상변화 재료의 상면과 접촉하는 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법. 12 제 11 항에 있어서, 상기 그루브는 포토리소그래피 공정 및 습식 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법. 13 제 11 항에 있어서, 상기 상변화 재료는 상기 오목부가 형성된 영역 내에 한정되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법. 14 제 13 항에 있어서, 상기 하부 전극 위에 상기 상변화 재료 물질을 증착시킨 후, 상기 오목부가 형성된 영역 내에만 상기 상변화 재료가 남아있도록 연마 공정 및 습식 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법. 15 제 11 항에 있어서, 상기 제2절연층에 개구부를 형성한 후, 스페이서 물질을 증착하고 비등방성 에칭을 통해 상기 상변화 재료의 상면 중 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법. 16 제 11 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 제2절연층 위에 제3절연층을 형성한 후, 포토리소그래피 및 식각 공정을 이용해 상기 상부 전극 및 하부 전극에 각각 전기 접속하는 상부 전극 접촉 및 하부 전극 접촉을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법.","KR100830060B1",null,"해당없음"]
["K03859","연료전지","KR","파괴저항성이 높은 평판형 고체산화물 연료전지 스택용복합 밀봉재 및 그 제조방법{SEALING COMPOSITE FOR FLAT SOLID OXIDE FUEL CELL STACK HAVING HIGH BREAKING-RESISTANCE AND THE FABRICATION METHOD THEREOF}",null,"원문이미지","KR20060081976A","2006.08.28","KR0812105B1","2008.03.04","본 발명의 복합 밀봉재는, 기밀성은 우수하지만 파괴저항성이 낮은 유리의 파괴인성을 증가시켜 스택의 기밀성을 유지하면서 열싸이클 안정성을 향상시킨다. 이를 위해, 유리 기지상에 알파 알루미나 섬유상 입자, 알파 알루미나 입자상 입자, 금속 입자를 혼합하여 첨가함으로써, 섬유상 및 입자상 알루미나 입자에 의한 균열편향 및 균열가교 효과와, 금속 입자에 의한 균열유인 및 소성변형 효과를 통해 파괴인성을 0.5 MPa·m0.5에서 6 MPa·m0.5까지 현저히 증가시킬 수 있다.본 발명의 고 파괴인성 복합 밀봉재를 사용하는 경우, 스택 내의 불균일 온도 분포나 열싸이클 운전에서 발생하는 열응력 하에서도 스택의 기밀성과 안정성을 유지할 수 있기 때문에, 복합 밀봉재의 파괴인성 증가는 대면적 스택의 신뢰성 향상을 위한 가장 중요한 요소로 작용한다.","1 유리 기지상에 평균 결정립 (grain)의 크기가 0.2㎛ 이하인 알파 알루미나 섬유상 보강재가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재.","이종호, 이해원, 김주선, 송휴섭, 손지원, 김혜령, 김형철, 김성문, 정화영","H01M-008/02,H01M-002/08","KR20080019506A","2008.03.04",null,"2026.08.28","1 유리 기지상에 평균 결정립 (grain)의 크기가 0.2㎛ 이하인 알파 알루미나 섬유상 보강재가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 2 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉재 내 상기 알파 알루미나 섬유상 보강재의 함량은 5∼50 부피% 범위 내인 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 3 제 1 항에 있어서, 상기 알파 알루미나 섬유상 보강재의 길이 대 직경의 비인 종횡비가 10∼100 범위 내인 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 4 제 1 항에 있어서, 상기 알파 알루미나 섬유상 보강재는 일 방향으로 배향된 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 5 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉재는 입상 알파 알루미나 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 6 제 5 항에 있어서, 상기 밀봉재는 금속 분말 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 7 제 6 항에 있어서, 상기 금속 분말 입자는 은(Ag), 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), Fe-Ni 합금, 몰리브데늄(Mo) 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 8 제 6 항에 있어서, 상기 금속 분말 입자는 상기 입상 알파 알루미나 분말의 표면에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 9 제 8 항에 있어서, 상기 밀봉재 내 상기 입상 알파 알루미나 분말과 상기 금속 분말 입자의 결합체인 복합 분말의 함량은 20 부피% 이하인 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 10 붕규산 유리 기지상에, 상기 유리 기지상의 결정화를 억제하는 억제제인 알파 알루미나 입자와, 상기 유리 기지상의 파괴인성을 증가시키는 보강재인 알파 알루미나 섬유상 보강재 및 금속 입자상 보강재가 포함된 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재. 11 알루미나 섬유상을 1200∼1400℃에서 열처리하여 평균 결정립의 크기가 0.2㎛ 이하인 알파 알루미나 섬유상 입자를 준비하고, 유리 기지상에 상기 알파 알루미나 섬유상 입자를 첨가하는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재의 제조방법. 12 제 11 항에 있어서, 상기 알파 알루미나 섬유상 입자를 압출성형하여 일 방향으로 배향시키는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재의 제조방법. 13 제 11 항에 있어서, 입상 알파 알루미나 입자와 금속 입자를 건식 밀링하여 제조된 복합 분말 입자를 상기 유리 기지상에 균일하게 분포시키는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재의 제조방법. 14 제 13 항에 있어서, 상기 복합 분말 입자와 상기 알파 알루미나 섬유상 입자를 습식 밀링하는 것을 특징으로 하는 평판형 고체산화물 연료전지 스택용 복합 밀봉재의 제조방법.","DE112006004006T5, KR100812105B1, KR20080019506A, US2010331165A1, WO2008026803A1",null,"해당없음"]
["K03841","연료전지","KR","분리장벽을 갖는 단실형 고체산화물 연료전지 및 그제조방법{SINGLE CHAMBER SOLID OXIDE FUEL CELL WITH BARRIER RIB AND THE FABRICATION METHOD THEREOF}",null,"원문이미지","KR20060078430A","2006.08.18","KR0724120B1","2007.05.25","본 발명은 분리장벽을 갖는 단실형 고체산화물 연료전지와 박막공정을 이용하여 분리장벽을 갖는 단실형 고체산화물 연료전지를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 전극의 분리 배치를 통하여 효과적인 기체상 혼합 저지가 가능하도록 함으로써 반응 가스의 혼합에 의한 개회로 전압 손실을 막아줄 수 있는 다양한 구조 및 방법을 기술한다. 즉, 본 발명에서 제공하는 디자인을 통해 박막공정을 이용한 고출력의 단실형 마이크로 고체산화물 연료전지를 제조할 수 있고, 이러한 단위셀들의 고집적화 통해서 고전압, 고전류를 발생시키는 마이크로 연료전지를 구현할 수 있다.","1 전해질의 일면에 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치된 타입의 단실형 고체산화물 연료전지에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면에 형성되고, 동종 또는 이종의 두 전극 사이에 위치하는 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지.","이해원, 김은경, 손지원, 김형철, 김혜령, 김주선, 이종호, 송휴섭","H01M-008/02,H01M-008/10,H01M-004/86",null,null,null,"2026.08.18","1 전해질의 일면에 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치된 타입의 단실형 고체산화물 연료전지에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면에 형성되고, 동종 또는 이종의 두 전극 사이에 위치하는 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 2 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극과 상기 캐쏘드 전극이 교대로 배치된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 3 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극과 상기 캐쏘드 전극은 동일 제 2 전극개를 한 묶음으로 해서 교대로 배치된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 4 제 1 항에 있어서, 상기 분리장벽의 높이는 상기 애노드 및 캐쏘드 전극의 높이보다 높거나 혹은 같은 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 5 제 1 항에 있어서, 상기 분리장벽은 상기 전해질과 동종의 물질로 이루어지거나, 혹은 상기 전해질과 이종의 물질로서 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SixNy), 알루미늄 산화물(AlxOy), 마그네슘 산화물(MgxOy), 티타늄 산화물(TixOy), 지르코늄 산화물(ZrxOy), 세륨 산화물(CexOy), 란타늄 갈레이트(Lanthanum Gallate), 바륨 세레이트(Barium Cerate), 바륨 지르코네이트(Barium Zirconate) 또는 상기 재료들의 여러 도핑상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 6 상면에 트렌치(trench)가 형성된 기판; 상기 트렌치의 중앙부에 위치하는 전해질; 상기 트렌치 내에 위치하며, 상기 전해질을 기준으로 좌·우로 분리 배치된 서로 다른 두 전극; 및 적어도 상기 전해질 위에 형성된 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 7 제 6 항에 있어서, 상기 분리장벽은 상기 전극 중 상기 전해질과 인접한 부분 위에도 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 8 제 6 항에 있어서, 상기 기판 중 적어도 상기 전극의 하부는 기공 구조인 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 9 제 6 항에 있어서, 상기 기판 중 상기 전극의 하면과 접촉한 부분은 적어도 일부 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 10 제 6 항에 있어서, 상기 전극 위에 상기 분리장벽과 이격되어 형성된 집전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 11 제 10 항에 있어서, 상기 기판 위에 다수의 단전지(unti cell)가 위치하고, 각 단전지는 각 집전체 사이를 이어주는 연결선을 통해 직렬 또는 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 12 제 6 항에 있어서, 상기 기판과 상기 전극 사이에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 silicon oxy-nitride가 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 13 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되도록 배치된 서로 다른 두 전극; 및 상기 두 전극 위에 형성된 전해질;을 포함하며, 상기 기판 중 적어도 상기 전극의 하부는 기공 구조이거나, 혹은 상기 기판 중 상기 전극의 하면과 접촉한 부분은 적어도 일부 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 14 제 13 항에 있어서, 상기 기판의 상기 제거된 부분에 기공성 프리트(frit)가 채워져 있는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 15 제 13 항에 있어서, 상기 기판은 기공성 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 16 제 13 항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 전극의 하면 외측 가장자리부와 접촉하도록 형성된 집전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 17 제 16 항에 있어서, 상기 기판 위에 다수의 단전지(unti cell)가 위치하고, 각 단전지는 각 집전체 사이를 이어주는 연결선을 통해 직렬 또는 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 18 제 13 항에 있어서, 상기 두 전극 사이에 형성된 전해질 아래에 형성된 절연분리구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 19 기판, 유전체, 제 1 전극, 전해질, 제 2 전극이 아래부터 순차적으로 적층된 구조를 포함하며, 상기 유전체 중 상기 제 1 전극과 접촉하는 일부분이 제거되어 에어갭(air gap)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 20 제 19 항에 있어서, 상기 에어갭은 일정 간격으로 규칙적으로 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 21 전해질층 위에 분리장벽 재료층을 형성하는 단계; 상기 분리장벽 재료층을 포토리지스트를 이용하여 패터닝함으로써 분리장벽을 형성하는 단계; 상기 분리장벽의 일 측에 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 분리장벽의 상기 일 측의 반대 측에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 22 전해질층 위에 포토리지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토리지스트층를 패터닝하여 트렌치(trench)를 형성하는 단계; 상기 트렌치에 분리장벽 재료를 증착하여 분리장벽을 형성하는 단계; 상기 포토리지스트층을 제거하는 단계; 상기 분리장벽의 일 측에 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 분리장벽의 상기 일 측의 반대 측에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 23 전해질층 위에 분리장벽 재료층을 형성하는 단계; 상기 분리장벽 재료층을 포토리지스트를 이용하여 패터닝함으로써 제 1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제 1 트렌치에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극과 이격된 위치에 포토리지스트를 이용하여 패터닝함으로써 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제 2 트렌치에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 24 제 23 항에 있어서, 상기 제 2 전극 형성 단계 후 남은 분리장벽 재료층을 포토리지스트를 이용하여 패터닝함으로써 개별 분리장벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 25 제 21 항 또는 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 전해질층과, 상기 분리장벽 재료층과, 상기 제 1 및 제 2 전극은 화학기상증착법, 스퍼터링법, 솔-젤법, 스프레잉법, 또는 스핀-온 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 26 기판의 상면에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치 내에 제 1 전극-전해질-제 2 전극을 수평방향으로 나란히 형성하는 단계; 상기 전해질과 상기 제 1 및 제 2 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체층 가운데, 상기 전해질 윗부분은 남겨놓고 상기 제 1 및 제 2 전극 윗부분의 적어도 일부는 오픈(open)하여 상부 기체 통로를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 27 제 26 항에 있어서, 상기 전해질과 상기 제 1 및 제 2 전극의 형성 단계는, 상기 트렌치의 중앙부에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 전해질을 형성하는 단계; 상기 트렌치 내 상기 전해질의 일 측에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치 내 상기 전해질의 상기 일 측의 반대 측에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 28 제 26 항에 있어서, 상기 전해질과 상기 제 1 및 제 2 전극의 형성 단계는, 상기 트렌치 내 일 측에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 트렌치 내 상기 제 1 전극과 이격된 위치에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 전해질을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 29 제 26 항에 있어서, 상기 전해질과 상기 제 1 및 제 2 전극의 형성 단계는, 상기 트렌치 내 일 측에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 트렌치 내 상기 제 1 전극 옆에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 전해질을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치 내 상기 전해질 옆에 포토리지스트 패터닝을 이용하여 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 30 제 26 항에 있어서, 상기 제 1 전극-전해질-제 2 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 가운데, 상기 전해질 아랫부분은 남겨놓고 상기 제 1 및 제 2 전극 아랫부분을 오픈하여 하부 기체 통로를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 31 제 30 항에 있어서, 상기 하부 기체 통로를 형성하기 전에, 상기 기판의 두께를 전체적으로 얇게 하는 과정을 거치는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 32 제 26 항에 있어서, 상기 기판의 상면에 트렌치를 형성한 후에, 상기 트렌치를 형성하는 기판 내면에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 silicon oxy-nitride를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 33 제 26 항에 있어서, 상부 기체 통로 형성시 상기 제 1 및 제 2 전극 윗부분에 각각 접촉하는 집전체가 증착될 공간을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 34 기판의 적어도 일부를 기공 구조로 형성하는 단계; 상기 기공 구조를 갖는 기판 부분 위에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 기공 구조를 갖는 기판 부분 위에, 상기 제 1 전극과 이격되도록 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 두 전극 위에 전해질을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 35 제 34 항에 있어서, 상기 기판의 일부를 기공 구조로 형성하는 방법은, 상기 기판에서 기공 구조로 만들 부분을 포토리지스트로 규정하고, 이 규정된 부분을 전기화학적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 36 제 34 항에 있어서, 상기 기판의 일부를 기공 구조로 형성하는 방법은, 상기 기판의 상면에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치에 기공성 프리트(frit)를 채우는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 37 제 34 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하기 전에 상기 기판 위에 집전체를 형성하고, 상기 집전체의 일부 위에 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 38 제 34 항에 있어서, 상기 제 1 전극 아래 기판의 기공 구조 부분과 상기 제 2 전극 아래 기판의 기공 구조 부분은 서로 분리되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 39 기판 위에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 유전체층에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치에 희생물질(sacrificial substance)을 채우는 단계; 상기 유전체층 및 상기 희생물질 위에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 위에 전해질층을 형성하는 단계; 및 상기 전해질층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 1 전극의 열처리나 그 이후의 열처리를 통해 상기 희생물질을 열 분해시켜 에어갭(air gap)을 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법. 40 기판 위에 희생물질층을 형성하는 단계; 상기 희생물질층을 패터닝하여 소정 간격의 희생물질을 형성하는 단계; 상기 희생물질 사이 및 위에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 유전체층을 평탄화하는 단계; 상기 유전체층 및 상기 희생물질 위에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 위에 전해질층을 형성하는 단계; 및 상기 전해질층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 1 전극의 열처리나 그 이후의 열처리를 통해 상기 희생물질을 열 분해시켜 에어갭(air gap)을 형성하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지의 제조방법.","KR100724120B1",null,"해당없음"]
