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KIST, 여름방학 맞아 ‘KIST 고교생 사이언스 캠프’ 개최
- 총 5개 분야에 선발된 44명의 고교생 대상으로 특화된 실험 프로그램 마련 - 과학 꿈나무들에게 연구현장 체험과 진로 전반에 대한 멘토 역할 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권)은 여름방학을 맞아 7월 24일(월)부터 8월 4일(금)까지 2주간 서울 본원에서 ‘KIST 고교생 사이언스캠프’를 개최한다. 올해로 5회째를 맞는 본 프로그램은 과학에 관심과 열정을 가진 고등학생을 대상으로 연구현장을 개방하고 과학인재를 양성하고자 기획되었다. 이번 프로그램은 신경교세포연구단, 환경복지연구단, 스핀융합연구단, 물질구조제어연구센터, 특성분석센터 등 총 5개 분야로 운영되며, 참석 고교생들은 사전에 KIST 홈페이지를 통해 접수(6.16(금)~7.9(일))한 신청서를 평가해 분야별로 7~10명씩 총 44명이 선발되었다. 본 사이언스 캠프는 각 분야 연구책임자들이 직접 학생을 선발해 운영하는 프로그램으로 기존의 단순 견학 및 강연식 프로그램에서 벗어나 각 연구부서별 연구자들이 직접 강의를 하고, 학생들과 토론하며, 체험형 심화 학습활동을 진행하는 점에서 차별성이 있다. 연구자들은 학생들을 지도하는 교사 역할뿐 아니라 진로 전반에 대한 멘토 역할을 할 예정이다. 신경교세포연구단 캠프에 참가한 이대부속고등학교 정아영 학생은 “평소 뇌과학에 대한 관심과 호기심이 많았지만 생소한 용어나 개념이 어려웠어요”라고 말하며, “이번 캠프에 참가해 친구들과 함께 많이 토론도 하고 실제 과학자가 된 것 같은 기분을 느꼈어요. 이번 캠프가 지식의 폭을 넓히고 과학자로서의 꿈을 위해 열심히 공부할 수 있는 계기가 될 것 같아요”라고 참가 소감을 전했다. 실제로 작년(2016년)에 시행된 지난 3년간(’13~15년) 본 프로그램 참가자 108명에 대한 추적조사결과, 다수의 학생이 국내·외 대학 관련학과로 진학했으며 96.6%의 학생이 ‘캠프의 참가가 진로, 진학 선택과정에 도움이 되었다’고 응답했다. ‘캠프의 참가를 후배에게도 추천하고 싶은가?’ 라는 질문에는 100%의 학생이 그렇다고 응답해 캠프의 높은 만족도를 보였다. KIST 이병권 원장은 “본 캠프에 참여한 학생들이 과학에 대한 관심과 자질을 계발할 수 있는 계기가 되어 추후 KIST 에서 함께 연구하는 날이 오길 기대합니다”라고 말하며, “KIST는 앞으로도 과학을 쉽게 알릴 수 있는 다양한 과학문화 확산 프로그램을 만들어 과학인재를 양성하는데 노력할 것이며, 항상 여러분들과 소통하는 연구소가 되도록 노력할 것”이라고 밝혔다. 캠프가 끝나는 8월 4일(금)에는 5개 분야 학생들이 결과발표회를 통해 다른 연구분야에 참석한 학생들과 토론하는 자리도 마련할 예정이다. ‘KIST 고교생 사이언스 캠프’는 KIST의 과학문화 확산의 일환으로 별도의 참가비 없이 운영되고 있다.
우성훈 박사, 이달의 KIST인상 수상
- 차세대 전자소자인 스핀트로닉스 분야에서 우수한 성과로 두각을 나타내 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 우성훈 박사는 7월 18일(화) KIST 서울 본원에서 우수한 연구업적을 인정받아 ‘이달의 KIST인상‘을 수상했다. KIST 우성훈 박사는 美 MIT와의 공동연구를 통해 ‘無 전력’ 메모리 소자의 구동 가능성을 세계 최초로 규명했다. 우성훈 박사는 이론으로만 제시되었던 스핀파(Spin Wave)를 이용한 자구벽 이동을 구현하는 연구의 논문을 물리학 유명저널인 ‘Nature Physics’ 5월호에 주저자로 게재하였으며, 향후 ‘전력 소모 0’인 신개념 메모리 소자 개발의 가능성을 열었다는 평을 받고 있다. 또한 우성훈 박사는 초미세 자기구조체인 ‘스커미온(Skirmion)’을 이용하여 신개념의 차세대 광대역 통신 소자에 적용 가능한 물리적 현상을 규명했다. 우성훈 박사는 스커미온의 호흡운동을 구현하고, 또한 효율적인 생성 기법을 개발하여 국제 학술지인 ‘Nature Communications’ 5월 24일자에 주저자이자 교신저자로 게재하였다. 본 연구는 스커미온 기반의 초저전력, 고효율의 차세대 통신소자 개발을 앞당기는데 기여할 것으로 전망하고 있다. 이에 KIST는 탁월한 연구업적을 인정하여 우성훈 박사를 ‘이달의 KIST인상’으로 선정했다고 밝혔다. 이달의 KIST인상은 원의 발전에 가장 창조적, 혁신적으로 기여한 우수 직원을 발굴하여 포상함으로써 연구(업무)활동을 활성화하고자, 해당부서장이 적격후보자를 추천하여 포상심의위원회 심의를 거쳐 최종 선정된다.