["K03836","연료전지","KR","분리장벽을 이용한 단실형 고체 산화물 연료전지{SINGLE CHAMBER SOLID OXIDE FUEL CELL WITH BARRIER RIB}",null,"원문이미지","KR20060078429A","2006.08.18","KR0724119B1","2007.05.25","본 발명은 단실형 고체 산화물 연료전지에 관한 것으로, 전극을 전해질과 동일 평면상에 배치하고 단위 셀을 집적화하는 과정에서 발생하는 반응 가스의 혼합에 의한 개회로 전압 손실을 막아준다. 즉, 본 발명에서 제공하는 분리장벽을 가진 디자인을 통해 동일 평면상에 전극을 배치하고도 고출력의 단실형 마이크로 고체 산화물 연료전지를 제조할 수 있고, 이러한 단위 셀들의 고집적화를 통해서 고전압, 고전류를 발생시키는 마이크로 연료전지를 구현할 수 있다.","1 전해질의 일면(一面)에 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치된 타입의 단실형 고체산화물 연료전지에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면에 형성되고, 동종 또는 이종의 두 전극 사이에 위치하는 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지.","김형철, 이해원, 김성문, 송휴섭, 이종호, 김주선, 손지원, 안성진","H01M-008/02",null,null,null,"2026.08.18","1 전해질의 일면(一面)에 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치된 타입의 단실형 고체산화물 연료전지에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면에 형성되고, 동종 또는 이종의 두 전극 사이에 위치하는 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 2 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 다수 개 형성되고, 상기 애노드 전극 또는 상기 캐쏘드 전극은 이웃하는 두 분리장벽 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 3 제1항에 있어서, 상기 애노드 전극 또는 상기 캐쏘드 전극은 상기 분리장벽의 측벽에 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 4 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 다수 개 형성되고, 상기 애노드 전극 또는 상기 캐쏘드 전극은 이웃하는 두 분리장벽 사이 및 상기 분리장벽의 측벽에 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 5 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 상기 전해질과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 6 제5항에 있어서, 상기 전해질의 일 단면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 7 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 상기 전해질과 별개의 물질로 이루어져 있고, 상기 분리장벽과 상기 전해질은 요철 형상의 단면을 이루는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 8 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 다수 개 형성되고, 상기 분리장벽은 평면상 스트라이프형인 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 9 제8항에 있어서, 상기 애노드 전극과 상기 캐쏘드 전극이 교대로 배치된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 10 제8항에 있어서, 상기 애노드 전극과 상기 캐쏘드 전극은 동일 전극 2개를 한 묶음으로 해서 교대로 배치된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 11 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면(一面)의 반대 면에도 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치되며, 상기 반대 면에 형성되고 동종 또는 이종의 두 전극 사이에 위치하는 분리장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 12 제1항에 있어서, 상기 전해질을 지지하는 지지체를 더 포함하고, 상기 지지체는 도전체, 절연체, 산소 이온 전도체 또는 프로톤 전도체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 13 제12항에 있어서, 상기 지지체 위에 절연 및 열팽창 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SixNy), 알루미늄 산화물(AlxOy), 마그네슘 산화물(MgxOy), 티타늄 산화물(TixOy), 지르코늄 산화물(ZrxOy), 세륨 산화물(CexOy), 란타늄 갈레이트(Lanthanum Gallate), 바륨 세레이트(Barium Cerate), 바륨 지르코네이트(Barium Zirconate) 또는 상기 재료들의 여러 도핑상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 14 제1항에 있어서, 상기 분리장벽은 상기 전해질과 동종의 물질로 이루어지거나, 혹은 상기 전해질과 이종의 물질로서 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SixNy), 알루미늄 산화물(AlxOy), 마그네슘 산화물(MgxOy), 티타늄 산화물(TixOy), 지르코늄 산화물(ZrxOy), 세륨 산화물(CexOy), 란타늄 갈레이트(Lanthanum Gallate), 바륨 세레이트(Barium Cerate), 바륨 지르코네이트(Barium Zirconate) 또는 상기 재료들의 여러 도핑상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 15 제1항에 있어서, 상기 전극에 연결되며, 상기 애노드 전극, 캐쏘드 전극 및 전해질을 구비하여 이루어진 단위 셀을 직렬 또는 병렬 연결하는 집전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 16 전해질의 일면(一面)에 애노드 전극과 캐쏘드 전극이 함께 배치된 타입의 단실형 고체산화물 연료전지에 있어서, 상기 전해질의 상기 일면에 다수의 분리장벽이 형성되어 요철 구조를 가지며, 상기 요철 구조 중 볼록부위에 해당하는 상기 분리장벽의 상면에 상기 두 전극 중 어느 한 전극이 형성되고, 상기 요철 구조 중 오목부위에 다른 한 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지.","KR100724119B1",null,"해당없음"]
["K03777","화학","KR","반응압출을 이용한 폐 고밀도 폴리에틸렌의 재활용 방법{METHOD OF RECYCLING WASTE HIGH-DENSITY POLYETHYLENE USING REACTIVE EXTRUSION}",null,"원문이미지","KR20060023802A","2006.03.15","KR0728087B1","2007.06.07","본 발명은 반응압출(reactive extrusion)을 이용한 폐(waste) 고밀도 폴리에틸렌의 재활용 방법에 관한 것으로, 폐 고밀도 폴리에틸렌을 신재 고밀도 폴리에틸렌과 용융 혼합하고 용융 혼합시 과산화물 가교제를 넣어 반응압출시키는 본 발명의 방법에 따르면, 폐 고밀도 폴리에틸렌으로부터 신재 고밀도 폴리에틸렌에 상응하는 우수한 기계적 특성을 갖는 재생 고밀도 폴리에틸렌을 얻을 수 있다.","1 폐 고밀도 폴리에틸렌 20 내지 40 중량%와 바이모달(bimodal) 분자량 분포를 나타내는 신재 고밀도 폴리에틸렌 60 내지 80 중량%의 혼합물에 과산화물 가교제를 첨가한 후 용융 혼합하는 것을 포함하는, 재생 고밀도 폴리에틸렌의 제조방법.","홍순만, 황승상, 남영완, 김광호, 강호종, 이종록, 정우현","C08L-023/06,B29B-017/00",null,null,null,"2026.03.15","1 폐 고밀도 폴리에틸렌 20 내지 40 중량%와 바이모달(bimodal) 분자량 분포를 나타내는 신재 고밀도 폴리에틸렌 60 내지 80 중량%의 혼합물에 과산화물 가교제를 첨가한 후 용융 혼합하는 것을 포함하는, 재생 고밀도 폴리에틸렌의 제조방법. 2 제1항에 있어서, 바이모달(bimodal) 분자량 분포를 나타내는 신재 고밀도 폴리에틸렌이, 분포가 최대인 분자량이 16,000 내지 24,000 및 120,000 내지 140,000의 두 군데서 나타나는 것임을 특징으로 하는 방법. 3 제1항에 있어서, 용융 혼합 공정을 165 내지 175 ℃ 범위의 온도에서 35 내지 45 RPM의 속도로 8 내지 12분간 수행하는 것을 특징으로 하는 방법. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 제1항에 있어서, 과산화물 가교제가 디큐밀 퍼옥사이드(DCP) 또는 퍼부틸 퍼옥사이드(PBP)인 것을 특징으로 하는 방법. 6 제5항에 있어서, 과산화물 가교제가 디큐밀 퍼옥사이드(DCP)인 것을 특징으로 하는 방법. 7 제1항에 있어서, 과산화물 가교제를 폐 고밀도 폴리에틸렌과 신재 고밀도 폴리에틸렌 혼합물의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 0.5 중량% 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법. 8 제7항에 있어서, 과산화물 가교제를 폐 고밀도 폴리에틸렌과 신재 고밀도 폴리에틸렌 혼합물의 총 중량을 기준으로 0.05 내지 0.2 중량% 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법. 9 제1항의 방법에 따라 제조된, 재생 고밀도 폴리에틸렌. 10 제9항의 재생 고밀도 폴리에틸렌을 이용하여 제조된 성형품.","KR100728087B1",null,"해당없음"]
["K03768","재료","KR","알루미늄이 증착된 폐 포장 필름의 재생 방법{METHOD FOR RECYCLING OF WASTE-PACKAGING FILMS VAPORIZED WITH ALUMINUM}",null,"원문이미지","KR20060027716A","2006.03.28","KR0733941B1","2007.06.25","본 발명은 알루미늄이 증착된 다층 폐 포장 필름의 재생 방법에 관한 것으로, 알루미늄-증착 다층 폐 포장 필름을 포함하는 폐 필름 혼합물을 용융 혼합시킨 후 상용화제와 기능성 수지를 첨가하여 반응 압출시키는 본 발명의 방법에 따르면, 혼화성과 내충격성이 우수한 재생소재를 저렴한 비용으로 얻을 수 있다.","1 (i) 알루미늄이 증착된 폐 포장 필름을 포함하는 폐 필름 혼합물을 용융 혼합하는 단계; 및 (ii) 단계 (i)에서 얻은 용융 혼합물에, 상용화제와, 16,000 내지 24,000 및 120,000 내지 140,000 범위의 두 군데에서 분자량 분포가 최대값을 나타내는 바이모달 구조의 분자량 분포를 갖는 고밀도 폴리에틸렌 수지를 첨가하여 반응 압출시키는 단계 를 포함하는, 알루미늄-증착 다층 폐 포장 필름의 재생 방법.","홍순만, 황승상, 남영완, 조봉규, 백성기","B29B-017/00,B29D-007/01",null,null,null,"2026.03.28","1 (i) 알루미늄이 증착된 폐 포장 필름을 포함하는 폐 필름 혼합물을 용융 혼합하는 단계; 및 (ii) 단계 (i)에서 얻은 용융 혼합물에, 상용화제와, 16,000 내지 24,000 및 120,000 내지 140,000 범위의 두 군데에서 분자량 분포가 최대값을 나타내는 바이모달 구조의 분자량 분포를 갖는 고밀도 폴리에틸렌 수지를 첨가하여 반응 압출시키는 단계 를 포함하는, 알루미늄-증착 다층 폐 포장 필름의 재생 방법. 2 제1항에 있어서, 폐 필름 혼합물이 알루미늄-증착 폴리프로필렌계 폐 포장 필름과 나일론계 폐 포장 필름의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법. 3 제2항에 있어서, 알루미늄-증착 폴리프로필렌계 폐 포장 필름이, 폴리프로필렌층; 폴리에틸렌층 및 폴리에스테르층 중에서 선택되는 1 층 이상의 필름층; 및 알루미늄 증착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 4 제2항에 있어서, 나일론계 폐 포장 필름이, 나일론층; 및 폴리에틸렌층 및 폴리에스테르층 중에서 선택되는 1층 이상의 필름층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 5 제2항에 있어서, 폐 필름 혼합물이 알루미늄 증착된 폴리프로필렌/폴리에틸렌 필름과 나일론/폴리에틸렌 필름의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법. 6 제5항에 있어서, 폐 필름 혼합물이, 폐 필름 혼합물의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 2 중량%의 알루미늄, 50 내지 80 중량%의 폴리프로필렌, 10 내지 30 중량%의 나일론 및 5 내지 30 중량%의 폴리에틸렌을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 7 제1항에 있어서, 상용화제가, 무수말레인산 그래프트된 폴리에틸렌, 무수말레인산 그래프트된 폴리프로필렌, 무수말레인산-함유 수소화된 폴리스티렌-폴리부타티엔-폴리스티렌 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. 8<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10 제1항에 있어서, 단계 (ii)에서 상용화제 및 폴리올레핀계 수지를 용융 혼합물의 총 중량을 기준으로 10 내지 30 중량% 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법. 11 제10항에 있어서, 상용화제 및 폴리올레핀계 수지를 10:1 내지 4:1의 중량비로 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법. 12 제1항에 있어서, 단계 (i)의 용융 혼합 공정을 260 내지 290 ℃ 범위의 온도에서 3 내지 5분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법. 13 제1항에 있어서, 단계 (ii)의 반응 압출 공정을 230 내지 260℃ 범위의 온도에서 2 내지 3분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 15<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100733941B1",null,"해당없음"]
["K03762","미용","KR","구상의 ＣＶＤ 다이아몬드 입자로 제조된 피부미용기구{APPARATUS FOR BEUTIFYING SKIN FABRICATED WITH SPHERICAL CVD DIAMOND PARTICLES}",null,"원문이미지","KR20060009353U","2006.04.07","KR0418987Y1","2006.06.08","본 고안은 피부미용기구에 관한 것으로, 구상의 CVD다이아몬드 입자가 고착되며 피부미용의 대상이 되는 부위에 직접 접촉되는 팁부와; 일단에는 상기 팁부가 착탈가능하게 결합되며, 타단에는 본체와 연결된 연결호스가 결합되는 몸체부;를 포함하여 구성되도록 함으로써, 생체적으로 안전할 뿐만 아니라 삭피면의 균일성이 향상되어 민감한 피부를 할큄 없이 삭피할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.","1 일측에 구상의 CVD다이아몬드 입자가 고착되며 피부미용의 대상이 되는 부위에 직접 접촉되는 팁부(10); 일단에는 상기 팁부(10)가 착탈가능하게 결합되며, 타단에는 본체와 연결된 연결호스(30)가 결합되는 몸체부(20); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 피부미용기구.","이재갑, 최원국","A45D-044/22",null,null,null,"2016.04.07","1 일측에 구상의 CVD다이아몬드 입자가 고착되며 피부미용의 대상이 되는 부위에 직접 접촉되는 팁부(10); 일단에는 상기 팁부(10)가 착탈가능하게 결합되며, 타단에는 본체와 연결된 연결호스(30)가 결합되는 몸체부(20); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 피부미용기구. 2 제 1 항에 있어서, 상기 팁부(10)의 일단에는, 구상의 CVD다이아몬드 입자가 고착되어 피부에 직접 접촉되는 전착부(11)가 구비되고, 상기 팁부(10)의 타단에는, 상기 몸체부(20)와 착탈가능하게 결합되는 결합부(12)가 구비되는 것을 특징으로 하는 피부미용기구. 3 제 1 항에 있어서, 상기 몸체부(20)는, 그 몸체부(20)의 일단에 함몰형성되어 상기 팁부(10)를 수용하는 수용홈(22); 그 몸체부(20)의 내부를 관통하도록 구비되며, 일단이 상기 수용홈(22)과 연통되고 타단이 상기 연결호스(30)와 결합되어, 미용기구의 작동시 진공상태가 유지되면서 흡입력을 전달하는 흡입관(21); 제거된 각질등이 상기 흡입관(21)을 통하여 본체로 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 수용홈(22)에 삽입되는 필터(23); 상기 수용홈(22)에 삽입되며, 상기 수용홈(22)과 상기 팁부(10)사이로 공기가 누출되는 것을 차단하여 흡입능력을 향상시키기 위한 오링(24); 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 피부미용기구.","KR200418987Y1",null,"해당없음"]
["K03759","의료","KR","가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭 신호 발생기{Optical Interferogram Generator based on Tunable Optical Chirped Fiber Grating for an Optical Coherent Tomography}",null,"원문이미지","KR20060031976A","2006.04.07","KR0724020B1","2007.05.25","가변 첩 광섬유 격자 기반의 단층 촬영용 광간섭신호 발생기에 관하여 개시한다. 본 발명의 광간섭신호 발생기는 광대역폭을 가지는 광신호를 출력하는 광대역 광원; 상기 광대역 광원으로부터 광신호를 입력받아 가우시안(gaussian) 형태의 스펙트럼으로 변환하는 광필터; 상기 광필터로부터 광신호를 입력받아 이를 두 개의 신호로 나누어 출력하며, 그 중 제 1 광신호를 단층 촬영하기 위한 샘플로 전달하는 광커플러; 3개의 포트(port)를 구비하며, 제 1 포트가 상기 광커플러와 연결되어 상기 광커플러에서 출력되는 제 2 광신호를 입력받아 제 2 포트 및 제 3 포트로 전달하고 다시 반사된 제 2 광신호를 상기 광커플러로 출력하는 서큘레이터; 상기 서큘레이터의 제 2 포트와 연결되고, 일정 격자 주기를 가지며, 상기 제 2 광신호를 입력받아 소정의 시간 지연을 가지고 반사하는 제 1 가변 첩 광섬유 격자; 및 상기 서큘레이터의 제 3 포트와 연결되고, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 비대칭적인 격자 주기를 가지며, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호를 입력받아 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 상보적인 시간 지연을 가지고 반사하는 제 2 가변 첩 광섬유 격자를 포함한다. 상기 제 2 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호는 상기 광커플러에서 상기 샘플에서 반사된 제 1 광신호와 간섭현상을 일으킨다.","1 광대역폭을 가지는 광신호를 출력하는 광대역 광원; 상기 광대역 광원으로부터 광신호를 입력받아 가우시안(gaussian) 형태의 스펙트럼으로 변환하는 광필터; 상기 광필터로부터 광신호를 입력받아 이를 두 개의 신호로 나누어 출력하며, 그 중 제 1 광신호를 단층 촬영하기 위한 샘플로 전달하는 광커플러; 3개의 포트(port)를 구비하며, 제 1 포트가 상기 광커플러와 연결되어 상기 광커플러에서 출력되는 제 2 광신호를 입력받아 제 2 포트 및 제 3 포트로 전달하고 다시 반사된 제 2 광신호를 상기 광커플러로 출력하는 서큘레이터; 상기 서큘레이터의 제 2 포트와 연결되고, 일정 격자 주기를 가지며, 상기 제 2 광신호를 입력받아 소정의 시간 지연을 가지고 반사하는 제 1 가변 첩 광섬유 격자; 및 상기 서큘레이터의 제 3 포트와 연결되고, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 비대칭적인 격자 주기를 가지며, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호를 입력받아 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 상보적인 시간 지연을 가지고 반사하는 제 2 가변 첩 광섬유 격자를 포함하며, 상기 제 2 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호는 상기 광커플러에서 상기 샘플에서 반사된 제 1 광신호와 간섭현상을 일으키는 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기.","한영근, 이주한, 이상배, 김창석","A61B-005/00",null,null,null,"2026.04.07","1 광대역폭을 가지는 광신호를 출력하는 광대역 광원; 상기 광대역 광원으로부터 광신호를 입력받아 가우시안(gaussian) 형태의 스펙트럼으로 변환하는 광필터; 상기 광필터로부터 광신호를 입력받아 이를 두 개의 신호로 나누어 출력하며, 그 중 제 1 광신호를 단층 촬영하기 위한 샘플로 전달하는 광커플러; 3개의 포트(port)를 구비하며, 제 1 포트가 상기 광커플러와 연결되어 상기 광커플러에서 출력되는 제 2 광신호를 입력받아 제 2 포트 및 제 3 포트로 전달하고 다시 반사된 제 2 광신호를 상기 광커플러로 출력하는 서큘레이터; 상기 서큘레이터의 제 2 포트와 연결되고, 일정 격자 주기를 가지며, 상기 제 2 광신호를 입력받아 소정의 시간 지연을 가지고 반사하는 제 1 가변 첩 광섬유 격자; 및 상기 서큘레이터의 제 3 포트와 연결되고, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 비대칭적인 격자 주기를 가지며, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호를 입력받아 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자와 상보적인 시간 지연을 가지고 반사하는 제 2 가변 첩 광섬유 격자를 포함하며, 상기 제 2 가변 첩 광섬유 격자에서 반사된 제 2 광신호는 상기 광커플러에서 상기 샘플에서 반사된 제 1 광신호와 간섭현상을 일으키는 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기. 2 제 1 항에 있어서, 상기 광커플러에서 발생된 광간섭신호를 입력받아 전기적 신호로 변환하는 광전 변환기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기. 3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광대역 광원은, 슈퍼콘티뉴엄(supercontinuum) 광원, LED(Light Emitting Diode) 광원, 초발광 다이오드(SLD:Super-Luminescent Diode), 솔리톤 광원 및 어븀 첨가 광섬유 광원의 증폭된 자기 발광(ASE:Amplified Spontaneous Emission) 광원 중 어느 하나의 광원인 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기. 4 제 3 항에 있어서, 상기 광필터는, 장주기 및 단주기 광섬유 격자, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 필터, 패브리-페롯(Fabry-Perot) 필터, 광섬유 루프 필터 및 에탈론 필터 중 어느 하나의 필터인 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기. 5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가변 첩 광섬유 격자의 시간 지연과 상기 제 2 가변 첩 광섬유 격자의 시간 지연의 합은 0(zero)인 것을 특징으로 하는 가변 첩 광섬유 격자 기반 단층 촬영용 광간섭신호 발생기.","KR100724020B1",null,"해당없음"]
["K03740","연료전지","KR","벌집형 고체산화물연료전지 및 그 제조방법{Honeycomb-type solid oxide fuel cell and method for manufacturing the same}",null,"원문이미지","KR20060032365A","2006.04.10","KR0699074B1","2007.03.16","본 발명에서는 전극 채널 및 상기 전극에 접합되는 집전체를 포함하는 벌집형 SOFC로서, 상기 집전체가 접합된 전극 채널 내에는 각 전극 분위기에서 산화물 형성이 가능한 재료로서 상변화 시 밀도가 작아지는 제1 재료가 충전되거나 또는 상기 전극 지지체의 재료보다 열팽창 계수가 큰 제2 재료가 충전되거나 또는 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료의 복합 재료가 충전되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 벌집형 SOFC의 전극 채널 내에서 다공성 충전재의 상변화 또는 열팽창계수 차에 의한 재료 특성을 이용하여 물리적으로 충분한 힘으로 전기 집전체를 전극과 접합되도록 하여 집전을 효율적으로 수행할 수 있다. 나아가, 본 발명은 다공성을 용이하게 확보함으로써 연료전지 전극으로 연료 및 공기 기체가 원활하게 확산될 수 있는 통로를 제공해 줄 수 있다는 장점을 가진다.","1 전극 채널 및 상기 전극에 접합되는 집전체를 포함하는 벌집형 SOFC로서, 상기 집전체가 접합된 전극 채널 내에는 각 전극 분위기에서 산화물 형성이 가능한 재료로서 상변화 시 밀도가 작아지는 제1 재료가 충전되거나 또는 상기 전극 지지체의 재료보다 열팽창 계수가 큰 제2 재료가 충전되거나 또는 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료의 복합 재료가 충전되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC.","윤성필, 임태훈, 남석우, 하흥용, 한종희, 김형준, 조은애, 이재영, 함형철","H01M-008/02,H01M-008/24",null,null,null,"2026.04.10","1 전극 채널 및 상기 전극에 접합되는 집전체를 포함하는 벌집형 SOFC로서, 상기 집전체가 접합된 전극 채널 내에는 각 전극 분위기에서 산화물 형성이 가능한 재료로서 상변화 시 밀도가 작아지는 제1 재료가 충전되거나 또는 상기 전극 지지체의 재료보다 열팽창 계수가 큰 제2 재료가 충전되거나 또는 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료의 복합 재료가 충전되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 2 제 1 항에 있어서, 상기 제1 재료 또는 제2 재료는 구형, 체인(chain)형 또는 휘스커(whisker)형 입자 분말인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 3 제 1 항에 있어서, 상기 제1 재료 또는 제2 재료는 기공 형성제와 함께 혼합되어 충전되는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 4 제 1 항에 있어서, 상기 제1 재료는 산화물 형성시 밀도가 작아지는 금속인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 5 제 1 항에 있어서, 상기 제1 재료는 Cr, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 6 제 1 항에 있어서, 상기 제2 재료는, 상기 전극 지지체 재료가 YSZ(yttria-stabilized zirconia)인 경우, NiO, Fe2O3, CoO, CuO, ZnO 등으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속산화물인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 7 제 1 항에 있어서, 상기 제2 재료는, 상기 전극 지지체 재료가 NiO 및 YSZ 또는 세리아(ceria)의 복합 재료인 경우, Pt; Ag; Au; Rh; Ir; Pd; Ru; x가 0.5 이하인 (La1-XSrX)MnO3; x가 0.5 이하인 (La1-XCarX)MnO3; x가 0.6 이하인 (La1-XSrX)CoO3; x가 0.4 이하 그리고 y가 0.8 이하인 (La1-XSrX)(Co1-yFey)O3;으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 8 제 1 항에 있어서, 상기 제2 재료는 열팽창성 세라믹인 질석인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 9 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 Pt, Ag, Au, Ni 또는 Cu이거나 또는 이들 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC. 10 전극 채널 및 상기 전극에 접합되는 집전체를 포함하는 벌집형 SOFC의 제조 방법으로서, 상기 전극 채널 내에 각 전극 분위기에서 산화물 형성이 가능한 재료로서 상변화 시 밀도가 작아지는 제1 재료를 충전하거나 또는 상기 전극 지지체의 재료보다 열팽창 계수가 큰 제2 재료를 충전하거나 또는 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료의 복합 재료를 충전하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 11 제 10 항에 있어서, 상기 제1 재료 또는 제2 재료로서, 구형, 체인(chain)형 또는 휘스커(whisker)형 입자 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 12 제 10 항에 있어서, 상기 제1 재료 또는 제2 재료를 기공형성제와 함께 혼합하여 충전하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 13 제 10 항에 있어서, 상기 제1 재료로서 산화물 형성시 밀도가 작아지는 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 14 제 10 항에 있어서, 상기 제1 재료로서 Cr, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 15 제 10 항에 있어서, 상기 제2 재료로서, 상기 전극 지지체 재료가 YSZ(yttria-stabilized zirconia)인 경우, NiO, Fe2O3, CoO, CuO, ZnO 등으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 16 제 10 항에 있어서, 상기 제2 재료로서, 상기 전극 지지체 재료가 NiO 및 YSZ 또는 세리아(ceria)의 복합 재료인 경우, Pt; Ag; Au; Rh; Ir; Pd; Ru; x가 0.5 이하인 (La1-XSrX)MnO3; x가 0.5 이하인 (La1-XCarX)MnO3; x가 0.6 이하인 (La1-XSrX)CoO3; x가 0.4 이하 그리고 y가 0.8 이하인 (La1-XSrX)(Co1-yFey)O3;으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 17 제 10 항에 있어서, 상기 제2 재료로서 열팽창성 세라믹인 질석을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법. 18 제 10 항에 있어서, 상기 집전체로서 Pt, Ag, Au, Ni 또는 Cu를 사용하거나 또는 이들 금속의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 벌집형 SOFC의 제조 방법.","KR100699074B1, US2009208814A1, WO2007117069A1",null,"해당없음"]
["K03721","기계","KR","컨벡션 오븐{CONVECTION OVEN}",null,"원문이미지","KR20060012243A","2006.02.08","KR0727480B1","2007.06.05","본원발명은 컨벡션 오븐에 관한 것으로, 열원에 의해 가열되는 가열실을 갖는 오븐바디와; 오븐바디의 일측에 장착되어 가열실 내의 가열된 공기가 고르게 분포되도록 공기를 진동시키는 진동부를 포함하는 컨벡션 오븐을 개시한다. 이에 의하여, 진동부에 의하여 가열실 내부의 공기에 시간주기적인 요동을 주어서 가열된 고온의 공기와 덜 가열된 저온의 공기 사이의 혼합을 촉진하여 온도를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 조리 대상물이나 재료에 균일한 열 분배가 가능해지므로 조리의 질을 향상될 뿐만 아니라 조리 시간을 단축하여 오븐의 성능 향상에 기여하는 효과가 있다","1 열원에 의해 가열되는 가열실을 가지며 일측면에 공기가 유동할 수 있도록 다수의 에어홀이 형성된 오븐바디; 상기 오븐바디에 장착되어 상기 가열실 내의 가열된 공기를 상기 에어홀을 통하여 유출입시켜 상기 가열실 내의 공기를 진동시키는 진동부; 및 상기 진동부의 주위에 상기 진동부의 진동시 상기 진동부의 안쪽에 배치되는 에어홀의 공기유동과 상기 진동부의 바깥쪽에 배치되는 에어홀의 공기유동이 서로 반대되게 일어나도록 상기 진동부의 주위를 감쌀 수 있게 설치되는 커버가 구비된 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐.","김서영, 지태호","F24C-007/00",null,null,null,"2026.02.08","1 열원에 의해 가열되는 가열실을 가지며 일측면에 공기가 유동할 수 있도록 다수의 에어홀이 형성된 오븐바디; 상기 오븐바디에 장착되어 상기 가열실 내의 가열된 공기를 상기 에어홀을 통하여 유출입시켜 상기 가열실 내의 공기를 진동시키는 진동부; 및 상기 진동부의 주위에 상기 진동부의 진동시 상기 진동부의 안쪽에 배치되는 에어홀의 공기유동과 상기 진동부의 바깥쪽에 배치되는 에어홀의 공기유동이 서로 반대되게 일어나도록 상기 진동부의 주위를 감쌀 수 있게 설치되는 커버가 구비된 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 제1항에 있어서, 상기 진동부는, 상기 가열실을 향하게 설치되어 가열된 공기에 파동(wave)을 발생시키는 진동판과; 상기 진동판을 구동하는 액츄에이터로 구성되는 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐. 4 제3항에 있어서, 상기 액츄에이터는, 상기 진동판에 고정되는 보이스 코일과; 상기 보이스 코일과 일정거리로 이격되게 설치되어 상기 보이스 코일에 자기적인 힘을 가하는 고정 마그넷으로 구성되는 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐. 5 제3항에 있어서, 상기 진동판은 콘(cone) 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7 제3항에 있어서, 상기 오븐바디에는 가열된 공기를 강제로 대류시키는 팬이 더 구비된 것을 특징으로 하는 컨벡션 오븐.","KR100727480B1, US2007181558A1, US7288743B1","K","K03721(KR)\nF02308(US)"]
["K03664","재료","KR","전자기파 간섭 차폐용 다층 필름 및 이를 포함하는회로기판{MULTI-LAYERED FILM FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE AND CIRCUIT BOARD INCLUDING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20050104588A","2005.11.02","KR0712836B1","2007.04.24","본 발명은 불필요한 전자기파를 차단하거나 감소시키기 위하여 저항층 및 자성층을 포함하는 다층 필름에 관한 것으로, 이 다층 필름을 회로기판 또는 고분자 필름의 표면에 막 또는 패턴 형태로 형성하거나 내부에 삽입하여 특히 무선주파수 대역에서의 전자기파 감쇄 효과를 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 박형화가 용이하여 휴대전화, 무선전화기, 사무용기기 등 각종 전자기기 내부에 장착하거나 실장하기 용이하다. 따라서, 전자기기의 전자파 노이즈에 의한 내부간섭, 누화에 의한 불요신호방해, 오작동을 방지에 효과적이다.","1 저항체층 및 자성체층 또는 저항체층, 제1자성체층 및 제2자성체층의 다층 구조로 구성되는 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름.","김상우, 김윤배, 김광윤","H05K-009/00",null,null,null,"2025.11.02","1 저항체층 및 자성체층 또는 저항체층, 제1자성체층 및 제2자성체층의 다층 구조로 구성되는 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름. 2 제1항에 있어서, 상기 저항체층은 이방성을 가진 5 내지 100 미크론 크기의 판상 입자로서 결정질 탄소 또는 흑연 분말로 구성되는 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름. 3 제1항에 있어서, 상기 자성체층은 장축길이와 두께 비가 10 이상인 높은 형상비를 가진 판상의 자성분말로 구성되는 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름. 4 제3항에 있어서, 상기 자성분말은 샌다스트(sandust), Fe계 비정질 합금, 퍼멀로이 중에서 선택되는 어느 하나인 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름. 5 제1항에 있어서, 상기 제1자성체층 및 제2자성체층은 샌다스트 자성층 및 Ni-Zn 페라이트 자성층인 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 차폐용 다층 필름. 6 제1항의 다층 필름이 막 또는 패턴 형태로 내부에 삽입되거나 표면에 형성되어 있는 전자기파 간섭 차폐 회로기판. 7 제1항의 다층 필름이 막 또는 패턴 형태로 고분자 필름 내부에 삽입되거나 표면에 형성되어 있는 전자기파 간섭 차폐 필름.","KR100712836B1",null,"해당없음"]
["K03652","재료","KR","노이즈 감쇄층, 노이즈 감쇄 회로기판 및 이들의 제조방법{NOISE SUPPRESSING FILM, NOISE-SUPPRESSED CIRCUIT SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}",null,"원문이미지","KR20050101709A","2005.10.27","KR0716679B1","2007.05.03","본 발명은 불필요한 전자기파를 줄이기 위해 그래뉼라 자성합금층/절연성 고분자층의 노이즈 감쇄층을 실리콘 회로기판 또는 연성회로기판 내부/상부에 형성함으로써 휴대전화, 무선전화, 디지털 카메라 또는 사무자동화기기 내부에 실장하여 전자파 노이즈에 의한 내부간섭, 누화에 의한 불요 신호방해, 또는 오작동을 방지하기 위해 제안된 것이다.Co-Fe/Ni-Fe 자성합금층/폴리이미드층으로 형성된 노이즈 감쇄층을 기판에 적용하여 플렉서블 소자에 응용할 수 있으며 얇은 두께에서도 노이즈 저감특성을 가지는 효과가 있다.","1 Co-Fe 그래뉼라 자성층 및 Ni-Fe 그래뉼라 자성층를 포함하는 그래뉼라 자성합금층과, 상기 그래뉼라 자성합금층에 접촉하여 형성되는 절연성 고분자층을 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층은 전자기파를 차폐하고, 상기 절연성 고분자층은 폴리이미드를 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층을 접착시키며 보호하는 노이즈 감쇄층.","김상우, 김광윤, 이성재","H05K-009/00","KR20070045430A","2007.05.02",null,"2025.10.27","1 Co-Fe 그래뉼라 자성층 및 Ni-Fe 그래뉼라 자성층를 포함하는 그래뉼라 자성합금층과, 상기 그래뉼라 자성합금층에 접촉하여 형성되는 절연성 고분자층을 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층은 전자기파를 차폐하고, 상기 절연성 고분자층은 폴리이미드를 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층을 접착시키며 보호하는 노이즈 감쇄층. 2 제 1 항에 있어서, 상기 Co-Fe 그래뉼라 자성층의 Co/Fe 몰비는 10% 내지 90% 인 노이즈 감쇄층. 3 제 1 항에 있어서, 상기 Ni-Fe 그래뉼라 자성층의 Ni/Fe 몰비는 10% 내지 90% 인 노이즈 감쇄층. 4 그래뉼라 자성합금층을 형성하는 단계와, 상기 그래뉼라 자성합금층 상부에 절연성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층 및 절연성 고분자층을 형성하는 단계는, 제1 자성박막 및 제2 자성박막을 소정의 두께로 각각 형성하는 단계와 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막 상부에 폴리아미드 산을 형성한 후 건조하는 단계와 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막과 상기 건조된 폴리아미드 산을 소정의 온도에서 소정의 시간동안 열처리하는 단계를 포함하는 노이즈 감쇄층 제조방법. 5 제 4 항에 있어서, 상기 제1 자성 박막은 Co-Fe 자성 박막인 노이즈 감쇄층 제조방법. 6 제 4 항에 있어서, 상기 제2 자성 박막은 Ni-Fe 자성 박막인 노이즈 감쇄층 제조방법. 7 제 4 항에 있어서, 상기 폴리아미드 산을 N-메틸 피로리딘(N-methyl pyrrolidine)에 의해 희석하는 단계를 더 포함하는 노이즈 감쇄층 제조방법. 8 제 4 항에 있어서, 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막 상부에 폴리아미드 산을 스핀코팅하여 형성하는 노이즈 감쇄층 제조방법. 9 기판 상부에 형성된 배선층과, 상기 배선층을 덮는 그래뉼라 자성합금층과, 상기 그래뉼라 자성합금층 상부에 형성되는 절연성 고분자층을 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층은 상기 배선층을 전자기파로부터 차폐하고, 상기 절연성 고분자층은 상기 그래뉼라 자성합금층을 접착시키며 보호하는 노이즈 감쇄 회로기판. 10 기판 상부에 형성된 배선층과, 상기 배선층을 덮는 절연성 고분자층과, 상기 절연성 고분자층 상부에 형성되는 그래뉼라 자성합금층을 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층은 상기 배선층을 전자기파로부터 차폐하고, 상기 절연성 고분자층은 상기 그래뉼라 자성합금층을 접착시키며 보호하는 노이즈 감쇄 회로기판. 11 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 그래뉼라 자성합금층은 Co-Fe 그래뉼라 자성층 또는 Ni-Fe 그래뉼라 자성층을 포함하는 노이즈 감쇄 회로기판. 12 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 절연성 고분자층은 폴리이미드를 포함하는 노이즈 감쇄 회로기판. 13 제 11 항에 있어서, 상기 Co-Fe 그래뉼라 자성층의 Co/Fe 몰비는 10% 내지 90% 인 노이즈 감쇄 회로기판. 14 제 11 항에 있어서, 상기 Ni-Fe 그래뉼라 자성층의 Ni/Fe 몰비는 10% 내지 90% 인 노이즈 감쇄 회로기판. 15 기판 상부에 배선층을 형성하는 단계와, 상기 배선층을 전자기파로부터 차폐하는 형상으로 그래뉼라 자성합금층을 형성하는 단계와, 상기 그래뉼라 자성합금층 상부에 절연성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그래뉼라 자성합금층 및 절연성 고분자층을 형성하는 단계는, 제1 자성박막 및 제2 자성박막을 소정의 두께로 각각 형성하는 단계와 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막 상부에 폴리아미드 산을 형성한 후 건조하는 단계와 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막과 상기 건조된 폴리아미드 산을 소정의 온도에서 소정의 시간동안 열처리하는 단계를 포함하는 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법. 16 제 15 항에 있어서, 상기 그래뉼라 자성합금층을 상기 배선층 상부에 형성하거나 상기 배선층을 에워싸도록 형성하는 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법. 17 제 15 항에 있어서, 상기 제1 자성 박막은 Co-Fe 자성 박막인 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법. 18 제 15 항에 있어서, 상기 제2 자성 박막은 Ni-Fe 자성 박막인 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법. 19 제 15 항에 있어서, 상기 폴리아미드 산을 N-메틸 피로리딘(N-methyl pyrrolidine)에 의해 희석하는 단계를 더 포함하는 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법. 20 제 15 항에 있어서, 상기 제1 자성박막 및 제2 자성박막 상부에 폴리아미드 산을 스핀코팅하여 형성하는 노이즈 감쇄 회로기판 제조방법.","KR100716679B1, KR20070045430A",null,"해당없음"]