컴퓨터 시뮬레이션 기술로 전지의 화학반응 예측한다
컴퓨터 시뮬레이션 기술로 전지의 화학반응 예측한다 - 전지 성능저하의 원인인 계면막(SEI) 형성을 예측하는 시뮬레이션 기술 개발 - 전극의 계면막 제어를 통한 전지 성능 향상 및 수명 개선 기대 리튬이온전지는 밀도가 높아 무게가 가볍고 고용량의 전지를 만드는데 유리해 휴대폰, 노트북, 디지털 카메라 등에 많이 사용되고 있다. 리튬이온전지는 충?방전을 거듭할수록 전극 표면에서 산화·환원 반응을 통해 전극-전해질 계면막(SEI, Solid-Electrolyte Interphase)이 형성되어 적층되는데 이것이 전지의 성능을 저하시킨다. 최근 국내 연구진이 이러한 전지의 계면현상을 이해하기 위해 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 나노 단위에서 전극의 계면반응을 빠르게 예측할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 계산과학연구센터 한상수 박사 연구팀은 ‘리액티브 포스 필드’(ReaxFF, Reactive Force Field)라는 자체 개발한 시뮬레이션 기술을 통해 실리콘(Si) 전극과 다양한 종류의 전해질 간의 화학반응을 예측할 수 있는 소프트웨어(S/W)를 개발함으로써, 화학반응 중에 생성되는 다양한 계면막 구성성분(유·무기화합물) 및 가스 생성 메커니즘을 규명하고, ‘안전하고 우수한 전해질·첨가제 선택의 조건’을 정립했다고 밝혔다. 전지를 반복적으로 충?방전 하면, 계면막이 형성되어 전지의 성능(수명, 용량 등) 및 안전성에 결정적인 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 간혹 휴대폰 혹은 노트북 충전 시 전지가 부풀어 오르거나 폭발하는 사고를 볼 수 있는데, 원인은 계면막 형성과 직결되어 있으나 현재의 분석 장비로는 이러한 계면 반응을 분석하기가 불가능하다는 것이 일반적인 견해였다. 연구진은 시뮬레이션 기술을 통해 계면막 내의 가스 성분이 방출되는 과정을 실시간으로 모니터링 가능하며, 각 가스 성분이 미치는 영향을 파악하고 이를 제어하는 방법에 대한 결과를 제시할 수 있다고 밝혔다. 또한 연구진은 개발된 시뮬레이션 기술을 온라인상에 그래픽사용자인터페이스(GUI, Graphical User Interface) 환경을 기반으로 하는 리튬이온 배터리 시뮬레이션 플랫폼인 ‘iBat’(http://battery.vfab.org) 내에 장착함으로써 계산전문가가 아닌 실험연구자도 쉽게 계면막 형성거동을 예측해 볼 수 있도록 무상으로 제공(*2017년 6월 1일(목) 공개)하고 있다. KIST 한상수 박사는 “전해질의 종류에 따라 각종 전극 표면에서 계면반응을 미리 예측함으로써 우수한 전해질 및 첨가제 개발의 비용을 절감하고 개발 시기를 앞당길 수 있다”라고 말하며, “또한, 이 기술은 기존 계산과학기술의 한계였던 소규모 샘플링 방법을 극복해 실제 실험과 유사한 조건에서 결과를 도출해 낼 수 있다”라고 말했다. 연구진이 개발한 이 기술은 향후 탈리튬계 이차전지, 연료전지 및 촉매 개발 등에 폭 넓게 활용될 전망이다. 본 연구는 미래창조과학부 지원의 KIST 기관고유사업, 산업통상자원부의 산업핵심기술개발사업으로 수행되었으며, 연구결과는 물리화학분야 국제학술지인 '저널 오브 피지컬 케미스트리 레터스(Journal of Physical Chemistry Letters / IF : 9.353, JCR 분야 상위 2.86%)' 7월 6일(목)자로 출판되었다. <그림설명> <그림 1> 리튬이온배터리 실리콘 전극 표면에 계면막(SEI)이 생성되는 과정을 예측할 수 있는 컴퓨터 시뮬레이션 기술 <그림 2> 실리콘 전극과 에틸렌카보네이트(EC) 전해질과의 계면반응 예측. (a) 시간에 따른 전해질 분해 및 가스 생성물 변화량. (b) 전해질이 분해되어 일산화탄소 가스가 생성되는 과정. (c) 에틸렌 가스가 생성되는 과정 <그림 3> 계면막(SEI) 층 내부 리튬무기물 분포량 분석 프로파일 <그림 4> KIST 계산과학연구센터 주도로 개발된 리튬이온배터리 시뮬레이션 플랫폼 ‘iBat’ 메인화면(http://battery.vfab.org) *6월 1일 무상공개