["K03658","연료전지","KR","초임계 유체를 이용한 연료전지용 복합전해질막, 그제조방법, 상기 복합전해질막을 이용한 막-전극 결합체 및상기 막-전극 결합체를 이용한 연료전지{COPOSITE ELECTROLYTE MEMBRANE FOR FUEL CELL USING SUPERCRITICAL FLUID, METHOD FOR PREPARING THE SAME, MEA USING THE COMPOSITE ELECTROLYTE MEMBRANE AND FUEL CELL USING THE MEA}",null,"원문이미지","KR20050102669A","2005.10.29","KR0709553B1","2007.04.13","본 발명에서는 연료전지에 사용되는, 비이온전도성 고분자 지지체 막 내부에 이온전도성 고분자를 구비하는 복합전해질막 및 그 제조방법에 대한 것으로서, 상기 지지체 막이 초임계 유체에 의하여 팽윤된 상태에서 상기 지지체 막 내부에 상기 이온전도성 고분자를 구비하도록 하는, 초임계 유체를 이용한 연료전지용 복합전해질막, 그 제조방법, 상기 복합전해질막을 이용한 막-전극 결합체 및 상기 막-전극 결합체를 이용한 연료전지를 제공한다. 본 발명은 종래의 이온전도성 고분자막을 대체할 수 있는 것으로서, 제조가 쉬우며 초임계 상태에서 중합함에 의하여 지지체 막과 중합된 이온전도성 고분자의 특성을 모두 가지게 됨으로써 복합막의 안정성이 향상되고, 반응물의 투과도를 감소시켜 연료전지의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 값싼 탄화수소 물질들을 고분자 전해질로 사용할 수 있어 전해질 막의 가격을 낮출 수 있다.","1 비이온전도성 고분자 지지체 막 내부에 이온 전도성 고분자를 구비하는 연료전지용 복합 전해질막에 있어서, 상기 이온전도성 고분자는 초임계 상태의 유체에 의하여 팽윤된 상기 고분자 지지체막 내부로 이온 전도성 고분자의 단량체, 가교제(cross-linking agent) 및 중합 개시제를 함침(含浸 impregnation)하고, 초임계 상태하에서 상기 단량체의 중합 반응을 상기 지지체막 내부에서 수행하여 얻은 고분자를 술폰화(sulphonation)하여 이온 전도성을 가지도록 하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합 전해질막.","김화용, 석준호, 강유찬, 변정연, 임태훈, 남석우, 오인환, 홍성안, 하흥용","H01M-008/10,H01M-008/02",null,null,null,"2025.10.29","1 비이온전도성 고분자 지지체 막 내부에 이온 전도성 고분자를 구비하는 연료전지용 복합 전해질막에 있어서, 상기 이온전도성 고분자는 초임계 상태의 유체에 의하여 팽윤된 상기 고분자 지지체막 내부로 이온 전도성 고분자의 단량체, 가교제(cross-linking agent) 및 중합 개시제를 함침(含浸 impregnation)하고, 초임계 상태하에서 상기 단량체의 중합 반응을 상기 지지체막 내부에서 수행하여 얻은 고분자를 술폰화(sulphonation)하여 이온 전도성을 가지도록 하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합 전해질막. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 제 1 항에 있어서, 상기 지지체 막의 비이온전도성 고분자는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVdF), 폴리비닐리덴플루오라이드 및 헥사플루오르프로필렌의 공중합체(PVdF-HFP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리카보네이트(PC), 폴리아크릴로나이트릴(PAN), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI) 또는 폴리벤지이미다졸(PBI 또는 A-B PBI)의 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합전해질막. 4 제 1 항에 있어서, 상기 지지체 막은 다공성 또는 비다공성이고, 5 내지 300㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합전해질막. 5 제 1 항에 있어서, 상기 이온전도성 고분자는 술포네이티드 폴리스티렌(sPS), 술포네이티드 폴리트리플루오로스티렌(sPTFS), 술포네이티드 폴리에테르에테르케톤(sPEEK), 술포네이티드 폴리에테르술폰(sPES) 또는 술포네이티드 폴리이미드(sPI)의 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합전해질막. 6 제 1 항에 있어서, 상기 초임계 유체는 이산화탄소, 물, 메탄올 또는 에탄올의 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합전해질막. 7 비이온전도성 고분자 지지체막 내부에 이온전도성 고분자를 구비하도록 하는 연료전지용 복합전해질막의 제조 방법에 있어서, 비이온전도성 고분자 지지체막의 팽윤 현상을 유발하는 초임계 유체에 의하여 상기 지지체 막의 내부를 팽윤시키며 상기 비이온전도성 고분자 지지체막의 내부로 이온전도성 고분자의 단량체, 가교제 및 중합 개시제를 함침시킨 뒤, 초임계 상태에서 상기 단량체의 중합 반응을 수행하여 얻은 고분자에 술폰화 반응을 일으켜 이온전도성을 부여하는 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합 전해질막의 제조 방법. 8<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 9 제 7 항 에 있어서, 상기 S1 단계는 비이온전도성 고분자 분말을 휘발성 유기용매에 용해하여 캐스팅하거나 또는 고온에서 용융시켜 사출하여 상기 지지체막을 제조하는 것을 특징으로 하는 연료전지용 복합 전해질막의 제조 방법. 10 제 1 항과 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합 전해질막을 포함하는 것을 특징으로 하는 막-전극 결합체(membrane-electrode assembly, MEA). 11 제 10 항에 따른 막-전극 결합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지.","KR100709553B1",null,"해당없음"]
["K03650","영상처리","KR","넓은 생동폭을 갖는 스테레오 카메라 영상처리장치{Apparatus for image processing of stereo camera having wide dynamic range}",null,"원문이미지","KR20050102350A","2005.10.28","KR0680256B1","2007.02.01","본 발명은 넓은 생동폭을 갖는 스테레오 카메라 영상처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 한 대의 마스터 카메라가 슬레이브 카메라에게 영상의 노출 개시시점, 노출량, 생동폭 확장을 위한 파라미터, 전송 개시시점 등을 제어하여 좌우 스테레오 영상의 균일성을 확보할 수 있게 함으로써 다수의 카메라가 피사체에 대해 안정된 넓은 생동폭을 갖는 영상신호들을 획득하는 장치에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 마스터(Master) 장치를 구비하며, 피사체 화상의 영상신호를 생성하기 위한 제 1영상신호처리부와; 슬레이브(Slave) 장치를 구비하며, 상기 제 1영상신호처리부와 함께 스테레오 영상을 구성하는 제 2영상신호처리부; 및 상기 제 1영상신호처리부와 제 2영상신호처리부 간에 영상촬영 시점, 노출 시간 정보와 취득된 영상정보를 교환하고 공유하기 위한 고속전용 직렬통신 인터페이스가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치를 제시한다.","1 마스터(Master) 장치를 구비하며, 피사체의 영상을 생성하기 위한 제 1영상신호처리부와; 슬레이브(Slave) 장치를 구비하며, 상기 제 1영상신호처리부와 함께 스테레오 영상을 구성하는 제 2영상신호처리부; 및 상기 제 1영상신호처리부와 제 2영상신호처리부 간에 영상촬영 시점, 노출 시간 정보와 취득된 영상정보를 교환하고 공유하기 위한 고속전용 직렬통신 인터페이스가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치.","박성기, 김문상, 김진헌","H04N-005/225,H04N-013/02",null,null,null,"2025.10.28","1 마스터(Master) 장치를 구비하며, 피사체의 영상을 생성하기 위한 제 1영상신호처리부와; 슬레이브(Slave) 장치를 구비하며, 상기 제 1영상신호처리부와 함께 스테레오 영상을 구성하는 제 2영상신호처리부; 및 상기 제 1영상신호처리부와 제 2영상신호처리부 간에 영상촬영 시점, 노출 시간 정보와 취득된 영상정보를 교환하고 공유하기 위한 고속전용 직렬통신 인터페이스가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치. 2 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2영상신호처리에는 밝은 영상과 어두운 영상을 합성하기 위한 합성회로와; 상기 합성된 영상을 전송하기 위한 전송회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치. 3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 합성회로 및 전송회로에는 고속동작을 수행하기 위해 데이터 대역폭이 32비트인 고속의 SDRAM 메모리로 구성되는 영상신호 저장부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치. 4 청구항 1에 있어서, 상기 고속전용 직렬통신 인터페이스에는 LVDS 인터페이스를 사용하는 것을 특징으로 하는 스테레오 카메라 영상신호 처리장치. 5 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2영상신호처리부는 독립적으로 분리 가능하며, 분리된 경우 각각의 독립적인 영상신호처리 기능을 수행하는 것을 스테레오 카메라 영상신호 처리장치.","KR100680256B1",null,"해당없음"]
["K03647","광학","KR","광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기{TUNABLE GROUP DELAY CONTROLLER FOR OPTICAL TELECOMMUNICATION SYSTEM}",null,"원문이미지","KR20050099443A","2005.10.21","KR0700478B1","2007.03.21","본 발명은 첩 광섬유 격자의 시간 지연 특성을 간편하고 연속적으로 조절하여 광신호의 왜곡을 억제시킬 수 있는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기에 관한 것이다. 베이스 상에 제 1가동판과 제 2가동판이 수평으로 평행하고 직선이동가능하도록 설치된다. 제 1가동판의 이동시 제 2가동판은 제 1가동판의 이동방향과 반대방향으로 상대이동한다. 제 1가동판과 제 2가동판 상에 이동방향과 직각으로 탄성플레이트가 직립 설치되고, 첩 광섬유 격자를 포함하는 광섬유가 탄성플레이트의 일면에 부착된다. 제 1가동판과 제 2가동판의 상대이동에 따라 탄성플레이트와 광섬유는 탄성플레이트의 길이방향 중심에 대해 대칭으로 벤딩된다. 대칭으로 벤딩되는 첩 광섬유 격자의 일측 반부에는 수축력이 유도되고, 타측 반부에는 인장력이 유도된다. 인장력이 유도된 첩 광섬유 격자의 주기는 증가되고, 수축력이 유도된 첩 광섬유 격자의 주기는 감소됨으로써 첩비율의 변화가 유도되고, 광신호의 시간 지연 특성이 변화하므로 분산 특성도 변화시킬 수 있게 된다.","1 베이스와; 상기 베이스 상에 수평으로 평행하고 직선이동가능하도록 설치되는 제 1가동판 및 제 2가동판과; 상기 제 1가동판을 이동시키기 위한 수단과; 상기 베이스 상에 회전가능하게 설치되는 톱니바퀴와, 상기 톱니바퀴에 이물림되고 상기 제 1가동판에 이동방향으로 배치되어 결합되는 제 1직선기어와, 상기 톱니바퀴의 제 1직선기어 반대측에 이물림되고 상기 제 2가동판에 이동방향으로 배치되어 결합되는 제 2직선기어를 구비하여, 상기 제 1가동판의 이동시 상기 제 1가동판의 이동방향과 반대방향으로 상기 제 2가동판을 상대이동시키기 위한 수단과; 상기 제 1가동판과 제 2가동판 상에 이동방향과 직각으로 배치되고, 일면에 첩 광섬유 격자를 포함하는 광섬유가 부착되는 탄성플레이트와; 상기 제 1가동판과 제 2가동판의 상대이동시 상기 탄성플레이트와 상기 광섬유를 상기 탄성플레이트의 길이방향 중심에 대해 대칭으로 벤딩시키기 위한 수단을 포함하고, 대칭으로 벤딩되는 상기 첩 광섬유 격자의 일측 반부에는 수축력이 유도되고, 타측 반부에는 인장력이 유도되는 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기.","한영근, 이상배","G02B-006/02,G02B-026/00",null,null,null,"2025.10.21","1 베이스와; 상기 베이스 상에 수평으로 평행하고 직선이동가능하도록 설치되는 제 1가동판 및 제 2가동판과; 상기 제 1가동판을 이동시키기 위한 수단과; 상기 베이스 상에 회전가능하게 설치되는 톱니바퀴와, 상기 톱니바퀴에 이물림되고 상기 제 1가동판에 이동방향으로 배치되어 결합되는 제 1직선기어와, 상기 톱니바퀴의 제 1직선기어 반대측에 이물림되고 상기 제 2가동판에 이동방향으로 배치되어 결합되는 제 2직선기어를 구비하여, 상기 제 1가동판의 이동시 상기 제 1가동판의 이동방향과 반대방향으로 상기 제 2가동판을 상대이동시키기 위한 수단과; 상기 제 1가동판과 제 2가동판 상에 이동방향과 직각으로 배치되고, 일면에 첩 광섬유 격자를 포함하는 광섬유가 부착되는 탄성플레이트와; 상기 제 1가동판과 제 2가동판의 상대이동시 상기 탄성플레이트와 상기 광섬유를 상기 탄성플레이트의 길이방향 중심에 대해 대칭으로 벤딩시키기 위한 수단을 포함하고, 대칭으로 벤딩되는 상기 첩 광섬유 격자의 일측 반부에는 수축력이 유도되고, 타측 반부에는 인장력이 유도되는 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기. 2 제1항에 있어서, 상기 제 1가동판을 이동시키기 위한 수단은 상기 제 1가동판의 일면에 결합된 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기. 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 제1항에 있어서, 상기 탄성플레이트와 상기 광섬유를 벤딩시키기 위한 수단은 상기 베이스에 설치되고 상기 탄성플레이트의 양단을 고정시키기 위한 홀더와, 상기 제 1가동판과 제 2가동판의 상면에 상기 탄성플레이트의 두 반대표면에 각각 접촉하여 구비되는 제 1고정핀과 제 2고정핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기. 5 제4항에 있어서, 상기 제 1가동판과 제 2가동판의 상면에는 상기 제 1고정핀과 제 2고정핀이 선택적으로 삽입설치되는 다수의 핀홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기. 6 제5항에 있어서, 상기 다수의 핀홀은 상기 제 1가동판과 제 2가동판의 이동방향에 직각으로 배치되고, 상호 인접하는 핀홀 사이의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는 광통신 시스템용 가변 시간 지연 조절기.","KR100700478B1",null,"해당없음"]
["K03628","광학","KR","광섬유 라만 증폭기{FIBER RAMAN AMPLIFIER}",null,"원문이미지","KR20050088612A","2005.09.23","KR0701551B1","2007.03.23","본 발명은 펌프광을 순방향 또는 역방향으로만 인가하는 종래의 라만 증폭기의 구조를 개선한 라만 증폭기에 대한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 라만 증폭기는 제1 및 제2 단부를 갖는 라만 이득 광섬유, 제1 펌프광 및 제2 펌프광을 발생시키는 펌프광 발생 수단, 상기 라만 이득 광섬유의 제1 단부에 결합되며, 상기 제1 펌프광 및 입력 광신호를 수신하고 상기 제1 펌프광 및 입력 광신호가 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제1 커플러, 및 상기 라만 이득 광섬유의 제2 단부에 결합되며, 상기 라만 이득 광섬유를 통과한 광신호를 수신하여 출력하고 상기 제2 펌프광을 수신하여 상기 제2 펌프광이 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제2 커플러를 포함한다.","1 제1 및 제2 단부를 갖는 라만 이득 광섬유; 펌프광을 발생시키는 펌프광원; 상기 펌프광을 분리하여 제1 및 제2 펌프광을 형성하고, 상기 제1 및 제2 펌프광의 세기를 조절하는 분리수단; 상기 라만 이득 광섬유의 제1 단부에 결합되며, 상기 제1 펌프광 및 입력 광신호를 수신하고 상기 제1 펌프광 및 상기 입력 광신호가 제1 방향으로 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제1 커플러; 및 상기 라만 이득 광섬유의 제2 단부에 결합되며, 상기 라만 이득 광섬유를 통과한 광신호를 수신하여 출력하고, 상기 제2 펌프광을 수신하여 상기 제2 펌프광이 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제2 커플러를 포함하는 광섬유 라만 증폭기.","한영근, 이상배, 김철한","G02B-006/00","KR20070034203A","2007.03.28",null,"2025.09.23","1 제1 및 제2 단부를 갖는 라만 이득 광섬유; 펌프광을 발생시키는 펌프광원; 상기 펌프광을 분리하여 제1 및 제2 펌프광을 형성하고, 상기 제1 및 제2 펌프광의 세기를 조절하는 분리수단; 상기 라만 이득 광섬유의 제1 단부에 결합되며, 상기 제1 펌프광 및 입력 광신호를 수신하고 상기 제1 펌프광 및 상기 입력 광신호가 제1 방향으로 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제1 커플러; 및 상기 라만 이득 광섬유의 제2 단부에 결합되며, 상기 라만 이득 광섬유를 통과한 광신호를 수신하여 출력하고, 상기 제2 펌프광을 수신하여 상기 제2 펌프광이 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 상기 라만 이득 광섬유를 통과하도록 구성된 제2 커플러를 포함하는 광섬유 라만 증폭기. 2 제1항에 있어서, 상기 라만 이득 광섬유는 싱글모드 광섬유 (SMF), 분산 천이 광섬유 (DSF), 고비선형 광섬유 (highly nonlinear fiber), 분산 보상 광섬유 (DCF), 포토닉 크리스탈 광섬유 (Photonic crystal fiber), 및 화합물 유리 섬유(compound glass fiber)로 구성된 그룹에서 선택되는 광섬유 라만 증폭기. 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 제1항에 있어서, 상기 분리수단은 가변 커플러를 포함하는 광섬유 라만 증폭기. 5 제1항에 있어서, 상기 펌프광원은 반도체 레이저 다이오드 또는 광섬유 라만 레이저 장비인 광섬유 라만 증폭기. 6 제1항에 있어서, 상기 제1 펌프광의 파워는 상기 제1 및 제2 펌프광의 파워의 합계에 대하여 20%에서 60% 사이인 광섬유 라만 증폭기. 7 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 커플러는 WDM 커플러(Wavelenght Division Multiplex coupler)인 광섬유 라만 증폭기. 8 제1항에 있어서, 상기 펌프광 발생 수단은 제1 펌프광을 발생시키는 제1 펌프광 발생기 및 제2 펌프광을 발생시키는 제2 펌프광 발생기를 포함하는 광섬유 라만 증폭기.","KR100701551B1, KR20070034203A",null,"해당없음"]
["K03600","반도체","KR","내장형 캐패시터{EMBEDDED CAPACITOR}",null,"원문이미지","KR20050074398A","2005.08.12","KR0714275B1","2007.04.26","본 발명은 내장형 캐패시터에 관한 것으로, 양극산화에 의하여 나노 기공 어레이가 형성된 인쇄배선기판용 내장형 캐패시터를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정 온도를 200℃ 이하로 낮추고, 캐패시턴스 밀도를 300 nF/cm2이상으로 높일 수 있는 새로운 개념의 임배디드 캐패시터를 제조할 수 있다. 본 발명을 통해 구현한 실리콘 기판 위에 형성된 알루미늄/알루미나 나노 기공 캐패시터는, 150 μm 직경 상부 패드, 10 MHz 측정으로 86 nF/cm2 의 캐패시턴스 밀도를 관찰하였다.","1 상면에 규칙적인 요철부가 형성된 제1전극층; 상기 제1전극층 위에 형성된 균일한 두께의 금속 산화물층; 및 상기 금속 산화물층 위에 형성된 제2전극층;을 포함하는 내장형 커패시터.","이전국","H01G-004/10,H05K-003/46","KR20070019432A","2007.02.15",null,"2025.08.12","1 상면에 규칙적인 요철부가 형성된 제1전극층; 상기 제1전극층 위에 형성된 균일한 두께의 금속 산화물층; 및 상기 금속 산화물층 위에 형성된 제2전극층;을 포함하는 내장형 커패시터. 2 제1항에 있어서, 상기 제1전극층은 Al, Ti, Ta, Zr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는 내장형 캐패시터. 3 제1항에 있어서, 상기 금속 산화물층은 Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는 내장형 캐패시터. 4 기판 위에 Al, Ti, Ta, Zr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 제1전극층을 형성하고, 상기 제1전극층을 양극산화시켜 제1전극층의 상면에 규칙적인 요철부를 형성함과 동시에 상기 요철부가 형성된 제1전극층 위에 균일한 두께의 금속 산화물층을 형성하며, 상기 금속 산화물층에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 내장형 캐패시터 제조방법. 5 제4항에 있어서, 상기 제1전극층 표면에 나노 어레이 탐침으로 양극산화 시작점을 형성시키는 단계를 더 포함하는 내장형 캐패시터 제조방법. 6 제4항에 있어서, 상기 양극산화 단계는 1차로 양극산화를 수행하여 나노 기공 어레이를 형성하고, 상기 나노 기공 어레이를 제거하고, 2차로 양극산화를 수행하는 것을 특징으로 하는 내장형 캐패시터 제조방법. 7 제4항에 있어서, 상기 기판은 고분자 물질이고, 상기 금속 산화물층의 형성은 최대 200℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 내장형 캐패시터 제조방법.","KR100714275B1, KR20070019432A",null,"해당없음"]
["K03555","디스플레이","KR","산화 아연 계 투명 전도성 산화물 박막의 제조 방법{FABRICATION METHOD OF ZINC OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM}",null,"원문이미지","KR20050052647A","2005.06.17","KR0682741B1","2007.02.08","평판 디스플레이 등에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로 알루미늄과 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제공한다. 상대적으로 산소 안정성이 좋고 에칭 특성 개선이 예상되는 갈륨을 동시 도핑함으로써 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO) 박막의 산화반응에 의한 물성 저하 및 에칭 속도가 빠른 문제점을 개선하였다. 알루미늄이 포함된 산화아연 타겟과 갈륨이 포함된 산화아연 타겟을 경사지도록 배치하고 스퍼터링 파워를 조절하여 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절하였으며, 제조된 산화아연 박막의 전기적 특성, 경시(aging) 특성, 에칭 특성 등이 향상된 것을 확인하였다.","4 기판 상에 산화아연 박막을 형성함에 있어서, 진공 상태에서 스퍼터링에 의하여 알루미늄과 갈륨을 동시에 도핑하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법.","이전국, 김원목, 김인호","H01L-021/20","KR20060132351A","2006.12.21",null,"2025.06.17","1<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 기판 상에 산화아연 박막을 형성함에 있어서, 진공 상태에서 스퍼터링에 의하여 알루미늄과 갈륨을 동시에 도핑하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 5 제4항에 있어서, 알루미늄이 도핑된 산화아연 타겟과 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 6 제5항에 있어서, 상기 두 타겟을 각각 경사지도록 기울여 기판 중앙을 향하도록 배치하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 7 제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨의 도핑 비율은 1:2 ~ 2:1 인 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 8 제7항에 있어서, 상기 도핑 비율은 스퍼터링 파워의 크기로 조절하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 9 제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨의 도핑 양은 각각 4 at%, 1 at% 인 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법. 10 제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨을 함께 포함하는 산화아연 단일 타겟을 사용하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법.","KR100682741B1, KR20060132351A",null,"해당없음"]
["K03539","영상처리","KR","체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법{Calibration marks auto-detecting Mothod in checkerboard}",null,"원문이미지","KR20050037654A","2005.05.04","KR0711206B1","2007.04.18","본 발명은 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법에 관한 것으로, 카메라 보정시에 사용되는 체크보드 형태의 보정 패턴에서 자동으로 교차점을 추출하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법은 입력 화상의 모든 지점에 대하여 적어도 하나의 동심원으로 에지 정보를 투영하는 단계와, 상기 에지 정보가 투영된 적어도 하나의 동심원상에 4개의 최대치의 지점이 일정범위내이면 교차점 후보로 추출하는 단계와, 상기 교차점 후보로 추출하는 단계에서 추출한 4개의 교차점 후보의 방향을 따라 밝기값의 변화 여부를 조사하여 교차하는 경우 후보점으로 추가하는 단계와, 상기 후보점으로 추가하는 단계에서 추기된 후보점들중 사영 기하에서 제공되는 직선상의 네 점상에 위치한 후보점간에 성립하는 교차비의 값이 일정범위 이하일 경우 교차점으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성되는 것을 특징으로 한다.","1 입력 화상의 모든 지점에 대하여 적어도 하나의 동심원으로 에지 정보를 투영하는 단계와, 상기 에지 정보가 투영된 적어도 하나의 동심원상에 4개의 최대치의 지점이 일정범위내이면 교차점 후보로 추출하는 단계와, 상기 교차점 후보로 추출하는 단계에서 추출한 4개의 교차점 후보의 방향을 따라 밝기값의 변화 여부를 조사하여 교차하는 경우 후보점으로 추가하는 단계와, 상기 후보점으로 추가하는 단계에서 추기된 후보점들중 사영 기하에서 제공되는 직선상의 네 점상에 위치한 후보점간에 성립하는 교차비의 값이 일정범위 이하일 경우 교차점으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법.","정문호, 유범재, 하종은, 강동중","H04N-005/235,H04N-005/232","KR20060115420A","2006.11.09",null,"2025.05.04","1 입력 화상의 모든 지점에 대하여 적어도 하나의 동심원으로 에지 정보를 투영하는 단계와, 상기 에지 정보가 투영된 적어도 하나의 동심원상에 4개의 최대치의 지점이 일정범위내이면 교차점 후보로 추출하는 단계와, 상기 교차점 후보로 추출하는 단계에서 추출한 4개의 교차점 후보의 방향을 따라 밝기값의 변화 여부를 조사하여 교차하는 경우 후보점으로 추가하는 단계와, 상기 후보점으로 추가하는 단계에서 추기된 후보점들중 사영 기하에서 제공되는 직선상의 네 점상에 위치한 후보점간에 성립하는 교차비의 값이 일정범위 이하일 경우 교차점으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법. 2 청구항 1항에 있어서, 상기 입력 화상의 모든 지점에 대하여 적어도 하나의 동심원으로 에지 정보를 투영하는 단계는, 입력된 이미지에서의 모든 지점에 대해 에지 정보를 추출하는 단계와, 상기 단계에서 추출한 에지 정보를 적어도 하나 이상의 동심원 중에서 가장 내부에 위치한 동심원으로 투영하는 단계와, 상기 단계의 실행이 종료되면 에지정보가 투영된 동심원에서 가장 근접한 외부에 위치한 동심원으로 에지 정보를 투영하는 단계와, 모든 동심원에 에지정보를 투영하였는가를 확인하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법. 3 청구항 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 동심원상에 4개의 최대치의 지점이 사용자가 지정한 일정범위내이면 교차점 후보로 추출하는 단계는, 적어도 하나 이상의 동심원 중에서 가장 내부에 위치한 동심원 상의 4개의 최대치의 지점을 선택하는 단계와, 최대치의 지점을 선택한 동심원에서 가장 근접한 외부에 위치한 동심원 상의 4개의 최대치의 지점을 선택하는 단계와, 모든 동심원에서 최대치의 지점을 선택하였는가를 확인하는 단계와, 상기 단계에서 선택한 최대치의 지점이 일정 값 이내인가를 확인하는 단계와, 선택된 최대치들을 교차점 후보에 추가하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법. 4 청구항 1항에 있어서, 사영 기하에서 제공되는 직선상의 네 점상에 위치한 후보점간에 성립하는 교차비의 값이 일정범위 이하일 경우 교차점으로 설정하는 단계는, 하나의 후보점에서 가장 가까운 후보점을 선택하고 다른 2개의 후보점을 이 선상에 놓이게 하여 4개의 후보점을 선택하는 단계와, 상기 4개의 후보점의 교차비의 값이 일정 값이내이면 교차점으로 선택되는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법. 5 청구항 4항에 있어서, 상이 4개의 후보점의 교차비의 값이 일정 값이내이면 교차점으로 선택되는 단계에서 사용되는 교차비는 인 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법. 6 청구항 5항에 있어서, 는 선에 따라 각각의 후보점에 대응하는 위치인 것을 특징으로 하는 체크보드 형태의 교차점 자동 추출 방법.","KR100711206B1, KR20060115420A",null,"해당없음"]
["K03537","영상처리","KR","경사계를 이용한 생체 모방형 시각처리 장치{Biomimetic Vision Equipment with Inclinometer}",null,"원문이미지","KR20050037627A","2005.05.04","KR0711205B1","2007.04.18","본 발명은 경사계를 이용한 생체 모방형 시각처리 장치에 관한 것으로서, 특히 디지털 영상 취득장치의 기울어짐(광축방향 회전각)을 경사계로 측정하고 기울어진 각 만큼 영상을 복원시켜 디지털 영상 취득장치의 기울어짐에 영향을 받지 않는 영상을 취득할 수 있도록 하는 시각처리 장치에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 디지털 카메라로부터 영상신호를 취득하는 영상취득 수단과; 상기 영상취득 수단의 광축에 대한 회전각을 측정하는 경사각 측정수단; 상기 영상취득 수단과 경사각 측정수단의 출력 신호를 시간적으로 동기화 하는 영상변환 수단; 및 상기 영상변환 수단으로부터 동기화 된 출력신호를 송신하거나 외부로부터의 제어신호 등을 수신하는 통신 인터페이스 수단을 포함하는 생체 모방형 시각처리 장치를 제시한다.","1 디지털 카메라로부터 영상신호를 취득하는 영상취득부; 눈의 광 축방향에 대한 회전각으로 상기 영상취득부의 회전각을 측정하는 경사각 측정 센서를 갖는 경사각 측정부; 상기 영상취득부와 경사각 측정부의 출력 신호를 시간적으로 동기화 하는 영상변환부; 및 상기 영상변환부로부터 동기화된 출력신호를 송신하거나 외부로부터의 제어신호 등을 수신하는 통신 인터페이스부를 포함하며, 상기 경사각 측정 센서는, 상기 영상 취득부가 지면에 평행한 면을 기준으로 상기 광 축에 대하여 시계 방향 또는 반 시계 방향으로 회전한 양을 측정함으로써, 회전각을 측정하는 것을 특징으로 하는 생체 모방형 시각처리 장치.","정문호, 유범재","H04N-005/232","KR20060115219A","2006.11.08",null,"2025.05.04","1 디지털 카메라로부터 영상신호를 취득하는 영상취득부; 눈의 광 축방향에 대한 회전각으로 상기 영상취득부의 회전각을 측정하는 경사각 측정 센서를 갖는 경사각 측정부; 상기 영상취득부와 경사각 측정부의 출력 신호를 시간적으로 동기화 하는 영상변환부; 및 상기 영상변환부로부터 동기화된 출력신호를 송신하거나 외부로부터의 제어신호 등을 수신하는 통신 인터페이스부를 포함하며, 상기 경사각 측정 센서는, 상기 영상 취득부가 지면에 평행한 면을 기준으로 상기 광 축에 대하여 시계 방향 또는 반 시계 방향으로 회전한 양을 측정함으로써, 회전각을 측정하는 것을 특징으로 하는 생체 모방형 시각처리 장치. 2 청구항 1에 있어서, 상기 영상취득부는 단안(monocular), 양안(binocular), 삼안, 다안 중에서 임의로 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 생체 모방형 시각처리 장치. 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 청구항 1에 있어서, 상기 광 축은 영상면에 수직이며, 스테레오 시각장치의 경우(양안, 삼안, 다안)의 각 광축은 서로 평행인 것을 특징으로 하는 생체 모방형 시각처리 장치. 5 청구항 1에 있어서, 상기 영상변환부에서 영상 변환속도는 영상 취득속도(frame rate) 보다 빠르게 설정하는 것을 특징으로 하는 생체 모방형 시각처리 장치.","KR100711205B1, KR20060115219A",null,"해당없음"]
["K03663","연료전지","KR","고립 전해질을 이용한 단실형 고체 산화물 연료전지{SINGLE CHAMBER SOLID OXIDE FUEL CELLS WITH ISOLATED ELECTROLYTE}",null,"원문이미지","KR20050126390A","2005.12.20","KR0707113B1","2007.04.06","본 발명은 단실형 고체 산화물 연료전지에 관한 것으로, 전극을 전해질과 동일 평면상에 배치하고 집적화를 통하여 단실형 고집적 마이크로 연료전지를 제공한다. 이를 통해 연료 전지의 고출력 밀도를 얻을 수 있으며, 단위 셀을 다양한 형태로 직렬 혹은 병렬로 구성하여 고전압, 고전류를 발생하는 마이크로 연료전지를 구현할 수 있다.","1 지지체 상에 서로 고립된 형태로 패터닝하여 형성한 전해질과, 상기 전해질과 접촉하도록 배치된 동일 평면상의 전극, 및 상기 지지체 상에 배치되며 상기 전극에 연결되는 집전체를 포함하는 단실형 고체산화물 연료전지.","김형철, 박종구, 이해원, 이종호, 김주선, 손지원, 최선희","H01M-008/10",null,null,null,"2025.12.20","1 지지체 상에 서로 고립된 형태로 패터닝하여 형성한 전해질과, 상기 전해질과 접촉하도록 배치된 동일 평면상의 전극, 및 상기 지지체 상에 배치되며 상기 전극에 연결되는 집전체를 포함하는 단실형 고체산화물 연료전지. 2 제 1 항에 있어서, 상기 지지체는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 타이타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2) 및 상기 재료들의 도핑상으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 3 제 1 항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘(Si) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 4 제 3 항에 있어서, 상기 지지체 위에 절연 및 열팽창 버퍼층으로서 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3), 이산화티타늄(TiO2), 산화마그네슘(MgO), 지르코니아(ZrO2) 및 상기 재료들의 도핑상으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 단실형 고체산화물연료전지. 5 제 1 항에 있어서, 상기 지지체로 전해질을 직접 사용하며, 이 경우 전해질은 소정 간격으로 사각형, 삼각형 등의 홈(groove)을 형성함으로써 고립 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 6 제 1 항에 있어서, 상기 전극은 고립된 각 전해질의 측벽에 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 7 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 전극은 고립된 각 전해질의 상단에 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 8 제 1 항에 있어서, 상기 전극은 고립된 각 전해질의 말단에 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 9 제 6 항에 있어서, 상기 전극은 같은 극이 서로 마주보는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 10 제 6 항에 있어서, 상기 전극은 다른 극이 서로 마주보는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 11 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 상기 전극의 측벽에만 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 12 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 상기 전극의 상면 및 측벽에 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 13 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 상기 전극의 말단에만 접촉하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 14 제 1 항에 있어서, 상기 집전체는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 등의 귀금속류와 내산화성 금속에서 선택되는 어느 하나로서 다공성 혹은 치밀한 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물연료전지. 15 지지체 상에 서로 고립된 형태로 패터닝하여 형성한 전해질과, 상기 전해질과 접촉하도록 배치된 동일 평면상의 전극, 및 상기 지지체 상에 배치되며 상기 전극에 연결되는 집전체를 포함하는 다수의 단위 셀이 집적되어 형성되며, 상기 집전체는 상기 단위 셀을 병렬 연결하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지. 16 지지체 상에 서로 고립된 형태로 패터닝하여 형성한 전해질과, 상기 전해질과 접촉하도록 배치된 동일 평면상의 전극, 및 상기 지지체 상에 배치되며 상기 전극에 연결되는 집전체를 포함하는 다수의 단위 셀이 집적되어 형성되며, 상기 집전체는 상기 단위 셀을 직렬 연결하는 것을 특징으로 하는 단실형 고체산화물 연료전지.","KR100707113B1, US2007141433A1, WO2007073015A1",null,"해당없음"]
["K03541","재료","KR","비정질분말 플레이크 및 그 제조방법{AMORPHOUS POWDER FLAKES AND THEIR PREPARATION METHOD THEREOF}",null,"원문이미지","KR20050046432A","2005.05.31","KR0701413B1","2007.03.23","본 발명에서는 급냉 응고에 의해 제조된 비정질합금을 고 에너지 밀을 이용하여 플레이크 형상의 비정질분말을 제조하였다. 본 발명의 고 에너지 밀을 이용하여 제조한 비정질분말 플레이크는 전자파 흡수 박형 필름 제조에 유용하게 적용할 수 있다.","1 비정질합금을 급속 응고시켜 구형의 비정질분말을 얻는 제1단계와, 고에너지 밀을 이용하여 상기 구형의 비정질분말을 밀링하여 0.1 ~ 5 ㎛ 두께로 편상화된 비정질분말 플레이크를 얻는 제2단계를 포함하는 비정질분말 플레이크 제조방법.","김윤배, 김광윤, 석현광, 김상우","B22F-009/00","KR20060124480A","2006.12.05",null,"2025.05.31","1 비정질합금을 급속 응고시켜 구형의 비정질분말을 얻는 제1단계와, 고에너지 밀을 이용하여 상기 구형의 비정질분말을 밀링하여 0.1 ~ 5 ㎛ 두께로 편상화된 비정질분말 플레이크를 얻는 제2단계를 포함하는 비정질분말 플레이크 제조방법. 2 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질분말은 Fe, Si, B, Cr, C, Nb 및 Cu 중에서 선택되는 어느 한 종 이상을 포함하는 비정질분말 플레이크 제조방법. 3 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질분말은 Fe, Si 및 B의 함량이 각각 88.5~90.5 중량%, 6.0~9.0 중량% 및 2.0~3.5 중량%인 비정질분말 플레이크 제조방법. 4 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질분말 중의 Fe, Si, B 및 Nb의 함량이 각각 83.5 중량%, 5.6 중량%, 3.2 중량% 및 7.7 중량%인 비정질분말 플레이크 제조방법. 5 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질분말 중의 Fe, Si, B, Nb 및 Cu의 함량이 각각 82.8 중량%, 8.0 중량% 및 2.2 중량%, 5.7 중량% 및 1.3 중량%인 비정질분말 플레이크 제조방법. 6 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질분말 중의 Fe, Si, B, Cr 및 C의 함량이 각각 86.1 중량%, 8.0 중량% 및 3.4 중량%, 2.0 중량% 및 0.5 중량%인 비정질분말 플레이크 제조방법. 7 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 비정질분말은 비정질분말의 구성 성분으로 이루어진 합금의 용융물을 가스 분무, 원심 분무, 수 분무 또는 멜트 스피닝후 분쇄하여 얻어진 것인 비정질분말 플레이크 제조방법. 8 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 비정질 분말의 입자 크기가 200 ㎛ 이하인 비정질분말 플레이크 제조방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10 제1항에 있어서, 상기 고에너지 밀은 Symoloyer(독일 Zoz사 제품의 고에너지 밀), 볼밀(ball mill) 또는 아트리션밀(attrition mill)을 사용하여 수행되는 것인 비정질분말 플레이크 제조방법. 11 제10항에 있어서, 밀링은 Symoloyer(독일 Zoz사 제품의 고에너지 밀)를 사용할 경우 1000 rpm 이하에서 7시간 이내로 하는 비정질분말 플레이크 제조방법. 12 제10항에 있어서, 밀링은 건식(Dry) 또는 습식(Wet)방법으로 하는 비정질분말 플레이크 제조방법. 13 제1항에 있어서, 상기 비정질 분말이 Zr, Cu, Fe, Al, Ti, Mg, Ln, Pd, Co 및 Ni계로 구성된 군에서 선택되는 금속을 주성분으로 포함하는 Zr-Cu-Ni-Al-Ti계, Zr-Ti-Cu-Ni-Be계, Zr-Al-Ni-Cu계, Zr-Ti-Nb-Ni-Cu-Be계, Cu-Ti-Zr-Ni-(Sn)-Si계, Fe-Cr-Mo-C-B계, Fe-B-Si계, Fe-Si-B-C계, Fe-Si-B-C-P계, Fe-Cr-B-Si-C계, Fe-Si-B-Nb계, Fe-Zr-B-(Ni)계, Fe-Cu-Nb-Si-B계, Fe-Co-Ni-Zr-B계, Fe-Al-B-(Cu, Nb)계, Fe-Nb-B계, Fe-Zr-B-Cu계, Fe-Cr-Mo-C-B계, Al-La(Ce,Y)-Ni계, Ti-Cu-Ni-Sn-Be-Zr계, Ti-Zr-Cu-Ni계, Mg-Cu(Ni)-Ag-Y(Ce)계, Mg-Ca-Al계, La-Al-Ni계, Pd-Ni-Cu-P계, Pd-Ni-P계, Co-Fe-Si-B계, Co-Fe-Ni-(Mo)-B-Si계, Ni-Cr-Fe-Si-B계, Ni-Nb-Cr-Mo-P-B계 및 Ni-B-Si계 중에서 선택되는 어느 하나인 비정질분말 플레이크 제조방법. 14<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 15<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 16<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100701413B1, KR20060124480A",null,"해당없음"]