컴퓨터 시뮬레이션 기술로 전지의 화학반응 예측한다
컴퓨터 시뮬레이션 기술로 전지의 화학반응 예측한다 - 전지 성능저하의 원인인 계면막(SEI) 형성을 예측하는 시뮬레이션 기술 개발 - 전극의 계면막 제어를 통한 전지 성능 향상 및 수명 개선 기대 리튬이온전지는 밀도가 높아 무게가 가볍고 고용량의 전지를 만드는데 유리해 휴대폰, 노트북, 디지털 카메라 등에 많이 사용되고 있다. 리튬이온전지는 충?방전을 거듭할수록 전극 표면에서 산화·환원 반응을 통해 전극-전해질 계면막(SEI, Solid-Electrolyte Interphase)이 형성되어 적층되는데 이것이 전지의 성능을 저하시킨다. 최근 국내 연구진이 이러한 전지의 계면현상을 이해하기 위해 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 나노 단위에서 전극의 계면반응을 빠르게 예측할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 계산과학연구센터 한상수 박사 연구팀은 ‘리액티브 포스 필드’(ReaxFF, Reactive Force Field)라는 자체 개발한 시뮬레이션 기술을 통해 실리콘(Si) 전극과 다양한 종류의 전해질 간의 화학반응을 예측할 수 있는 소프트웨어(S/W)를 개발함으로써, 화학반응 중에 생성되는 다양한 계면막 구성성분(유·무기화합물) 및 가스 생성 메커니즘을 규명하고, ‘안전하고 우수한 전해질·첨가제 선택의 조건’을 정립했다고 밝혔다. 전지를 반복적으로 충?방전 하면, 계면막이 형성되어 전지의 성능(수명, 용량 등) 및 안전성에 결정적인 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 간혹 휴대폰 혹은 노트북 충전 시 전지가 부풀어 오르거나 폭발하는 사고를 볼 수 있는데, 원인은 계면막 형성과 직결되어 있으나 현재의 분석 장비로는 이러한 계면 반응을 분석하기가 불가능하다는 것이 일반적인 견해였다. 연구진은 시뮬레이션 기술을 통해 계면막 내의 가스 성분이 방출되는 과정을 실시간으로 모니터링 가능하며, 각 가스 성분이 미치는 영향을 파악하고 이를 제어하는 방법에 대한 결과를 제시할 수 있다고 밝혔다. 또한 연구진은 개발된 시뮬레이션 기술을 온라인상에 그래픽사용자인터페이스(GUI, Graphical User Interface) 환경을 기반으로 하는 리튬이온 배터리 시뮬레이션 플랫폼인 ‘iBat’(http://battery.vfab.org) 내에 장착함으로써 계산전문가가 아닌 실험연구자도 쉽게 계면막 형성거동을 예측해 볼 수 있도록 무상으로 제공(*2017년 6월 1일(목) 공개)하고 있다. KIST 한상수 박사는 “전해질의 종류에 따라 각종 전극 표면에서 계면반응을 미리 예측함으로써 우수한 전해질 및 첨가제 개발의 비용을 절감하고 개발 시기를 앞당길 수 있다”라고 말하며, “또한, 이 기술은 기존 계산과학기술의 한계였던 소규모 샘플링 방법을 극복해 실제 실험과 유사한 조건에서 결과를 도출해 낼 수 있다”라고 말했다. 연구진이 개발한 이 기술은 향후 탈리튬계 이차전지, 연료전지 및 촉매 개발 등에 폭 넓게 활용될 전망이다. 본 연구는 미래창조과학부 지원의 KIST 기관고유사업, 산업통상자원부의 산업핵심기술개발사업으로 수행되었으며, 연구결과는 물리화학분야 국제학술지인 '저널 오브 피지컬 케미스트리 레터스(Journal of Physical Chemistry Letters / IF : 9.353, JCR 분야 상위 2.86%)' 7월 6일(목)자로 출판되었다. <그림설명> <그림 1> 리튬이온배터리 실리콘 전극 표면에 계면막(SEI)이 생성되는 과정을 예측할 수 있는 컴퓨터 시뮬레이션 기술 <그림 2> 실리콘 전극과 에틸렌카보네이트(EC) 전해질과의 계면반응 예측. (a) 시간에 따른 전해질 분해 및 가스 생성물 변화량. (b) 전해질이 분해되어 일산화탄소 가스가 생성되는 과정. (c) 에틸렌 가스가 생성되는 과정 <그림 3> 계면막(SEI) 층 내부 리튬무기물 분포량 분석 프로파일 <그림 4> KIST 계산과학연구센터 주도로 개발된 리튬이온배터리 시뮬레이션 플랫폼 ‘iBat’ 메인화면(http://battery.vfab.org) *6월 1일 무상공개