["K03528","반도체","KR","스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 및 그제조방법{The magnetic memory device using spin-splitting induced voltage difference}",null,"원문이미지","KR20050041684A","2005.05.18","KR0704544B1","2007.04.02","본 발명은 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 2차원 전자우물층과 강자성체로 구성되고, 자화방향에 따른 전위차를 이용한 비 휘발성 스핀 메모리 소자에 관한 것이다.본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자는 2차원 전자우물층에서 스핀분극을 이용하여 강자성체와의 접합을 통해 평행 또는 반평행에서 나타나는 전위차를 이용하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 제조방법은 화합물 반도체 기판 상에 2차원 전자우물층을 포함한 웨이퍼를 성장시키는 제1단계; 상기 결과물에 리쏘그래피(lithography) 공정과 이온밀링(ion-milling)을 이용하여 워드라인을 정의하는 2단계; 상기 결과물 상에서 상기 워드라인이 증착되지 않은 부분에 산화막을 증착하는 제3단계; 전자빔 리소그래피와 스퍼터를 이용하여 상기 워드라인 상에 강자성체를 증착하는 제4단계; 및 상기 결과물을 패터닝하여 Al이나 Au을 증착하고, 비트라인을 형성하는 제5단계;을 포함한다.","1 2차원 전자우물층으로 이루진 워드라인과 Au나 Al 등의 금속선으로 이루어진 비트라인 및 상기 워드라인과 비트라인 사이에 200 nm × 400 nm의 크기로 형성된 강자성체 패턴으로 구성되는 자기메모리소자에 있어서, 2차원 전자우물층에 강자성체를 접합하여 발생하는 스핀분극이 상기 강자성체의 자화 방향에 따라 평행 또는 반평행 관계를 가지면, 그에 따라 발생하는 전위차를 이용하는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자.","구현철, 한석희, 장준연, 이현정","G11C-011/15","KR20060119109A","2006.11.24",null,"2025.05.18","1 2차원 전자우물층으로 이루진 워드라인과 Au나 Al 등의 금속선으로 이루어진 비트라인 및 상기 워드라인과 비트라인 사이에 200 nm × 400 nm의 크기로 형성된 강자성체 패턴으로 구성되는 자기메모리소자에 있어서, 2차원 전자우물층에 강자성체를 접합하여 발생하는 스핀분극이 상기 강자성체의 자화 방향에 따라 평행 또는 반평행 관계를 가지면, 그에 따라 발생하는 전위차를 이용하는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 2 청구항 1에 있어서, 상기 강자성체는 Fe, Co, Ni, CoFe 또는 NiFe 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 3 청구항 1에 있어서, 상기 2차원 전자우물층에는 GaAs, InAs 또는 InGaAs의 채널 중에서 어느 하나의 채널이 이용되는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 4 청구항 3에 있어서, 상기 InAs 채널과 강자성체를 접합할 때, 저항 전극(ohmic contact)를 이용하는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 5 청구항 3에 있어서, 상기 GaAs 채널과 강자성체를 접합할 때, 쇼트키 전극(shottcky contact) 또는 터널링 베리어(tunnelling barrier)를 이용하는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 6 청구항 1에 있어서, 상기 2차원 전자우물층은 읽기 동작과 쓰기 동작의 전류통로로 사용되는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 7 청구항 1에 있어서, 상기 전류통로에는 근접한 전류통로와의 절연을 위해 밀링과 산화막이 이용되는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 8 청구항 1 내지 청구항 7 중의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 자기 메모리 소자는 트윈 셀(twin cell)이 사용됨으로써 서로의 자화방향이 다르게 되어 2셀의 전위차의 부호에 따라 2가지 상태가 정해지는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 9 청구항 8에 있어서, 읽기 동작에서는 강자성체 셀의 자화 방향에 따라 전위차를 직접 감지할 수 있고 읽기 동작에서 사용하는 전류 통로를 그대로 사용하는 트윈 셀을 상기 2차원 전자우물층과 나노 채널에 사용하여 주입 효율을 높이는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 10 청구항 8에 있어서, 상기 트윈 셀에 인가되는 전류의 방향은 읽기 동작시에는 동일되게 하고, 쓰기 동작시에는 다르게 되는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자. 11 화합물 반도체 기판 상에 2차원 전자우물층을 포함한 웨이퍼를 성장시키는 제1단계; 상기 결과물에 리쏘그래피(lithography) 공정과 이온밀링(ion-milling)을 이용하여 워드라인을 정의하는 2단계; 상기 결과물 상에서 상기 워드라인이 증착되지 않은 부분에 산화막을 증착하는 제3단계; 전자빔 리소그래피와 스퍼터를 이용하여 상기 워드라인 상에 강자성체를 증착하는 제4단계; 및 상기 결과물을 패터닝하여 Al이나 Au을 증착하고, 비트라인을 형성하는 제5단계; 를 포함하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 제조방법. 12 청구항 11에 있어서, 상기 산화막에는 TaO2 또는 SiO2가 사용되는 것을 특징으로 하는 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 제조방법.","KR100704544B1, KR20060119109A",null,"해당없음"]
["K03520","화학","KR","탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용한 막전극집합체의 촉매바인더, 그 제조 방법 및 상기 촉매 바인더를 이용한막전극집합체{Catalyst binder for membrane electrode assembly using hydrocarbon-based sulfonated polymer, method for preparing the same, membrane electrode assembly using the catalyst binder polymer}",null,"원문이미지","KR20050032206A","2005.04.19","KR0709554B1","2007.04.13","본 발명에서는 탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용하여 제작된 멤브레인을 구비하는 MEA의 촉매 바인더로서, 탄화수소계열 술폰화 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더, 그 제조 방법 및 상기 촉매 바인더를 이용하여 제조되는 MEA를 제공한다. 본 발명에 따르면 탄화수소계열 술폰화 고분자 멤브레인을 구비하는 MEA에 있어서, 멤브레인과 전극의 접착력을 높일 수 있고, 성능이 우수하게 되며, 이에 따라 탄화수소계열 술폰화 고분자 멤브레인을 구비하는 MEA의 상용화를 가능하게 할 수 있다.","1 탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용하여 제작된 멤브레인을 구비하는 MEA의 촉매 바인더로서, 탄화수소계열 술폰화 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더.","김형준, 조은애, 임태훈, 남석우, 하흥용, 오인환, 홍성안, 윤성필, 한종희, 이재영, 김영천, 함형철","H01M-004/86","KR20060110053A","2006.10.24",null,"2025.04.19","1 탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용하여 제작된 멤브레인을 구비하는 MEA의 촉매 바인더로서, 탄화수소계열 술폰화 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더. 2 제 1 항에 있어서, 상기 촉매 바인더는, 탄화수소계열 술폰화 고분자가 이소프로판올, 1-프로판올, 물 및 유기용매에 용해된 탄화수소계열 술폰화 고분자 용액인 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더. 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 제 1 항에 있어서, 상기 탄화수소계열 술폰화 고분자는, 술폰화 폴리에스테르술폰, s-폴리스티렌계, s-폴리카보네이트계, s-폴리이미드계 또는 s-폴리에테르에테르케톤계인 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더. 5 탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용하여 제작된 멤브레인을 구비하는 MEA의 촉매 바인더 제조 방법으로서, 탄화수소계열의 술폰화 고분자를 이소프로판올, 1-프로판올, 물 및 유기용매에 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더 제조 방법. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7 제 5 항에 있어서, 상기 제조 방법은, 상기 탄화수소계열 술폰화 고분자로, 술폰화 폴리에스테르술폰, s-폴리스티렌계, s-폴리카보네이트계, s-폴리이미드계 또는 s-폴리에테르에테르케톤계를 사용하는 것을 특징으로 하는 MEA의 촉매 바인더 제조 방법. 8 MEA에 있어서, 탄화수소계열 술폰화 고분자를 이용하여 제작된 멤브레인을 구비하고, 촉매 바인더가 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항의 촉매 바인더인 것을 특징으로 하는 MEA.","KR100709554B1, KR20060110053A",null,"해당없음"]
["K03442","반도체","KR","ＳＯＩ기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자및 그 제조방법{HYBRID FERROMAGNET/SI SEMICONDUCTOR SPIN DEVICE USING SILICON ON INSULATOR (SOI) AND ITS FABRICATION METHOD}",null,"원문이미지","KR20050018421A","2005.03.05","KR0697779B1","2007.03.14","본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.","1 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성되며, 상기 SOI기판에 스핀이 이동하는 1차원 전도 채널영역을 형성하기 위해 채널 영역 좌우의 SOI 기판 표면을 하부 절연막까지 식각하여 길이 0.5 ~ 100 ㎛, 폭 0.02 ~ 2 ㎛의 1차원 채널 구조를 형성하고, 상기 채널 사이에는 TaO, SiO2 등의 절연막으로 절연하는 채널구조를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.","장준연, 한석희, 김원용, 구현철, 이현정","H01L-027/12,H01L-027/115","KR20060097303A","2006.09.14",null,"2025.03.05","1 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성되며, 상기 SOI기판에 스핀이 이동하는 1차원 전도 채널영역을 형성하기 위해 채널 영역 좌우의 SOI 기판 표면을 하부 절연막까지 식각하여 길이 0.5 ~ 100 ㎛, 폭 0.02 ~ 2 ㎛의 1차원 채널 구조를 형성하고, 상기 채널 사이에는 TaO, SiO2 등의 절연막으로 절연하는 채널구조를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자. 2 청구항1에 있어서, 상기 자성체는 스핀분극이 큰 자성금속으로서 Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe 중에서 선택되는 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　 3 청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 GaMnAs, InMnAs, GeMn, GaMnN, GaMnP, ZnMnO 중에서 선택되는 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　　 4 청구항 1에 있어서, 상기 자성체는 La(1-x)SrxMnO3(LSMO), CrO2 등을 포함하는 스핀분극 100%의 반금속(half metal)으로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　　 5 청구항 1에 있어서, 상기 SOI 기판은 두께 50 ~ 400 nm의 SiO2 절연막 위에 50 ~ 300 nm 두께의 Si박막층으로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자. 6 삭제. 7 청구항 1에 있어서, 상기 1차원 전도채널을 SOI기판에 다수 형성하기 위하여 전자빔 감광제를 이용하여 전자선 식각법으로 패터닝하고, 전자빔 감광제를 마스크로 하여 아르곤 이온 밀링(Ar Ion milling)한 후, 상기 식각한 곳에 절연막을 채워놓고 감광제를 제거하여 채널을 형성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　　 8 청구항 1에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 20 nm ~ 50 ㎛ 범위의 폭과 100 nm ~ 500 ㎛ 길이를 갖는 자성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자. 9 청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 간격은 10 nm ~ 5 ㎛ 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자. 10 청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 서로 선폭이 다르게 형성되어 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자. 11 청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 선폭과 길이가 같을 경우 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 목적으로 소스 또는 드레인 영역중 한곳에 반자성체 핀층/강자성체 자유층 구조의 변환 바이어스에 의해 스위칭 자계범위를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀 소자. 12 청구항 8에 있어서, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 선폭과 길이가 같을 경우 스핀 스위칭이 일정 자계범위에서 반평행한 것을 목적으로 각기 서로 다른 보자력을 갖는 자성체 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀 소자. 13 청구항 1에 있어서, 상기 자성체와 SOI 반도체의 접촉저항이 오믹(Ohmic) 또는 쇼트키(schottky)인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　 14 청구항 1에 있어서, 상기 자성체와 SOI반도체 사이에 0.5 ~ 2 nm 범위의 두께로 Al2O3 또는 SiO2등의 절연막을 중간막으로 삽입하여 터널링에 의한 스핀주입 효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자.　 15 삭제.","KR100697779B1, KR20060097303A",null,"해당없음"]
["K03423","반도체","KR","대출력 펄스 ＲＦ 플라즈마를 이용한 매몰 절연막제조장치 및 제조방법{DEVICE AND METHOD OF FABRICATING BURIED INSULATOR LAYER USING HIGH-POWER PULSED RF PLASMA}",null,"원문이미지","KR20040102291A","2004.12.07","KR0576194B1","2006.04.26","본 발명은 기존의 연속적인 플라즈마 대신에 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용하여 높은 수율을 가지는 Silicon-on-insulator(SOI)기판을 제조할 수 있도록 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 시료를 진공조 내에 위치시키고, 진공조 내에 사용가스를 주입한다. 진공조 내에 RF 펄스를 공급하여 사용가스로부터 고밀도 플라즈마를 발생시킨다. 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 음(-)의 고전압 펄스를 가하여 이온을 주입한다. 이 때, RF 펄스발생과 음(-)의 고전압 펄스발생을 동기화시킨다. 그리고, 시료를 어닐링하여 절연막을 형성시킨다.","1 진공조; 상기 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 지지대; 음(-)의 고전압 펄스를 발생하여 상기 시료를 인가하기 위한 고전압 펄스 발생장치; 상기 진공조 내에 주입된 가스로부터 펄스 플라즈마를 형성하기 위한 안테나; 상기 안테나와 연결되어 RF(Radio Frequency) 펄스를 공급하기 위한 펄스 RF 전력장치; 그리고 상기 고전압 펄스 발생장치와 상기 펄스 RF 전력장치의 사이에 연결설치되는 트리거 펄스 발생기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조장치.","한승희, 이연희, 김영우","H01L-021/205",null,null,null,"2024.12.07","1 진공조; 상기 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 지지대; 음(-)의 고전압 펄스를 발생하여 상기 시료를 인가하기 위한 고전압 펄스 발생장치; 상기 진공조 내에 주입된 가스로부터 펄스 플라즈마를 형성하기 위한 안테나; 상기 안테나와 연결되어 RF(Radio Frequency) 펄스를 공급하기 위한 펄스 RF 전력장치; 그리고 상기 고전압 펄스 발생장치와 상기 펄스 RF 전력장치의 사이에 연결설치되는 트리거 펄스 발생기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조장치. 2 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법에 있어서, 시료를 진공조 내에 위치시키는 단계; 상기 진공조 내에 사용가스를 주입하는 단계; 상기 진공조 내에 RF 펄스를 공급하여 상기 사용가스로부터 고밀도 플라즈마를 발생시키는 단계; 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 음(-)의 고전압 펄스를 가하여 이온을 주입하는 단계; RF 펄스발생과 음(-)의 고전압 펄스발생을 동기화시키는 단계; 그리고 절연막이 형성되도록 시료를 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 3 제 2항에 있어서, 상기 RF 펄스는 펄스폭 10㎲~1000㎲, 펄스주파수 10㎐~10㎑, 최대 펄스전력 1㎾~100㎾인 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 4 제 2항에 있어서, 음(-)의 고전압 펄스는 10㎸~100㎸, 펄스폭 10㎲~500㎲, 펄스주파수 10㎐~10㎑를 갖는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 5 제 2항에 있어서, 상기 이온을 주입하는 단계에서 시료의 온도를 550℃~650℃으로 유지하면서 1×1016/㎠~1×1018/㎠의 도즈로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 6 제 2항에 있어서, 상기 어닐링하는 단계는 0.1%~5.0%의 산소가 첨가된 아르곤 분위기에서 1200℃~1400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 7 제 2항에 있어서, 상기 어닐링하는 단계 이전에 시료의 표면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 8 제 7항에 있어서, 상기 보호막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법. 9 제 7항에 있어서, 상기 보호막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 대출력 펄스 RF 플라즈마를 이용한 매몰 절연막 제조방법.","KR100576194B1",null,"해당없음"]
["K03341","생화학","KR","고감도 7-에톡시레소루핀-Ｏ-디에틸라아제 활성 측정 방법{HIGH SENSITIVE ASSAY METHOD FOR 7-ETHOXYRESORUFIN-O-DEETHYLASE ACTIVITY}",null,"원문이미지","KR20040061394A","2004.08.04","KR0571343B1","2006.04.10","본 발명은 고감도 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제(EROD) 활성 측정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (1) 피시험체의 간 조직으로부터 마이크로좀 분획을 제조하는 단계; (2) 상기 마이크로좀 분획에 완충용액으로 트리스-HCl, NADPH를 가하고, EDTA 및 MgSO4의 농도를 변화시켜 가면서 가하여 반응시키는 단계; (3) 상기 완충용액에 기질인 7-에톡시레소루핀을 가하여 반응시키는 단계; (4) 상기 반응에 반응정지용매를 가하여 원심분리하고 그 상층액을 얻는 단계; (5) 상기 상층액에 다른 반응정지용매를 가하여 혼합액을 만드는 단계; 및 (6) 상기 혼합액의 형광강도를 발광 분광계로 측정하는 단계로 이루어진 고감도 EROD 활성 측정 방법에 대한 것으로서, 종래 EROD 활성 측정법보다 현저히 양호한 감도로 상기 EROD 효소의 활성을 측정할 수 있어 의학, 약학 및 생화학분야뿐만 아니라 환경오염물질에 노출된 생체 조직을 모티터링할 수 있는 유용한 생물학적 지표(biomaker)로 응용될 수 있는 이점이 있다.","1 최적조건의 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성을 측정하기 위한 방법에 있어서, (1) 피시험체의 간 조직으로부터 마이크로좀 분획을 제조하는 단계로, 상기 단계는: 1) 피시험체로부터 간 조직을 채취하는 단계; 2) 상기 간 조직을 칼륨 완충용액에 관류시킨 후 잘게 세절시키는 단계; 3) 상기 세절된 간 조직을 휘튼 균질화기로 균질액을 제조하는 단계; 4) 상기 균질액을 고속 원심분리기를 사용하여 그 상층액을 얻는 단계; 5) 상기 상층액을 다시 원심분리하여 펠렛을 얻는 단계; 6) 상기 펠렛에 EDTA와 KCl(pH=7.4)을 넣고 현탁시켜 원심분리한 후 그 상층액은 버리고 마이크로좀 펠렛을 얻는 단계; 및 7) 상기 펠렛을 수크로오스로 재현탁시킨 후 단백질 정량을 통하여 희석시키는 단계로 이루어진 피시험체의 간 조직으로부터 마이크로좀 분획을 제조하는 단계; (2) 상기 마이크로좀 분획에 완충용액으로 트리스-HCl, NADPH를 가하고, 0.5~50mM MgSO4 가하여 반응시키는 단계; (3) 상기 완충용액에 기질인 7-에톡시레소루핀을 가하여 반응시키는 단계; (4) 상기 반응에 메탄올을 가하여 원심분리하고 그 상층액을 얻는 단계; (5) 상기 상층액에 글라이신-NaOH를 가하여 혼합액을 만드는 단계; 및 (6) 상기 혼합액의 형광강도를 발광 분광계(Luminescence spectrometer)로 측정하는 단계로 이루어진 고감도 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성 측정 방법.","권오승, 김승용","C12Q-001/34","KR20060012758A","2006.02.09",null,"2024.08.04","1 최적조건의 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성을 측정하기 위한 방법에 있어서, (1) 피시험체의 간 조직으로부터 마이크로좀 분획을 제조하는 단계로, 상기 단계는: 1) 피시험체로부터 간 조직을 채취하는 단계; 2) 상기 간 조직을 칼륨 완충용액에 관류시킨 후 잘게 세절시키는 단계; 3) 상기 세절된 간 조직을 휘튼 균질화기로 균질액을 제조하는 단계; 4) 상기 균질액을 고속 원심분리기를 사용하여 그 상층액을 얻는 단계; 5) 상기 상층액을 다시 원심분리하여 펠렛을 얻는 단계; 6) 상기 펠렛에 EDTA와 KCl(pH=7.4)을 넣고 현탁시켜 원심분리한 후 그 상층액은 버리고 마이크로좀 펠렛을 얻는 단계; 및 7) 상기 펠렛을 수크로오스로 재현탁시킨 후 단백질 정량을 통하여 희석시키는 단계로 이루어진 피시험체의 간 조직으로부터 마이크로좀 분획을 제조하는 단계; (2) 상기 마이크로좀 분획에 완충용액으로 트리스-HCl, NADPH를 가하고, 0.5~50mM MgSO4 가하여 반응시키는 단계; (3) 상기 완충용액에 기질인 7-에톡시레소루핀을 가하여 반응시키는 단계; (4) 상기 반응에 메탄올을 가하여 원심분리하고 그 상층액을 얻는 단계; (5) 상기 상층액에 글라이신-NaOH를 가하여 혼합액을 만드는 단계; 및 (6) 상기 혼합액의 형광강도를 발광 분광계(Luminescence spectrometer)로 측정하는 단계로 이루어진 고감도 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성 측정 방법. 2 제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 최적의 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성 측정을 위한 MgSO4의 농도가 5mM인 것을 특징으로 하는 고감도 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성 측정 방법. 3 제 1 항에 있어서, 상기 단계 3의 상기 7-에톡시레소루핀이 5μM인 것을 특징으로 하는 고감도 7-에톡시레소루핀-O-디에틸라아제 활성 측정 방법. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100571343B1, KR20060012758A",null,"해당없음"]
["K03323","태양전지","KR","염료감응 태양전지용 고효율 대향전극 및 그 제조방법{Highly Efficient Counter Electrodes for Dye-sensitized Solar Cells and Method for Manufacturing Thereof}",null,"원문이미지","KR20040079402A","2004.10.06","KR0882503B1","2009.02.02","본 발명은 염료 감응 태양 전지용 대향 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광감응 염료 분자층을 포함하는 광전극과, 상기 광전극에 대향된 대향 전극과, 상기 광전극 및 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어진 염료 감응 태양 전지에 있어서, 상기 대향 전극이 전도성 고분자, 백금 나노 입자, 플러렌과 같은 탄소 화합물, 무기 산화물 입자 및 전도성 고분자 블렌드로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 물질이 순차적으로 적층된 구조의 전자전달 활성층을 갖는 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극 및 그 제조 방법에 대한 것으로서, 상기 전자 전달 활성층이 산화·환원 이온쌍을 함유한 전해질과 대향전극 계면 간의 원활한 전자전달을 촉진시킴으로써 종래 단순히 투명 전도성 물질 위에 백금층만이 코팅된 대향전극을 사용한 염료감응 태양전지에 비해 그 에너지전환효율을 크게 향상시킨 이점이 있다.","1 광감응 염료 분자층을 포함하는 광전극과, 상기 광전극에 대향된 백금 촉매층을 포함하는 대향전극과, 상기 광전극 및 대향전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어진 염료감응 태양전지의 대향전극에 있어서, 상기 대향전극에 포함된 백금 촉매층 위에 전자전달활성층으로서, (1) 전도성 고분자가 코팅된 구조; (2) 백금나노입자가 코팅된 구조; (3) 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (4) 풀러렌이 코팅된 구조; (5) 풀러렌과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (6) 풀러렌과 백금나노입자가 순차적으로 코팅된 구조; (7) 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (8) 무기산화물입자와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조; (9) 무기산화물입자, 백금박막과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (10) 무기산화물입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (11) 전도성 고분자 블렌드가 코팅된 구조; (12) 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (13) 풀러렌과 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (14) 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; 또는, (15) 무기산화물입자, 전도성 고분자 블렌드와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조를 갖는 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극.","강용수, 정범석, 김영진, 강문성","H01L-031/042","KR20060030574A","2006.04.11",null,"2024.10.06","1 광감응 염료 분자층을 포함하는 광전극과, 상기 광전극에 대향된 백금 촉매층을 포함하는 대향전극과, 상기 광전극 및 대향전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어진 염료감응 태양전지의 대향전극에 있어서, 상기 대향전극에 포함된 백금 촉매층 위에 전자전달활성층으로서, (1) 전도성 고분자가 코팅된 구조; (2) 백금나노입자가 코팅된 구조; (3) 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (4) 풀러렌이 코팅된 구조; (5) 풀러렌과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (6) 풀러렌과 백금나노입자가 순차적으로 코팅된 구조; (7) 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (8) 무기산화물입자와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조; (9) 무기산화물입자, 백금박막과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (10) 무기산화물입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (11) 전도성 고분자 블렌드가 코팅된 구조; (12) 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (13) 풀러렌과 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (14) 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; 또는, (15) 무기산화물입자, 전도성 고분자 블렌드와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조를 갖는 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 전해질과의 친화력이 우수한 것으로서 폴리[2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌], 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리[3-테트라데실티오펜], 폴리[3,4-에틸렌디옥시티오펜], 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리엘레멘토프탈로시아닌 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 4 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 블렌드가 전해질과의 친화력이 우수한 것으로서 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)-1,4-페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(3-테트라데실티오펜), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리엘레멘토프탈로시아닌 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 것에 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에피크로히드린-에틸렌옥사이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 블렌딩시킨 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 5 제 1 항에 있어서, 상기 대향전극이 전도성 유리기판, 전도성 유연성 고분자 기판 또는 백금층이 전도성 기판 위에 코팅된 기재인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 6 제 5 항에 있어서, 상기 전도성 유리기판과 전도성 유연성 고분자 기판이 각각 전도성 인듐-틴옥사이드 또는 불소-틴옥사이드가 코팅되어 있는 투명한 기판인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 7 제 1 항에 있어서, 상기 백금나노입자 및 무기산화물 입자의 입경이 10~1000nm의 범위인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 8 제 7 항에 있어서, 상기 백금나노입자 및 무기산화물 입자의 입경이 10~500nm의 범위인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 9 제 1 항에 있어서, 상기 풀러렌은 탄소60(C60) 풀러렌, 탄소70(C70) 풀러렌, 탄소76(C76) 풀러렌, 탄소78(C78) 풀러렌, 탄소84(C84) 풀러렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 10 제 1 항에 있어서, 상기 무기산화물 입자가 티타늄옥사이드, 인듐옥사이드, 틴옥사이드, 인듐-틴옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 실리콘옥사이드로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 혼합물인 것임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극. 11 (1) 대향전극 2 개를 일정거리 이격시켜 전기영동셀에 위치시키는 단계; (2) 전도성 고분자, 백금나노입자, 풀러렌, 무기산화물 입자 및 전도성 고분자 블렌드로부터 선택되는 어느 하나의 전도성 물질을 유기용매에 용융시켜 균일하게 분산시키는 단계; 및 (3) 단계 (1)의 대향전극을 단계 (2)의 용액에 담그거나 또는 상기 전도성 물질이 균일하게 분산된 용액을 상기 대향전극에 적하시킨 후, 전기영동법 또는 스핀코팅-열분해법을 이용하여 단계 (2)의 전도성 물질을 상기 대향전극에 침착시킨 후 건조시켜 코팅층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 제1항의 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 12 제 11 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 전해질과의 친화력이 우수한 것으로서 폴리[2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌], 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리[3-테트라데실티오펜], 폴리[3,4-에틸렌디옥시티오펜], 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리엘레멘토프탈로시아닌 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 13 제 11 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 블렌드는 전해질과의 친화력이 우수한 것으로서 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)-1,4-페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(3-테트라데실티오펜), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리엘레멘토프탈로시아닌 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 것에 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에피크로히드린-에틸렌옥사이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 1:0.01~10의 무게비로 블렌딩시킨 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 14 제 11 항에 있어서, 상기 제조방법은 상기 단계 (1) 내지 (3)을 반복 수행하는 단계를 더 포함함으로써 전도성 고분자층, 백금 나노입자층, 백금박막층, 풀러렌층, 무기산화물 입자층 및 전도성 고분자 블렌딩층으로 구성된 군에서 선택된 하나 또는 2 이상의 조합으로 이루어진 전자전달활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제1항의 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 15 제 11 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 대향전극은: (1) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 전도성 고분자가 코팅된 구조; (2) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 백금나노입자가 코팅된 구조; (3) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (4) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌이 코팅된 구조; (5) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (6) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌과 백금나노입자가 순차적으로 코팅된 구조; (7) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (8) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 무기산화물입자와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조; (9) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 무기산화물입자, 백금박막과 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (10) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 무기산화물입자와 전도성 고분자가 순차적으로 코팅된 구조; (11) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 전도성 고분자 블렌드가 코팅된 구조; (12) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (13) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌과 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; (14) 대향전극 위에 전자전달활성층으로서 풀러렌, 백금나노입자와 전도성 고분자 블렌드가 순차적으로 코팅된 구조; 또는 (15)대향전극 위에 전자전달활성층으로서무기산화물입자, 전도성 고분자 블렌드와 백금박막이 순차적으로 코팅된 구조 를 갖도록 청구항 제 11 항의 단계 (1) 내지 (3)을 수행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 16 제 11 항에 있어서, 상기 단계 (2)의 유기용매는 메탄올, 에탄올, 테트라하이드로퓨란, 아세톤, 톨루엔 및 아세토니트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 제1항의 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법. 17 제 11 항에 있어서, 상기 단계 (2)의 전도성 물질은 상기 유기용매에 대하여 0.01~10 중량%로 용해되는 것을 특징으로 하는 제1항의 염료감응 태양전지용 대향전극의 제조방법.","EP1646059A2, EP1646059A3, JP2006108064A, KR100882503B1, KR20060030574A, US2006070651A1",null,"해당없음"]
["K03231","재료","KR","박막형 슈퍼 캐패시터{THIN FILM SUPER CAPACITOR}",null,"원문이미지","KR20040023489A","2004.04.06","KR0567394B1","2006.03.28","본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 하부 전극 박막, 상기 하부 전극 상의 전해질 박막, 상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 H2가 도핑된 박막인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공한다. 전극은 결정 또는 비정질이어도 무방하며, 전해질로는 고체 및 액체 물질이 모두 사용될 수 있다. 전극 물질에 H2를 도핑하여 용량을 증가를 가져올 수 있으며, 여러 분야에 다양한 형태로 응용될 수 있다.","1 기판과, 상기 기판 상의 하부 전극 박막, 상기 하부 전극 상의 전해질 박막, 상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되고, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막에 H2가 도핑된 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터.","김주선, 최선희, 최원국, 윤영수","H01G-009/04","KR20050098160A","2005.10.11",null,"2024.04.06","1 기판과, 상기 기판 상의 하부 전극 박막, 상기 하부 전극 상의 전해질 박막, 상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되고, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막에 H2가 도핑된 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3 제1항에 있어서, 상기 기판은 금속, 세라믹 또는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 4 제1항에 있어서, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 결정질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 5 제1항에 있어서, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 비정질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 6 제1항에 있어서, 상기 전해질 박막은 고체인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 7<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 8 제1항에 따른 박막형 슈퍼 캐패시터를 둘 이상 직렬 또는 병렬로 연결한 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 9 제8항에 있어서, 직렬 연결의 경우, 둘 이상의 박막형 슈퍼 캐패시터가 다층으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터. 10 기판을 준비하고, 상기 기판 상에 집전체 박막을 형성하고, 상기 집전체 박막 상에 H2가 도핑된 하부 전극 박막을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 전해질 박막을 형성하고, 상기 전해질 박막 상에 H2가 도핑된 상부 전극 박막을 형성하는 것을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는 박막형 슈퍼 캐패시터 제조방법.","KR100567394B1, KR20050098160A",null,"해당없음"]
["K03241","재료","KR","다공성의 3차원 집전체로 구성된 전극을 포함하는 캐패시터{CAPACITOR WITH ELECTRODES COMPOSED WITH POROUS 3-DIMENSIONAL CURRENT COLLECTOR}",null,"원문이미지","KR20040018171A","2004.03.17","KR0567393B1","2006.03.28","본 발명은 다공성 3차원 집전체의 기공 내에 전극 활물질이 균일하게 분포되어 있는 전극과 이를 이용한 캐패시터, 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전극은 전기 전도도가 우수하고, 전극 표면의 전위 분포도가 일정하게 유지되며, 전극 활물질의 이탈이 방지되므로 전극 활물질의 이용률, 사이클 수명 및 고율 충방전 특성이 우수하다.","1 다공성 3차원 집전체와, 상기 집전체의 기공 내에 충진되어 있는 70 - 99 중량%의 전극활물질, 0.5 - 10 중량%의 결합제 및 0.5 - 20 중량%의 도전재의 혼합물을 전극의 총 중량에 대하여 70 - 95 중량%로 포함하여 형성된 두 전극과; 상기 전극을 사이에 두고 형성된 분리막 또는 전해질을 포함하는 커패시터로서, 상기 전극활물질이 전기이중층캐패시터의 경우에는 활성 탄소, 탄소 에어로젤, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 섬유 중에서 선택되는 다공성 탄소 소재이며, 슈도우캐패시터의 경우에는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 탄탈륨 산화물, 바나듐 산화물 중에서 선택되는 금속 산화물, 전도성고분자캐패시터인 경우에는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아센 중에서 선택되는 전도성고분자인 것을 특징으로 하는 캐패시터.","조원일, 조병원, 이중기, 양천모, 김형선","H01G-009/04","KR20050092976A","2005.09.23",null,"2024.03.17","1 다공성 3차원 집전체와, 상기 집전체의 기공 내에 충진되어 있는 70 - 99 중량%의 전극활물질, 0.5 - 10 중량%의 결합제 및 0.5 - 20 중량%의 도전재의 혼합물을 전극의 총 중량에 대하여 70 - 95 중량%로 포함하여 형성된 두 전극과; 상기 전극을 사이에 두고 형성된 분리막 또는 전해질을 포함하는 커패시터로서, 상기 전극활물질이 전기이중층캐패시터의 경우에는 활성 탄소, 탄소 에어로젤, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 섬유 중에서 선택되는 다공성 탄소 소재이며, 슈도우캐패시터의 경우에는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 탄탈륨 산화물, 바나듐 산화물 중에서 선택되는 금속 산화물, 전도성고분자캐패시터인 경우에는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아센 중에서 선택되는 전도성고분자인 것을 특징으로 하는 캐패시터. 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 제 1 항에 있어서, 상기 다공성 3차원 집전체는 발포체, 파이버구조체, 다공질구조체, 에칭된 구조체 및 앞뒤로 요철화된 구조체 중에서 선택되는 어느 하나인 캐패시터. 5 제 1 항에 있어서, 상기 다공성 3차원 집전체의 재질이 니켈(Ni), 구리(Cu), 스텐레스 스틸(SUS), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 금(Au), 루테늄(Ru), 플레티늄(Pt), 이리듐(Ir), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 비스무스(Bi), 안티모니(Sb)로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나인 캐패시터. 6<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 7 제 1 항에 있어서, 상기 도전재는 아세틸렌 블랙(acetylene black), 캐챈 블랙(ketjen black), 흑연 (sfg 6) 및 슈퍼-피 (super-P)로 구성된 군에서 선택되는 캐패시터. 8 제 1 항에 있어서, 상기 결합제는 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 카르복시메틸셀룰로오즈, 하이드로프로필메틸셀룰로오즈 및 폴리비닐알콜로 구성된 군에서 선택되는 캐패시터. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 10<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 11<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 12 제 1 항에 있어서, 상기 캐패시터는 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 분리막을 사용하는 캐패시터, 수용액 또는 유기용액이 함침된 고분자전해질을 사용하는 고분자전해질형 캐패시터, 또는 고체 전해질을 사용하는 전고체형 캐패시터 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 캐패시터.","KR100567393B1, KR20050092976A",null,"해당없음"]
["K03230","연료전지","KR","내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 전극 및 막전극접합체의 제조 방법{Method to prepare high active and durable electrode and membrane-electrode assembly for fuel cell}",null,"원문이미지","KR20040030525A","2004.04.30","KR0569709B1","2006.04.04","본 발명에서는, 이온전도성 고분자 전해질막을 사용하는 연료전지용 MEA의 제조 방법에 있어서, 제조된 MEA를 열처리하는 단계(S1);를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법을 개시한다. 그리고, 상기 제조 방법은, 상기 MEA중 촉매층 내부의 캐스팅 이오노머 및 전해질 막을 수화시키는 단계(S2);를 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 연료전지용 전극의 제조 방법에 있어서, 탄소종이 또는 탄소천상에 촉매층이 형성된 전극을 열처리한 후, 상기 촉매층 내부의 캐스팅 이오노머를 수화시키는 단계(S3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 전극의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 전극 및 MEA의 제조 방법에 따르면, 전극이나 MEA의 장기성능 향상을 위하여, 촉매층 내부에서 촉매의 바인더 역할을 하는 캐스팅 이오노머를 열처리함으로써 보다 안정적인 촉매층을 제공할 수 있고, 특히 DMFC의 경우, 이오노머가 연료인 메탄올에 의해 녹지 않게 할 수 있어 내구성을 향상할 수 있으며, 나아가, 과도한 열처리에 의한 캐스팅 이오노머나 전해질 막의 변화, 즉, 과도한 수분 증발에 의한 이온전도도 감소후, 별도의 수처리를 수행하여 성능을 더욱 높임에 따라 보다 높고 안정적인 장기성능을 달성할 수 있다.","1 이온전도성 고분자 전해질막을 사용하는 연료전지용 MEA의 제조 방법에 있어서, 제조된 MEA를 온도가 5 내지 200℃로 유지되고, 압력이 0.01 내지 10 토르로 유지되는 진공오븐에서 5 내지 300분 동안 열처리하는 단계(S1);를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법.","하흥용, 오인환, 홍성안, 조은애, 임태훈, 남석우, 임상언, 배병찬, 한종희, 윤성필","H01M-004/88","KR20050105524A","2005.11.04",null,"2024.04.30","1 이온전도성 고분자 전해질막을 사용하는 연료전지용 MEA의 제조 방법에 있어서, 제조된 MEA를 온도가 5 내지 200℃로 유지되고, 압력이 0.01 내지 10 토르로 유지되는 진공오븐에서 5 내지 300분 동안 열처리하는 단계(S1);를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 2 제 1 항에 있어서, 상기 S1 단계는, 상기 제조된 MEA로서, 촉매층이 전해질막에 직접코팅되어 제조된 MEA를 사용하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 3 제 2 항에 있어서, 상기 S1 단계는, 상기 MEA의 각 극에 탄소층이 형성된 탄소종이 또는 탄소천을 부착하고 핫프레싱하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 제 1 항에 있어서, 상기 S1 단계는, 상기 MEA를 진공오븐내에서 고정 프레임으로 지지하고, 상기 고정 프레임과 상기 MEA사이에는 테프론 필름을 부착하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 이온전도성 고분자 전해질막을 사용하는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 6 제 1 항 내지 제 3항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제조 방법은, 상기 MEA중 촉매층 내부의 캐스팅 이오노머 및 전해질 막을 수화시키는 단계(S2);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 7 제 6 항에 있어서, 상기 S2 단계는, 오토클레이브에서, 수증기 온도 100 내지 150℃로, 5 내지 200분 동안 유지하여 수화시키는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 MEA의 제조 방법. 8 연료전지용 전극의 제조 방법에 있어서, 탄소종이 또는 탄소천상에 촉매층이 형성된 전극을 5 내지 200℃로 유지되고 압력이 0.01 내지 10 토르로 유지되는 진공오븐에서 5 내지 300분 동안 열처리한 후, 상기 촉매층 내부의 캐스팅 이오노머를 오토클레이브에서 수증기 온도 100 내지 150℃로 5 내지 200분 동안 유지시켜 수화시키는 단계(S3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구성과 고성능을 갖는 연료 전지용 전극의 제조 방법. 9<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus>","KR100569709B1, KR20050105524A",null,"해당없음"]
["K03172","연료전지","KR","이산화탄소와 탄화수소의 내부개질반응에 의해 전기와 합성가스를 동시에 생성하는 고체산화물 연료전지, 및 이를 이용한 전기화학적 전환반응시스템{Solid Oxide Fuel Cell(SOFC) for coproducing syngas and electricity by the internal reforming of carbon dioxide by hydrocarbons and Electrochemical membrane reactor system for application}",null,"원문이미지","KR20030074934A","2003.10.25","KR0569239B1","2006.04.03","본 발명은 탄화수소와 이산화탄소의 내부개질반응(Internal Reforming)용 고체산화물 연료전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고체 산화물 전해질(YSZ)의 한쪽 면에 공기극(La0.8Sr0.2MnO3)이 부착되어 있고, 다른 한쪽 면에는 Ni-YSZ계 또는 페롭스카이트계 금속 산화물의 촉매전극(anode)이 부착되어 있는 고체산화물 연료전지로서, 전기화학적 전환반응시스템에 적용되어서는 상기 촉매전극(anode) 내부에서 탄화수소와 이산화탄소의 내부개질반응이 진행되고 동시에 전기화학적 전환반응에 의해 합성가스(syngas)와 전기에너지(electricity)를 동시에 생성시키게 되며, 특히, 탄소침적 현상이 억제되어 탄소침적에 의한 촉매의 비활성화 및 고에너지 소모의 문제점을 동시에 해결할 수 있는 장점을 가지고 있다.","1 전도성 고체산화물 전해질, 촉매전극(anode) 및 공기극(cathode)이 부착되어 구성되어진 고체산화물 연료전지(SOFC)에 있어서, 상기 촉매전극(anode)은 Ni-YSZ계 또는 페롭스카이트계 금속 산화물이 코팅되어 있고, 상기 촉매전극(anode)에서는 메탄과 이산화탄소의 내부개질반응과 전기화학반응에 의해 합성가스(syngas)와 전기(electricity)가 동시에 생성하는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지(SOFC).","문동주, 류종우, 김태윤, 박종민, 강동민, 이병권, 이상득","H01M-004/90","KR20050039465A","2005.04.29",null,"2023.10.25","1 전도성 고체산화물 전해질, 촉매전극(anode) 및 공기극(cathode)이 부착되어 구성되어진 고체산화물 연료전지(SOFC)에 있어서, 상기 촉매전극(anode)은 Ni-YSZ계 또는 페롭스카이트계 금속 산화물이 코팅되어 있고, 상기 촉매전극(anode)에서는 메탄과 이산화탄소의 내부개질반응과 전기화학반응에 의해 합성가스(syngas)와 전기(electricity)가 동시에 생성하는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지(SOFC). 2 제 1 항에 있어서, YSZ(Yttria Stabilized Zirconia) 고체 산화물 전해질의 한 쪽면에 LaSrMnO3 계 공기극(cathode)이 부착되어 있고, 다른 한쪽 면에는 Ni-YSZ계 또는 페롭스카이트계 금속 산화물의 촉매전극(anode)이 부착되어 있는 것을 특징으로 고체산화물 연료전지. 3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ni-YSZ계 산화물은 Ni 40 ∼ 50 중량%, YSZ 40 ∼ 50 중량% 및 CeO2 또는 MgO 0 ∼ 10 중량%가 함유되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지. 4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 페롭스카이트계 산화물은 La1-ySryNi1-xCrxO3(x=0∼1, y=0∼1)의 조성을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지. 5 가스공급부(200), 상기 가스공급부와 연결되어 있으면서 전기화학연료전지가 장착된 가스반응부(100) 및 상기 가스반응부의 반응결과를 측정 및 제어하는 측정제어부(300)로 구성되는 전기화학적 전환반응시스템에 있어서, 상기 가스공급부(200)를 통하여 이산화탄소(CO2)와 메탄(CH4)이 포함된 혼합가스가 가스반응부(100)로 유입되고, 상기 가스반응부(100)에는 YSZ(Yttria Stabilized Zirconia) 고체 산화물 전해질의 한쪽 면에 LaSrMnO3 계 공기극(cathode)이 부착되어 있고, 다른 한쪽 면에는 Ni-YSZ계 또는 페롭스카이트계 금속 산화물의 촉매전극(anode)이 부착되어 있는 고체산화물 연료전지(SOFC)가 장착되어 있으며, 상기 촉매전극(anode) 내부에서는 이산화탄소(CO2)와 메탄(CH4)의 내부개질반응과 전기화학반응에 의해 합성가스(syngas)와 전기에너지가 동시에 생성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 전환반응시스템. 6 제 5 항에 있어서, 상기 혼합가스는 CH4 : CO2 : H2O : O2 : H2 : CO가 1 : 0.4∼0.6 : 0.4∼0.7 : 0.01∼0.2 : 0∼1 : 0∼1 부피비를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 전기화학적 전환반응시스템. 7 제 5 항에 있어서, 상기 시스템을 온실가스, CO2와 CH4가 반응의 부산물로 생성되는 공정, 열원으로 수소, 천연가스 및 석유를 사용하는 공정, 석유화학공정, 시멘트공정, 쓰레기 매립가스 및 화력 발전소에서 배출되는 폐가스 처리 공정에 적용되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 전환반응시스템. 8 1) La1-ySry Ni1-xCrxO3(x=0 ∼ 1, y=0 ∼ 1)의 조성 범위를 이루고 있는 금속 전구체 수용액을 제조하는 단계, 2) 상기 전구체 수용액에, 말릭산(malic acid)을 첨가하여 총 금속 이온에 대한 말릭산의 몰분율이 0.5 ∼ 2.0 범위가 되도록 조절하는 단계, 3) 상기 전구체 수용액의 pH가 1.5 ∼ 3.5 범위 되도록 pH 조절제를 첨가하는 단계, 4) 상기 전구체 수용액을 건조 및 열처리하여 분말을 얻는 단계, 5) 상기 분말을 공기 분위기 하에서 800 ∼ 1,000 ℃ 온도에서 1 ∼ 5 시간동안 소성하여, La1-ySry Ni1-xCrxO3(x=0∼1, y=0∼1)의 조성을 가지는 페롭스카이트계 촉매물질을 얻는 단계; 및 6) 펠렛형 고체산화물 전해질의 한 면에 상기에서 제조한 촉매전극 슬러리를 코팅하고, 전해질 펠렛의 다른 쪽면에는 공기극 전극물질(LSM)을 코팅한 후에, 건조 및 소성하여 디스크(disk)상의 전기화학 단위전지(electrochemical cell)를 제조하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 메탄과 이산화탄소의 내부개질반응용 전기화학 단위전지의 제조방법. 9 1) NiO 40 ∼ 50 중량%, YSZ 40 ∼ 50 중량% 및 MgO 또는 CeO2 0 ∼ 10 중량%를 함유하는 전구체 수용액을 제조하는 단계, 2) 상기 전구체 수용액내 고형분 함량 100 중량%를 기준으로, 바인더로서 메틸 셀룰로오스 0.3 ∼ 1.2 중량%, 카보닐메틸 셀룰로오스 0.8 ∼ 1.5 중량% 및 폴리에틸렌 옥사이드 1.3 ∼ 2 중량%와 분산제로서 이소프로필알콜(IPA) 1 ∼ 5 중량%를 첨가하고 혼합한 후, 볼 밀링하여 Ni-YSZ계 촉매전극 슬러리를 제조하는 단계; 3) 펠렛형 고체산화물 전해질의 한 면에 상기에서 제조한 촉매전극 슬러리를 코팅하고, 전해질 펠렛의 다른 쪽면에는 공기극 전극물질(LSM)을 코팅한 후에, 건조 및 소성하여 디스크(disk)상의 전기화학 단위전지(electrochemical cell)를 제조하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 탄화수소와 이산화탄소의 내부개질반응용 전기화학 단위전지의 제조방법.","KR100569239B1, KR20050039465A, US2005089740A1, US7410717B2, US2009061078A1",null,"해당없음"]
["K03054","화학","KR","흰민들레로부터 타락신산을 분리하는 방법 및 타락신산을유효성분으로 함유하는 항암제{Method for preparing taraxinic acid from Taraxacum coreanum Nakai and anticancer agent containing taraxinic acid as an effective ingradient}",null,"원문이미지","KR20030027791A","2003.04.30","KR0944486B1","2010.02.19","본 발명은 흰민들레로부터 하기 화학식 1로 표시되는 타락신산을 분리하는 방법 및 타락신산을 유효성분으로 함유하는 항암제에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 1) 흰민들레를 알콜로 추출하는 단계; 2) 단계 1의 추출물을 디클로로메탄으로 추출하는 단계; 3) 단계 2의 추출물을 에틸 아세테이트로 추출하는 단계; 4) 단계 3의 추출물을 컬럼에 적용하여 타락신산 베타-글루코피라노실 에스테르를 분리하는 단계; 및 5) 단계 4에서 분리된 타락신산 베타-글루코피라노실 에스테르를 가수분해하는 단계를 포함하는 화학식 1로 표시되는 타락신산을 분리하는 방법 및 타락신산을 유효성분으로 함유하는 항암제에 관한 것이다. 본 발명의 타락신산은 암 세포의 증식을 억제하고, 세포의 분화를 유도하기 때문에 암을 치료 또는 예방하는데 유용하게 사용할 수 있다.&amp;lt;화학식 1&amp;gt;","5 하기 화학식 1로 표시되는 타락신산을 유효성분으로 함유하는 항암제. &amp;lt;화학식 1&amp;gt;","이용섭, 이경태, 김형자","C07D-307/93","KR20040093917A","2004.11.09",null,"2023.04.30","1<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 2<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 5 하기 화학식 1로 표시되는 타락신산을 유효성분으로 함유하는 항암제. &amp;lt;화학식 1&amp;gt; 6 제 5항에 있어서, 암은 백혈병, 대장암, 간암 및 임파종으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 항암제. 7 제 6항에 있어서, 암은 백혈병인 것을 특징으로 하는 항암제. 8 제 5항에 있어서, 화학식 1로 표시되는 타락신산의 유효용량은 1 내지 50 ㎎/㎏인 것을 특징으로 하는 항암제. 9 제 8항에 있어서, 화학식 1로 표시되는 타락신산의 유효용량은 5 내지 20 ㎎/㎏인 것을 특징으로 하는 항암제.","KR100944486B1, KR20040093917A",null,"해당없음"]
["K02977","연료전지","KR","산소 흡착 조촉매를 함유하는 연료 전지용 촉매, 이를이용하여 제조된 연료 전지용 전극, 및 그 전극을포함하는 연료 전지{OXYGEN ADSORBING COCATALYST CONTAING CATALYST FOR FUEL CELL, ELECTRODE FOR FUEL CELL USING THE SAME, AND FUEL CELL CONTAINING THE ELECTRODE}",null,"원문이미지","KR20040014664A","2004.03.04","KR0561169B1","2006.03.08","본 발명에서는, 백금-은 또는 백금-금 주촉매에, 산소를 선택적으로 저장 및 방출하고, 산소 전도도를 가지며, 저온에서 일산화탄소의 산화 반응이 용이한 조촉매로, 로듐, 세리아 성분, 또는 루테늄, 또는 이러한 물질들의 복합체를 함유시켜, 산소환원 특성뿐만 아니라 메탄올 산화 특성과 일산화탄소에 대한 내피독성이 우수한 촉매를 제조할 수 있고, 특히 환원극에 공기를 사용하는 경우에도, 백금 촉매의 산소흡착 특성을 증가시켜 연료 전지용 전극 촉매의 성능을 향상시킬 수 있게 된다.","1 저온 연료 전지용 전극 촉매에 있어서, 주촉매인, 백금-은 촉매 또는 탄소에 담지된 백금-은 촉매, 또는 백금-금 촉매 또는 탄소에 담지된 백금-금 촉매에, 조촉매로서, 로듐(Rh), 세리아(CeO2) 성분, 루테늄(Ru)을 1개 이상 포함하되, 30∼99 wt.%의 백금, 0.1∼10 wt.%의 은 또는 금, 1∼70 wt.%의 루테늄 또는 로듐, 그리고 0.1∼10 wt.%의 세리아 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 흡착 조촉매를 함유하는 저온 연료 전지용 촉매.","하흥용, 유환배, 박찬희, 이호인, 오인환, 홍성안, 임태훈, 남석우","H01M-004/92","KR20050089324A","2005.09.08",null,"2024.03.04","1 저온 연료 전지용 전극 촉매에 있어서, 주촉매인, 백금-은 촉매 또는 탄소에 담지된 백금-은 촉매, 또는 백금-금 촉매 또는 탄소에 담지된 백금-금 촉매에, 조촉매로서, 로듐(Rh), 세리아(CeO2) 성분, 루테늄(Ru)을 1개 이상 포함하되, 30∼99 wt.%의 백금, 0.1∼10 wt.%의 은 또는 금, 1∼70 wt.%의 루테늄 또는 로듐, 그리고 0.1∼10 wt.%의 세리아 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 흡착 조촉매를 함유하는 저온 연료 전지용 촉매. 2 제 1 항에 있어서, 상기 세리아 성분은, 세리아에 가돌로늄(Gd), 지르코늄(Zr), 사마리움(Sm), 이트리움(Y), 스트론튬(Sr), 란타늄(La), 칼슘(Ca), 및 이들의 산화물 중 적어도 하나 이상이 30% 이하로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산소 흡착 조촉매를 함유하는 저온 연료 전지용 촉매. 3<AmendStatus status=\"D\">삭제</AmendStatus> 4 제 1 항 또는 제 2 항에 의한 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 흡착 조촉매를 함유하는 저온 연료 전지 전극. 5 제 4 항에 의한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 흡착 조촉매를 함유하는 저온 연료 전지.","KR100561169B1, KR20050089324A",null,"해당없음"]

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